JP2001109398A - Display device - Google Patents

Display device

Info

Publication number
JP2001109398A
JP2001109398A JP28317999A JP28317999A JP2001109398A JP 2001109398 A JP2001109398 A JP 2001109398A JP 28317999 A JP28317999 A JP 28317999A JP 28317999 A JP28317999 A JP 28317999A JP 2001109398 A JP2001109398 A JP 2001109398A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
cathode
input terminal
display device
cathode electrode
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28317999A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Okuyama
Tsutomu Yamada
正博 奥山
努 山田
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
三洋電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent picture quality of a display from being decreased by increase in unevenness of resistance due to position in a display screen of a cathode. SOLUTION: Resistance is prevented from being increased due to connections, by increasing a connection area of an extended part arranged by extending from a cathode main body part and a cathode bias input terminal.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機EL層に駆動電流を流す事によって発光するEL発光素子を薄膜トランジスター(以下TFTと称する)で駆動制御するアクティブマトリックス型の表示装置に関するものである。 The present invention relates to relates to a display device of active matrix type that drives and controls the EL light emitting element which emits light by supplying a drive current to the organic EL layer by a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT).
就中、表示特性を向上するためのカソード電極の取り出し方の最適化構造に関する。 Inter alia, to optimize the structure of how removal of the cathode electrode for improving the display characteristics.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス(Elec In recent years, electroluminescent (Elec
tro Luminescence:以下、「EL」と称する。 tro Luminescence: hereinafter referred to as "EL". )素子を用いたEL表示装置が、CRTやLCDに代わる表示装置として注目されており、例えば、そのEL素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ(Th ) EL display device using the element, has attracted attention as a display device in place of a CRT or LCD, for example, a thin film transistor (Th as a switching element for driving the EL element
in Film Transistor:以下、「TFT」と称する。 in Film Transistor: hereinafter referred to as "TFT". )を備えたEL表示装置の開発も進められている。 The development of the EL display device having a) are also underway.

【0003】図5に一般的に用いられている有機EL表示装置の機能を説明するための等価回路図を示す。 [0003] An equivalent circuit diagram for explaining the function of the organic EL display device is generally used in FIG. 図に示すように、ゲートラインGLとドレインラインDLとに囲まれた領域に表示画素50が形成されている。 As shown, the display pixels 50 are formed in a region surrounded by the gate lines GL and the drain lines DL. 表示画素は、これがVGAとして用いられる表示装置であれば、横640個、縦480個の表示画素数となるのである。 Display pixel, if this is a display device used as a VGA, lateral 640 is of a vertical 480 number of display pixels. 実際には、この数字より僅かに多い画素数が設計されるのが常である。 In practice, slightly more number of pixels than the number is designed is always. 又、カラーであれば一般的には、R Also, in general, if a color, R
GBの3原色分のピクセル数になる。 It becomes equal to the number of pixels 3 primary colors of GB.

【0004】本発明の説明では一つの単位として、TF [0004] as a single unit in the description of the present invention, TF
T、容量、EL素子で構成される最も単純な単位を「表示画素」と定義する。 T, volume, the simplest unit formed in EL elements is defined as a "display pixel".

【0005】両信号線、即ちゲートラインとドレインラインとの交点付近にはスイッチング素子である第1のT [0005] Both the signal lines, i.e., the first T in the vicinity of the intersection between the gate line and the drain line, which is a switching element
FT51が備えられており、その第1のTFT51のソースは、保持容量52を構成する一方の電極を兼ねるとともに、有機EL素子54を駆動する第2のTFT53 FT51 are provided, along with the source of the first TFT51 also serves as one of electrodes constituting the storage capacitor 52, a second TFT53 that drives the organic EL element 54
のゲートに接続されている。 It is connected to the gate. 又、保持容量52の他の電極は別に容量ラインCLに接続されている。 Further, other electrode of the storage capacitor 52 is separately connected to the capacitor line CL. 第2のTF The second of the TF
T53のソースは有機EL素子54のアノード電極に接続され、他方のドレインは有機EL素子を駆動する駆動ラインVLに接続されている。 The source of T53 is connected to the anode electrode of the organic EL element 54, the other of the drain is connected to the driving line VL for driving the organic EL element.

【0006】有機EL素子54のカソード電極は、全体を接続するために実設計としては一体化されて構成されており図ではカソード電極CEとして示した。 [0006] The cathode electrode of the organic EL element 54 is shown to have been constructed are integrated as a real design to connect the whole shown as a cathode electrode CE. また、前記保持容量52の電極はクロム等から成っており、第1,第2のTFT51、53のゲート絶縁膜を誘電体層として電荷を蓄積している。 The electrode of the storage capacitor 52 is made of chromium or the like, it accumulates charges a first gate insulating film of the second TFT51,53 as a dielectric layer. この保持容量52は、第2 The storage capacitor 52, a second
のTFT52のゲートに印加される電圧を保持している。 Holding the voltage applied to the gate of TFT52 of.

【0007】EL表示装置は、表示画素の構成要素即ち、第1、第2のTFT、保持容量、及びEL素子と、 [0007] EL display devices, the components of the display pixel that is, first, second TFT, the holding capacitor, and an EL element,
それらをつないで能力を実現している各配線ライン即ち、ゲートラインGL、ドレインラインDL、駆動ラインVL及び容量ラインCL、カソード電極CEと、縦横方向のドライバー及び入出力端子群(図示しない)で構成される。 Each wiring line is realized capacity by connecting them That is, the gate lines GL, drain lines DL, the drive line VL and the capacitor line CL, and the cathode electrode CE, in vertical and horizontal directions of the driver and the input and output terminals (not shown) constructed.

【0008】図6は一般的なカソード電極の取り出し方を説明するために端子付近を示した平面図である。 [0008] FIG. 6 is a plan view showing the vicinity of the terminal in order to explain how extraction common cathode electrode. 透明なガラス基板61に表示領域62,カソード電極63が設けられている。 Display area 62 on the transparent glass substrate 61, a cathode electrode 63 is provided. 表示領域の内部には当然第1のTF Naturally first TF inside the display region
T、第2のTFT、保持容量、有機EL素子で構成されておりそれらを接続して所期の機能を実現するゲートライン、ドレインライン、容量ライン、駆動ライン、カソード電極などが存在している。 T, a second TFT, storage capacitor, the gate line, the drain line to achieve the intended function by connecting them is constituted by an organic EL element, the capacitor line, drive line, such as a cathode electrode is present . 基板61の周辺部には水平方向ドライバー64,垂直方向ドライバー65、外部入力端子群66,カソード入力端子67などが設けられて機能を具体化している。 Horizontal driver 64 in the peripheral portion of the substrate 61, the vertical driver 65, the external input terminal group 66 and the cathode input terminal 67 embodying the features provided.

【0009】外部入力端子群66と,カソードバイアス入力端子67とは通常同じ幅で、一定のピッチで配置される。 [0009] an external input terminal group 66, the cathode bias input terminal 67 normally the same width, are arranged at a constant pitch. ここでは、カソードバイアス入力端子67はカソード電極63との重畳部に設けられた接続部68により電気的に接続される。 Here, the cathode bias input terminal 67 is electrically connected by a connection portion 68 provided on the superposed portion of the cathode electrode 63.

【0010】 [0010]

【発明が解決しようとする課題】図6に示すように有機EL素子を駆動するためのカソード電極63は、表示領域62の全面に形成され、透明なガラス基板61の周辺部に配置されたカソードバイアス入力端子67と電気的に接続されていた。 The cathode electrode 63 for driving the organic EL element as shown in FIG. 6 [SUMMARY OF THE INVENTION] is formed on the entire surface of the display region 62, disposed on the periphery of the transparent glass substrate 61 cathode It was electrically connected to the bias input terminal 67.

【0011】特にカソード電極は、外部より基本的にD [0011] Particularly cathode basically D from the outside
Cの電位が与えられ、アノード電極とカソード電極の間に電流が流れる。 Potential of C is given, a current flows between the anode electrode and the cathode electrode. 従ってカソード電極やカソード電極と接続される配線のコンタクト抵抗、配線抵抗が大きいと、カソード電極に与えるバイアスが低下し、表示品位を低下させる問題があった。 Thus the contact resistance of the wiring connected to the cathode electrode and the cathode electrode, the wiring resistance is large, the bias is reduced to provide a cathode electrode, there is a problem of lowering the display quality.

【0012】また、表示領域内の左右の表示ムラが出来にくいように概略半分ということで中央部にカソードバイアス入力端子が設けられてカソード電極と接続されているのが通常であり、これがレイアウト設計の自由度を奪っていた。 Further, that the cathode bias input terminal connected to the provided cathode electrode at the center in that schematic half as hard can left and right display unevenness in the display area is usually, this layout design He had robbed the freedom of.

【0013】 [0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数のゲートラインと、該ゲートラインに直交して設けられたドレインラインとで区画された画素領域を有し、該画素領域には第1のTFTと第2のTFTと保持容量とアノード電極、カソード電極、有機EL層とで構成されるEL発光素子とが配置されたアクティブ型表示装置に於いて、カソード電極は少なくとも表示領域を覆って一部は該表示領域から延長して配置され外部入力端子群の内カソードバイアス入力端子と接続されたことを特徴とする表示装置にある。 Means for Solving the Problems The present invention includes a plurality of gate lines, a pixel region partitioned by the drain lines provided orthogonally to the gate line, the first is to the pixel area TFT and the second TFT and the storage capacitor and an anode electrode, a cathode electrode, in the active display device and configured EL light emitting elements are arranged in the organic EL layer, the cathode electrode covering at least the display area one parts are in the display device, characterized in that connected to the inner cathode bias input terminal of the extended disposed external input terminals from the display area.

【0014】また本発明は、ガラス基板上に複数のゲートラインと、該ゲートラインに直交して設けられたドレインラインとで区画された画素領域を有し、該画素領域には第1のTFTと第2のTFTと保持容量と覆って設けられた平坦化膜上にアノード電極、カソード電極、有機EL層とで構成されるEL発光素子とが配置されたアクティブ型表示装置に於いて、カソード電極は少なくとも表示領域を覆って一部は該表示領域から延長して配置され、ガラス基板周辺部に設けられた外部入力端子群の内カソードバイアス入力端子と電気的に接続されたことを特徴とする表示装置にある。 [0014] The present invention includes a plurality of gate lines on a glass substrate, a pixel region partitioned by the drain lines provided orthogonally to the gate line, the pixel region first TFT When the second TFT and the storage capacitor and the overlying anode electrode on a flattening film provided, a cathode electrode, in the active display device and the EL light emitting elements are arranged constituted by the organic EL layer, the cathode electrode part covering at least the display region are arranged so as to extend from the display region, and characterized in that it is the inner cathode bias input terminal electrically connected to the external input terminal group provided on the glass substrate peripheral portion there is a display device which.

【0015】さらに本発明は、前記カソード電極は有機EL層と直接接続されたフッカリチュウム(LiF)とアルミニウム(Al)とで形成されることが好ましい。 Furthermore the present invention, the cathode electrode is preferably formed out directly with the organic EL layer connected Fukka Lithium (LiF) and aluminum (Al).

【0016】また、本発明は、実質的に外部入力端子群を構成する位置の端部に配置されたバイアス入力端子を有することが好ましい。 Further, the present invention preferably has a substantially bias input terminal disposed at the end positions constituting the external input terminal group.

【0017】さらに本発明は、前記外部入力端子群は基本的に等間隔で設置され前記カソードバイアス入力端子は、実質的に複数本で構成されており前記カソード電極と電気的に接続され接触面積を大とする事が好ましい。 Furthermore the present invention, the external input terminal group is disposed at essentially regular intervals the cathode bias input terminals, the contact area is substantially connected said is constituted by a plurality of cathode electrodes and the electrically it is preferable that the large the.

【0018】 [0018]

【発明の実施の形態】以下添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。 Referring to DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The accompanying drawings will be described embodiments of the present invention. 図1は本発明による有機EL表示装置の構成を模式的に示す平面図、図2は図1 Figure 1 is a plan view schematically showing a structure of an organic EL display device according to the present invention, Figure 2 is Figure 1
のA−A断面図である。 Which is the A-A sectional view.

【0019】本発明の概略を先ず述べる。 [0019] outlined in the present invention first. 透明なガラス基板1に表示領域2,カソード電極3が設けられている。 Transparent glass substrate 1 in the display area 2, the cathode electrode 3 is provided. カソード電極3は説明の便宜上カソード電極本体部3とカソード電極延長部3bとで構成されるとする。 The cathode electrode 3 and composed of a convenience cathode electrode main body portion 3 and the cathode electrode extension 3b of the description. 表示領域の内部には当然第1のTFT、第2のTFT、保持容量、有機EL素子が形成されておりそれらを接続して所期の機能を実現するゲートライン、ドレインライン、容量ライン、駆動ライン、アノード電極などが存在している。 Of course the first TFT is inside the display area, a second TFT, storage capacitor, the gate lines to achieve the intended function by connecting them are organic EL elements are formed, the drain line, the capacitor line drive line, such as the anode electrode is present. 基板1の周辺部には水平方向ドライバー4, The peripheral portion of the substrate 1 horizontal driver 4,
垂直方向ドライバー5、外部入力端子群6,カソードバイアス入力端子7などが設けられて機能を具体化している。 Vertical driver 5, the external input terminal group 6, such as a cathode bias input terminal 7 embodying the features provided.

【0020】本発明にあっては、外部入力端子群6と、 [0020] In the present invention, an external input terminal group 6,
カソードバイアス入力端子7との差は後者を明確に幅広に設けることが特徴である。 The difference between the cathode bias input terminal 7 is characterized by providing clearly wider the latter. ここでは、カソードバイアス入力端子7はカソード電極3との重畳部に設けられた接続部8により電気的に接続される。 Here, the cathode bias input terminal 7 is electrically connected by the connecting portion 8 provided in the superposition portion of the cathode electrode 3. しかも、カソードバイアス入力端子7の広がり(幅)は、カソード電極延長部3bと同じ幅を持っている。 Moreover, the spread of cathode bias input terminal 7 (width) has the same width as the cathode electrode extension 3b.

【0021】図1のA−A断面を示す図2に従って本発明の断面を説明する。 [0021] The cross section of the present invention will be described with reference to FIG. 2 showing the A-A cross section of FIG. ガラス基板1にボトムゲート型のTFTを作るためにクロムを飛着し、第1カソードバイアス入力端子7aを形成する。 The glass substrate 1 to Higi chromium to make a bottom gate TFT, and the forming the first cathode bias input terminal 7a. この時、図1に示す垂直、水平方向のドライバーと接続するためのリード11 At this time, the lead 11 for connecting the vertical and horizontal driver shown in FIG. 1
も作ってしまうことが出来る。 It can also will make. その後、シリコン、シリコン窒化物、シリコン酸化物をスパッターやCVD等を用いて第1のTFT、第2のTFT、保持容量を作る。 Then, make silicon, silicon nitride, the first TFT silicon oxide using a sputtering or CVD or the like, a second TFT, a storage capacitor.
これらをカバーするため、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜の3層で層間絶縁膜12を形成する。 To cover these, silicon oxide film, a silicon nitride film, an interlayer insulating film 12 in the three layers of the silicon oxide film. 次いで、TFTのソース、ドレインを取り出すためコンタクトホールが適宜設けられ、更にドレインラインDL、ゲートラインGL、容量ラインCL、駆動ラインVLを設ける。 Then, the source of the TFT, a contact hole is appropriately provided for taking out a drain, further drain line DL, the gate lines GL, the capacity line CL, provided drive line VL.

【0022】この時各ラインはアルミニウムを中央に挟んでモリブデンでサンドイッチした3層構造であり約8 [0022] At this time each line is a three-layer structure is sandwiched by molybdenum across the aluminum at the center of about 8
000Åを適用される。 It is applied to 000Å. 同時に、第2カソードバイアス入力端子7bも形成される。 At the same time, it is also formed second cathode bias input terminal 7b.

【0023】ここまでで表示装置を動かす為の部品は一応出来ているのであり、これらを働かせるために都合の良い環境を作ることと、発光素子の形成に掛かる。 [0023] is than are made once the parts for moving the display device in up to this point, and to create a favorable environment in order to work these, applied to the formation of the light-emitting element. 即ちガラス基板1の表面を平坦にするために、平坦化膜13 That is, in order to flatten the surface of the glass substrate 1, the planarization film 13
を設ける。 The provision. 勿論絶縁性で簡単に厚く設けることの出来る材料とであり、2〜3μmのアクリル系樹脂が選ばれる。 Sequence by the material of course may be provided simply thicker in insulating, acrylic resins 2~3μm is selected.

【0024】次に、有機EL素子を作る為にアノード電極を形成する。 Next, to form the anode electrode in order to make the organic EL element. この時用いられる金属はITOであり、 In this case the metal used is ITO,
同時に第3カソードバイアス入力端子7cも形成される。 Third cathode bias input terminal 7c simultaneously formed. 更に、有機EL層、カソード電極3が形成される。 Further, the organic EL layer, the cathode electrode 3 are formed.
カソード電極3からエレクトロンの注入を起こし易いようにカソード電極3のEL層と直接接して弗化リチウム(LiF)を400Åの厚さで設けられた。 Provided a lithium fluoride (LiF) to a thickness of 400Å from the cathode electrode 3 in contact electron injecting easy way directly with the EL layer of the cathode electrode 3 caused the. 更にこの層の上にはアルミニウム(Al)が用いられて2層構造によるカソード電極3を構成している。 Constitute a cathode electrode 3 by a two-layer structure is used aluminum (Al) is on top of more this layer.

【0025】本発明によれば、カソード電極3の端部は図2に示す通りコンタクト部と、配線部と、端子部で構成される。 According to the present invention, the end portion of the cathode electrode 3 and as the contact portion shown in FIG. 2, the wiring portion, and a terminal portion. 表示領域を覆っているカソード電極の大部分は、前記した通り、弗化リチウム(LiF)とアルミニウム(Al)による2層構造である。 Most of the cathode electrode covering the display area, as described above, a two-layer structure with lithium fluoride (LiF) and aluminum (Al).

【0026】コンタクト部は、前記カソード電極の2層構造と更に、アノード電極材料で構成される第3カソードバイアス入力端子3cの延長と、配線材料で形成される第2カソードバイアス入力端子7bの延長で構成される。 The contact portion further has a two-layer structure of the cathode electrode, and the extension of the third cathode bias input terminal 3c comprised of the anode electrode material, the extension of the second cathode bias input terminal 7b formed with a wiring material in constructed. 配線部は、図示する通り第2カソードバイアス入力端子7bの延長だけである。 Wire portion is only an extension of the second cathode bias input terminal 7b as depicted. 端子部は、第3カソードバイアス入力端子7c、第2カソードバイアス入力端子7 Terminal portion, the third cathode bias input terminal 7c, the second cathode bias input terminal 7
b、第1カソードバイアス入力端子7aで構成されている。 b, it is composed of a first cathode bias input terminal 7a.

【0027】金属層が厚いということは、抵抗が少なくより目的を達することになるが、厚すぎて剥がれたり、 [0027] that the metal layer is that thick, but so that the resistance to reach a purpose than less, or peeling too thick,
コンタクトホールが取り辛かったり、ステップカバリッジの関係があり本実施の形態では4部分の縦構造を選んで説明した。 Or painful taken by the contact hole, has been described choose vertical structure of the 4 portions in the present embodiment is related step coverage.

【0028】次に、図3に従って他の実施の形態を説明する。 Next, explaining another embodiment in accordance with FIG. 図番、名称は全て先の実施の形態と同じである。 Drawing number, the name is the same for all destination embodiment.
本発明は、カソード電極延長部3bとカソードバイアス入力端子7の位置に特徴を有している。 The present invention is characterized by the position of the cathode electrode extension 3b and the cathode bias input terminal 7. 即ち、外部入力端子群6と同じ幅を有しているが、位置がそれの最も端部に配置されることである。 That is, it has the same width as the external input terminal group 6, is that the position is located in the most end of it. これによって、カソードバイアス入力端子7が一番隅に設定できることから他の端子の配置の設計に余裕を持たせることが出来る。 Thus, the cathode bias input terminal 7 can be provided with a margin in the design of the arrangement of other terminals from being able to set the most corner.

【0029】第4図に従って、第3の実施の形態をする。 [0029] According to Figure 4, the third embodiment. この場合も図番、名称共に先の実施の形態と同じである。 In this case figure number is also the same as in the previous embodiment the name both. 本発明は、カソードバイアス入力端子7に特徴を有している。 The present invention is characterized by the cathode bias input terminal 7. 即ち、端子7は複数に分割されて外部入力端子群6と同じ幅を有しているが、カソード電極延長部3bの下で一本化されている。 That is, the terminal 7 is divided into a plurality have the same width as the external input terminal group 6, are unifying under the cathode electrode extension 3b. 一本化は、カソード電極延長部3bの下であっても良いし下に入る手前であっても良いのは当然である。 Unification is the may be a lower cathode electrode extension 3b may be a front entering the lower is natural.

【0030】本発明は、次のように要約できる。 [0030] The present invention can be summarized as follows. 1)カソード電極延長部とカソードバイアス入力端子とを広い面積で接続すること。 1) connecting the cathode electrode extension and the cathode bias input terminal in a broad area. 2)広い面積で接続する方法は、幅広のカソード電極延長部と同じく幅広のカソードバイアス入力端子で達成しても、カソードバイアス入力端子を複数本をまとめて実現しても良い。 2) How to connect with a wide area, it is achieved also with wide cathode bias input terminal and wide cathode electrode extension may be realized cathode bias input terminal collectively plural. 3)カソード電極延長部とカソードバイアス入力端子は外部入力端子群の位置に対して端部にずれていること。 3) a cathode electrode extension and the cathode bias input terminal that is shifted to the end with respect to the position of the external input terminals. 4)カソード電極は弗化リチウム(LiF)とアルミニウム(Al)より形成される。 4) a cathode electrode is formed of aluminum (Al) and lithium fluoride (LiF).

【0031】本発明は、上記要約を独立して実施しても、組み合わせて実施しても本発明の目的を全うするものである。 [0031] The present invention may be carried out independently of the above summary, be carried out in combination is intended to fulfill the object of the present invention.

【0032】 [0032]

【発明の効果】本発明によれば、カソード電極に印加されるバイアスの降下を防止でき、本来供給されるべき電流を各表示画素のEL素子に供給することができ、表示品位を向上したEL表示装置を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the drop of the bias applied to the cathode electrode, it is possible to supply current to be originally supplied to the EL element of each display pixel, with improved display quality EL it is possible to obtain a display device.

【0033】また、表示領域内の左右の表示ムラが出来にくいように中央部にカソードバイアス入力端子が設けられてカソード電極と接続されていたが外部入力端子群の端部に配置することによりレイアウト設計に余裕が出来る。 Further, the layout by although cathode bias input terminal was connected with the provided by the cathode electrode be disposed at the end of the external input terminals to the central portion so difficult can left and right display unevenness in the display region It can afford to design.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明を説明するための、平面図である。 [1] for describing the present invention, it is a plan view.

【図2】本発明を説明するための、図1のA−A断面図である。 [Figure 2] for describing the present invention, an A-A sectional view of FIG.

【図3】本発明の他の実施の形態を説明するための、平面図である。 [Figure 3] for explaining another embodiment of the present invention, is a plan view.

【図4】本発明の第3の実施の形態を説明するための、 [Figure 4] for explaining a third embodiment of the present invention,
平面図である。 It is a plan view.

【図5】有機EL表示装置の機能を説明するための等価回路図を示す。 Figure 5 shows an equivalent circuit diagram for explaining the function of the organic EL display device.

【図6】従来例を説明するための平面図である。 6 is a plan view for explaining a conventional example.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB05 AB11 BA06 CA01 CC05 DA02 5C094 AA21 AA53 AA55 BA03 BA29 CA19 DA09 DB02 EA03 EA04 EA07 EB02 FB12 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 3K007 AB05 AB11 BA06 CA01 CC05 DA02 5C094 AA21 AA53 AA55 BA03 BA29 CA19 DA09 DB02 EA03 EA04 EA07 EB02 FB12

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 複数のゲートラインと、該ゲートラインに直交して設けられたドレインラインとで区画された画素領域を有し、該画素領域には第1のTFTと第2のT [1 claim: a plurality of gate lines, a pixel region partitioned by the drain lines provided orthogonally to the gate line, the pixel region first TFT and the second T
    FTと保持容量とアノード電極、カソード電極、有機E FT the storage capacitor and an anode electrode, a cathode electrode, an organic E
    L層とで構成されるEL発光素子とが配置されたアクティブ型表示装置に於いて、カソード電極は少なくとも表示領域を覆って一部は該表示領域から延長して配置され外部入力端子群の内カソードバイアス入力端子と接続されたことを特徴とする表示装置。 In active display device and configured EL light emitting elements are arranged in an L layer, the cathode electrode is partially covers at least the display region are arranged so as to extend from the display area of ​​the external input terminal group display apparatus characterized by being connected to the cathode bias input terminal.
  2. 【請求項2】 ガラス基板上に複数のゲートラインと、 A plurality of gate lines 2. A glass substrate,
    該ゲートラインに直交して設けられたドレインラインとで区画された画素領域を有し、該画素領域には第1のT A pixel region partitioned by the drain lines provided orthogonally to the gate line, the pixel region first T
    FTと第2のTFTと保持容量と覆って設けられた平坦化膜上にアノード電極、カソード電極、有機EL層とで構成されるEL発光素子とが配置されたアクティブ型表示装置に於いて、カソード電極は少なくとも表示領域を覆って一部は該表示領域から延長して配置され、ガラス基板周辺部に設けられた外部入力端子群の内カソードバイアス入力端子と電気的に接続されたことを特徴とする表示装置。 FT and the second TFT and the storage capacitor and the overlying anode electrode on a flattening film provided, a cathode electrode, in the active display device and the EL light emitting elements are arranged constituted by the organic EL layer, the cathode electrode is partially covers at least the display region are arranged so as to extend from the display area, characterized in that connected the inner cathode bias input terminal electrically the external input terminal group provided on the glass substrate peripheral portion and the display device.
  3. 【請求項3】 前記カソード電極は有機EL層と直接接続されたフッカリチュウム(LiF)とアルミニウム(Al)とで形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。 Wherein the cathode electrode is a display device according to claim 1 or claim 2, characterized in that it is formed out directly with the organic EL layer connected Fukka Lithium (LiF) and aluminum (Al).
  4. 【請求項4】 前記外部入力端子群を構成するバイアス入力端子は実質的に端部に配置されたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。 Wherein said external input bias input terminal that constitutes the terminal group is substantially display device according to claim 1 or claim 2, characterized in that arranged at the end.
  5. 【請求項5】 前記バイアス入力端子は、実質的に複数本で構成されており前記カソード電極と電気的に接続されたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。 Wherein said bias input terminals, the display device according to claim 1 or claim 2, characterized in that it is substantially connected said is constituted by a plurality of cathode electrodes and electrically.
JP28317999A 1999-10-04 1999-10-04 Display device Pending JP2001109398A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28317999A JP2001109398A (en) 1999-10-04 1999-10-04 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28317999A JP2001109398A (en) 1999-10-04 1999-10-04 Display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001109398A true true JP2001109398A (en) 2001-04-20

Family

ID=17662178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28317999A Pending JP2001109398A (en) 1999-10-04 1999-10-04 Display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001109398A (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003025889A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-27 Seiko Epson Corporation Electronic device, its manufoprtaturing method, and electronic apparatus
WO2003027999A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Planar display apparatus
JP2006039541A (en) * 2004-07-22 2006-02-09 Samsung Electronics Co Ltd Organic electric light emitting display device
WO2006126304A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting circuit board and light emitting display device
US7151340B2 (en) 2001-09-28 2006-12-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Display device with reduced deterioration of emission layer
JP2007250553A (en) * 2003-11-22 2007-09-27 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display device
JP2008015547A (en) * 2007-08-29 2008-01-24 Seiko Epson Corp Electrooptical device and electronic equipment
JP2008122956A (en) * 2007-11-05 2008-05-29 Hitachi Ltd Display device
JP2008282030A (en) * 2002-01-16 2008-11-20 Seiko Epson Corp Display device
JP2009075605A (en) * 2001-12-17 2009-04-09 Seiko Epson Corp Display device and electronic device
JP2015201325A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社ジャパンディスプレイ Organic el display device and manufacturing method of organic el display device
JP2016122612A (en) * 2014-12-25 2016-07-07 セイコーエプソン株式会社 Electrooptic device, manufacturing method for the same and electronic equipment

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2034469A1 (en) * 2001-09-13 2009-03-11 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent display device
EP2131343A1 (en) * 2001-09-13 2009-12-09 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent display device
US6845016B2 (en) 2001-09-13 2005-01-18 Seiko Epson Corporation Electronic device and method of manufacturing the same, and electronic instrument
WO2003025889A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-27 Seiko Epson Corporation Electronic device, its manufoprtaturing method, and electronic apparatus
WO2003027999A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Planar display apparatus
US7071635B2 (en) 2001-09-26 2006-07-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Planar display apparatus
US7151340B2 (en) 2001-09-28 2006-12-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Display device with reduced deterioration of emission layer
US7479734B2 (en) 2001-09-28 2009-01-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Display including emission layer
JP2009075605A (en) * 2001-12-17 2009-04-09 Seiko Epson Corp Display device and electronic device
JP2011215625A (en) * 2001-12-17 2011-10-27 Seiko Epson Corp Display device and electronic device
JP2008282030A (en) * 2002-01-16 2008-11-20 Seiko Epson Corp Display device
JP2011175300A (en) * 2002-01-16 2011-09-08 Seiko Epson Corp Display device and electronic equipment
JP2007250553A (en) * 2003-11-22 2007-09-27 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display device
JP4532519B2 (en) * 2003-11-22 2010-08-25 三星モバイルディスプレイ株式會社 The organic light emitting display
JP4620534B2 (en) * 2004-07-22 2011-01-26 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. The organic electroluminescent display device
JP2006039541A (en) * 2004-07-22 2006-02-09 Samsung Electronics Co Ltd Organic electric light emitting display device
JP4916439B2 (en) * 2005-05-25 2012-04-11 シャープ株式会社 Emitting circuit board and a light emitting display device
WO2006126304A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting circuit board and light emitting display device
US7728515B2 (en) 2005-05-25 2010-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting circuit board and light-emitting display device
JP2008015547A (en) * 2007-08-29 2008-01-24 Seiko Epson Corp Electrooptical device and electronic equipment
JP4606450B2 (en) * 2007-11-05 2011-01-05 株式会社日立製作所 Display device
JP2008122956A (en) * 2007-11-05 2008-05-29 Hitachi Ltd Display device
JP2015201325A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社ジャパンディスプレイ Organic el display device and manufacturing method of organic el display device
JP2016122612A (en) * 2014-12-25 2016-07-07 セイコーエプソン株式会社 Electrooptic device, manufacturing method for the same and electronic equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7432885B2 (en) Active matrix display
US6633134B1 (en) Active-matrix-driven organic EL display device
US20050073264A1 (en) Organic EL panel
US6862008B2 (en) Display device
US7091936B1 (en) Color display device
US20060097628A1 (en) Flat panel display
US20040115989A1 (en) Electro-optical apparatus, matrix substrate and electronic equipment
US20080246026A1 (en) Organic light emitting diode display
US20050087740A1 (en) Organic electroluminescent display device of top emission type
US20060197458A1 (en) Oled display with improved active matrix circuitry
US20020154259A1 (en) Light-producing high aperture ratio display having aligned tiles
JP2000267628A (en) Active el display device
WO2004073356A1 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
JPH09106887A (en) Organic elecro-luminence element and drive method thereof
JP2002287663A (en) Display device
US20060082284A1 (en) Display and array substrate
JP2003108068A (en) Display device
JP2008135325A (en) Organic el display device, and manufacturing method therefor
US20050269942A1 (en) Color filter panel, organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2001035663A (en) Organic electroluminescence element display device and its manufacture
JP2003271075A (en) Display device
JP2003332072A (en) Organic el light emitting display device
JP2006011059A (en) Optoelectronic device and electronic apparatus
US20060145605A1 (en) Organic electroluminescent display panel device and method of fabricating the same
US20010054868A1 (en) Organic electroluminescent display panel