KR102579307B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 애노드 및 캐소드를 포함하는 복수의 서브-화소, 애노드에 애노드 전압을 공급하도록 구성된 애노드 배선 및 캐소드에 캐소드 전압을 공급하도록 구성된 캐소드 배선을 포함하고, 복수의 서브-화소들 각각에서의 애노드와 캐소드 사이의 전위차 편차가 저감되도록, 애노드 배선의 애노드 전압 입력 방향과 캐소드 배선의 캐소드 전압 입력 방향이 서로 상이하면서 서로 마주보도록 구성된다. 이에 따라, 배선 저항에 따른 애노드-캐소드 전위차 균일도가 향상될 수 있다.An organic light emitting display device is provided. The organic light emitting display device includes a plurality of sub-pixels including an anode and a cathode, an anode wiring configured to supply an anode voltage to the anode, and a cathode wiring configured to supply a cathode voltage to the cathode, and in each of the plurality of sub-pixels In order to reduce the potential difference between the anode and the cathode, the anode voltage input direction of the anode wiring and the cathode voltage input direction of the cathode wiring are configured to be different from each other and face each other. Accordingly, the uniformity of the anode-cathode potential difference according to the wiring resistance can be improved.

Figure R1020150061775
Figure R1020150061775

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 발광 표시 장치가 대형화될 때, 유기 발광 표시 장치의 화소 영역의 위치에 따른 애노드와 캐소드 사이의 전위차 편차를 저감하여, 유기 발광 표시 장치의 휘도 균일도를 향상시킬 수 있는 전압 공급 배선 구조를 가지는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more specifically, when the organic light emitting display device is enlarged, the potential difference between the anode and the cathode according to the position of the pixel area of the organic light emitting display device is reduced, and the organic light emitting display device is improved. It relates to an organic light emitting display device having a voltage supply wiring structure capable of improving luminance uniformity.

본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라, 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있다. 이에, 여러 가지 다양한 평판 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. 이 같은 평판 표시 장치의 대표적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출 표시 장치(Field Emission Display device: FED), 전기습윤 표시 장치(Electro-Wetting Display device: EWD) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display device: OLED) 등이 있다. As we enter the full-fledged information age, the field of display devices that visually display electrical information signals is rapidly developing. Accordingly, research is continuing to develop performance such as thinner, lighter, and lower power consumption for various flat panel display devices. Representative examples of such flat panel display devices include Liquid Crystal Display device (LCD), Plasma Display Panel device (PDP), Field Emission Display device (FED), and electrowetting display device. (Electro-Wetting Display device: EWD) and Organic Light Emitting Display device (OLED).

유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 표시 장치로서 연구되고 있다.Organic light emitting display devices are self-emitting display devices, and unlike liquid crystal displays, they do not require a separate light source and can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, organic light emitting display devices are not only advantageous in terms of power consumption due to low voltage driving, but also have excellent color reproduction, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and are being studied as next-generation display devices.

유기 발광 표시 장치의 화소 영역(active area; AA)은 복수의 서브-화소를 포함한다. 각각의 서브-화소는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode; OLED)를 포함한다. 각각의 유기 발광 다이오드는 애노드(anode), 유기 발광층 및 캐소드(cathode)를 포함한다. 애노드에는 애노드 전압(ELVDD)이 공급되고 캐소드에는 캐소드 전압(ELVSS)이 공급된다.The active area (AA) of an organic light emitting display device includes a plurality of sub-pixels. Each sub-pixel includes an organic light emitting diode (OLED). Each organic light emitting diode includes an anode, an organic light emitting layer, and a cathode. The anode voltage (ELVDD) is supplied to the anode, and the cathode voltage (ELVSS) is supplied to the cathode.

탑 에미션(top-emission) 방식의 유기 발광 표시 장치의 경우, 유기 발광층에서 발광된 광을 상부로 발광시키기 위해 캐소드는 투명 또는 반투명 특성의 전극을 사용한다. 이러한 캐소드는 투명성을 가지기 위해서 두께가 얇게 형성된다. 따라서 캐소드의 저항이 상당히 높아지게 된다. In the case of a top-emission organic light emitting display device, the cathode uses a transparent or translucent electrode to emit light emitted from the organic light emitting layer upward. This cathode is formed to be thin in order to have transparency. Therefore, the resistance of the cathode increases significantly.

유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 확보하기 위해, 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자 상에는 유기 발광층을 수분이나 물리적인 충격, 또는 제조 공정 시 발생할 수 있는 이물로부터 보호하기 위한 봉지부가 형성된다. 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서, 유리 봉지부, 또는 수분 침투를 지연시키기 위한 무기 봉지층과 유기물층이 교대 적층되는 박막 봉지 구조의 봉지부 등이 봉지부로서 사용된다.In order to ensure the reliability of the organic light emitting display device, an encapsulation portion is formed on the organic light emitting device including the organic light emitting layer to protect the organic light emitting layer from moisture, physical shock, or foreign substances that may occur during the manufacturing process. In a top emission type organic light emitting display device, a glass encapsulation part or an encapsulation part with a thin film encapsulation structure in which inorganic encapsulation layers and organic material layers are alternately stacked to delay moisture penetration are used as the encapsulation part.

이러한 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치가 대형화될수록, 전압을 공급하는 배선의 길이가 길어지게 된다. 배선의 길이에 비례하여 각각의 서브-화소들에 인가되는 배선 저항이 증가하게 된다. 따라서 배선을 따라서 전달되는 전압은 각 서브-화소별로 편차가 생기게 된다. 따라서 유기 발광 표시 장치의 휘도 균일도가 저하되는 문제가 발생한다. As the size of the top-emission organic light emitting display device becomes larger, the length of the wiring that supplies voltage becomes longer. The wiring resistance applied to each sub-pixel increases in proportion to the length of the wiring. Therefore, the voltage transmitted along the wiring varies for each sub-pixel. Therefore, a problem occurs in which the luminance uniformity of the organic light emitting display device deteriorates.

[관련기술문헌][Related technical literature]

1. 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 (한국특허출원번호 제 10-2013-0158972호)1. Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device (Korean Patent Application No. 10-2013-0158972)

근래에는 고집적 및 고해상도의 유기 발광 표시 장치가 요구되고 있다. 또한 유기 발광 표시 장치의 화상 품의를 향상시키기 위해서 화소 영역에 다양한 추가적인 보상 회로들이 요구되고 있다. 따라서 유기 발광 표시 장치에 애노드 전압(ELVDD)을 공급하는 배선과 캐소드 전압(ELVSS)을 공급하는 배선을 배치할 때, 배선의 폭을 충분히 확보하기에 어려움이 발생하고 있다.Recently, organic light emitting display devices with high integration and high resolution are required. Additionally, in order to improve the image quality of organic light emitting display devices, various additional compensation circuits are required in the pixel area. Therefore, when arranging the wires that supply the anode voltage (ELVDD) and the wires that supply the cathode voltage (ELVSS) to the organic light emitting display device, it is difficult to secure a sufficient width of the wires.

본 발명의 발명자는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치가 대형화 될수록 취약해지는 영상의 휘도 균일도 저하 문제를 개선하기 위한 다양한 연구를 계속하여 왔다. 구체적으로, 배선 저항 문제를 저감할 수 있는 캐소드 전압 공급 배선과 애노드 전압 공급 배선의 배치 구조에 대하여 지속적인 연구 및 개발을 하였다. The inventor of the present invention has continued various studies to improve the problem of deterioration of image luminance uniformity, which becomes more vulnerable as top-emission organic light emitting display devices become larger. Specifically, continuous research and development was conducted on the arrangement structure of the cathode voltage supply wiring and anode voltage supply wiring that can reduce wiring resistance problems.

구체적으로, 배선의 저항에 따른 전압 저감 문제가 발생하더라도, 각 서브-화소에 인가되는 애노드-캐소드 사이의 전위차 균일도를 향상시킬 수 있는 새로운 전압 공급 배선의 배치 구조에 대하여 연구하여 왔다. Specifically, research has been conducted on a new arrangement structure of voltage supply wiring that can improve the uniformity of the potential difference between the anode and cathode applied to each sub-pixel, even if the voltage reduction problem occurs due to the resistance of the wiring.

특히, 애노드 전압(ELVDD)은 전압 공급원에서부터 배선 거리가 멀어짐에 따라 점진적으로 감소하는 특성이 있으며, 캐소드 전압(ELVSS)은 전압 공급원에서부터 배선 거리가 멀어짐에 따라 점진적으로 상승하는 특성이 있다는 사실에 주목하였다. In particular, note that the anode voltage (ELVDD) has the characteristic of gradually decreasing as the wiring distance from the voltage source increases, and the cathode voltage (ELVSS) has the characteristic of gradually increasing as the wiring distance from the voltage source increases. did.

본 발명의 발명자는 애노드 전압(ELVDD) 공급 배선의 입력 방향과 캐소드 전압(ELVSS) 공급 배선의 입력 방향을 최적화하여, 애노드-캐소드 사이의 전위차가 균일하게 향상할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 발명하였다.The inventor of the present invention invented an organic light emitting display device in which the potential difference between anode and cathode can be uniformly improved by optimizing the input direction of the anode voltage (ELVDD) supply wiring and the input direction of the cathode voltage (ELVSS) supply wiring. .

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 애노드 전압(ELVDD) 공급 배선과 캐소드 전압(ELVSS) 공급 배선의 전압 입력 방향이 서로 반대가 되게 하여, 서브-화소의 위치에 상관 없이 배선 저항이 균일해질 수 있는 전압 공급 배선 구조를 제공함으로써, 애노드-캐소드 사이의 전위차가 균일하게 향상될 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the problem to be solved by the present invention is to make the voltage input directions of the anode voltage (ELVDD) supply wiring and the cathode voltage (ELVSS) supply wiring opposite to each other, so that the wiring resistance can be made uniform regardless of the location of the sub-pixel. An organic light emitting display device in which the potential difference between an anode and a cathode can be uniformly improved is provided by providing a voltage supply wiring structure.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 전압 공급 배선 구조를 최적화함으로써, 투명성을 가지는 유기 발광 표시 장치에도 적용 가능한 전압 공급 배선 및 전압 공급 패드의 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide an organic light emitting display device having a structure of a voltage supply wiring and a voltage supply pad that can be applied to a transparent organic light emitting display device by optimizing the voltage supply wiring structure.

또한 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상술한 전압 공급 배선 구조들에 최적화된 서브-화소 구조들 및 해당 서브-화소 구조들에 대응되는 영상 신호 보상부를 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다. Another problem to be solved by the present invention is to provide an organic light emitting display device having sub-pixel structures optimized for the above-described voltage supply wiring structures and an image signal compensation unit corresponding to the sub-pixel structures.

또한 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상술한 서브-화소 구조들에 최적화된 투명성을 가지는 투과부를 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide an organic light emitting display device having a transparent portion optimized for the above-described sub-pixel structures.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 애노드 및 캐소드를 포함하는 복수의 서브-화소, 애노드에 애노드 전압을 공급하도록 구성된 애노드 배선 및 캐소드에 캐소드 전압을 공급하도록 구성된 캐소드 배선을 포함하고, 복수의 서브-화소들 각각에서의 애노드와 캐소드 사이의 전위차 편차가 저감되도록, 애노드 배선의 애노드 전압 입력 방향과 캐소드 배선의 캐소드 전압 입력 방향이 서로 상이하면서 서로 마주보도록 구성된다. 이에 따라, 배선 저항에 따른 애노드-캐소드 전위차 균일도를 향상시킬 수 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is provided. The organic light emitting display device includes a plurality of sub-pixels including an anode and a cathode, an anode wiring configured to supply an anode voltage to the anode, and a cathode wiring configured to supply a cathode voltage to the cathode, and in each of the plurality of sub-pixels In order to reduce the potential difference between the anode and the cathode, the anode voltage input direction of the anode wiring and the cathode voltage input direction of the cathode wiring are configured to be different from each other and face each other. Accordingly, the uniformity of the anode-cathode potential difference according to wiring resistance can be improved.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는, 애노드 배선의 애노드 전압이 애노드 전압 입력 방향을 따라서 점진적으로 저감되도록 구성되고, 유기 발광 표시 장치는, 캐소드 배선의 캐소드 전압이 캐소드 전압 입력 방향을 따라서 점진적으로 증가되도록 구성되고, 애노드 배선의 애노드 전압의 거리에 따른 저감 정도 및 캐소드 배선의 캐소드 전압의 거리에 따른 증가 정도는 애노드 배선의 배선 저항 및 캐소드 배선의 배선 저항에 의해서 각각 설정된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the organic light emitting display device is configured such that the anode voltage of the anode wiring is gradually reduced along the anode voltage input direction, and the organic light emitting display device is configured such that the cathode voltage of the cathode wiring is gradually reduced along the cathode voltage input direction. Therefore, it is configured to gradually increase, and the degree of reduction according to the distance of the anode voltage of the anode wiring and the degree of increase according to the distance of the cathode voltage of the cathode wiring are set respectively by the wiring resistance of the anode wiring and the wiring resistance of the cathode wiring. do.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는, 애노드 배선의 저감된 애노드 전압이 캐소드 배선의 증가된 캐소드 전압을 상쇄시켜서, 복수의 서브-화소들의 애노드와 캐소드 사이의 전위차 편차가 보상되도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the organic light emitting display device is configured such that the reduced anode voltage of the anode wiring offsets the increased cathode voltage of the cathode wiring, so that the potential difference between the anode and cathode of the plurality of sub-pixels is compensated. It is characterized by being composed of:

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드 배선의 배선 저항과 캐소드 배선의 배선 저항의 차이는 10% 이내인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the difference between the wiring resistance of the anode wiring and the wiring resistance of the cathode wiring is less than 10%.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 복수의 서브-화소를 포함하는 화소 영역 및 화소 영역을 감싸도록 구성된 주변 영역을 더 포함하고, 애노드 배선은 주변 영역의 일 측변에서 일 측변과 마주하는 타 측변 방향으로 연장되어, 복수의 서브-화소들과 연결되고, 캐소드 배선은 주변 영역의 타 측변에서 타 측변과 마주하는 일 측변 방향으로 연장되어, 복수의 서브-화소들과 연결된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the organic light emitting display device further includes a pixel area including a plurality of sub-pixels and a peripheral area configured to surround the pixel area, wherein the anode wire extends from one side to one side of the peripheral area. It extends in the direction of the other side facing the other side and is connected to a plurality of sub-pixels, and the cathode wiring extends from the other side of the peripheral area in the direction of one side facing the other side and is connected to the plurality of sub-pixels. Do it as

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드 배선 및 캐소드 배선은 단 방향 입력 배선을 포함하고, 애노드 배선 및 캐소드 배선은 화소 영역의 끝 단에서 단락된 것을 특징으로 한다. According to another feature of the present invention, the anode wiring and the cathode wiring include unidirectional input wiring, and the anode wiring and the cathode wiring are shorted at the ends of the pixel area.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드 배선 및 캐소드 배선은 빗(comb) 형상이고, 애노드 배선 및 캐소드 배선은 화소 영역에서 빗살들이 서로 엇갈려서 배치되도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the anode wiring and the cathode wiring have a comb shape, and the anode wiring and the cathode wiring are configured so that the teeth of the anode and cathode wiring are interlaced with each other in the pixel area.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 복수의 서브-화소를 포함하는 화소 영역, 화소 영역을 감싸도록 구성된 주변 영역, 주변 영역의 일 측변에 배치되고, 일 측변에서 마주보는 타 측변 방향으로 연장되어, 화소 영역에 애노드 전압을 공급하도록 구성된 애노드 배선 및 주변 영역의 마주보는 타 측변에 배치되고, 마주보는 타 측변에서 일 측변 방향으로 연장되어, 화소 영역에 캐소드 전압을 공급하도록 구성된 캐소드 배선을 포함한다. 이에 따라, 배선 저항에 따른 애노드-캐소드 전위차 균일도를 향상시킬 수 있다.An organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention is provided. The organic light emitting display device includes a pixel area including a plurality of sub-pixels, a peripheral area configured to surround the pixel area, disposed on one side of the peripheral area, extending from one side toward the other side facing the other side, and forming an anode in the pixel area. It includes an anode wiring configured to supply a voltage, and a cathode wiring configured to supply a cathode voltage to the pixel area, which is disposed on the other opposite side of the peripheral area and extends from the other facing side toward one side. Accordingly, the uniformity of the anode-cathode potential difference according to wiring resistance can be improved.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 서브-화소 각각은, 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터에 영상 신호를 인가하도록 구성된 데이터 배선 및 구동 트랜지스터에 의해 구동되고, 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 다이오드를 포함하고, 데이터 배선은 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되고, 애노드 배선은 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 캐소드 배선은 유기 발광 다이오드의 캐소드와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다. According to another feature of the present invention, each of the plurality of sub-pixels is driven by a driving transistor including an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, a data line configured to apply an image signal to the driving transistor, and a driving transistor. It includes an organic light-emitting diode including an anode, an organic light-emitting layer, and a cathode, the data wire is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor, the anode wire is electrically connected to the drain electrode of the driving transistor, and the cathode wire is an organic light-emitting diode. It is characterized by being electrically connected to the cathode of the light emitting diode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 데이터 배선을 통해서 구동 트랜지스터에 인가되는 영상 신호는 복수의 서브-화소 각각의 캐소드의 캐소드 전압 증가분에 따른 Vgs 전압을 보상하도록 가변된 영상 신호인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the image signal applied to the driving transistor through the data line is an image signal changed to compensate for the Vgs voltage according to the increase in cathode voltage of the cathode of each of the plurality of sub-pixels.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 서브-화소는 투명성을 제공하기 위한 투과부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the plurality of sub-pixels further include a transparent portion to provide transparency.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 적어도 하나의 회로 기판을 더 포함하고, 적어도 하나의 회로 기판은 화소 영역의 배면과 중첩되지 않도록 배치된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the organic light emitting display device further includes at least one circuit board, and the at least one circuit board is arranged so as not to overlap the back surface of the pixel area.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드 배선 및 캐소드 배선 중 하나의 배선은 주변 영역을 둘러싸도록 구성되고, 애노드 배선 및 캐소드 배선은 주변 영역의 동일한 측변에서 전압을 공급받도록 구성된 것을 특징으로 한다. According to another feature of the present invention, one of the anode wiring and the cathode wiring is configured to surround the peripheral area, and the anode wiring and the cathode wiring are configured to receive voltage from the same side of the peripheral area.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 점프 배선을 더 포함하고, 애노드 배선 및 캐소드 배선은 서로 동일한 물질로 이루어지고, 애노드 배선 및 캐소드 배선 중 하나의 배선은 주변 영역에서 적어도 두 개의 부분으로 분리되고, 적어도 두 개의 부분으로 분리된 배선은 점프 배선에 의해서 연결된 것을 특징으로 한다. According to another feature of the present invention, the organic light emitting display device further includes a jump wiring, the anode wiring and the cathode wiring are made of the same material, and one of the anode wiring and the cathode wiring has at least two wires in the surrounding area. It is separated into parts, and the wiring separated into at least two parts is characterized by being connected by jump wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 캐소드 배선은 적어도 두 개의 금속층으로 구성되고, 적어도 두 개의 금속층은 컨택홀을 통해서 서로 연결된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the cathode wiring is composed of at least two metal layers, and the at least two metal layers are connected to each other through a contact hole.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 애노드 전압(ELVDD) 공급 배선과 캐소드 전압(ELVSS) 공급 배선의 입력 방향이 서로 반대되게 함으로써, 유기 발광 표시 장치의 휘도 균일도가 향상될 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of improving the luminance uniformity of the organic light emitting display device by making the input directions of the anode voltage (ELVDD) supply wiring and the cathode voltage (ELVSS) supply wiring be opposite to each other.

또한, 본 발명은 애노드 전압(ELVDD) 공급 배선의 단위 배선 저항 값과 캐소드 전압(ELVSS) 공급 배선의 단위 배선 저항 값을 실질적으로 서로 같게 함으로써, 유기 발광 표시 장치의 휘도 균일도가 향상될 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention has the effect of improving the luminance uniformity of the organic light emitting display device by making the unit wire resistance value of the anode voltage (ELVDD) supply wire and the unit wire resistance value of the cathode voltage (ELVSS) supply wire substantially the same. There is.

또한, 본 발명은 다양한 회로 기판들을 유기 발광 표시 패널의 주변 영역의 제1 측면에만 배치하고, 하나의 전압 공급 배선을 주변 영역을 통해서 제1 측면에서 마주보는 제3 측면까지 연장함으로써, 투명성을 가지는 유기 발광 표시 장치에도 적용 가능한 전압 공급 배선 구조를 제공할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention provides transparency by arranging various circuit boards only on the first side of the peripheral area of the organic light emitting display panel and extending one voltage supply wire through the peripheral area to the third side facing the first side. This has the effect of providing a voltage supply wiring structure applicable to organic light emitting display devices.

또한, 본 발명은 영상 신호 보상부에 의해서 휘도 균일도를 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다. Additionally, the present invention has the effect of further improving luminance uniformity by using an image signal compensator.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited to the contents exemplified above, and further various effects are included in the present specification.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배면의 회로 기판들의 배치 위치를 설명하는 개략적인 평면도이다.
도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 서브-화소의 개략적인 단면도이다.
도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 저항값을 설명하는 개략적인 등가 회로도이다.
도 1e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 애노드-캐소드 사이의 전위차를 설명하는 개략적인 그래프이다.
도 1f는 비교예1에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 저항값을 설명하는 개략적인 등가 회로도이다.
도 1g는 비교예1에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 애노드-캐소드 사이의 전위차를 설명하는 개략적인 그래프이다.
도 1h는 비교예2에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 저항값을 설명하는 개략적인 등가 회로도이다.
도 1i는 비교예2에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 애노드-캐소드 사이의 전위차를 설명하는 개략적인 그래프이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 서브-화소의 개략적인 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 영상 신호 보상부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 보상된 영상 신호가 공급되는 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 저항값을 설명하는 개략적인 등가 회로도이다.
도 5c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 애노드-캐소드 사이의 전위차 및 보상된 영상 신호를 설명하는 개략적인 그래프이다.
도 6a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 데이터 구동 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 보상된 영상 신호가 공급되는 유기 발광 표시 장치의 각 변형된 서브-화소의 저항값을 설명하는 개략적인 등가 회로도이다.
도 6c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 변형된 서브-화소의 애노드-캐소드 사이의 전위차 및 보상된 영상 신호를 설명하는 개략적인 그래프이다.
1A is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1B is a schematic plan view illustrating the arrangement positions of circuit boards on the back of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1C is a schematic cross-sectional view of a sub-pixel of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1D is a schematic equivalent circuit diagram illustrating the resistance value of each sub-pixel of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1E is a schematic graph illustrating the potential difference between the anode and cathode of each sub-pixel of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1F is a schematic equivalent circuit diagram illustrating the resistance value of each sub-pixel of the organic light emitting display device according to Comparative Example 1.
FIG. 1G is a schematic graph illustrating the potential difference between the anode and cathode of each sub-pixel of the organic light emitting display device according to Comparative Example 1.
FIG. 1H is a schematic equivalent circuit diagram illustrating the resistance value of each sub-pixel of the organic light emitting display device according to Comparative Example 2.
FIG. 1I is a schematic graph illustrating the potential difference between the anode and cathode of each sub-pixel of the organic light emitting display device according to Comparative Example 2.
Figure 2 is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
Figure 3 is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4A is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of a sub-pixel of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
FIG. 5A is a schematic plan view of an organic light emitting display device including an image signal compensator according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5B is a schematic equivalent circuit diagram illustrating the resistance value of each sub-pixel of an organic light emitting display device to which a compensated image signal is supplied according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5C is a schematic graph illustrating the potential difference between the anode and cathode of each sub-pixel of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention and a compensated image signal.
FIG. 6A is a schematic plan view of an organic light emitting display device including a data driving circuit according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6B is a schematic equivalent circuit diagram illustrating the resistance value of each modified sub-pixel of an organic light emitting display device supplied with a compensated image signal according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6C is a schematic graph illustrating the potential difference between the anode and cathode of each modified sub-pixel of the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention and the compensated image signal.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. The present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as “on” another element or layer, it includes instances where the other layer or other element is directly on top of or interposed between the other elements.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or fully combined or combined with each other, and as can be fully understood by those skilled in the art, various technical interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other. It may be possible to conduct them together due to a related relationship.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도들이다.1A to 1B are schematic plan views of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 1a 내지 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광 표시 패널(110), 데이터 회로 기판(140), 제어 회로 기판(142), 제1 연성 회로 기판(144), 제2 연성 회로 기판(146), 및 연성 케이블(148)을 포함한다. 1A to 1B, an organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting display panel 110, a data circuit board 140, a control circuit board 142, and a first flexible display panel. It includes a circuit board 144, a second flexible circuit board 146, and a flexible cable 148.

제어 회로 기판(142)은 연성 케이블(148)에 의해서 데이터 회로 기판(140)과 전기적으로 연결된다. 데이터 회로 기판(140)은 제1 연성 회로 기판(144) 및 제2 연성 회로 기판(146)에 의해서 유기 발광 표시 패널(110)과 전기적으로 연결된다. The control circuit board 142 is electrically connected to the data circuit board 140 by a flexible cable 148. The data circuit board 140 is electrically connected to the organic light emitting display panel 110 by the first flexible circuit board 144 and the second flexible circuit board 146.

1. 유기 발광 표시 패널1. Organic light emitting display panel

유기 발광 표시 패널(110)은 화소 영역(active area; AA) 및 주변 영역(peripheral area; PA)을 포함한다. 유기 발광 표시 패널(110)의 화소 영역(AA)에는, 백색 서브-화소, 적색 서브-화소, 녹색 서브-화소 및 청색 서브-화소를 포함하는 복수의 서브-화소(sub-pixel)(112), 복수의 게이트 배선(116), 복수의 데이터 배선(120), 복수의 제2 애노드 배선(130a), 및 복수의 제2 캐소드 배선(134a)이 배치되어, 화소 영역(AA)은 영상을 표시하도록 구성된다. 유기 발광 표시 패널(110)의 주변 영역(PA)은 화소 영역(AA)을 둘러싸도록 구성된다. 주변 영역(PA)에는 화소 영역(AA)의 복수의 서브-화소(112)를 구동하기 위한 다양한 배선들 및 회로들이 배치된다. 주변 영역(PA)에는 제1 애노드 배선(130), 제1 캐소드 배선(134) 및 복수의 패드(pad)가 배치되며, 추가적인 회로 부품들이 더 배치되는 것도 가능하다. 예를 들어, 복수의 패드 상에는 연성 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board; FPCB), 연성 케이블(flexible cable) 또는 반도체 칩(semiconductor chip) 등이 합착 부재에 의해서 합착될 수 있다. 예를 들어, 복수의 패드와 연결 가능한 배선들은 복수의 게이트 배선(116), 복수의 데이터 배선(120), 제1 애노드 배선(130) 및 제1 캐소드 배선(134) 등일 수 있다. The organic light emitting display panel 110 includes a pixel area (active area) and a peripheral area (PA). In the pixel area AA of the organic light emitting display panel 110, a plurality of sub-pixels 112 including a white sub-pixel, a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel. , a plurality of gate wires 116, a plurality of data wires 120, a plurality of second anode wires 130a, and a plurality of second cathode wires 134a are disposed, and the pixel area AA displays an image. It is configured to do so. The peripheral area PA of the organic light emitting display panel 110 is configured to surround the pixel area AA. Various wires and circuits for driving the plurality of sub-pixels 112 of the pixel area AA are arranged in the peripheral area PA. A first anode wire 130, a first cathode wire 134, and a plurality of pads are disposed in the peripheral area PA, and additional circuit components may also be disposed. For example, a flexible printed circuit board (FPCB), a flexible cable, or a semiconductor chip may be bonded onto the plurality of pads using a bonding member. For example, wires that can be connected to a plurality of pads may include a plurality of gate wires 116, a plurality of data wires 120, a first anode wire 130, and a first cathode wire 134.

2. 제어 회로 기판2. Control circuit board

제어 회로 기판(142)은 외부 시스템으로부터 디지털(digital) 영상 신호, 다양한 기준 전압 및 다양한 제어 신호를 입력 받아서, 유기 발광 표시 패널(110)에 영상이 표시되도록 유기 발광 표시 패널(110)을 제어하는 기능을 수행한다. 상술한 기능을 수행하기 위해서, 제어 회로 기판(142)은 인쇄 회로 기판(printed circuit board; PCB) 상에 프로세서(processor), 메모리(memory), 룩업 테이블(look-up table), 버퍼(buffer), 감마 제어 회로(gamma control circuit), LVDS(low voltage differential signal) 배선, 커넥터(connector) 및 전력 제어부(power control unit) 등의 회로 소자들이 배치되도록 구성될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다. The control circuit board 142 receives digital image signals, various reference voltages, and various control signals from an external system, and controls the organic light emitting display panel 110 to display images on the organic light emitting display panel 110. performs its function. In order to perform the above-described functions, the control circuit board 142 includes a processor, memory, look-up table, and buffer on a printed circuit board (PCB). , circuit elements such as a gamma control circuit, a low voltage differential signal (LVDS) wiring, a connector, and a power control unit may be arranged. However, it is not limited to this.

제어 회로 기판(142)은 입력된 디지털 영상 신호가 유기 발광 표시 패널(110)에 표시될 수 있도록, 영상 신호 및 제어 신호들의 시간 간격 및 주파수 주기 등을 정밀하게 제어한다. 제어 회로 기판(142)상에 배치된 회로 소자들에는 다양한 화질을 구현하거나, 저 소비 전력을 구현할 수 있는 다양한 영상 처리 알고리즘 등이 구현될 수 있다.The control circuit board 142 precisely controls the time interval and frequency period of the image signal and control signals so that the input digital image signal can be displayed on the organic light emitting display panel 110. Circuit elements disposed on the control circuit board 142 may be implemented with various image processing algorithms capable of implementing various image quality or low power consumption.

외부 시스템으로부터 제어 회로 기판(142)에 입력되는 디지털 영상 신호는 일반적으로 RGB(red, green, blue) 삼원색 색상정보로 구성된 영상 신호이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널(110)은 백색, 적색, 녹색 및 청색 서브-화소(112)로 구성되기 때문에, 제어 회로 기판(142)상에 배치된 회로 소자들에는 RGB 형식의 영상 신호를 WRGB(white, red, green, blue) 형식의 영상 신호로 변환 시킬 수 있는 렌더링(rendering) 알고리즘이 구현될 수 있다.The digital image signal input to the control circuit board 142 from an external system is generally an image signal composed of three primary color information: red, green, and blue (RGB). Since the organic light emitting display panel 110 according to an embodiment of the present invention is composed of white, red, green, and blue sub-pixels 112, the circuit elements disposed on the control circuit board 142 are in RGB format. A rendering algorithm that can convert an image signal into a WRGB (white, red, green, blue) format image signal can be implemented.

제어 회로 기판(142)에서 출력되는 디지털 영상 신호는, WRGB 형식의 영상 신호이다. 단 이에 제한되지 않는다. 다만 설명의 편의를 위해, 상술한 다양한 제어 신호 중 본 발명과 관련된 제어 신호에 대해서만 이후 상술한다.The digital video signal output from the control circuit board 142 is a video signal in WRGB format. However, it is not limited to this. However, for convenience of explanation, only the control signals related to the present invention among the various control signals described above will be described in detail below.

제어 회로 기판(142)에서 출력되는 다양한 기준 전압은, 애노드 전압(ELVDD), 캐소드 전압(ELVSS), 감마 기준 전압(gamma reference voltage), 초기화 전압(initial voltage; Vinit), 게이트 하이 전압(gate high voltage; VGH), 게이트 로우 전압(gate low voltage; VGL) 및 외부 보상 기준 전압(external compensation reference voltage; Vref) 등이 있다. 단 이에 제한되지 않는다. 다만 설명의 편의를 위해, 상술한 다양한 기준 전압 중 본 발명과 관련된 기준 전압에 대해서만 이후 자세히 상술한다.Various reference voltages output from the control circuit board 142 include anode voltage (ELVDD), cathode voltage (ELVSS), gamma reference voltage, initial voltage (V init ), and gate high voltage (gate). high voltage (VGH), gate low voltage (VGL), and external compensation reference voltage (Vref). However, it is not limited to this. However, for convenience of explanation, only the reference voltage related to the present invention among the various reference voltages described above will be described in detail below.

애노드 전압(ELVDD)은 유기 발광 표시 패널(110)의 화소 영역(AA)의 애노드 전극에 인가되는 전압이다. 캐소드 전압(ELVSS)은 유기 발광 표시 패널(110)의 화소 영역(AA)의 캐소드 전극에 인가되는 전압이다. 감마 기준 전압은 데이터 구동 회로(118)에서 디지털 영상 신호를 아날로그(analogue) 영상 신호로 변환할 때 사용되는 기준 전압이다. 초기화 전압은 화소 영역(AA)의 서브-화소(112)의 커패시터(capacitor)에 기 저장된 이전 영상 프레임(frame)의 영상 신호를 방전시켜서 영상의 블랙(black) 계조가 왜곡되는 것을 방지하기 위한 전압이다. 게이트 하이 전압 및 게이트 로우 전압은 게이트 구동 회로를 온-오프(on-off) 스위칭하기 위한 전압이다. 외부 보상 기준 전압은 서브-화소(112)의 구동 트랜지스터(driving transistor; DTR)의 임계-전압(threshold-voltage; Vth) 편차를 보상하기 위한 기준 전압이다.The anode voltage ELVDD is a voltage applied to the anode electrode of the pixel area AA of the organic light emitting display panel 110. The cathode voltage ELVSS is a voltage applied to the cathode electrode of the pixel area AA of the organic light emitting display panel 110. The gamma reference voltage is a reference voltage used when converting a digital image signal into an analog image signal in the data driving circuit 118. The initialization voltage is a voltage used to prevent the black gradation of the image from being distorted by discharging the image signal of the previous image frame previously stored in the capacitor of the sub-pixel 112 of the pixel area (AA). am. The gate high voltage and gate low voltage are voltages for switching the gate driving circuit on-off. The external compensation reference voltage is a reference voltage for compensating for threshold-voltage (Vth) deviation of the driving transistor (D TR ) of the sub-pixel 112.

상술한 기준 전압들 중 애노드 전압(ELVDD), 캐소드 전압(ELVSS) 및 감마 기준 전압은 유기 발광 표시 패널(110)의 영상의 품위에 직접적으로 영향을 미칠 수 있는 주요한 기준 전압들이기 때문에, 유기 발광 표시 패널에 균일하고 안정적으로 제공되어야 한다. 단 이는 다른 전압들이 영상의 품위에 직접적으로 영향을 끼치지 않는다는 의미로 해석되지 않아야 한다.Among the above-mentioned reference voltages, the anode voltage (ELVDD), cathode voltage (ELVSS), and gamma reference voltage are major reference voltages that can directly affect the quality of the image of the organic light emitting display panel 110, so the organic light emitting display panel 110 It must be provided uniformly and stably to the panel. However, this should not be interpreted to mean that other voltages do not directly affect image quality.

제어 회로 기판(142)에서 출력되는 다양한 제어 신호로서, 게이트 스타트 펄스(gate start pulse; GSP), 게이트 아웃 인에이블(gate out enable; GOE) 및 도트 클럭(dot clock) 등이 있다. 단 이에 제한되지 않는다. 다만 설명의 편의를 위해, 상술한 다양한 제어 신호 중 본 발명과 관련된 제어 신호에 대해서 이후 자세히 상술한다.Various control signals output from the control circuit board 142 include gate start pulse (GSP), gate out enable (GOE), and dot clock. However, it is not limited to this. However, for convenience of explanation, control signals related to the present invention among the various control signals described above will be described in detail later.

몇몇 실시예에서는, 유기 발광 표시 패널이 적색, 녹색, 청색 및 녹색 서브-화소로 구성될 수 있다. 따라서 제어 회로 기판상에 배치된 회로 소자들에는 RGB 형식의 영상 신호를 RGBG(red, green, blue, green) 형식의 신호로 변환시킬 수 있는 렌더링 알고리즘이 구현될 수 있다.In some embodiments, an organic light emitting display panel may be composed of red, green, blue, and green sub-pixels. Therefore, a rendering algorithm capable of converting an image signal in RGB format into a signal in RGBG (red, green, blue, green) format can be implemented in circuit elements disposed on the control circuit board.

몇몇 실시예에서는, 유기 발광 표시 패널이 적색, 녹색, 청색 및 노란색 서브-화소로 구성될 수 있다. 따라서 제어 회로 기판상에 배치된 회로 소자들에는 RGB 형식의 영상 신호를 RGBY(red, green, blue, yellow) 형식의 신호로 변환시킬 수 있는 렌더링 알고리즘이 구현될 수 있다.In some embodiments, an organic light emitting display panel may be composed of red, green, blue, and yellow sub-pixels. Therefore, a rendering algorithm capable of converting an RGB format image signal into an RGBY (red, green, blue, yellow) format signal can be implemented in circuit elements placed on the control circuit board.

몇몇 실시예에서는, 유기 발광 표시 패널이 적색, 녹색 및 청색 서브-화소로 구성될 수 있다. In some embodiments, an organic light emitting display panel may be composed of red, green, and blue sub-pixels.

3. 연성 케이블3. Flexible cable

연성 케이블(148)은 제어 회로 기판(142)과 데이터 회로 기판(140)을 전기적으로 연결한다. 연성 케이블(148)은 제어 회로 기판(142)에서 출력되는 디지털 영상 신호, 다양한 기준 전압 및 다양한 제어 신호를 데이터 회로 기판(140)에 전달한다. 연성 케이블(148)의 일 측면은 제어 회로 기판(142) 상에 배치된 커넥터에 의해서 연결되고, 타 측면은 데이터 회로 기판(140) 상에 배치된 커넥터에 의해서 연결된다. 단 연성 케이블 및 커넥터 구조는 전기적 연결의 수단일 뿐, 이에 제한되지 않는다. The flexible cable 148 electrically connects the control circuit board 142 and the data circuit board 140. The flexible cable 148 transmits digital image signals, various reference voltages, and various control signals output from the control circuit board 142 to the data circuit board 140. One side of the flexible cable 148 is connected by a connector disposed on the control circuit board 142, and the other side is connected by a connector disposed on the data circuit board 140. However, the flexible cable and connector structure are only a means of electrical connection and are not limited thereto.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 제어 회로 기판(142)에는 4개의 커넥터가 배치되고, 각각의 커넥터는 각각의 연성 케이블(148)과 연결된다. 이러한 구성에 의하면 제어 회로 기판(142)은 Y-축 기준으로, 유기 발광 표시 패널(110)의 상 측면(제1 측면)과 하 측면(제3 측면)에 다양한 신호들을 제공할 수 있다. 1A and 1B, four connectors are disposed on the control circuit board 142, and each connector is connected to each flexible cable 148. According to this configuration, the control circuit board 142 can provide various signals to the upper side (first side) and lower side (third side) of the organic light emitting display panel 110 based on the Y-axis.

여기서 제1 측면은 상 측면, 제2 측면은 좌 측면, 제3 측면은 하 측면 그리고 제4 측면은 우 측면으로 정의할 수 있다.Here, the first side can be defined as the upper side, the second side as the left side, the third side as the lower side, and the fourth side as the right side.

4. 데이터 회로 기판4. Data circuit board

데이터 회로 기판(140)은 제어 회로 기판(142)에서 출력되는 디지털 영상 신호, 다양한 기준 전압 및 다양한 제어 신호를 입력 받아, 제1 연성 회로 기판(144) 및 제2 연성 회로 기판(146)을 통해서 유기 발광 표시 패널(110)로 상술한 신호 및 전압들을 전달한다. 상술한 기능을 수행하기 위해서, 데이터 회로 기판(140)은 인쇄 회로 기판(printed circuit board; PCB) 상에 배치된 다양한 회로 소자들을 포함한다. 예를 들어, 데이터 회로 기판(140)은 데이터 구동 회로(118)의 아날로그 영상 신호 생성에 기준이 되는, 감마 기준 전압을 안정화하기 위해서 저항(resistor) 및 커패시터(capacitor) 등의 수동 소자들을 포함하도록 구성된다. 또한 데이터 회로 기판(140)은 애노드 전압(ELVDD), 캐소드 전압(ELVSS) 및 감마 기준 전압의 전압 강하(drop)를 최소화하기 위해서 데이터 회로 기판(140)의 배선 저항(line resistance)이 최소화되도록 구성된다. The data circuit board 140 receives digital image signals, various reference voltages, and various control signals output from the control circuit board 142, and transmits them through the first flexible circuit board 144 and the second flexible circuit board 146. The above-described signals and voltages are transmitted to the organic light emitting display panel 110. To perform the above-described functions, the data circuit board 140 includes various circuit elements disposed on a printed circuit board (PCB). For example, the data circuit board 140 includes passive elements such as resistors and capacitors to stabilize the gamma reference voltage, which is the standard for generating analog image signals of the data driving circuit 118. It is composed. In addition, the data circuit board 140 is configured to minimize the line resistance of the data circuit board 140 in order to minimize the voltage drop of the anode voltage (ELVDD), cathode voltage (ELVSS), and gamma reference voltage. do.

도 1a 내지 도 1b를 참조하면, Y-축 방향으로, 유기 발광 표시 패널(110)의 하 측면(또는 제3 측면)에 배치되는 데이터 회로 기판(140)은 데이터 구동 회로(118)을 포함하지 않기 때문에 감마 기준 전압을 안정화하기 위한 수동 소자들이 포함되지 않는다.1A to 1B, the data circuit board 140 disposed on the lower side (or third side) of the organic light emitting display panel 110 in the Y-axis direction does not include the data driving circuit 118. Therefore, passive elements to stabilize the gamma reference voltage are not included.

몇몇 실시예에서는, 제어 회로 기판과 데이터 회로 기판이 하나의 회로 기판으로 통합될 수 있다. 이러한 경우 연성 케이블은 불필요하기 때문에, 제거될 수 있다.In some embodiments, the control circuit board and data circuit board may be integrated into one circuit board. In this case the flexible cable is unnecessary and can be eliminated.

5. 데이터 구동 회로5. Data driving circuit

데이터 구동 회로(data-driver IC)(118)는 디지털 영상 신호를 아날로그 영상 신호로 변환하는 DAC(digital to analogue converter) 기능을 수행하여 데이터 구동 회로(118)에 연결된 유기 발광 표시 패널(110)의 화소 영역(AA)의 데이터 배선(120)에 아날로그 영상 신호를 공급한다. 데이터 구동 회로(118)는 반도체 칩으로 구성되며, COF(chip on film) 형태로 제1 연성 회로 기판(144) 상에 합착 부채에 의해서 합착된다. 반도체 칩 형태의 데이터 구동 회로(118)는 소정의 제어 가능한 데이터 배선 수 또는 채널 수를 가지고 있으며, 데이터 구동 회로(118)의 개수는 유기 발광 표시 패널(110)의 데이터 배선(120)의 개수와 데이터 구동 회로(118)의 채널 개수에 따라서 결정될 수 있다. 단 데이터 구동 회로(118)의 개수는 이에 제한되지 않는다. The data-driver IC 118 performs a digital to analogue converter (DAC) function that converts digital image signals into analog image signals, so that the organic light-emitting display panel 110 connected to the data-drive circuit 118 An analog image signal is supplied to the data line 120 of the pixel area (AA). The data driving circuit 118 is composed of a semiconductor chip and is bonded to the first flexible circuit board 144 in the form of a COF (chip on film) using a bonding fan. The data driving circuit 118 in the form of a semiconductor chip has a predetermined controllable number of data lines or channels, and the number of data driving circuits 118 is equal to the number of data lines 120 of the organic light emitting display panel 110. It may be determined according to the number of channels of the data driving circuit 118. However, the number of data driving circuits 118 is not limited to this.

데이터 구동 회로(118)는 영상 신호의 계조 값을 서브-화소(112)에 표시하기 위해서 제어 회로 기판(142)에서 전달 받은 디지털 영상 신호를 감마 기준 전압을 이용하여 아날로그(analogue) 영상 신호로 변환한다. 데이터 구동 회로(118)는 데이터 회로 기판(140)에서 감마 기준 전압을 공급 받는다. 아날로그 영상 신호는 감마 기준 전압을 이용하여 생성된다. 영상 신호는 바람직하게 2.2 감마 특성을 가지는 감마 커브를 가진다. 단 이에 제한되지 않는다. The data driving circuit 118 converts the digital image signal received from the control circuit board 142 into an analog image signal using a gamma reference voltage in order to display the gray level value of the image signal on the sub-pixel 112. do. The data driving circuit 118 receives a gamma reference voltage from the data circuit board 140. Analog video signals are generated using a gamma reference voltage. The video signal preferably has a gamma curve with a gamma characteristic of 2.2. However, it is not limited to this.

서브-화소(112)는 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터(color-filter)와 백색 빛을 발광하는 유기 발광층을 포함한다. 특히, 이러한 구성에 따르면, 유기 발광층이 각 서브-화소의 색상과 관계 없이 동일하기 때문에, 각 색상 별 감마 커브가 서로 동일하게 구성될 수 있다. 단 이에 제한되지 않으며, 각 색상 별 독립 감마 커브를 가지도록 구성되는 것도 가능하다.The sub-pixel 112 includes red, green, and blue color filters and an organic light emitting layer that emits white light. In particular, according to this configuration, since the organic light emitting layer is the same regardless of the color of each sub-pixel, the gamma curve for each color can be configured to be the same. However, it is not limited to this, and can also be configured to have an independent gamma curve for each color.

합착 부재로서 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film; ACF)이 사용 된다. 특히 유기 발광 표시 패널(110)은 고온에 취약하므로 일반적인 납땜이 어려워 이방성 도전 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 이방성 도전 필름에는 도전성 입자들이 분산되어 열과 압력에 의해 합착되도록 구성된다. 이때 이방성 도전 필름의 필름층은 복수의 패드와 반도체 칩 사이에서 접착력을 유지하고, 분산된 도전성 입자들은 합착된 영역에서 복수의 패드와 반도체 칩을 서로 전기적으로 연결시킨다. 단 합착 부재는 이에 제한되지 않는다. An anisotropic conductive film (ACF) is used as a cementing member. In particular, the organic light emitting display panel 110 is vulnerable to high temperatures, making general soldering difficult, so it is desirable to use an anisotropic conductive film. In an anisotropic conductive film, conductive particles are dispersed and adhered by heat and pressure. At this time, the film layer of the anisotropic conductive film maintains adhesion between the plurality of pads and the semiconductor chip, and the dispersed conductive particles electrically connect the plurality of pads and the semiconductor chip to each other in the bonded area. However, the cementation member is not limited to this.

몇몇 실시예에서는, 유기 발광 표시 패널의 복수의 서브-화소가 적색, 녹색 및 청색 빛을 발광하는 적색, 녹색 및 청색 유기 발광층을 포함하도록 형성될 수 있다. 이때 컬러 필터가 제거되는 것도 가능하다. 유기 발광층이 서로 상이하게 되면, 유기 발광층의 전기적 특성이 서로 달라지기 때문에, 각 서브-화소의 색상 별로 감마 전압이 다르게 구성되어야 한다. In some embodiments, a plurality of sub-pixels of an organic light emitting display panel may be formed to include red, green, and blue organic light emitting layers that emit red, green, and blue light. At this time, it is possible for the color filter to be removed. When the organic light-emitting layers are different from each other, the electrical characteristics of the organic light-emitting layers are different, so the gamma voltage must be configured differently for each color of each sub-pixel.

6. 제1 연성 회로 기판6. First flexible circuit board

제1 연성 회로 기판(144)은 데이터 구동 회로(118)을 포함하며, 데이터 회로 기판(140)과 유기 발광 표시 패널(110)을 전기적으로 연결한다. 제1 연성 회로 기판(144)의 일 측면은 유기 발광 표시 패널(110)에 합착되고, 타 측면은 데이터 회로 기판(140)의 일 측면에 합착되고, 제1 연성 회로 기판(144)의 중앙 영역에는 데이터 구동 회로(118)가 합착된다. 제1 연성 회로 기판(144)은 일 측면에 복수의 패드를 구비하고, 타 측면에 복수의 패드를 구비하고, 중앙부에 복수의 패드를 구비한다. 즉 제1 연성 회로 기판(144)은 필름(film) 상에 반도체 칩이 배치된 COF(chip on film)형태이다. 복수의 패드에는 합착 부재가 배치된다. 합착 부재로서 이방성 도전 필름이 사용된다. 단 합착 부재는 이에 제한되지 않는다.The first flexible circuit board 144 includes a data driving circuit 118 and electrically connects the data circuit board 140 and the organic light emitting display panel 110. One side of the first flexible circuit board 144 is bonded to the organic light emitting display panel 110, the other side is bonded to one side of the data circuit board 140, and the central region of the first flexible circuit board 144 A data driving circuit 118 is attached to . The first flexible circuit board 144 has a plurality of pads on one side, a plurality of pads on the other side, and a plurality of pads in the central portion. That is, the first flexible circuit board 144 is in a COF (chip on film) form in which a semiconductor chip is disposed on a film. Bonding members are disposed on the plurality of pads. An anisotropic conductive film is used as a bonding member. However, the cementation member is not limited to this.

7. 제2 연성 회로 기판7. Second flexible circuit board

제2 연성 회로 기판(146)은 데이터 회로 기판(140)과 유기 발광 표시 패널(110)을 전기적으로 연결하며, 적어도 하나의 기준 전압을 유기 발광 표시 패널(110)에 공급한다. 제2 연성 회로 기판(146)의 일 측면은 유기 발광 표시 패널(110)에 합착되고, 타 측면은 데이터 회로 기판(140)의 일 측면에 합착된다. 제2 연성 회로 기판(146)은 일 측면에 복수의 패드를 구비하고, 타 측면에 복수의 패드를 구비한다. 즉 제2 연성 회로 기판(146)은 필름상에 전기 배선들이 형성된, FOG(film on glass)형태이다. 복수의 패드에는 합착 부재가 배치된다. 합착 부재로서 이방성 도전 필름이 사용된다. 단 합착 부재는 이에 제한되지 않는다. The second flexible circuit board 146 electrically connects the data circuit board 140 and the organic light emitting display panel 110 and supplies at least one reference voltage to the organic light emitting display panel 110. One side of the second flexible circuit board 146 is bonded to the organic light emitting display panel 110, and the other side is bonded to one side of the data circuit board 140. The second flexible circuit board 146 has a plurality of pads on one side and a plurality of pads on the other side. That is, the second flexible circuit board 146 is in a FOG (film on glass) form in which electrical wiring is formed on a film. Bonding members are disposed on the plurality of pads. An anisotropic conductive film is used as a bonding member. However, the cementation member is not limited to this.

구체적으로, 제2 연성 회로 기판(146)은 데이터 회로 기판(140)으로부터 애노드 전압(ELVDD) 또는 캐소드 전압(ELVSS)을 인가 받아서 유기 발광 표시 패널(110)의 화소 영역(AA)에 배치된 복수의 서브-화소(112)에 공급된다. Specifically, the second flexible circuit board 146 receives the anode voltage (ELVDD) or cathode voltage (ELVSS) from the data circuit board 140 and generates a plurality of cells disposed in the pixel area (AA) of the organic light emitting display panel 110. is supplied to the sub-pixel 112.

유기 발광 표시 패널(110)의 휘도 균일도를 향상시키기 위해서는 애노드 전압(ELVDD)과 캐소드 전압(ELVSS)은 안정적이어야 한다. 따라서 제2 연성 회로 기판(146)의 전압 공급 배선의 배선 저항이 최소화되도록 전압 공급 배선의 전체 폭은 충분히 넓게 형성된다. 이때 전압 공급 배선은 좁은 폭의 배선들이 복수 개로 분할되어 배치되는 형태로 구현될 수 있다. 만약 배선 저항이 커서, 애노드 전압(ELVDD)과 캐소드 전압(ELVSS)의 전위차가 화소 영역(AA)에서 균일하지 않을 경우, 유기 발광 표시 패널(110)의 표시 영상의 밝기가 화소 영역(AA) 위치 별로 달라지게 되는 문제가 발생할 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 제2 연성 회로 기판(146)은 유기 발광 표시 패널(110)의 주변 영역(PA)에 복수 개로 배치된다. 이때 제2 연성 회로 기판(146)은 소정의 간격으로 이격되어 배치되는 것이 바람직하다. 상술한 구성에 따르면, 각각의 연성 회로 기판을 통해서 흐를 수 있는 전류 량을 배분할 수 있기 때문에, 과전류에 의한 발열 및 번트(burnt) 문제를 완화할 수 있는 장점이 있다. In order to improve the luminance uniformity of the organic light emitting display panel 110, the anode voltage (ELVDD) and cathode voltage (ELVSS) must be stable. Accordingly, the overall width of the voltage supply wiring of the second flexible circuit board 146 is formed sufficiently wide so that the wiring resistance of the voltage supply wiring of the second flexible circuit board 146 is minimized. At this time, the voltage supply wiring may be implemented in a form in which narrow-width wiring is divided into a plurality of lines and arranged. If the wiring resistance is large and the potential difference between the anode voltage (ELVDD) and the cathode voltage (ELVSS) is not uniform in the pixel area (AA), the brightness of the displayed image of the organic light emitting display panel 110 varies depending on the location of the pixel area (AA). Problems that vary greatly may arise. To solve this problem, a plurality of second flexible circuit boards 146 are disposed in the peripheral area PA of the organic light emitting display panel 110. At this time, the second flexible circuit board 146 is preferably arranged to be spaced apart at a predetermined interval. According to the above-described configuration, since the amount of current that can flow through each flexible circuit board can be distributed, there is an advantage in alleviating heat generation and burnt problems caused by overcurrent.

몇몇 실시예에서는, 데이터 구동 회로가 COG(chip on glass) 형태로, 유기 발광 표시 패널의 주변 영역(PA)에 배치된 복수의 패드 상에 합착될 수 있다. 이때 제1 연성 회로 기판은 중앙부에 복수의 패드를 구비하지 않으며, 데이터 회로 기판과 유기 발광 표시 패널을 전기적으로 연결하며, 데이터 회로 기판에서 전달된 영상 신호를 데이터 구동 회로로 전달한다. COG형태로 데이터 구동 회로가 배치되면, 제1 연성 회로 기판 상에 데이터 구동 회로가 배치될 필요가 없기 때문에, 제1 연성 회로 기판은 FOG형태로 구성될 수 있다. In some embodiments, the data driving circuit may be in the form of a chip on glass (COG) and may be bonded onto a plurality of pads disposed in the peripheral area (PA) of the organic light emitting display panel. At this time, the first flexible circuit board does not have a plurality of pads in the center, electrically connects the data circuit board and the organic light emitting display panel, and transmits the image signal transmitted from the data circuit board to the data driving circuit. If the data driving circuit is arranged in the COG form, there is no need to arrange the data driving circuit on the first flexible circuit board, so the first flexible circuit board can be configured in the FOG form.

몇몇 실시예에서는, 제1 연성 회로 기판 및 제2 연성 회로 기판 모두 데이터 회로 기판으로부터 애노드 전압(ELVDD) 및 캐소드 전압(ELVSS)을 인가 받도록 구성될 수 있다. 이때 제1 연성 회로 기판은 데이터 구동 회로를 포함한다. 제1 연성 회로 기판 및 제2 연성 회로 기판 모두 애노드 전압(ELVDD) 및 캐소드 전압(ELVSS)을 공급하도록 구성되면, 각각의 연성 회로 기판을 통해서 흐를 수 있는 전류 량을 좀더 균일하게 배분할 수 있기 때문에, 과전류에 의한 발열 및 번트 문제를 더욱 더 완화할 수 있는 장점이 있다.In some embodiments, both the first flexible circuit board and the second flexible circuit board may be configured to receive an anode voltage (ELVDD) and a cathode voltage (ELVSS) from the data circuit board. At this time, the first flexible circuit board includes a data driving circuit. If both the first flexible circuit board and the second flexible circuit board are configured to supply the anode voltage (ELVDD) and the cathode voltage (ELVSS), the amount of current that can flow through each flexible circuit board can be distributed more evenly, It has the advantage of further alleviating heat generation and burnt problems caused by overcurrent.

몇몇 실시예에서는, 제1 연성 회로 기판 및 제2 연성 회로 기판이 유기 발광 표시 패널(110)의 상 측면(제1 측면)을 따라 교번하여 배치될 수 있다. 교번하여 배치된 연성 회로 기판들에 의해서 특정 연성 회로 기판에 과전류가 흐르는 문제를 완화할 수 있는 장점이 있다. In some embodiments, the first flexible circuit board and the second flexible circuit board may be alternately disposed along the top side (first side) of the organic light emitting display panel 110. There is an advantage in that the problem of overcurrent flowing to a specific flexible circuit board can be alleviated by flexible circuit boards arranged alternately.

몇몇 실시예에서는, 제1 연성 회로 기판과 제2 연성 회로 기판이 통합된, 통합 연성 회로 기판이 배치될 수 있다. 즉 제1 연성 회로 기판과 제2 연성 회로 기판은 필요에 따라서는 다양한 형태로 통합되거나 분리될 수 있다. In some embodiments, an integrated flexible circuit board may be disposed, in which a first flexible circuit board and a second flexible circuit board are integrated. That is, the first flexible circuit board and the second flexible circuit board can be integrated or separated in various forms as needed.

8. 게이트 구동 회로8. Gate driving circuit

게이트 구동 회로(gate-driver IC)(114)는 유기 발광 표시 패널(110)의 복수의 서브-화소(112)에 연결된 복수의 게이트 배선(116)에 게이트 배선 구동 신호를 공급한다. 제어 회로 기판(142)은 게이트 구동 회로(114)를 구동하기 위한 구동 신호를 생성하여 게이트 구동 회로(114)에 제공한다. 게이트 구동 회로(114)는 유기 발광 표시 패널(110)의 주변 영역(PA)에 배치된다. 구체적으로, 게이트 구동 회로(114)는 유기 발광 표시 패널(110)의 양 측면(제2 측면 및 제4 측면)에 배치된다. 특히 이러한 구성에 따르면 양 측면(제2 측면 및 제4 측면)에서 게이트 배선 구동 신호를 인가할 수 있기 때문에, 게이트 배선(116)의 길이가 길어지는 대형 유기 발광 표시 패널에서 게이트 배선 구동 신호 품질 저감을 완화할 수 있는 효과가 있다. A gate-driver IC 114 supplies a gate wire driving signal to a plurality of gate wires 116 connected to a plurality of sub-pixels 112 of the organic light emitting display panel 110. The control circuit board 142 generates a driving signal for driving the gate driving circuit 114 and provides the driving signal to the gate driving circuit 114 . The gate driving circuit 114 is disposed in the peripheral area PA of the organic light emitting display panel 110. Specifically, the gate driving circuit 114 is disposed on both sides (second side and fourth side) of the organic light emitting display panel 110. In particular, according to this configuration, since the gate wiring driving signal can be applied from both sides (second side and fourth side), the quality of the gate wiring driving signal is reduced in a large organic light emitting display panel in which the length of the gate wiring 116 is long. It has the effect of alleviating.

게이트 구동 회로(114)는 반도체 칩으로 구성되며, COG(chip on glass) 형태로 유기 발광 표시 패널(110)의 주변 영역(PA)에 배치된 복수의 패드 상에 합착된다. 반도체 칩 형태의 게이트 구동 회로(114)는 소정의 제어 가능한 게이트 배선 수 또는 채널 수를 가지고 있으며, 게이트 구동 회로(114)의 개수는 유기 발광 표시 패널(110)의 게이트 배선(116)의 개수와 게이트 구동 회로(114)의 채널 개수에 따라서 결정될 수 있다. 단 게이트 구동 회로(114)의 개수는 이에 제한되지 않는다. 합착 부재로서 이방성 도전 필름이 사용된다. 단 합착 부재는 이에 제한되지 않는다.The gate driving circuit 114 is made of a semiconductor chip, and is bonded to a plurality of pads disposed in the peripheral area (PA) of the organic light emitting display panel 110 in the form of a COG (chip on glass). The gate driving circuit 114 in the form of a semiconductor chip has a predetermined controllable number of gate wires or channels, and the number of gate driving circuits 114 is equal to the number of gate wires 116 of the organic light emitting display panel 110. It may be determined according to the number of channels of the gate driving circuit 114. However, the number of gate driving circuits 114 is not limited to this. An anisotropic conductive film is used as a bonding member. However, the cementation member is not limited to this.

9. 서브-화소9. Sub-pixel

도 1c를 참조하면, 화소 영역(AA)내의 서브-화소(112)는 적어도, 제1 기판(160), 제1 기판(160) 상에 배치되는 구동 트랜지스터(162), 구동 트랜지스터(162)에 의해 구동되는 유기 발광 다이오드(164), 제2 애노드 배선(130a), 및 제2 캐소드 배선(134a)을 포함한다. Referring to FIG. 1C, the sub-pixel 112 in the pixel area AA is connected to at least the first substrate 160, the driving transistor 162 disposed on the first substrate 160, and the driving transistor 162. It includes an organic light emitting diode 164 driven by an organic light emitting diode 164, a second anode wire 130a, and a second cathode wire 134a.

제1 기판(160)은 반도체 층, 금속 층, 유기박막, 또는 무기박막 등의 증착에 적합한 물질로 형성된다. 예를 들어, 제1 기판(160)에는 내열성 및 내화학성이 우수한, 유리 또는 폴리이미드(Polyimide) 등의 플라스틱이 적용될 수 있다. The first substrate 160 is made of a material suitable for depositing a semiconductor layer, a metal layer, an organic thin film, or an inorganic thin film. For example, a plastic such as glass or polyimide, which has excellent heat resistance and chemical resistance, may be applied to the first substrate 160.

본 발명의 일 실시예에 따른 구동 트랜지스터(162)는 N-type 구조이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 트랜지스터(162)는 코플래너(coplanar)구조이다. The driving transistor 162 according to an embodiment of the present invention has an N-type structure. The driving transistor 162 according to an embodiment of the present invention has a coplanar structure.

구동 트랜지스터(162)는 액티브층(168), 게이트 전극(170), 소스 전극(172) 및 드레인 전극(174)을 포함한다. The driving transistor 162 includes an active layer 168, a gate electrode 170, a source electrode 172, and a drain electrode 174.

액티브층(168)은 제1 기판(160) 상에 배치된다. 액티브층(168)은 반도체 특성을 가지는 물질로 형성된다. 예를 들어, 액티브층(168)에는 비정질 실리콘, 저온폴리 실리콘, 산화물 계열 또는 유기물 계열 등이 적용될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다.The active layer 168 is disposed on the first substrate 160. The active layer 168 is formed of a material having semiconductor properties. For example, amorphous silicon, low-temperature polysilicon, oxide-based, or organic-based materials may be applied to the active layer 168. However, it is not limited to this.

게이트 절연막(176)은 액티브층(168) 상에 배치된다. 게이트 절연막(176)은 액티브층(168)을 덮도록 구성된다. 게이트 절연막(176)은 무기물로 형성된다. 예를 들어, 게이트 절연막(176)에는 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 알루미늄(Al2O3) 등이 적용될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다.The gate insulating film 176 is disposed on the active layer 168. The gate insulating film 176 is configured to cover the active layer 168. The gate insulating film 176 is formed of an inorganic material. For example, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or aluminum oxide (Al 2 O 3 ) may be applied to the gate insulating film 176 . However, it is not limited to this.

게이트 전극(170)은 게이트 절연막(176) 상에 배치된다. 그리고 게이트 전극(170)은 적어도 액티브층(168)의 일부 영역과 중첩되도록 구성된다. 게이트 전극(170)은 금속으로 형성된다. 게이트 전극(170)은 게이트 배선(116)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(170)에는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 금(Au), 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO) 또는 이들이 적층된 구조 등이 적용될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다.The gate electrode 170 is disposed on the gate insulating film 176. And the gate electrode 170 is configured to overlap at least a portion of the active layer 168. The gate electrode 170 is made of metal. The gate electrode 170 may be formed of the same material as the gate wire 116. For example, the gate electrode 170 includes copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo), titanium (Ti), gold (Au), and transparent conductive oxide (TCO). Alternatively, a structure in which these are stacked may be applied. However, it is not limited to this.

층간 절연막(178)은 게이트 전극(170) 상에 배치된다. 층간 절연막(178)은 게이트 전극(170)을 덮도록 구성된다. 층간 절연막(178)은 무기물로 형성된다. 예를 들어, 층간 절연막(178)에는 산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 산화 알루미늄 등이 적용될 수 있다. 또는, 층간 절연막(178)은 산화 실리콘 및 질화 실리콘으로 형성된 복층 구조일 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다.The interlayer insulating film 178 is disposed on the gate electrode 170. The interlayer insulating film 178 is configured to cover the gate electrode 170. The interlayer insulating film 178 is formed of an inorganic material. For example, silicon oxide, silicon nitride, or aluminum oxide may be applied to the interlayer insulating film 178. Alternatively, the interlayer insulating film 178 may have a multi-layer structure formed of silicon oxide and silicon nitride. However, it is not limited to this.

소스 전극(172) 및 드레인 전극(174)은 층간 절연막(178) 상에 배치된다. 소스 전극(172) 및 드레인 전극(174)은 액티브층(168)과 전기적으로 연결되도록 구성된다. 구체적으로 설명하면, 소스 전극(172)은, 게이트 절연막(176)과 층간 절연막(178)을 관통하는 제1 컨택홀(178a)을 통해 액티브층(168)의 일단과 연결된다. 그리고, 드레인 전극(174)은, 게이트 절연막(176)과 층간 절연막(178)을 관통하는 제1 컨택홀(178a)을 통해 액티브층(168)의 타단과 연결된다. 소스 전극(172) 및 드레인 전극(174)은 금속으로 형성된다. 소스 전극(172) 및 드레인 전극(174)은 데이터 배선(120)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(172) 및 드레인 전극(174)에는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 금(Au), 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO) 또는 이들이 적층된 구조 등이 적용될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다. The source electrode 172 and the drain electrode 174 are disposed on the interlayer insulating film 178. The source electrode 172 and the drain electrode 174 are configured to be electrically connected to the active layer 168. Specifically, the source electrode 172 is connected to one end of the active layer 168 through the first contact hole 178a that penetrates the gate insulating film 176 and the interlayer insulating film 178. And, the drain electrode 174 is connected to the other end of the active layer 168 through the first contact hole 178a that penetrates the gate insulating film 176 and the interlayer insulating film 178. The source electrode 172 and the drain electrode 174 are made of metal. The source electrode 172 and the drain electrode 174 may be formed of the same material as the data wire 120. For example, the source electrode 172 and the drain electrode 174 include copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo), titanium (Ti), gold (Au), and transparent conductive oxide ( Transparent conductive oxide (TCO) or a structure in which they are laminated can be applied. However, it is not limited to this.

제2 애노드 배선(130a)은 층간 절연막(178) 상에 배치된다. 제2 애노드 배선(130a)은 화소 영역(AA)에 애노드 전압(ELVDD)을 공급한다. 구체적으로는, 제2 애노드 배선(130a)은 구동 트랜지스터(162)의 드레인 전극(174)과 전기적으로 연결되도록 구성된다. 제2 애노드 배선(130a)은 주변 영역(PA)에 배치된 제1 애노드 배선(130)과 전기적으로 연결되도록 구성된다. 상술한 구성에 따르면, 구동 트랜지스터(162)에는 애노드 전압(ELVDD)이 공급된다. 제2 애노드 배선(130a)은 데이터 배선(120)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다.The second anode wire 130a is disposed on the interlayer insulating film 178. The second anode wire 130a supplies the anode voltage ELVDD to the pixel area AA. Specifically, the second anode wire 130a is configured to be electrically connected to the drain electrode 174 of the driving transistor 162. The second anode wire 130a is configured to be electrically connected to the first anode wire 130 disposed in the peripheral area PA. According to the above-described configuration, the anode voltage ELVDD is supplied to the driving transistor 162. The second anode wire 130a may be formed of the same material as the data wire 120. However, it is not limited to this.

트랜지스터 절연막(180)은 구동 트랜지스터(162) 상에 배치된다. 트랜지스터 절연막(180)은 무기물로 형성된다. 예를 들어, 트랜지스터 절연막(180)에는 산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 산화 알루미늄 등이 적용될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다. 트랜지스터 절연막(180)은 구동 트랜지스터(162)로 침투되는 수분을 추가적으로 차단할 수 있다. The transistor insulating film 180 is disposed on the driving transistor 162. The transistor insulating film 180 is formed of an inorganic material. For example, silicon oxide, silicon nitride, or aluminum oxide may be applied to the transistor insulating film 180. However, it is not limited to this. The transistor insulating film 180 may additionally block moisture from penetrating into the driving transistor 162.

유기물층(182)은 트랜지스터 절연막(180) 상에 배치된다. 유기물층(182)은 유전율(permittivity; ε)이 낮은 유기물로 형성된다. 따라서 유기물층(182)은 애노드(184)와 구동 트랜지스터(162), 게이트 배선(116) 및 데이터 배선(115) 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 유기물층(182)에는 포토 아크릴(Photo Acryl) 등이 적용될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다. 또한 유기물층(182)은 구동 트랜지스터(162)의 다양한 구성들에 의해서 형성된 단차들이 평탄해지도록 할 수 있다.The organic material layer 182 is disposed on the transistor insulating film 180. The organic material layer 182 is formed of an organic material with a low permittivity (ε). Therefore, the organic material layer 182 can reduce parasitic capacitance generated between the anode 184, the driving transistor 162, the gate wire 116, and the data wire 115. For example, photo acryl, etc. may be applied to the organic material layer 182. However, it is not limited to this. Additionally, the organic material layer 182 can flatten steps formed by various configurations of the driving transistor 162.

유기 발광 다이오드(164)는 애노드(184)와 캐소드(190) 및 이들 사이에 개재되는 유기 발광층(188)을 포함한다. 유기 발광층(188)의 발광 영역은 뱅크(186)에 의해 정의될 수 있다. The organic light emitting diode 164 includes an anode 184, a cathode 190, and an organic light emitting layer 188 interposed between them. The light emitting area of the organic light emitting layer 188 may be defined by the bank 186.

애노드(184)는 유기물층(182) 상에 배치된다. 애노드(184)는 각 서브-화소(112)의 발광 영역에 대응하도록 구성된다. 제2 컨택홀(182a)은 유기물층(182) 및 트랜지스터 절연막(180)을 관통하도록 구성된다. 따라서 애노드(184)는 제2 컨택홀(182a)을 통해서 구동 트랜지스터(162)의 소스 전극(172)과 연결된다. 애노드(184)는 일함수(Work function)가 높은 물질로 구성된다. 애노드(184)가 반사 특성을 가지도록 애노드(184)는 반사성 물질로 구성되거나 애노드(184) 하부에 반사판을 포함할 수 있다.The anode 184 is disposed on the organic material layer 182. The anode 184 is configured to correspond to the light emitting area of each sub-pixel 112. The second contact hole 182a is configured to penetrate the organic material layer 182 and the transistor insulating film 180. Accordingly, the anode 184 is connected to the source electrode 172 of the driving transistor 162 through the second contact hole 182a. The anode 184 is made of a material with a high work function. The anode 184 may be made of a reflective material or may include a reflector below the anode 184 so that the anode 184 has reflective properties.

애노드(184)는 설명의 편의를 위해서, 반사판을 포함한 구조를 기초로 설명한다. 반사판은 가시광선 반사율이 높은 금속성 물질로 구성된다. 예를 들면, 애노드(184)는 은(Ag; silver) 또는 APC 등의 합금이 적용될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다. 애노드(184)에는 영상 신호에 대응되는 전류가 구동 트랜지스터(162)에 의해서 인가된다. For convenience of explanation, the anode 184 will be described based on its structure including a reflector. The reflector is made of a metallic material with a high reflectance of visible light. For example, the anode 184 may be made of an alloy such as silver (Ag) or APC. However, it is not limited to this. A current corresponding to the image signal is applied to the anode 184 by the driving transistor 162.

뱅크(186)는 유기물층(182) 상에 배치된다. 뱅크(186)는 각 서브-화소(112)를 감싸도록 구성된다. 뱅크(186)는 테이퍼(Taper) 형상을 가지도록 구성된다. 뱅크(186)는 애노드(184)의 테두리의 적어도 일부를 오버랩(Overlap)하도록 구성된다. 뱅크(186)는 유기물로 형성된다. 예를 들어, 뱅크(186)에는 포토 아크릴 또는 폴리이미드 등이 적용될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다. The bank 186 is disposed on the organic material layer 182. The bank 186 is configured to surround each sub-pixel 112. The bank 186 is configured to have a tapered shape. The bank 186 is configured to overlap at least a portion of the edge of the anode 184. Bank 186 is formed of organic material. For example, photo acrylic or polyimide may be applied to the bank 186. However, it is not limited to this.

유기 발광층(188)은 애노드(184) 상에 배치된다. 유기 발광층(188)은 화소 영역(AA)에 전면 증착되도록 구성된다. 유기 발광층(188)은 인광 또는 형광물질로 구성될 수 있으며, 전자 수송층, 정공 수송층, 전하 생성층 등을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting layer 188 is disposed on the anode 184. The organic emission layer 188 is configured to be entirely deposited on the pixel area AA. The organic light-emitting layer 188 may be made of a phosphorescent or fluorescent material, and may further include an electron transport layer, a hole transport layer, and a charge generation layer.

캐소드(190)는 유기 발광층(188) 상에 배치된다. 캐소드(190)는 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질 또는 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 구성된다. 캐소드(190)는 1500Å 이하의 두께로 형성되며, 바람직하게는 400Å 이하의 두께로 형성된다. 캐소드(190)가 이러한 두께로 형성된 경우, 캐소드(190)는 실질적으로 반투과층이 되어, 실질적으로 투명한 층이 된다. 하지만, 이러한 캐소드(190)는 전기 저항이 높게 된다. 따라서 캐소드(190)는 인접한 제2 캐소드 배선(134a)과 전기적으로 연결되도록 구성된다. The cathode 190 is disposed on the organic light emitting layer 188. The cathode 190 is made of a very thin metallic material with a low work function or transparent conductive oxide (TCO). The cathode 190 is formed to a thickness of 1500 Å or less, and is preferably formed to a thickness of 400 Å or less. When the cathode 190 is formed to this thickness, the cathode 190 becomes a substantially translucent layer and becomes a substantially transparent layer. However, this cathode 190 has high electrical resistance. Accordingly, the cathode 190 is configured to be electrically connected to the adjacent second cathode wire 134a.

격벽(192)은 서브-화소(112)에 인접하여 배치된다. 격벽(192)은 역테이퍼 형상으로 형성된다. 역테이퍼 형상은 기판(101)에서 위로 점점 멀어질수록 격벽(192)의 폭이 증가하는 형상을 의미한다. 격벽(192)은 뱅크(186)의 개구부 내에 배치된다. 이러한 개구부는 컨택(C/A)영역이라 지칭될 수 있다. 격벽(192)의 하면은 제2 캐소드 배선(134a)의 일부 영역과 접하고, 격벽(192)의 상면의 면적은 격벽(192)의 하면의 면적보다 크도록 구성된다. 따라서, 격벽(192)의 하부에는 격벽(192)의 역테이퍼 형상에 기인한 그늘이 발생된다. The partition 192 is disposed adjacent to the sub-pixel 112. The partition wall 192 is formed in a reverse tapered shape. The reverse taper shape means that the width of the barrier rib 192 increases as it moves upward from the substrate 101. The partition 192 is disposed within the opening of the bank 186. This opening may be referred to as a contact (C/A) area. The lower surface of the partition 192 is in contact with a portion of the second cathode wiring 134a, and the area of the upper surface of the partition 192 is larger than the area of the lower surface of the partition 192. Accordingly, a shadow is generated at the lower part of the partition wall 192 due to the reverse taper shape of the partition wall 192.

격벽(192)은 뱅크(186) 보다 더 두껍도록 구성된다. 격벽(192)이 뱅크(186)보다 두꺼운 경우, 격벽(192)을 역테이퍼 모양으로 형성하기가 보다 용이해질 수 있다. The partition wall 192 is configured to be thicker than the bank 186. When the partition wall 192 is thicker than the bank 186, it may be easier to form the partition wall 192 into a reverse tapered shape.

일반적으로, 유기 발광층은 단차 피복성(step coverage)이 낮은 물질로 구성된다. 유기 발광층의 단차 피복성에 기인하여, 격벽(192)의 역테이퍼 형상에 의해 발생되는 그늘 부분과 격벽(192)의 측면에는 유기 발광층이 증착되지 않고, 격벽(192)과 뱅크(186)의 상면에는 유기 발광층이 증착된다. 따라서, 격벽(192)의 측면과 뱅크(186)의 측면 사이에 제2 캐소드 배선(134a)과 캐소드(190)가 전기적으로 연결될 수 있는 물리적 공간이 확보될 수 있다. 그리고 격벽(192) 상에는 유기 발광층 잔여물(188a)이 남게 된다. Generally, the organic light-emitting layer is made of a material with low step coverage. Due to the step coverage of the organic light-emitting layer, the organic light-emitting layer is not deposited on the side of the partition 192 and the shaded portion created by the reverse taper shape of the partition 192, and is not deposited on the upper surfaces of the partition 192 and the bank 186. An organic light emitting layer is deposited. Accordingly, a physical space where the second cathode wire 134a and the cathode 190 can be electrically connected can be secured between the side of the partition 192 and the side of the bank 186. And the organic light-emitting layer residue 188a remains on the partition wall 192.

캐소드(190)는 컨택 영역(C/A)에서 격벽(192)의 측면과 뱅크(186)의 측면 사이에 노출된 제2 캐소드 배선(134a)의 상면과 직접 접촉될 수 있다. 캐소드(190)를 구성하는 투명 도전성 산화물은 단차 피복성이 높으므로, 캐소드(190)는 격벽(192)의 측면과 뱅크(186)의 측면 사이에 노출된 제2 캐소드 배선(134a)과 접촉될 수 있으며, 이로써, 캐소드(190)와 제2 캐소드 배선(134a)이 전기적으로 서로 연결된다.The cathode 190 may be in direct contact with the upper surface of the second cathode wire 134a exposed between the side surface of the partition wall 192 and the side surface of the bank 186 in the contact area C/A. Since the transparent conductive oxide constituting the cathode 190 has high step coverage, the cathode 190 may be in contact with the second cathode wiring 134a exposed between the side of the partition 192 and the side of the bank 186. As a result, the cathode 190 and the second cathode wiring 134a are electrically connected to each other.

몇몇 실시예에서는, 제1 기판(160)과 구동 트랜지스터(162) 사이에 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx)으로 형성된 멀티버퍼층이 더 배치될 수 있다. 멀티버퍼층이 배치됨으로써, 제1 기판(160) 상의 이물 등으로부터 구동 트랜지스터(162)를 보호할 수 있으며, 수분 및 산소로부터 구동 트랜지스터(162)를 보호할 수 있는 장점이 있다.In some embodiments, a multi-buffer layer formed of silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) may be further disposed between the first substrate 160 and the driving transistor 162. By disposing the multi-buffer layer, the driving transistor 162 can be protected from foreign substances on the first substrate 160, and there is an advantage in protecting the driving transistor 162 from moisture and oxygen.

몇몇 실시예에서는, 구동 트랜지스터(162)가 인버티드 스태거드(inverted staggered) 구조로 구현되는 것도 가능하다In some embodiments, the driving transistor 162 may be implemented in an inverted staggered structure.

몇몇 실시예에서는, 구동 트랜지스터(162)가 P-type으로 구성되는 것도 가능하다. 이때 구동 트랜지스터(162)의 드레인 전극(174)과 소스 전극(172)의 위치는 서로 바뀌게 된다. 그리고 커패시터의 배치 위치도 따라서 바뀌게 된다. In some embodiments, the driving transistor 162 may be configured as a P-type. At this time, the positions of the drain electrode 174 and the source electrode 172 of the driving transistor 162 are changed. And the placement position of the capacitor also changes accordingly.

몇몇 실시예에서는, 트랜지스터 절연막(180)이 제거 되는 것도 가능하다.In some embodiments, it is also possible for the transistor insulation film 180 to be removed.

몇몇 실시예에서는, 애노드(184)가 배치된 영역의 유기물층(182)에는 광추출 효율을 향상시키기 위한 렌즈(lens)부가 형성될 수 있다.In some embodiments, a lens portion to improve light extraction efficiency may be formed in the organic material layer 182 in the area where the anode 184 is disposed.

몇몇 실시예에서는, 스페이서가 뱅크(186) 상에 더 배치될 수 있다. 스페이서는 뱅크(186)와 동일한 물질로 구성될 수 있다. In some embodiments, spacers may further be placed on bank 186. The spacer may be made of the same material as the bank 186.

몇몇 실시예에서는, 격벽은 뱅크 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 컨택 영역의 중심부에 아일랜드(island) 형상의 뱅크가 추가로 배치되고, 격벽은 아일랜드 형상의 뱅크 상에 배치될 수 있다. In some embodiments, partitions may be disposed on banks. In this case, an island-shaped bank may be additionally disposed in the center of the contact area, and the partition wall may be disposed on the island-shaped bank.

몇몇 실시예에서는, 격벽이 제거될 수 있다. 이 경우, 유기 발광층은 전면 증착되지 않도록 구성되고, 마스크(mask)에 의하여 컨택 영역에 대응되는 영역이 패터닝(patterning) 되도록 구성된다.In some embodiments, the septum may be eliminated. In this case, the organic light emitting layer is configured not to be deposited on the entire surface, and the area corresponding to the contact area is patterned using a mask.

10. 제1 애노드 배선10. First anode wiring

다시 도 1a를 참조하면, 제1 애노드 배선(130)은 유기 발광 표시 패널(110)의 주변 영역(PA)의 상 측면(제1 측면)을 따라서 배치된다. 예를 들어, 제1 애노드 배선(130)은 유기 발광 표시 패널(110)의 장 측면 방향인, X-축 방향을 따라서 배치된다. Referring again to FIG. 1A , the first anode wire 130 is disposed along the upper side (first side) of the peripheral area PA of the organic light emitting display panel 110. For example, the first anode wire 130 is disposed along the X-axis direction, which is the long side direction of the organic light emitting display panel 110.

제1 애노드 배선(130)은 애노드 전압(ELVDD)을 제2 연성 회로 기판(146)에서 공급받아 제2 애노드 배선(130a)에 공급한다. The first anode wiring 130 receives the anode voltage ELVDD from the second flexible circuit board 146 and supplies it to the second anode wiring 130a.

제1 애노드 배선(130)은 그 일부가 제2 연성 회로 기판(146)과 합착되도록 구성된 연장된 패드부를 포함한다. 제1 애노드 배선(130)의 연장된 패드부는 합착 부재에 의해서 제2 연성 회로 기판(146)과 합착 된다. 합착 부재는 이방성 도전 필름이 사용 된다. 단 합착 부재는 이에 제한되지 않는다. The first anode wire 130 includes an extended pad portion configured to be partially bonded to the second flexible circuit board 146 . The extended pad portion of the first anode wire 130 is bonded to the second flexible circuit board 146 by a bonding member. An anisotropic conductive film is used as the bonding member. However, the cementation member is not limited to this.

제1 애노드 배선(130)은 배선 저항이 최소화 되도록, 화소 영역(AA)에 배치된 다양한 배선들보다 상대적으로 그 폭이 상당히 넓게 구성된다. 예를 들어 제1 애노드 배선(130)의 폭(L1)은 1mm 내지 3mm일 수 있으며, 따라서 배선 저항은 거리에 따른 편차를 무시할 만한 수준이 될 수 있다. 상술한 구성에 따르면, 유기 발광 표시 패널(110)이 대형화될 때, 제1 애노드 배선(130)의 배선 저항에 의한 전압 강하 현상이 최소화될 수 있다.The first anode wire 130 is configured to be relatively wider in width than the various wires arranged in the pixel area AA to minimize wire resistance. For example, the width L1 of the first anode wire 130 may be 1 mm to 3 mm, and therefore the wire resistance may have a negligible variation depending on the distance. According to the above-described configuration, when the organic light emitting display panel 110 is enlarged, the voltage drop phenomenon due to the wiring resistance of the first anode wiring 130 can be minimized.

제1 애노드 배선(130)의 배선 저항은 그 값이 상대적으로 현저히 낮기 때문에, 이하 생략하여 설명하나, 이는 제1 애노드 배선(130)의 저항이 0Ω이라는 의미는 아니다.Since the wiring resistance of the first anode wiring 130 is relatively low, the description will be omitted below, but this does not mean that the resistance of the first anode wiring 130 is 0Ω.

제1 애노드 배선(130)은 유기 발광 표시 패널(110)의 서브-화소(112)를 구성하는 다양한 배선들 중에서 일부를 선택적으로 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어 제1 애노드 배선(130)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 금(Au), 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO) 또는 이들이 적층된 구조로 구성될 수 있다.The first anode wire 130 may be formed by selectively using some of the various wires constituting the sub-pixel 112 of the organic light emitting display panel 110. For example, the first anode wire 130 is made of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo), titanium (Ti), gold (Au), and transparent conductive oxide (TCO). ) or may be composed of a stacked structure.

제1 애노드 배선(130)은 데이터 배선(120)과 동일한 물질로 형성된다. 도 1a에서 자세히 도시되지는 않았지만, 데이터 배선(120)은 제1 애노드 배선(130)과 동일한 물질로 형성되기 때문에, 서로 동일 평면상에 배치될 수 없다. 만약 동일 평면상에 배치된다면 서로 전기적으로 쇼트(short)가 발생하게 된다. 따라서 데이터 배선(120)과 제1 애노드 배선(130)이 중첩되는 영역에서는 별도의 금속층을 이용한 점프 배선을 구성한다. 예를 들어, 제1 애노드 배선(130)과 데이터 배선(120)이 중첩하는 영역에서의 점프 배선은 게이트 배선(116)과 동일한 물질을 이용하여 구성될 수 있다. 그리고 점프 배선은 절연층에 의해서 서로 전기적으로 절연되도록 구성된다. 절연층은 예를 들어 층간 절연막 또는 게이트 절연막 등을 이용하여 구성될 수 있다.The first anode wire 130 is formed of the same material as the data wire 120. Although not shown in detail in FIG. 1A, since the data wire 120 is formed of the same material as the first anode wire 130, they cannot be placed on the same plane. If placed on the same plane, an electrical short occurs between them. Therefore, in the area where the data wire 120 and the first anode wire 130 overlap, a jump wire is formed using a separate metal layer. For example, the jump wire in the area where the first anode wire 130 and the data wire 120 overlap may be formed using the same material as the gate wire 116. And the jump wires are configured to be electrically insulated from each other by an insulating layer. The insulating layer may be formed using, for example, an interlayer insulating film or a gate insulating film.

배선 저항(RLine)에 대해서 구체적으로 설명하면, 각각의 배선은 고유한 도전 물질로 구성된다. 각각의 도전 물질은 고유 저항(resistivity; ρ)을 가진다. 그리고 배선 저항(RLine)은 고유 저항(ρ)과 배선의 길이(length; L), 배선의 두께(thickness; T), 및 배선의 폭(width; W)에 의해서 결정된다. 배선 저항 계산 방법은 수학식 1에 의해서 계산될 수 있다. To specifically describe the wiring resistance (R Line ), each wiring is composed of a unique conductive material. Each conductive material has a specific resistance (ρ). And the wiring resistance (R Line ) is determined by the specific resistance (ρ), the length (L) of the wiring, the thickness (T) of the wiring, and the width (W) of the wiring. The wiring resistance calculation method can be calculated by Equation 1.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112015042523017-pat00001
Figure 112015042523017-pat00001

11. 제1 캐소드 배선11. First cathode wiring

제1 캐소드 배선(134)은 유기 발광 표시 패널(110)의 주변 영역(PA)의 상 측면(제1 측면)과 반대 방향인, 하 측면(제3 측면)을 따라서 배치된다. 예를 들어, 제1 캐소드 배선(134)은 유기 발광 표시 패널(110)의 장 측면 방향인, X-축 방향을 따라서 배치된다. 이때 제1 캐소드 배선(134)과 제1 애노드 배선(130)은 서로 평행하도록 배치되는 것이 바람직하다. The first cathode wire 134 is disposed along the lower side (third side) of the peripheral area PA of the organic light emitting display panel 110 in a direction opposite to the upper side (first side). For example, the first cathode wire 134 is disposed along the X-axis direction, which is the long side direction of the organic light emitting display panel 110. At this time, the first cathode wire 134 and the first anode wire 130 are preferably arranged to be parallel to each other.

제1 캐소드 배선(134)은 캐소드 전압(ELVSS)을 제2 연성 회로 기판(146)에서 공급받아 복수의 제2 캐소드 배선(134a)에 공급한다. The first cathode wiring 134 receives the cathode voltage ELVSS from the second flexible circuit board 146 and supplies it to the plurality of second cathode wirings 134a.

제1 캐소드 배선(134)은 그 일부가 제2 연성 회로 기판(146)과 합착되도록 구성된 연장된 패드부를 포함한다. 제1 캐소드 배선(134)의 연장된 패드부는 합착 부재에 의해서 제2 연성 회로 기판(146)과 합착 된다. 합착 부재로서 이방성 도전 필름이 사용된다. 단 합착 부재는 이에 제한되지 않는다. The first cathode wiring 134 includes an extended pad portion configured to be partially bonded to the second flexible circuit board 146 . The extended pad portion of the first cathode wiring 134 is bonded to the second flexible circuit board 146 by a bonding member. An anisotropic conductive film is used as a bonding member. However, the cementation member is not limited to this.

제1 캐소드 배선(134)은 배선 저항이 최소화 되도록, 화소 영역(AA)에 배치된 다양한 배선들보다 상대적으로 그 폭이 상당히 넓게 구성된다. 예를 들어 제1 캐소드 배선(134)의 폭(L3)은 1mm 내지 4mm일 수 있으며, 따라서 배선 저항은 거리에 따른 편차를 무시할 만한 수준이 될 수 있다.The first cathode wire 134 is configured to be relatively wider in width than the various wires arranged in the pixel area AA to minimize wire resistance. For example, the width L3 of the first cathode wire 134 may be 1 mm to 4 mm, and therefore the wire resistance may have a negligible variation depending on the distance.

제1 캐소드 배선(134)의 배선 저항은 그 값이 상대적으로 현저히 낮기 때문에, 생략하여 설명하나, 이는 제1 캐소드 배선(134)의 저항이 0Ω이라는 의미는 아니다. Since the wiring resistance of the first cathode wiring 134 is relatively low, the description is omitted. However, this does not mean that the resistance of the first cathode wiring 134 is 0Ω.

상술한 구성에 따르면, 유기 발광 표시 패널(110)이 대형화 될 때, 제1 캐소드 배선(134)의 배선 저항에 의한 전압 강하 현상을 최소화 할 수 있다. 이하 중복되는 배선 저항에 대한 설명은 생략한다.According to the above-described configuration, when the organic light emitting display panel 110 is enlarged, the voltage drop phenomenon due to the wiring resistance of the first cathode wiring 134 can be minimized. Hereinafter, description of overlapping wiring resistance will be omitted.

제1 캐소드 배선(134)은 유기 발광 표시 패널(110)의 서브-화소(112)를 구성하는 다양한 배선들 중에서 일부를 선택적으로 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어 제1 캐소드 배선(134)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 금(Au), 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO) 또는 이들이 적층된 구조로 구성될 수 있다. 제1 캐소드 배선(134)은 애노드(184)와 동일한 물질로 형성된다. 또는 제1 캐소드 배선(134)은 애노드(184)의 반사층과 동일한 물질로 형성될 수 있다. The first cathode wire 134 may be formed by selectively using some of the various wires constituting the sub-pixel 112 of the organic light emitting display panel 110. For example, the first cathode wiring 134 is made of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo), titanium (Ti), gold (Au), and transparent conductive oxide (TCO). ) or may be composed of a stacked structure. The first cathode wire 134 is formed of the same material as the anode 184. Alternatively, the first cathode wire 134 may be formed of the same material as the reflective layer of the anode 184.

12. 제2 애노드 배선12. Second anode wiring

복수의 제2 애노드 배선(130a)은 제1 애노드 배선(130)과 전기적으로 연결되고, 화소 영역(AA)으로 연장된 복수의 배선들을 의미한다. 예를 들어, 복수의 제2 애노드 배선(130a)은 제1 애노드 배선(130)에서 수직 방향인 Y-축 방향으로 연장되도록 구성된다. 즉, 제1 측면에서 제3 측면 방향으로 연장된다. 제2 애노드 배선(130a)은 제1 애노드 배선(130)과 동일한 물질로 형성되거나 또는 상이한 물질로 형성될 수 있다. 그리고 제1 애노드 배선(130), 제2 애노드 배선(130a)의 두께는 3000A 내지 6000A으로 형성될 수 있다. The plurality of second anode wires 130a are electrically connected to the first anode wire 130 and refer to a plurality of wires extending to the pixel area AA. For example, the plurality of second anode wires 130a are configured to extend from the first anode wire 130 in the vertical Y-axis direction. That is, it extends from the first side to the third side. The second anode wire 130a may be formed of the same material as the first anode wire 130 or may be formed of a different material. And the first anode wire 130 and the second anode wire 130a may have a thickness of 3000A to 6000A.

복수의 제2 애노드 배선(130a)은 제1 애노드 배선(130)과 연결되고, 화소 영역(AA)에서 Y-축 방향으로 연장되다가 화소 영역(AA)의 끝 단에서 단락 되도록 구성된 된다. 즉 제2 애노드 배선(130a)은 단 방향 입력이다. The plurality of second anode wires 130a are connected to the first anode wire 130, extend in the Y-axis direction in the pixel area AA, and are configured to be short-circuited at an end of the pixel area AA. That is, the second anode wire 130a is a unidirectional input.

제1 애노드 배선(130)은 데이터 배선(120)과 동일한 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 특히 상술한 구성에 따르면, 제2 애노드 배선(130a)과 데이터 배선(120)이 Y-축 방향으로 서로 평행되게 배치될 수 있는 장점이 있다. 단 이에 제한되지 않는다.The first anode wire 130 is preferably made of the same material as the data wire 120. In particular, according to the above-described configuration, there is an advantage that the second anode wire 130a and the data wire 120 can be arranged parallel to each other in the Y-axis direction. However, it is not limited to this.

도 1a를 참조하면, 데이터 배선(120)과 제2 애노드 배선(130a)은 서로 소정의 간격으로 이격되고, Y-축 방향을 따라서 배치된다. 제2 애노드 배선(130a)은 제1 애노드 배선(130)보다 그 폭이 상당히 좁게 구성된다. 예를 들어 제2 애노드 배선(130a)의 폭(L2)은 10㎛ 내지 100㎛일 수 있으며, 제2 애노드 배선(130a)의 배선 저항은 거리에 따른 편차를 고려할 만한 수준이 된다. Referring to FIG. 1A, the data wire 120 and the second anode wire 130a are spaced apart from each other at a predetermined distance and are arranged along the Y-axis direction. The second anode wire 130a is configured to have a considerably narrower width than the first anode wire 130. For example, the width L2 of the second anode wire 130a may be 10 ㎛ to 100 ㎛, and the wiring resistance of the second anode wire 130a is at a level that can take into account variation depending on the distance.

이러한 이유는, 화소 영역(AA)내의 서브-화소(112)의 집적도가 높아지기 때문에, 실질적으로 제2 애노드 배선(130a)의 폭을 증가시킬 수 있는 면적이 제한되기 때문이다. 따라서, 제2 애노드 배선(130a)의 단위 길이당 배선 저항은 제1 애노드 배선(130)의 단위 길이당 배선 저항보다 크다. 즉, 제2 애노드 배선(130a)의 배선 저항은 제1 애노드 배선(130)보다 상대적으로 상당히 크다. The reason for this is that, since the integration degree of the sub-pixel 112 in the pixel area AA increases, the area where the width of the second anode wire 130a can be substantially increased is limited. Accordingly, the wiring resistance per unit length of the second anode wiring 130a is greater than the wiring resistance per unit length of the first anode wiring 130. That is, the wiring resistance of the second anode wiring 130a is relatively significantly greater than that of the first anode wiring 130.

13. 제2 캐소드 배선13. Second cathode wiring

복수의 제2 캐소드 배선(134a)은 제1 캐소드 배선(134)과 전기적으로 연결되고, 화소 영역(AA)으로 연장된 복수의 배선들을 의미한다. 복수의 제2 캐소드 배선(134a)은 화소 영역(AA)에 캐소드 전압(ELVSS)을 공급한다. 예를 들어, 제2 캐소드 배선(134a)은 제1 캐소드 배선(134)에서 수직 방향인 Y-축 방향으로 연장되도록 구성된다. 이때 제2 캐소드 배선(134a)과 제2 애노드 배선(130a)의 입력 방향은 서로 반대 방향이 되도록 구성된다. 즉, 제3 측면에서 제1 측면 방향으로 연장된다. 제2 캐소드 배선(134a)은 제1 캐소드 배선(134)과 동일한 물질로 형성되거나 또는 상이한 물질로 형성될 수 있다. 그리고 제1 캐소드 배선(134), 제2 캐소드 배선(134a)의 두께는 800A 내지 1500A으로 형성될 수 있다.The plurality of second cathode wires 134a refers to a plurality of wires that are electrically connected to the first cathode wire 134 and extend to the pixel area AA. The plurality of second cathode wires 134a supply the cathode voltage ELVSS to the pixel area AA. For example, the second cathode wire 134a is configured to extend from the first cathode wire 134 in the vertical Y-axis direction. At this time, the input directions of the second cathode wire 134a and the second anode wire 130a are configured to be in opposite directions. That is, it extends from the third side toward the first side. The second cathode wiring 134a may be formed of the same material as the first cathode wiring 134 or may be formed of a different material. And the first cathode wire 134 and the second cathode wire 134a may have a thickness of 800A to 1500A.

제1 캐소드 배선(134)과 전기적으로 연결된 제2 캐소드 배선(134a)은 제2 애노드 배선(130a)의 반대 방향으로 연장되어, 각각의 서브-화소(112)의 유기 발광 다이오드의 캐소드와 전기적으로 연결된다. The second cathode wire 134a, which is electrically connected to the first cathode wire 134, extends in the opposite direction to the second anode wire 130a and is electrically connected to the cathode of the organic light emitting diode of each sub-pixel 112. connected.

제2 캐소드 배선(134a)은 제1 캐소드 배선(134)과 연결되고, 화소 영역(AA)에서 Y-축 방향으로 연장되다가 화소 영역(AA)의 끝 단에서 단락 되도록 구성된 된다. 즉 제2 캐소드 배선(134a)은 단 방향 입력이다.The second cathode wire 134a is connected to the first cathode wire 134, extends in the Y-axis direction in the pixel area AA, and is configured to be short-circuited at an end of the pixel area AA. That is, the second cathode wire 134a is a unidirectional input.

상술한 구성에 따르면, 제2 애노드 배선(130a)과 제2 캐소드 배선(134a)은 서로 반대 방향으로 연장되고, 서로 반대 방향에서 단락되도록 구성된다. According to the above-described configuration, the second anode wire 130a and the second cathode wire 134a extend in opposite directions and are configured to be short-circuited in opposite directions.

제2 캐소드 배선(134a)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 동일한 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 단 이에 제한되지 않는다.The second cathode wiring 134a is preferably made of the same material as the anode of the organic light emitting diode (OLED). However, it is not limited to this.

도 1a를 참조하면, 제2 캐소드 배선(134a)은 서로 소정의 간격으로 이격되고, Y-축 방향을 따라서 배치된다. 제2 캐소드 배선(134a)은 제1 캐소드 배선(134)보다 그 폭이 상당히 좁게 구성된다. 예를 들어 제2 캐소드 배선(134a)의 폭(L4)은 10㎛ 내지 400㎛일 수 있으며, 배선 저항은 거리에 따른 편차를 고려할 만한 수준이 된다. Referring to FIG. 1A, the second cathode wires 134a are spaced apart from each other at a predetermined interval and are arranged along the Y-axis direction. The second cathode wiring 134a is configured to have a considerably narrower width than the first cathode wiring 134. For example, the width L4 of the second cathode wire 134a may be 10 ㎛ to 400 ㎛, and the wiring resistance is at a level that takes into account variation depending on the distance.

이러한 이유는, 화소 영역(AA)내의 서브-화소(112)의 집적도가 높아지기 때문에, 실질적으로 제2 캐소드 배선(134a)의 폭을 증가시킬 수 있는 면적이 제한되기 때문이다. 따라서, 제2 캐소드 배선(134a)의 단위 길이당 배선 저항은 제1 캐소드 배선(134)의 단위 길이당 배선 저항보다 크다. 따라서 제2 캐소드 배선(134a)의 배선 저항은 제1 캐소드 배선(134)보다 상대적으로 크다. The reason for this is that, since the integration degree of the sub-pixel 112 in the pixel area AA increases, the area where the width of the second cathode wiring 134a can be substantially increased is limited. Accordingly, the wiring resistance per unit length of the second cathode wiring 134a is greater than the wiring resistance per unit length of the first cathode wiring 134. Accordingly, the wiring resistance of the second cathode wiring 134a is relatively greater than that of the first cathode wiring 134.

제2 애노드 배선(130a)의 배선 저항과 제2 캐소드 배선(134a)의 배선 저항은 서로 동일하게 구성될 수 있다. 각각의 배선 저항은 각각의 배선의 단면적을 동일하게 하는 방법으로 설계할 수 있다. The wiring resistance of the second anode wiring 130a and the wiring resistance of the second cathode wiring 134a may be configured to be the same. Each wiring resistance can be designed by making the cross-sectional area of each wiring the same.

예를 들어, 제2 애노드 배선(130a)은 4500A의 배선 두께와 10㎛의 배선 폭으로 구성될 수 있다. 이때 제2 캐소드 배선(134a)은 1000A의 배선 두께와 45㎛의 배선 폭으로 구성될 수 있다. 이때 제2 애노드 배선(130a) 및 제2 캐소드 배선(134a)의 재질이 동일하다면, 각각의 배선의 단면적이 동일하기 때문에, 단위 길이당 배선 저항도 동일해지게 된다. 만약 각각의 배선의 재질이 상이하다면, [수학식 1]을 이용하여 고유 저항값을 대입하여 배선 저항이 동일해지게 설계하는 것도 가능하다. For example, the second anode wire 130a may be configured with a wire thickness of 4500A and a wire width of 10㎛. At this time, the second cathode wire 134a may be configured with a wire thickness of 1000A and a wire width of 45㎛. At this time, if the materials of the second anode wire 130a and the second cathode wire 134a are the same, the cross-sectional area of each wire is the same, so the wire resistance per unit length becomes the same. If the material of each wiring is different, it is also possible to design the wiring resistance to be the same by substituting the specific resistance value using [Equation 1].

14. 서브-화소의 등가 회로14. Equivalent circuit of sub-pixel

도 1d를 참조하면, 도 1a에 도시된 서브-화소(112)에 연결된 제1 애노드 배선(130) 및 제2 애노드 배선(130a)의 등가 회로가 개략적으로 도시되어 있다. Referring to FIG. 1D, an equivalent circuit of the first anode wire 130 and the second anode wire 130a connected to the sub-pixel 112 shown in FIG. 1A is schematically shown.

서브-화소(112)는 적어도 유기 발광 다이오드, 구동 트랜지스터(DTR), 스위칭 트랜지스터(SWTR), 커패시터(CST), 게이트 배선(116; GATE) 및 데이터 배선(120; DATA)을 포함한다. 단 이에 제한되지 않는다.The sub-pixel 112 includes at least an organic light emitting diode, a driving transistor (D TR ), a switching transistor (SW TR ), a capacitor (C ST ), a gate line (GATE) 116, and a data line (DATA) 120. . However, it is not limited to this.

서브-화소(112)는 커패시터(CST)를 방전시키기 위한, 이니셜 전압(Vint) 구동 회로, 유기 발광 다이오드의 애노드와 구동 트랜지스터(DTR) 사이에 추가적으로 배치되어 애노드에 흐르는 전압의 듀티(duty)를 제어할 수 있는 발광(emission) 듀티 제어 회로, 또는 구동 트랜지스터(DTR)의 임계 전압(Vth)편차를 보상할 수 있는 임계 전압 편차 보상 회로 등을 더 포함할 수 있다. 이때 임계 전압 편차 보상 회로는 서브-화소(112)내에 배치될 수 있거나 또는 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다. 단 이에 제한되지 않는다.The sub-pixel 112 is an initial voltage (Vint) driving circuit for discharging the capacitor (C ST ), and is additionally disposed between the anode of the organic light emitting diode and the driving transistor (D TR ) to determine the duty of the voltage flowing through the anode. ) may further include an emission duty control circuit capable of controlling the light emission (emission) duty control circuit, or a threshold voltage deviation compensation circuit capable of compensating for the threshold voltage (Vth) deviation of the driving transistor (D TR ). At this time, the threshold voltage deviation compensation circuit may be placed within the sub-pixel 112 or may be placed in the peripheral area (PA). However, it is not limited to this.

각각의 구동 트랜지스터(DTR)는 소스 전극(S), 드레인 전극(D), 및 게이트 전극(G)을 포함한다. Each driving transistor (D TR ) includes a source electrode (S), a drain electrode (D), and a gate electrode (G).

제1 애노드 배선(130)과 전기적으로 연결된 제2 애노드 배선(130a)은 Y-축 방향으로 연장되어, 각각의 서브-화소(112)의 구동 트랜지스터(DTR)의 드레인 전극(D)들과 전기적으로 연결된다. 단 상술한 구성은 구동 트랜지스터(DTR)가 N-type인 경우에 해당되며, P-type인 경우 제2 애노드 배선(130a)은 각각의 서브-화소(112)의 구동 트랜지스터(DTR)의 소스 전극(S)과 전기적으로 연결된다. 커패시터(CST)는 구동 트랜지스터(DTR)의 게이트 전극(G) 및 소스 전극(S)과 전기적으로 연결된다.The second anode wire 130a, which is electrically connected to the first anode wire 130, extends in the Y-axis direction and connects the drain electrodes D of the driving transistor D TR of each sub-pixel 112. are electrically connected. However, the above-described configuration applies to the case where the driving transistor (D TR ) is N-type, and in the case of P-type, the second anode wire 130a is connected to the driving transistor (D TR ) of each sub-pixel 112. It is electrically connected to the source electrode (S). The capacitor (C ST ) is electrically connected to the gate electrode (G) and source electrode (S) of the driving transistor (D TR ).

각각의 데이터 배선(DATA)은 각각의 구동 트랜지스터(DTR)의 게이트 전극(G)과 전기적으로 연결된다. 데이터 배선(DATA)과 구동 트랜지스터(DTR)의 사이에는 스위칭 트랜지스터(SWTR)가 배치된다. 데이터 배선(DATA)은 데이터 구동 회로(118)로부터 아날로그 영상 신호를 인가 받아서 구동 트랜지스터(DTR)의 게이트 전극(G)에 전달한다. 이때 영상 신호의 전압값에 따라서, 구동 트랜지스터(DTR)를 통해서 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류량이 제어된다. Each data wire (DATA) is electrically connected to the gate electrode (G) of each driving transistor (D TR ). A switching transistor (SW TR ) is disposed between the data line (DATA) and the driving transistor (D TR ). The data line (DATA) receives an analog image signal from the data driving circuit 118 and transmits it to the gate electrode (G) of the driving transistor (D TR ). At this time, the amount of current flowing through the organic light emitting diode through the driving transistor (D TR ) is controlled according to the voltage value of the image signal.

각각의 게이트 배선(GATE)은 각각의 스위칭 트랜지스터(SWTR)의 게이트 전극과 전기적으로 연결된다. 게이트 배선(GATE)을 통해서 게이트 하이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되어 스위칭 트랜지스터(SWTR)를 제어한다.Each gate wire (GATE) is electrically connected to the gate electrode of each switching transistor (SW TR ). Gate high voltage (VGH) and gate low voltage (VGL) are applied through the gate wiring (GATE) to control the switching transistor (SW TR ).

15. 제2 애노드 배선의 배선 저항15. Wiring resistance of the second anode wiring

도 1d를 참조하면, 제2 애노드 배선(130a)의 단위 배선 저항(RELVDD)Ω은 Y-축 방향으로, 하나의 서브-화소(112)의 길이에 대응되는 제2 애노드 배선(130a)의 배선 저항(RELVDD)Ω으로 정의될 수 있다. 따라서 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)Ω은 대응되는 서브-화소(112)의 개수에 비례하여 증가하게 된다. Referring to FIG. 1D, the unit wire resistance (R ELVDD )Ω of the second anode wire 130a is that of the second anode wire 130a corresponding to the length of one sub-pixel 112 in the Y-axis direction. Wiring resistance (R ELVDD ) can be defined as Ω. Accordingly, the total anode wiring resistance (RT ELVDD )Ω increases in proportion to the number of corresponding sub-pixels 112.

이하, 유기 발광 표시 패널(110)의 게이트 배선(116)의 개수는 N개로 가정하고 설명한다. (N은 0보다 큰 양수)Hereinafter, the description will be made assuming that the number of gate wires 116 of the organic light emitting display panel 110 is N. (N is a positive number greater than 0)

그리고 N번째 위치의 게이트 배선은 (GATE N)으로 가정하고 설명한다. 예를 들면, 첫 번째 게이트 배선은 (GATE 1)이고 100 번째 게이트 배선은 (GATE 100)이다. And the gate wiring at the Nth position is assumed to be (GATE N). For example, the first gate wire is (GATE 1) and the 100th gate wire is (GATE 100).

예를 들어, 첫 번째 게이트 배선(GATE 1)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)Ω은 (RELVDD) x (GATE 1)Ω = (1) x (RELVDD)Ω 이다.For example, the total anode wiring resistance (RT ELVDD )Ω of the sub-pixel 112 connected to the first gate wiring (GATE 1) is (R ELVDD ) x (GATE 1)Ω = (1) x (R ELVDD ) It is Ω.

예를 들어, (N-2) 번째 게이트 배선(GATE N-2)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)Ω은 (RELVDD) x (GATE N-2)Ω = (N-2) x (RELVDD)Ω이다. For example, the total anode wiring resistance (RT ELVDD )Ω of the sub-pixel 112 connected to the (N-2)th gate wiring (GATE N-2) is (R ELVDD ) x (GATE N-2)Ω = (N-2) x (R ELVDD )Ω.

예를 들어, (N-1)번째 게이트 배선(GATE N-1)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)Ω은 (RELVDD) x (GATE N-1)Ω = (N-1) x (RELVDD)Ω이다.For example, the total anode wiring resistance (RT ELVDD )Ω of the sub-pixel 112 connected to the (N-1)th gate wiring (GATE N-1) is (R ELVDD ) x (GATE N-1)Ω = (N-1) x (R ELVDD )Ω.

예를 들어, (N)번째 게이트 배선(GATE N)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)Ω은 (RELVDD) x (GATE N)Ω = (N) x (RELVDD)Ω이다.For example, the total anode wiring resistance (RT ELVDD )Ω of the sub-pixel 112 connected to the (N)th gate wiring (GATE N) is (R ELVDD ) x (GATE N)Ω = (N) x (R ELVDD )Ω.

따라서 제2 애노드 배선(130a)이 제1 애노드 배선(130)으로부터 멀어질수록 전체 배선 저항(RTELVDD)은 증가한다. 그리고 전체 배선 저항(RTELVDD)이 증가할수록 유기 발광 다이오드의 애노드에 인가되는 애노드 전압(ELVDD)은 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)에 따라서 저감된다. Accordingly, as the second anode wire 130a moves away from the first anode wire 130, the total wire resistance RT ELVDD increases. And as the total wiring resistance (RT ELVDD ) increases, the anode voltage (ELVDD) applied to the anode of the organic light emitting diode decreases according to the total anode wiring resistance (RT ELVDD ).

16. 제2 캐소드 배선의 배선 저항16. Wiring resistance of the second cathode wiring

도 1d를 참조하면, 제2 캐소드 배선(134a)의 단위 배선 저항(RELVSS)Ω은 Y-축 방향으로, 하나의 서브-화소(112)의 길이에 대응되는 제2 캐소드 배선(134a)의 배선 저항(RELVSS)Ω으로 정의될 수 있다. Referring to FIG. 1D, the unit wiring resistance (R ELVSS )Ω of the second cathode wiring 134a is that of the second cathode wiring 134a corresponding to the length of one sub-pixel 112 in the Y-axis direction. Wiring resistance (R ELVSS )can be defined as Ω.

따라서 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω은 대응되는 서브-화소(112)의 개수에 비례하여 증가하게 된다. Therefore, the total cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω increases in proportion to the number of corresponding sub-pixels 112.

예를 들어, (N)번째 게이트 배선(GATE N)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω은 (RELVSS) x (N - (GATE N) + 1)Ω = (1) x (RELVSS)Ω이다.For example, the total cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω of the sub-pixel 112 connected to the (N)th gate wiring (GATE N) is (R ELVSS ) x (N - (GATE N) + 1)Ω = (1) x (R ELVSS )Ω.

예를 들어, (N-1)번째 게이트 배선(GATE N-1)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω은 (RELVSS) x (N - (GATE N-1) + 1)Ω = (2) x (RELVSS)Ω이다.For example, the total cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω of the sub-pixel 112 connected to the (N-1)th gate wiring (GATE N-1) is (R ELVSS ) x (N - (GATE N-1) ) + 1)Ω = (2) x (R ELVSS )Ω.

예를 들어, (N-2) 번째 게이트 배선(GATE N-2)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω은 (RELVSS) x (N - (GATE N-2) + 1)Ω = (3) x (RELVSS)Ω이다. For example, the total cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω of the sub-pixel 112 connected to the (N-2)th gate wiring (GATE N-2) is (R ELVSS ) x (N - (GATE N-2) ) + 1)Ω = (3) x (R ELVSS )Ω.

예를 들어, 첫 번째 게이트 배선(GATE 1)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω은 (RELVSS) x (N - (GATE 1) + 1)Ω = (N) x (RELVSS)Ω이다.For example, the total cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω of the sub-pixel 112 connected to the first gate wiring (GATE 1) is (R ELVSS ) x (N - (GATE 1) + 1)Ω = (N ) x (R ELVSS )Ω.

따라서 제2 캐소드 배선(134a)이 제1 캐소드 배선(134)으로부터 멀어질수록 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)은 증가한다. 그리고 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)이 증가할수록 유기 발광 다이오드의 캐소드에 인가되는 캐소드 전압(ELVSS)은 전체 캐소드 배선 저항(RELVSS)에 따라서 저감된다. Accordingly, as the second cathode wire 134a moves away from the first cathode wire 134, the total cathode wire resistance RT ELVSS increases. And as the total cathode wiring resistance (RT ELVSS ) increases, the cathode voltage (ELVSS) applied to the cathode of the organic light emitting diode decreases according to the total cathode wiring resistance (R ELVSS ).

17. 유기 발광 다이오드에 인가되는 전체 배선 저항 17. Total wiring resistance applied to the organic light emitting diode

유기 발광 표시 패널(110)의 게이트 구동 회로(114)는 하나의 게이트 배선(116)을 순차적으로 활성화 시킨다. 따라서 도 1d에서 활성화되는 게이트 배선을 제외한 나머지 게이트 배선들은 비활성화된다.The gate driving circuit 114 of the organic light emitting display panel 110 sequentially activates one gate wire 116. Accordingly, except for the gate wire activated in FIG. 1D, the remaining gate wires are deactivated.

예를 들어, 첫 번째 게이트 배선(GATE 1)이 활성화되면, 나머지 게이트 배선들은 동작하지 않는다. 따라서 첫 번째 게이트 배선(GATE 1)에 의해서 활성화 되는 구동 트랜지스터(DTR)와 연결된 제2 애노드 배선(130a) 및 제2 캐소드 배선(134a)의 전체 배선 저항은 아래와 같이 계산 될 수 있다. 이하 게이트 배선의 개수 (N)은 1080인 것을 가정하고 설명한다.For example, when the first gate wire (GATE 1) is activated, the remaining gate wires do not operate. Accordingly, the total wiring resistance of the second anode wiring 130a and the second cathode wiring 134a connected to the driving transistor D TR activated by the first gate wiring GATE 1 can be calculated as follows. Hereinafter, the description will be made assuming that the number (N) of gate wires is 1080.

예를 들어, 첫 번째 게이트 배선(GATE1)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 배선 저항은 (1) x (RELVDD) + (1081) x (RELVSS)Ω이다. 즉, 제2 애노드 전체 배선 저항은 하나의 제2 애노드 단위 배선 저항이 되고, 제2 캐소드 전체 배선 저항은 1081개의 제2 캐소드 단위 배선 저항이 된다. For example, the total wiring resistance of the sub-pixel 112 connected to the first gate wiring (GATE1) is (1) x (R ELVDD ) + (1081) x (R ELVSS )Ω. That is, the total wiring resistance of the second anode becomes one second anode unit wiring resistance, and the total wiring resistance of the second cathode becomes 1081 second cathode unit wiring resistances.

예를 들어, 100 번째 게이트 배선(GATE 100)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 배선 저항은 (100) x (RELVDD) + (981) x (RELVSS)Ω이다. 즉, 제2 애노드 전체 배선 저항은 100개의 제2 애노드 단위 배선 저항이 되고, 제2 캐소드 전체 배선 저항은 981개의 제2 캐소드 단위 배선 저항이 된다. For example, the total wiring resistance of the sub-pixel 112 connected to the 100th gate wiring (GATE 100) is (100) x (R ELVDD ) + (981) x (R ELVSS )Ω. That is, the total wiring resistance of the second anode becomes 100 second anode unit wiring resistances, and the total wiring resistance of the second cathode becomes 981 second cathode unit wiring resistances.

예를 들어, 1080 번째 게이트 배선(GATE 1080)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 배선 저항은 (1080) x (RELVDD) + (1) x (RELVSS)Ω이다. 즉, 제2 애노드 전체 배선 저항은 1080개의 제2 애노드 단위 배선 저항이 되고, 제2 캐소드 전체 배선 저항은 1개의 제2 캐소드 단위 배선 저항이 된다.For example, the total wiring resistance of the sub-pixel 112 connected to the 1080th gate wiring (GATE 1080) is (1080) x (R ELVDD ) + (1) x (R ELVSS )Ω. That is, the total wiring resistance of the second anode becomes 1080 second anode unit wiring resistances, and the total wiring resistance of the second cathode becomes one second cathode unit wiring resistance.

예를 들어, N 번째 게이트 배선(GATE N)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 배선 저항은 (GATE N) x (RELVDD) + (N - (GATE N-1) + 1) x (RELVSS)Ω이다. 즉, 제2 애노드 전체 배선 저항은 N개의 제2 애노드 단위 배선 저항이 되고, 제2 캐소드 전체 배선 저항은 (N - (GATE N-1) + 1)개의 제2 캐소드 단위 배선 저항이 된다.For example, the total wiring resistance of the sub-pixel 112 connected to the Nth gate wiring (GATE N) is (GATE N) x (R ELVDD ) + (N - (GATE N-1) + 1) x (R ELVSS )Ω. That is, the total wiring resistance of the second anode becomes N second anode unit wiring resistance, and the total wiring resistance of the second cathode becomes (N - (GATE N-1) + 1) unit wiring resistance of second cathodes.

이때 제2 애노드 단위 배선 저항(RELVDD)과 제2 캐소드 단위 배선 저항(RELVSS)은 실질적으로 동일하도록 구성될 수 있다. 이러한 경우 N 번째 게이트 배선(GATE N)과 연결된 서브-화소(112)의 전체 배선 저항은 (RELVDD) x (N + 1)이다. 여기서 N은 전체 게이트 배선(116) 개수를 의미하기 때문에, 각각의 게이트 배선에 연결된 각각의 서브-화소(112)의 전체 배선 저항은 언제나 동일하게 될 수 있다. 상술한 구성에 따르면, 임의의 서브-화소(112)에 인가되는 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)과 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)의 합은 Y-축 방향으로 위치에 상관 없이 동일하게 된다. 따라서 애노드-캐소드 사이의 전위차(ΔV)가 항상 균일하게 될 수 있는 장점이 있다. At this time, the second anode unit wiring resistance (R ELVDD ) and the second cathode unit wiring resistance (R ELVSS ) may be configured to be substantially equal. In this case, the total wiring resistance of the sub-pixel 112 connected to the N-th gate wiring (GATE N) is (R ELVDD ) x (N + 1). Here, since N refers to the total number of gate wires 116, the total wire resistance of each sub-pixel 112 connected to each gate wire can always be the same. According to the above-described configuration, the sum of the total anode wiring resistance (RT ELVDD ) and the total cathode wiring resistance (RT ELVSS ) applied to any sub-pixel 112 becomes the same regardless of the position in the Y-axis direction. Therefore, there is an advantage that the potential difference (ΔV) between the anode and cathode can always be uniform.

몇몇 실시예에서는, 애노드의 단위 배선 저항(RELVDD)과 캐소드의 단위 배선 저항(RELVSS)의 차이가 10% 이내가 되도록 구성될 수 있다. In some embodiments, the difference between the unit wire resistance (R ELVDD ) of the anode and the unit wire resistance (R ELVSS ) of the cathode may be configured to be within 10%.

도 1e는 애노드의 단위 배선 저항(RELVDD)과 캐소드의 단위 배선 저항(RELVSS)이 실질적으로 동일할 때, 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 영역(AA)의 서브-화소(112)들 중 임의의 Y-축 방향으로 배치된 서브-화소(112)들의 애노드-캐소드 사이의 전위차(ΔV)를 설명한 그래프이다. 도 1e에 따르면, Y-축 방향으로 각 서브-화소(112)의 애노드-캐소드 사이의 전위차(ΔV)는 위치와 상관 없이 항상 균일할 수 있는 장점을 확인할 수 있다.1E shows the sub-pixels 112 of the pixel area AA of the organic light emitting display device 100 when the unit wire resistance (R ELVDD ) of the anode and the unit wire resistance (R ELVSS ) of the cathode are substantially the same. This is a graph explaining the potential difference (ΔV) between the anode and cathode of the sub-pixels 112 arranged in an arbitrary Y-axis direction. According to FIG. 1E, it can be seen that the potential difference (ΔV) between the anode and cathode of each sub-pixel 112 in the Y-axis direction is always uniform regardless of position.

비교예Comparative example 1 One

도 1f는 비교예 1의 등가 회로를 개략적으로 설명한다. 비교예 1의 유기 발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 차이점은, 제1 애노드 배선 및 제1 캐소드 배선이 유기 발광 표시 패널의 주변 영역에서 동일한 측면에 배치되도록 구성된 것이다. 따라서 제2 애노드 배선 및 제2 캐소드 배선도 동일한 방향에 입력되게 된다. Figure 1f schematically explains the equivalent circuit of Comparative Example 1. The difference between the organic light emitting display device of Comparative Example 1 and the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention is that the first anode wire and the first cathode wire are disposed on the same side in the peripheral area of the organic light emitting display panel. It is structured so that it can be done. Accordingly, the second anode wiring and the second cathode wiring are also input in the same direction.

비교예 1의 경우 Y-축 방향으로 제2 애노드 배선 및 제2 캐소드 배선이 증가할수록 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)과 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)은 동시에 증가하게 된다.In Comparative Example 1, as the second anode wiring and the second cathode wiring increase in the Y-axis direction, the total anode wiring resistance (RT ELVDD ) and the total cathode wiring resistance (RT ELVSS ) increase simultaneously.

예를 들어, 첫 번째 게이트 배선(GATE 1)과 연결된 서브-화소의 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)Ω은 (RELVDD) x (GATE 1)Ω = (1) x (RELVDD)Ω이고 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω은 (RELVSS) x (GATE 1)Ω = (1) x (RELVSS)Ω 이다.For example, the total anode wire resistance (RT ELVDD )Ω of the sub-pixel connected to the first gate wire (GATE 1) is (R ELVDD ) x (GATE 1)Ω = (1) x (R ELVDD )Ω and the total The cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω is (R ELVSS ) x (GATE 1)Ω = (1) x (R ELVSS )Ω.

예를 들어, 100 번째 게이트 배선(GATE 100)과 연결된 서브-화소의 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)Ω은 (RELVDD) x (GATE 100)Ω = (100) x (RELVDD)Ω이고 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω은 (RELVSS) x (GATE 100)Ω = (100) x (RELVSS)Ω 이다.For example, the total anode wire resistance (RT ELVDD )Ω of the sub-pixel connected to the 100th gate wire (GATE 100) is (R ELVDD ) x (GATE 100)Ω = (100) x (R ELVDD )Ω and the total The cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω is (R ELVSS ) x (GATE 100)Ω = (100) x (R ELVSS )Ω.

즉, 100 번째 게이트 배선과 첫 번째 게이트 배선과 연결된 서브-화소의 배선 저항의 크기는 100배 차이가 나는 문제점을 확인할 수 있다.In other words, the problem can be confirmed that the size of the wiring resistance of the sub-pixel connected to the 100th gate wiring and the first gate wiring is 100 times different.

예를 들어, 1080 번째 게이트 배선(GATE 1080)과 연결된 서브-화소의 전체 애노드 배선 저항(RTELVDD)Ω은 (RELVDD) x (GATE 1080)Ω = (1080) x (RELVDD)Ω이고 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω은 (RELVSS) x (GATE 1080)Ω = (1080) x (RELVSS)Ω 이다.For example, the total anode wire resistance (RT ELVDD )Ω of the sub-pixel connected to the 1080th gate wire (GATE 1080) is (R ELVDD ) x (GATE 1080)Ω = (1080) x (R ELVDD )Ω and the total The cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω is (R ELVSS ) x (GATE 1080)Ω = (1080) x (R ELVSS )Ω.

즉, 1080 번째 게이트 배선과 첫 번째 게이트 배선과 연결된 서브-화소의 배선 저항의 크기는 1080배 차이가 나게 되는 문제점을 확인할 수 있다.In other words, it can be seen that the size of the wiring resistance of the sub-pixel connected to the 1080th gate wiring and the first gate wiring is 1080 times different.

도 1g는 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 영역의 서브-화소들 중 임의의 Y-축 방향으로 배치된 서브-화소들의 애노드-캐소드 사이의 전위차(ΔV)를 설명한 그래프이다. FIG. 1G is a graph illustrating the potential difference (ΔV) between the anode and cathode of sub-pixels arranged in a random Y-axis direction among the sub-pixels of the pixel area of the organic light emitting display device 100 according to Comparative Example 1. .

도 1g에 따르면, Y-축 방향으로 갈수록 애노드-캐소드 사이의 전위차(ΔV)가 점진적으로 감소되는 문제점을 확인할 수 있다. 따라서 Y-축 방향으로 유기 발광 표시 장치의 휘도가 점진적으로 저감하게 된다. 결과적으로 비교예 1의 경우 하측면(제3 측면)이 어둡게 보이는 문제가 발생하고, 휘도 균일도가 상당히 저하된다.
According to Figure 1g, it can be seen that the potential difference (ΔV) between the anode and cathode gradually decreases as it moves in the Y-axis direction. Accordingly, the luminance of the organic light emitting display device gradually decreases in the Y-axis direction. As a result, in the case of Comparative Example 1, a problem occurs in which the lower side (third side) appears dark, and luminance uniformity is significantly reduced.

비교예Comparative example 2 2

도 1h는 비교예 2의 등가 회로를 개략적으로 설명한다. 비교예 2의 유기 발광 표시 장치와 비교예 1의 유기 발광 표시 장치의 차이점은, 제1 애노드 배선 및 제1 캐소드 배선이 유기 발광 표시 패널의 주변 영역에서 양쪽 측면(제1 측면 및 제3 측면)에 배치되도록 구성된 것이다. 따라서 제2 애노드 배선 및 제2 캐소드 배선도 양쪽 방향에 입력되게 된다. Figure 1h schematically explains the equivalent circuit of Comparative Example 2. The difference between the organic light emitting display device of Comparative Example 2 and the organic light emitting display device of Comparative Example 1 is that the first anode wire and the first cathode wire are located on both sides (first side and third side) in the peripheral area of the organic light emitting display panel. It is configured to be placed in . Accordingly, the second anode wiring and the second cathode wiring are also input in both directions.

비교예 2의 경우 양쪽 측면(제1 측면 및 제3 측면)에서 애노드 전압(ELVDD)과 캐소드 전압(ELVSS)이 인가되기 때문에, 화소 영역의 중앙 부분으로 갈수록 애노드-캐소드 사이의 전위차(ΔV)가 감소되는 문제점이 있다.In Comparative Example 2, since the anode voltage (ELVDD) and cathode voltage (ELVSS) are applied from both sides (first side and third side), the potential difference (ΔV) between the anode and cathode increases toward the center of the pixel area. There is a problem that is being reduced.

도 1i는 비교예 2에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 영역의 서브-화소들 중 임의의 Y-축 방향으로 배치된 서브-화소들의 애노드-캐소드 사이의 전위차(ΔV)를 설명한 그래프이다. FIG. 1I is a graph illustrating the potential difference (ΔV) between the anode and cathode of sub-pixels arranged in a random Y-axis direction among the sub-pixels of the pixel area of the organic light emitting display device 100 according to Comparative Example 2. .

도 1i에 따르면, 화소 영역의 중앙 부분으로 갈수록 애노드-캐소드 사이의 전위차(ΔV)가 점진적으로 감소되는 문제점을 확인할 수 있다. 따라서 화소 영역의 중앙 부분이 어둡게 보이는 문제가 발생하고, 휘도 균일도가 상당히 나쁘게 된다.According to Figure 1i, it can be seen that the potential difference (ΔV) between the anode and cathode gradually decreases toward the center of the pixel area. Therefore, a problem occurs where the central part of the pixel area appears dark, and luminance uniformity becomes significantly worse.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. Figure 2 is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 내로우 배젤을 구현하기 위해서, 게이트 구동 회로(214)가 패널 내장형 게이트 구동 회로(gate-driver in panel; GIP)로 구현된다. 게이트 구동 회로(214)는 유기 발광 표시 패널(210)의 복수의 서브-화소(112)를 형성할 때 사용되는 공정으로, 유기 발광 표시 패널(210)의 주변 영역(PA)에 동시에 형성된다. In the organic light emitting display device 200 according to another embodiment of the present invention, in order to implement a narrow bezel, the gate driving circuit 214 is implemented as a gate-driver in panel (GIP). The gate driving circuit 214 is a process used when forming the plurality of sub-pixels 112 of the organic light emitting display panel 210, and is formed simultaneously in the peripheral area PA of the organic light emitting display panel 210.

게이트 구동 회로(214)는 복수의 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함하며, 각각의 쉬프트 레지스터는 각각의 게이트 배선(116)에 연결된다. 게이트 구동 회로(214)는 데이터 구동 회로(118)로부터 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse; GSP) 및 복수의 클럭(Clock) 신호를 인가받고, 게이트 구동 회로(214)의 쉬프트 레지스터가 순차적으로 게이트 스타트 펄스(GSP)를 쉬프트 시키면서 각각의 게이트 배선(116)에 연결된 복수의 서브-화소(112)를 활성화시킨다. The gate driving circuit 214 includes a plurality of shift registers, and each shift register is connected to each gate wire 116. The gate driving circuit 214 receives a gate start pulse (GSP) and a plurality of clock signals from the data driving circuit 118, and the shift register of the gate driving circuit 214 sequentially starts the gate. By shifting the pulse (GSP), a plurality of sub-pixels 112 connected to each gate wire 116 are activated.

패널 내장형 게이트 구동 회로(214)가 배치되면, 반도체 칩 형태의 게이트 구동 회로(114), 이방성 도전 필름 및 대응되는 패드부가 제거 될 수 있으며, 반도체 칩 형태의 게이트 구동 회로 보다 베젤 폭이 더 좁은, 내로우 배젤(narrow bezel)을 구현할 수 있는 장점이 있다.When the panel-embedded gate driving circuit 214 is disposed, the semiconductor chip-type gate driving circuit 114, the anisotropic conductive film, and the corresponding pad portion can be removed, and the bezel width is narrower than that of the semiconductor chip-type gate driving circuit. There is an advantage in being able to implement a narrow bezel.

앞서 설명한 부분을 제외하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)와 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서 설명을 생략한다 Except for the parts described above, the organic light emitting display device 200 according to another embodiment of the present invention is the same as the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention, so description of overlapping content will be omitted.

몇몇 실시예에서는, 게이트 구동 회로가 유기 발광 표시 패널의 일 측면(제2 측면)에만 형성될 수 있다. 일 측면(제2 측면)에만 형성된 게이트 구동 회로가 배치되면 타 측면(제4 측면)은 일 측면(제2 측면)보다 베젤 폭이 더 좁은, 내로우 배젤을 구현할 수 있는 장점이 있다. In some embodiments, the gate driving circuit may be formed on only one side (second side) of the organic light emitting display panel. When the gate driving circuit formed on only one side (the second side) is disposed, the other side (the fourth side) has the advantage of being able to implement a narrow bezel with a narrower bezel width than one side (the second side).

몇몇 실시예에서는, 도 2에 도시된 패널 내장형 게이트 구동 회로(GIP)가 다른 모든 실시예들에 적용될 수 있다.In some embodiments, the panel-embedded gate driving circuit (GIP) shown in FIG. 2 can be applied to all other embodiments.

도 3는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. Figure 3 is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)의 제1 애노드 배선(130) 및 제1 캐소드 배선(334)은 유기 발광 표시 패널(310)의 상 측면(제1 측면)에 배치된다. 이때 제1 캐소드 배선(334)은 유기 발광 표시 패널(110)의 주변 영역(PA)을 둘러 싸도록 배치된다. 즉, 유기 발광 표시 패널(310)의 제1 측면, 제2 측면 제3 측면 및 제4 측면을 따라서 배치된다. 또는 “ㅁ” 형태 또는 “링(ring)” 형태를 가지도록 구성된다. 이때 제1 캐소드 배선(334)의 배선 길이가 제1 애노드 배선(130)보다 길어지기 때문에, 배선 저항이 증가되지 않도록, 제1 캐소드 배선(334)의 폭은 제1 애노드 배선(130)의 폭보다 넓어지도록 형성하는 것이 바람직하다. 따라서 제1 캐소드 배선(334)의 폭은 제1 애노드 배선(130)의 폭보다 넓도록 구성된다.The first anode wire 130 and the first cathode wire 334 of the organic light emitting display device 300 according to another embodiment of the present invention are disposed on the upper side (first side) of the organic light emitting display panel 310. do. At this time, the first cathode wire 334 is arranged to surround the peripheral area PA of the organic light emitting display panel 110. That is, it is disposed along the first side, second side, third side, and fourth side of the organic light emitting display panel 310. Or, it is configured to have a “ㅁ” shape or a “ring” shape. At this time, since the wiring length of the first cathode wiring 334 is longer than the first anode wiring 130, the width of the first cathode wiring 334 is equal to the width of the first anode wiring 130 to prevent the wiring resistance from increasing. It is desirable to form it to be wider. Accordingly, the width of the first cathode wire 334 is configured to be wider than the width of the first anode wire 130.

유기 발광 표시 장치(300)의 제1 애노드 배선(130) 및 제1 캐소드 배선(334)이 유기 발광 표시 패널(310)의 상 측면(제1 측면)에 배치되었기 때문에, 제2 연성 회로 기판(346)은 애노드 전압(ELVDD) 및 캐소드 전압(ELVSS)을 동시에 공급하도록 구성된다. Since the first anode wire 130 and the first cathode wire 334 of the organic light emitting display device 300 are disposed on the upper side (first side) of the organic light emitting display panel 310, the second flexible circuit board ( 346) is configured to simultaneously supply the anode voltage (ELVDD) and cathode voltage (ELVSS).

상술한 구성에 따르면, 유기 발광 표시 장치(300)는 유기 발광 표시 장치(100)의 하 측면(제3 측면)에 배치되었던 데이터 회로 기판(142) 및 제2 연성 회로 기판(146)을 제거할 수 있는 효과가 있다.According to the above-described configuration, the organic light emitting display device 300 can remove the data circuit board 142 and the second flexible circuit board 146 disposed on the lower side (third side) of the organic light emitting display device 100. There is a possible effect.

상술한 구성에 따르면, 유기 발광 표시 장치(300)가 투명 유기 발광 표시 장치가 되도록 할 수 있는 장점이 있다. 구체적으로 설명하면, 도 1b에 도시되었던 것처럼, 애노드 전압(ELVDD) 및 캐소드 전압(ELVSS)을 반대 방향에서 입력하기 위해서는 유기 발광 표시 패널(110)의 배면에 다양한 회로 기판들 및 배선들이 배치되었어야만 했다. 하지만, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널(310)의 경우, 상 측면(제1 측면)에 회로 기판들 및 배선들을 구비할 수 있기 때문에, 유기 발광 표시 패널(310)의 배면에 다양한 회로 기판들 및 배선들이 배치되지 않도록 할 수 있는 장점이 있다. 따라서 유기 발광 표시 패널(310)이 투명성을 가질 경우에도, 배면에 회로 기판들 및 배선들이 보이지 않게 하는 것이 가능하다.According to the above-described configuration, there is an advantage in that the organic light emitting display device 300 can be a transparent organic light emitting display device. Specifically, as shown in FIG. 1B, in order to input the anode voltage (ELVDD) and cathode voltage (ELVSS) from opposite directions, various circuit boards and wires must be placed on the back of the organic light emitting display panel 110. did. However, in the case of the organic light emitting display panel 310 according to another embodiment of the present invention, circuit boards and wiring may be provided on the upper side (first side), so that the rear surface of the organic light emitting display panel 310 This has the advantage of preventing various circuit boards and wiring from being placed. Therefore, even when the organic light emitting display panel 310 is transparent, it is possible to make circuit boards and wires on the back surface invisible.

앞서 설명한 부분을 제외하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)와 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서 설명을 생략한다Except for the parts described above, the organic light emitting display device 300 according to another embodiment of the present invention is the same as the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention, so description of overlapping content will be omitted.

몇몇 실시예에서는, 제1 애노드 배선과 제1 캐소드 배선이 서로 바뀌어서 구현되는 것도 가능하다. 구체적으로 설명하면 제1 애노드 배선이 유기 발광 표시 패널의 주변 영역(PA)을 둘러 싸도록 배치되고 제1 캐소드 배선이 유기 발광 표시 패널의 상 측면(제1 측면)을 따라서 배치된다.In some embodiments, it is possible to implement the first anode wiring and the first cathode wiring interchangeably. Specifically, the first anode wire is arranged to surround the peripheral area (PA) of the organic light emitting display panel, and the first cathode wire is arranged along the top side (first side) of the organic light emitting display panel.

몇몇 실시예에서는, 유기 발광 표시 패널(410)의 서브 화소(412)에 투명성을 제공할 수 있는 투과부가 더 포함될 수 있다.In some embodiments, the sub-pixel 412 of the organic light emitting display panel 410 may further include a transmissive portion capable of providing transparency.

도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. FIG. 4A is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)의 변형 실시예이다. The organic light emitting display device 400 according to another embodiment of the present invention is a modified example of the organic light emitting display device 300 according to another embodiment of the present invention.

유기 발광 표시 장치(400)의 제1 애노드 배선(130) 및 제1 캐소드 배선(434)은 서로 동일한 재질로 형성된다. 따라서 제1 애노드 배선(130)과 제1 캐소드 배선(434)은 서로 중첩될 수 없기 때문에, 서로 중첩되지 않도록 제1 애노드 배선(130)과 제1 캐소드 배선(434)이 중첩되는 영역에는 점프 배선(437)이 배치된다. The first anode wire 130 and the first cathode wire 434 of the organic light emitting display device 400 are formed of the same material. Therefore, since the first anode wire 130 and the first cathode wire 434 cannot overlap each other, a jump wire is formed in the area where the first anode wire 130 and the first cathode wire 434 overlap so that they do not overlap each other. (437) is placed.

도 4b는 도 4a에 도시된 유기 발광 표시 장치(400)의 서브-화소(412)의 단면도이다. FIG. 4B is a cross-sectional view of the sub-pixel 412 of the organic light emitting display device 400 shown in FIG. 4A.

제2 캐소드 배선(434a)은 제2 캐소드 제1 배선(434b), 제2 캐소드 제2 배선(434c) 및 제3 컨택홀(434d)을 포함한다. The second cathode wiring 434a includes a first second cathode wiring 434b, a second second cathode wiring 434c, and a third contact hole 434d.

제2 캐소드 제1 배선(434b)은 애노드(184)와 동일한 물질로 형성된다. 제2 캐소드 제2 배선(434c)은 제2 애노드 배선(130a)과 동일한 물질로 형성된다. 제2 캐소드 제1 배선(434b)과 제2 캐소드 제2 배선(434c)은 제3 컨택홀(434d)을 통해서 서로 연결된다. The second cathode first wiring 434b is formed of the same material as the anode 184. The second cathode second wiring 434c is formed of the same material as the second anode wiring 130a. The second cathode first wire 434b and the second cathode second wire 434c are connected to each other through the third contact hole 434d.

상술한 구성에 따르면, 제1 캐소드 배선(434)의 두께를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 구체적으로 설명하면, 제1 캐소드 배선(434)은 데이터 라인(120)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 따라서 제1 캐소드 배선(434)의 두께를 더 두껍게 형성할 수 있기 때문에, 제1 캐소드 배선(434)의 폭(L1)을 저감할 수 있는 장점이 있다.According to the above-described configuration, there is an advantage in that the thickness of the first cathode wiring 434 can be reduced. Specifically, the first cathode wire 434 may be formed of the same material as the data line 120. Accordingly, since the thickness of the first cathode wiring 434 can be formed thicker, there is an advantage in that the width L1 of the first cathode wiring 434 can be reduced.

상술한 구성에 따르면, 제2 캐소드 배선(434a)의 폭(L4)을 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 구체적으로 설명하면, 제2 캐소드 제1 배선(434b)과 제2 캐소드 제2 배선(434b)에 의해서 단면적을 증가시킬 수 있기 때문에, 제2 캐소드 배선(434a)의 폭이 감소될 수 있는 장점이 있다.According to the above-described configuration, there is an advantage in that the width L4 of the second cathode wiring 434a can be reduced. Specifically, since the cross-sectional area can be increased by the second cathode first wire 434b and the second cathode second wire 434b, the advantage is that the width of the second cathode wire 434a can be reduced. there is.

앞서 설명한 부분을 제외하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)와 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서 설명을 생략한다Except for the parts described above, the organic light emitting display device 400 according to another embodiment of the present invention is the same as the organic light emitting display device 300 according to one embodiment of the present invention, so description of overlapping content will be omitted.

도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 변형 실시예이다.FIG. 5A is a schematic plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device 500 according to another embodiment of the present invention is a modified example of the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention.

유기 발광 표시 장치(500)의 제어 회로 기판(542)에는 영상 신호 보상부(550)가 배치된다. An image signal compensator 550 is disposed on the control circuit board 542 of the organic light emitting display device 500.

영상 신호 보상부(550)는 전압 보상 데이터를 저장하도록 구성된다. 전압 보상 데이터는 영상 신호 보상부(550)내의 메모리에 저장되거나, 별도의 외부 메모리에 저장될 수 있다. 전압 보상 데이터는 각각의 서브-화소(112)들에 대응되는 각각의 보상값들을 저장하도록 구성된다. 전압 보상 데이터는 화소 영역(AA)내의 제1 캐소드 배선(134)의 배선 저항 정보를 기초로, 각각의 서브-화소(112)들에 대응되는 캐소드 전압 상승분(ΔELVSS)을 보상할 수 있는 정보를 포함한다. 전압 보상 데이터는 유기 발광 표시 패널(110)의 배선들의 설계 값을 기초로 결정될 수 있다. 예를 들어, 배선들의 설계 값은 배선의 폭, 두께, 길이, 배선의 고유 저항(ρ) 및 보상받을 각각의 서브-화소(112)들의 위치 정보를 기초로 계산될 수 있다. 또는 패널 설계 시 이미 계산된 전체 캐소드 배선 저항(RTELVSS)Ω 또는 제2 캐소드 단위 배선 저항(RELVSS) 정보를 이용할 수 있다. The image signal compensation unit 550 is configured to store voltage compensation data. Voltage compensation data may be stored in a memory within the image signal compensation unit 550 or may be stored in a separate external memory. The voltage compensation data is configured to store respective compensation values corresponding to each sub-pixel 112. The voltage compensation data is information that can compensate for the cathode voltage increase (ΔELVSS) corresponding to each sub-pixel 112 based on the wiring resistance information of the first cathode wiring 134 in the pixel area AA. Includes. Voltage compensation data may be determined based on design values of wires of the organic light emitting display panel 110. For example, the design value of the wires may be calculated based on the width, thickness, and length of the wire, the specific resistance (ρ) of the wire, and the position information of each sub-pixel 112 to be compensated. Alternatively, when designing a panel, the total cathode wiring resistance (RT ELVSS )Ω or the second cathode unit wiring resistance (R ELVSS ) information already calculated can be used.

캐소드 전압(ELVSS)이 배선 저항에 의해서 가변되면, 구동 트랜지스터(DTR)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S)간의 전위차, 즉 게이트 전극-소스 전극 전위차(Vgs)가 가변될 수 있다. 따라서 휘도가 일부 가변될 수 있다. When the cathode voltage (ELVSS) is varied by the wiring resistance, the potential difference between the gate electrode (G) and the source electrode (S) of the driving transistor (D TR ), that is, the gate electrode-source electrode potential difference (Vgs), can be varied. Therefore, the luminance may be partially variable.

영상 신호 보상부(550)는 저장된 전압 보상 데이터를 기초로 영상 신호를 가변한다. 그리고 보상된 영상 신호를 데이터 구동 회로(118)로 전송한다. The image signal compensator 550 varies the image signal based on the stored voltage compensation data. Then, the compensated image signal is transmitted to the data driving circuit 118.

몇몇 실시예에서는, 영상 신호 보상부(550)는 유기 발광 표시 장치(100)가 동작 중에 전압 보상 데이터를 연산하도록 구성될 수 있다. 영상 신호 보상부(550)는 전압 보상 데이터 연산에 필요한 유기 발광 표시 패널(110)의 배선들의 설계 값만 저장한다. 그리고 전압 보상 데이터 연산은 유기 발광 표시 장치가 동작 중에 처리된다. 특히 상술한 구성에 따르면 전압 보상 데이터를 저장하지 않을 수 있는 장점이 있다. 그리고 다양한 크기 및 형상의 유기 발광 표시 패널에 쉽게 적용될 수 있는 장점이 있다.In some embodiments, the image signal compensator 550 may be configured to calculate voltage compensation data while the organic light emitting display device 100 is operating. The image signal compensator 550 stores only the design values of the wires of the organic light emitting display panel 110 required for calculating voltage compensation data. And the voltage compensation data operation is processed while the organic light emitting display device is operating. In particular, the above-described configuration has the advantage of not storing voltage compensation data. And it has the advantage of being easily applied to organic light emitting display panels of various sizes and shapes.

몇몇 실시예에서는, 영상 신호 보상부(550)는 수직 방향(Y-축)으로 배열된 하나의 일렬의 서브-화소(112)들에 대응되는 전압 보상 데이터만 저장할 수 있다. 특히 도 1d에 도시된 것처럼, 복수의 일렬의 서브-화소(112)들은 유사한 배선 저항 특성을 가지기 때문에, 일렬의 서브-화소(112)들에 대한 전압 보상 데이터를 기준(reference) 전압 보상 데이터로 설정함으로 써, 나머지 일렬의 서브-화소(112)들도 보상할 수 있는 장점이 있다. In some embodiments, the image signal compensator 550 may store only voltage compensation data corresponding to one row of sub-pixels 112 arranged in the vertical direction (Y-axis). In particular, as shown in FIG. 1D, since the plurality of sub-pixels 112 in a row have similar wiring resistance characteristics, the voltage compensation data for the sub-pixels 112 in a row are used as reference voltage compensation data. By setting this, there is an advantage that the remaining rows of sub-pixels 112 can also be compensated.

몇몇 실시예에서는, 영상 신호 보상부(550)가 하나의 일렬의 서브-화소(112)에 대응되는 기준 전압 보상 데이터로 복수의 일렬의 서브-화소(112)들을 보상할 때, 각각의 일렬의 서브-화소(112)들간의 편차를 보상할 수 있는 오프셋(offset) 값을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 특히 전압 공급 패드In some embodiments, when the image signal compensator 550 compensates a plurality of rows of sub-pixels 112 with reference voltage compensation data corresponding to one row of sub-pixels 112, each row of sub-pixels 112 It may be configured to further include an offset value that can compensate for differences between sub-pixels 112. Especially the voltage supply pad

몇몇 실시예에서는, 영상 신호 보상부(550)는 일부 배선들의 설계 값 중 일부 정보를 제외하거나 또는 추가하여 계산하는 것도 가능하다. 상술한 구성에 따르면, 영상 신호 보상부(550)는, 유기 발광 표시 패널에 최적화된 정보만 업데이트(update) 함으로 써, 보상 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.In some embodiments, the image signal compensator 550 may calculate design values of some wires by excluding or adding some information. According to the above-described configuration, the image signal compensator 550 has the advantage of increasing compensation efficiency by updating only information optimized for the organic light emitting display panel.

몇몇 실시예에서는, 영상 신호 보상부(550)의 전압 보상 데이터는 룩업-테이블(look-up table)형태로 구성될 수 있다.In some embodiments, the voltage compensation data of the image signal compensator 550 may be configured in the form of a look-up table.

몇몇 실시예에서는, 영상 신호 보상부(550)가 데이터 구동 회로(118)에 포함되도록 구성되는 것도 가능하다. 또는 영상 신호 보상부(550)가 데이터 회로 기판(140)에 배치되는 것도 가능하다. 즉 영상 신호 보상부(550)는 제어 회로 기판(542)에 제한되지 않으며, 다양한 구성요소들에 배치되거나 포함되는 것도 가능하다. In some embodiments, the image signal compensator 550 may be configured to be included in the data driving circuit 118. Alternatively, the image signal compensation unit 550 may be disposed on the data circuit board 140. That is, the image signal compensator 550 is not limited to the control circuit board 542 and can be disposed or included in various components.

도 5b는 도 5a에서 개시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 보상된 영상 신호가 공급되는 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 저항값을 설명하는 개략적인 등가 회로도이다.FIG. 5B is a schematic equivalent circuit diagram illustrating the resistance value of each sub-pixel of the organic light emitting display device to which a compensated image signal is supplied according to another embodiment of the present invention disclosed in FIG. 5A.

각각의 서브-화소(112)는 적어도 유기 발광 다이오드, 구동 트랜지스터(DTR), 스위칭 트랜지스터(SWTR), 커패시터(CST), 게이트 배선(GATE) 및 데이터 배선(DATA)을 포함한다. 이러한 구조는 두 개의 트랜지스터와 하나의 커패시터(CST)로 이루어진 2T1C구조로 구분될 수 있다. Each sub-pixel 112 includes at least an organic light emitting diode, a driving transistor (D TR ), a switching transistor (SW TR ), a capacitor (C ST ), a gate line (GATE), and a data line (DATA). This structure can be divided into a 2T1C structure consisting of two transistors and one capacitor (C ST ).

영상 신호 보상부(550)에 의해서 보상된 제1 영상 신호(C-Data1)는 구동 트랜지스터(DTR)의 게이트 전극(G)에 인가된다. 따라서 게이트 전극(G)과 소스 전극(S)간의 전위차 즉, 게이트 전극-소스 전극 전위차(Vgs)가 보상될 수 있다. 따라서 휘도 균일도가 더욱 향상될 수 있다.The first image signal (C-Data1) compensated by the image signal compensator 550 is applied to the gate electrode (G) of the driving transistor (D TR ). Therefore, the potential difference between the gate electrode (G) and the source electrode (S), that is, the gate electrode-source electrode potential difference (Vgs), can be compensated. Therefore, luminance uniformity can be further improved.

도 5c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 애노드-캐소드 사이의 전위차 및 보상된 영상 신호를 설명하는 개략적인 그래프이다.FIG. 5C is a schematic graph illustrating the potential difference between the anode and cathode of each sub-pixel of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention and a compensated image signal.

도 5c에 도시된 보상된 제1 영상 신호(C-Data1)는 2T1C 서브-화소(112)구조에서 각각의 서브-화소(112)에 대응되는 캐소드 전압 상승분(ΔELVSS) 만큼 각각의 서브-화소(112)에 인가되는 영상 신호의 전압을 상승시킨 보상 데이터를 도시하고 있다. 여기서 보상 전의 영상 신호는 모두 동일한 휘도를 표시하기 때문에 동일한 전압이 인가되어야 하지만, 캐소드 전압(ELVSS)이 상승하였기 때문에, 보상된 제1 영상 신호(C-Data1)도 캐소드 전압(ELVSS) 증가에 정비례하는 것을 특징으로 한다.The compensated first image signal (C-Data1) shown in FIG. 5C is divided into each sub-pixel (ΔELVSS) by the cathode voltage increase (ΔELVSS) corresponding to each sub-pixel 112 in the 2T1C sub-pixel 112 structure. It shows compensation data that increases the voltage of the video signal applied to 112). Here, since all image signals before compensation display the same luminance, the same voltage must be applied, but since the cathode voltage (ELVSS) has increased, the compensated first image signal (C-Data1) is also directly proportional to the increase in cathode voltage (ELVSS). It is characterized by:

예를 들어, 하나의 서브-화소(112)에 인가되는 전압 보상 데이터에 따른 보상된 제 1 영상 신호(C-Data1)는, [수학식 2]를 참조하여 설명될 수 있다.For example, the first image signal C-Data1 compensated according to the voltage compensation data applied to one sub-pixel 112 can be explained with reference to [Equation 2].

Figure 112015042523017-pat00002
Figure 112015042523017-pat00002

C-Data1은 데이터 배선을 통해서 인가되는 보상된 영상 신호이다. 수학식 2의 영상 신호는 외부 시스템에서 입력 받은 디지털 영상 신호가 데이터 구동 회로에 의해서 전압 값으로 변환된 아날로그 영상 신호이다. 캐소드 전압 상승분(?ELVSS)은 배선 저항에 의해서 상승한 전압 값을 의미한다.C-Data1 is a compensated video signal applied through the data line. The video signal in Equation 2 is an analog video signal obtained by converting a digital video signal input from an external system into a voltage value by a data driving circuit. The cathode voltage increase (-ELVSS) refers to the voltage value increased by wiring resistance.

즉, 영상 신호 보상부(550)는 임의의 2T1C구조의 서브-화소(112)의 캐소드 전압(ELVSS)이 0.1V상승 하였다면, 해당 임의의 서브-화소(112)에 인가되는 영상 신호도 0.1V만큼 상승되도록 전압 보상 데이터를 이용하여 영상 신호의 전압 값을 보상하여 C-Data1을 생성한다. In other words, if the cathode voltage (ELVSS) of a sub-pixel 112 of a random 2T1C structure increases by 0.1V, the image signal compensation unit 550 increases the image signal applied to that random sub-pixel 112 by 0.1V. C-Data1 is generated by compensating the voltage value of the video signal using voltage compensation data so that it rises by as much as .

즉 전압 보상 데이터는 각각의 서브-화소(112)에 인가되는 영상 신호에 각각의 서브-화소(112)에 대응되는 캐소드 전압(ELVSS)상승 분만큼 더하는 방식으로 구현될 수 있다. 보상된 제1 영상 신호(C-Data1)는 해당 임의의 서브-화소(112)의 구동 트랜지스터(DTR)의 게이트 전극(G)에 인가된다. 따라서 전압 보상 데이터에 의해 유기 발광 표시 장치의 휘도 균일도가 더욱 더 향상될 수 있다.That is, voltage compensation data can be implemented by adding an amount equal to the increase in cathode voltage (ELVSS) corresponding to each sub-pixel 112 to the image signal applied to each sub-pixel 112. The compensated first image signal C-Data1 is applied to the gate electrode G of the driving transistor D TR of the random sub-pixel 112. Therefore, the luminance uniformity of the organic light emitting display device can be further improved by voltage compensation data.

앞서 설명한 부분을 제외하면 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)와 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서 설명을 생략한다Except for the parts described above, the organic light emitting display device 500 according to another embodiment of the present invention is the same as the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention, so description of overlapping content is omitted. do

도 6a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 데이터 구동 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(600)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 변형 실시예이다. 도 5b는 도 5a에서 개시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 보상된 영상 신호가 공급되는 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 저항값을 설명하는 개략적인 등가 회로도이다.FIG. 6A is a schematic plan view of an organic light emitting display device including a data driving circuit according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device 600 according to another embodiment of the present invention is a modified example of the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 5B is a schematic equivalent circuit diagram illustrating the resistance value of each sub-pixel of the organic light emitting display device to which a compensated image signal is supplied according to another embodiment of the present invention disclosed in FIG. 5A.

각각의 서브-화소(612)는 적어도 유기 발광 다이오드, 구동 트랜지스터(DTR), 스위칭 트랜지스터(SWTR), 센싱 트랜지스터(SENTR), 커패시터(CST), 게이트 배선(GATE), 데이터 배선(DATA) 레퍼런스 배선(REF) 및 감지 배선(SENS)을 포함한다. 이러한 구조는 세 개의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 이루어진 3T1C구조로 구분될 수 있다. Each sub-pixel 612 includes at least an organic light emitting diode, a driving transistor (D TR ), a switching transistor (SW TR ), a sensing transistor (SEN TR ), a capacitor (C ST ), a gate wire (GATE), and a data wire ( DATA) includes reference wiring (REF) and sensing wiring (SENS). This structure can be classified into a 3T1C structure consisting of three transistors and one capacitor.

영상 신호 보상부(550)에 의해서 보상된 제2 영상 신호(C-Data2)는 구동 트랜지스터(DTR)의 게이트 전극(G)에 인가된다. 따라서 게이트 전극(G)과 소스 전극(S)간의 전위차 즉 게이트 전극-소스 전극 전위차(Vgs)가 보상될 수 있다. 따라서 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전위차가 보상되므로 휘도 균일도가 더욱 향상될 수 있다. The second image signal (C-Data2) compensated by the image signal compensator 550 is applied to the gate electrode (G) of the driving transistor (D TR ). Therefore, the potential difference between the gate electrode (G) and the source electrode (S), that is, the gate electrode-source electrode potential difference (Vgs), can be compensated. Therefore, since the potential difference between the gate electrode and the source electrode is compensated, luminance uniformity can be further improved.

또한, 서브-화소(612)가 3T1C 구조이기 때문에, 도 5b와 동일하게 캐소드 전압(ELVSS)이 상승하더라도, 전압 보상 데이터는 캐소드 전압 상승분(ΔELVSS)에 정비례 하지 않는다. 구체적으로 설명하면, 전압 보상 데이터는 캐소드 전압 상승분(ΔELVSS)에 유기 발광 다이오드가 가지는 고유 정전용량(COLED)과 커패시터(CST)가 가지는 정전용량(Cst)의 비율을 반영한 값이 된다. Additionally, because the sub-pixel 612 has a 3T1C structure, even if the cathode voltage (ELVSS) increases as in FIG. 5B, the voltage compensation data is not directly proportional to the cathode voltage increase (ΔELVSS). Specifically, the voltage compensation data is a value that reflects the ratio of the intrinsic capacitance (C OLED ) of the organic light emitting diode and the capacitance (C st ) of the capacitor (C ST ) to the cathode voltage increase (ΔELVSS).

예를 들어, 하나의 서브-화소(612)에 인가되는 전압 보상 데이터에 따른 보상된 제2 영상 신호(C-Data2)는, [수학식 3]를 참조하여 설명될 수 있다.For example, the second image signal C-Data2 compensated according to the voltage compensation data applied to one sub-pixel 612 can be described with reference to [Equation 3].

[수학식 3][Equation 3]

Figure 112015042523017-pat00003
Figure 112015042523017-pat00003

C-Data2은 데이터 배선을 통해서 인가되는 보상된 영상 신호이다. 수학식 2의 영상 신호는 외부 시스템에서 입력 받은 디지털 영상 신호가 데이터 구동 회로(618)에 의해서 전압 값으로 변환된 아날로그 영상 신호이다. 캐소드 전압 상승분(?ELVSS)은 배선 저항에 의해서 상승한 전압 값을 의미한다. COLED는 유기 발광 다이오드의 고유 정전용량이다. CST는 커패시터(CST)가 가지는 정전용량이다.C-Data2 is a compensated video signal applied through the data wire. The video signal in Equation 2 is an analog video signal obtained by converting a digital video signal input from an external system into a voltage value by the data driving circuit 618. The cathode voltage increase (-ELVSS) refers to the voltage value increased by wiring resistance. C OLED is the intrinsic capacitance of organic light emitting diode. C ST is the capacitance of the capacitor (C ST ).

부연 설명하면, 3T1C구조에서는 구동 트랜지스터(DTR)의 임계 전압 편차(ΔVth)를 보상하기 위해서 센싱 트랜지스터(SENTR)가 더 배치된다. 그리고 센싱 트랜지스터(SENTR)는 감지 배선(SENS)에 인가되는 신호에 의해서 각각의 구동 트랜지스터(DTR)의 임계 전압 편차(ΔVth) 정보를 레퍼런스 배선(REF)에 전달한다. 레퍼런스 배선(REF)은 데이터 구동 회로(618)와 연결될 수 있다. 이때 데이터 구동 회로(618)는 구동 트랜지스터(DTR)의 임계 전압 편차(ΔVth)를 감지하고, 감지된 편차를 보상하도록 임계 전압 편차 보상 회로가 구성될 수 있다.To elaborate, in the 3T1C structure, a sensing transistor (SEN TR ) is further disposed to compensate for the threshold voltage deviation (ΔVth) of the driving transistor (D TR ). And the sensing transistor (SEN TR ) transfers the threshold voltage deviation (ΔVth) information of each driving transistor (D TR ) to the reference wire (REF) by the signal applied to the sensing wire (SENS). The reference wire (REF) may be connected to the data driving circuit 618. At this time, the data driving circuit 618 may detect the threshold voltage deviation (ΔVth) of the driving transistor (D TR ), and a threshold voltage deviation compensation circuit may be configured to compensate for the detected deviation.

도 6c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 서브-화소의 애노드-캐소드 사이의 전위차 및 보상된 영상 신호를 설명하는 개략적인 그래프이다.FIG. 6C is a schematic graph illustrating the potential difference between the anode and cathode of each sub-pixel of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention and a compensated image signal.

도 6c에 도시된 보상된 제2 영상 신호(C-Data2)는 3T1C 서브-화소(612)구조에서 각각의 서브-화소(612)에 대응되는 캐소드 전압(ELVSS) 상승 값만큼 각각의 서브-화소(612)에 인가되는 영상 신호의 전압을 상승시킨 보상 데이터를 도시하고 있다. 여기서 보상 전의 영상 신호는 모두 동일한 휘도를 표시하기 때문에 동일한 전압이 되어야 하지만, 캐소드 전압(ELVSS)이 상승하였기 때문에, 보상된 제2 영상 신호(C-Data1)는 캐소드 전압(ELVSS) 증가 및 유기 발광 다이오드와 커패시터의 정전용량의 비율에 따라서 보상되는 것을 특징으로 한다.The compensated second image signal (C-Data2) shown in FIG. 6C is the cathode voltage (ELVSS) rise value corresponding to each sub-pixel 612 in the 3T1C sub-pixel 612 structure. It shows compensation data that increases the voltage of the video signal applied to 612. Here, the image signals before compensation must have the same voltage because they all display the same luminance, but since the cathode voltage (ELVSS) has increased, the compensated second image signal (C-Data1) has an increased cathode voltage (ELVSS) and organic light emission. It is characterized by compensation according to the ratio of the capacitance of the diode and the capacitor.

즉, 영상 신호 보상부(550)는 임의의 서브-화소(112)의 캐소드 전압(ELVSS)이 0.1V상승 하였고, 해당 임의의 서브-화소(112)에 인가되는 영상 신호도 0.1V에 유기 발광 다이오드가 가지는 고유 정전용량(COLED)과 커패시터(CST)의 정전용량의 비율을 반영한 전압 보상 데이터를 이용하여 영상 신호의 전압 값을 가변한다. 따라서 전압 보상 데이터에 의해 휘도 균일도가 더욱 더 향상될 수 있다.That is, the image signal compensator 550 increases the cathode voltage (ELVSS) of a random sub-pixel 112 by 0.1 V, and the image signal applied to the random sub-pixel 112 also emits organic light at 0.1 V. The voltage value of the image signal is varied using voltage compensation data that reflects the ratio of the intrinsic capacitance of the diode (C OLED ) and the capacitance of the capacitor (C ST ). Therefore, luminance uniformity can be further improved by voltage compensation data.

몇몇 실시예에서는, 데이터 구동 회로(618)에서 보상된 이때 보상된 제2 영상 신호(C-Data2)는 캐소드 전압(ELVSS) 상승에 대한 보상 값 및 구동 트랜지스터(DTR)의 임계 전압 편차(ΔVth)를 보상하는 보상 값이 모두 포함하도록 구성될 수 있다. In some embodiments, the compensated second image signal C-Data2 in the data driving circuit 618 has a compensation value for an increase in the cathode voltage ELVSS and a threshold voltage deviation ΔVth of the driving transistor D TR . ) may be configured to include all compensation values that compensate for.

예를 들어, 하나의 서브-화소(612)에 인가되는 전압 보상 데이터에 따른 보상된 영상 신호(C-Data3)는, [수학식 4]를 참조하여 설명될 수 있다.For example, the compensated image signal C-Data3 according to the voltage compensation data applied to one sub-pixel 612 can be explained with reference to [Equation 4].

[수학식 4][Equation 4]

Figure 112015042523017-pat00004
Figure 112015042523017-pat00004

앞서 설명한 부분을 제외하면 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(600)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)와 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서 설명을 생략한다.Except for the parts described above, the organic light emitting display device 600 according to another embodiment of the present invention is the same as the organic light emitting display device 500 according to an embodiment of the present invention, so description of overlapping content is omitted. do.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500: 유기 발광 표시 장치
110, 210, 310, 410: 유기 발광 표시 패널
112, 612: 서브-화소
114: 게이트 구동 회로
116: 게이트 배선
118, 618: 데이터 구동 회로
120: 데이터 배선
130: 제1 애노드 배선
130a: 제2 애노드 배선
134, 334, 434: 제1 캐소드 배선
134a, 434a: 제2 캐소드 배선
136: 캐소드
140: 데이터 회로 기판
142: 제어 회로 기판
144: 제1 연성 회로 기판
146: 제2 연성 회로 기판
148: 연성 케이블
160: 하부 기판
162: 구동 트랜지스터
164: 유기 발광 다이오드
168: 액티브층
170: 게이트 전극
172: 소스 전극
174: 드레인 전극
176: 게이트 절연막
178: 층간 절연막
178a: 제1 컨택홀
180: 트랜지스터 절연막
182: 유기물층
182a: 제2 컨택홀
184: 애노드
186: 뱅크
188: 유기 발광층
188a: 유기 발광층 잔여물
190: 캐소드
190a: 캐소드 잔여물
192: 격벽
214: 패널 내장형 게이트 구동 회로
437: 점프 배선
434b: 제2 캐소드 제1 배선
434c: 제2 캐소드 제2 배선
434d: 제3 컨택홀
550: 영상 신호 보상부
AA: 화소 영역
PA: 주변 영역
100, 200, 300, 400, 500: Organic light emitting display device
110, 210, 310, 410: Organic light emitting display panel
112, 612: Sub-pixel
114: Gate driving circuit
116: Gate wiring
118, 618: data driving circuit
120: data wiring
130: first anode wiring
130a: second anode wiring
134, 334, 434: first cathode wiring
134a, 434a: second cathode wiring
136: cathode
140: data circuit board
142: control circuit board
144: first flexible circuit board
146: second flexible circuit board
148: flexible cable
160: lower substrate
162: Driving transistor
164: Organic light emitting diode
168: active layer
170: Gate electrode
172: source electrode
174: drain electrode
176: Gate insulating film
178: Interlayer insulating film
178a: first contact hole
180: Transistor insulation film
182: Organic layer
182a: second contact hole
184: anode
186: bank
188: Organic light emitting layer
188a: Organic light-emitting layer residue
190: cathode
190a: cathode residue
192: Bulkhead
214: Panel-embedded gate driving circuit
437: Jump wiring
434b: second cathode first wiring
434c: second cathode second wiring
434d: third contact hole
550: Video signal compensation unit
AA: Pixel area
PA: Peripheral area

Claims (19)

화소 영역에 배치되고, 애노드 및 캐소드를 포함하는 복수의 서브-화소;
상기 애노드에 애노드 전압을 공급하도록 구성되고, 제1 애노드 배선 및 제2 애노드 배선을 포함하는 애노드 배선;
상기 캐소드에 캐소드 전압을 공급하도록 구성되고, 제1 캐소드 배선 및 제2 캐소드 배선을 포함하는 캐소드 배선; 및
점프 배선; 및
데이터 회로 기판으로부터 상기 애노드 전압 및 상기 캐소드 전압을 인가받아 상기 복수의 서브-화소에 공급하고, 주변 영역에 소정의 간격으로 이격되며 복수개로 배치되는 연성 회로 기판을 포함하고,
상기 제1 애노드 배선 및 상기 제1 캐소드 배선 중 어느 하나는 상기 주변 영역을 둘러 싸도록 배치되고, 상기 제2 애노드 배선은 상기 제1 애노드 배선과 전기적으로 연결되고, 상기 화소 영역으로 연장되고, 상기 제1 애노드 배선 및 상기 제1 캐소드 배선 중 다른 하나는 상기 주변 영역의 일 측면을 따라서 배치되고, 상기 제2 캐소드 배선은 상기 제1 캐소드 배선과 전기적으로 연결되고, 상기 화소 영역으로 연장되고,
상기 애노드 배선 및 상기 캐소드 배선은 서로 동일한 물질로 이루어지고, 상기 애노드 배선 및 상기 캐소드 배선 중 하나의 배선은 상기 주변 영역에서 적어도 두 개의 부분으로 분리되고, 상기 적어도 두 개의 부분으로 분리된 배선은 상기 점프 배선에 의해서 연결되고,
상기 복수의 서브-화소들 각각에서의 상기 애노드와 상기 캐소드 사이의 전위차 편차가 저감되도록, 상기 제2 애노드 배선의 애노드 전압 입력 방향과 상기 제2 캐소드 배선의 캐소드 전압 입력 방향이 서로 상이하면서 서로 마주보도록 구성되고,
상기 연성 회로 기판은, 상기 점프 배선 마다 배치되어 상기 애노드 배선 및 상기 캐소드 배선과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
a plurality of sub-pixels disposed in the pixel area and including an anode and a cathode;
an anode wiring configured to supply an anode voltage to the anode and including a first anode wiring and a second anode wiring;
a cathode wiring configured to supply a cathode voltage to the cathode and including a first cathode wiring and a second cathode wiring; and
jump wiring; and
Comprising a flexible circuit board that receives the anode voltage and the cathode voltage from a data circuit board and supplies them to the plurality of sub-pixels, and is arranged in plural numbers at a predetermined interval in a peripheral area,
One of the first anode wire and the first cathode wire is disposed to surround the peripheral area, the second anode wire is electrically connected to the first anode wire and extends to the pixel area, and the second anode wire is electrically connected to the first anode wire and extends to the pixel area. The other of the first anode wire and the first cathode wire is disposed along one side of the peripheral area, the second cathode wire is electrically connected to the first cathode wire and extends to the pixel area,
The anode wire and the cathode wire are made of the same material, one of the anode wire and the cathode wire is separated into at least two parts in the peripheral area, and the wire separated into the at least two parts is the Connected by jump wiring,
To reduce the potential difference between the anode and the cathode in each of the plurality of sub-pixels, the anode voltage input direction of the second anode wire and the cathode voltage input direction of the second cathode wire are different from each other and face each other. It is designed to be viewed,
The organic light emitting display device, wherein the flexible circuit board is disposed for each jump wire and is electrically connected to the anode wire and the cathode wire.
제1항에 있어서,
상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 애노드 배선의 애노드 전압이 상기 애노드 전압 입력 방향을 따라서 점진적으로 저감되도록 구성되고,
상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 캐소드 배선의 캐소드 전압이 상기 캐소드 전압 입력 방향을 따라서 점진적으로 증가되도록 구성되고,
상기 애노드 배선의 애노드 전압의 거리에 따른 저감 정도 및 상기 캐소드 배선의 캐소드 전압의 거리에 따른 증가 정도는 상기 애노드 배선의 배선 저항 및 상기 캐소드 배선의 배선 저항에 의해서 각각 설정된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The organic light emitting display device is configured such that the anode voltage of the anode wiring is gradually reduced along the anode voltage input direction,
The organic light emitting display device is configured such that the cathode voltage of the cathode wiring gradually increases along the cathode voltage input direction,
Organic light emitting device, characterized in that the degree of reduction of the anode voltage of the anode wiring with distance and the degree of increase with distance of the cathode voltage of the cathode wiring are respectively set by the wiring resistance of the anode wiring and the wiring resistance of the cathode wiring. display device.
제2항에 있어서,
상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 애노드 배선의 저감된 애노드 전압이 상기 캐소드 배선의 증가된 캐소드 전압을 상쇄시켜서, 상기 복수의 서브-화소들의 상기 애노드와 상기 캐소드 사이의 전위차 편차가 보상되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 2,
The organic light emitting display device is characterized in that the reduced anode voltage of the anode wire offsets the increased cathode voltage of the cathode wire, so that the potential difference between the anode and the cathode of the plurality of sub-pixels is compensated. made with an organic light emitting display device.
제3항에 있어서,
상기 애노드 배선의 배선 저항과 상기 캐소드 배선의 배선 저항의 차이는 10% 이내인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 3,
An organic light emitting display device, characterized in that the difference between the wiring resistance of the anode wiring and the wiring resistance of the cathode wiring is within 10%.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 애노드 배선 및 상기 캐소드 배선은 상기 화소 영역의 끝 단에서 단락된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
An organic light emitting display device, wherein the anode wire and the cathode wire are short-circuited at an end of the pixel area.
제1항에 있어서,
상기 제2 애노드 배선 및 상기 제2 캐소드 배선은 상기 화소 영역에서 서로 엇갈려서 배치되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The organic light emitting display device is characterized in that the second anode wire and the second cathode wire are arranged to stagger each other in the pixel area.
복수의 서브-화소를 포함하는 화소 영역;
상기 화소 영역을 감싸도록 구성된 주변 영역;
상기 주변 영역의 일 측변에 배치되고, 상기 일 측변에서 마주보는 타 측변 방향으로 연장되어, 상기 화소 영역에 애노드 전압을 공급하도록 구성된 애노드 배선;
상기 주변 영역의 상기 마주보는 타 측변에 배치되고, 상기 마주보는 타 측변에서 상기 일 측변 방향으로 연장되어, 상기 화소 영역에 캐소드 전압을 공급하도록 구성된 캐소드 배선; 및
점프 배선 및
적어도 하나의 회로 기판을 포함하고,
상기 애노드 배선 및 상기 캐소드 배선 중 하나의 배선은 상기 주변 영역을 둘러싸도록 구성되고,
상기 애노드 배선 및 상기 캐소드 배선은 동일한 측변에서 전압을 공급받도록 구성되고,
상기 애노드 배선 및 상기 캐소드 배선은 서로 동일한 물질로 이루어지고, 상기 애노드 배선 및 상기 캐소드 배선 중 하나의 배선은 상기 주변 영역에서 적어도 두 개의 부분으로 분리되고, 상기 적어도 두 개의 부분으로 분리된 배선은 상기 점프 배선에 의해서 연결되고,
상기 적어도 하나의 회로 기판은 상기 화소 영역의 배면과 중첩되지 않도록 배치된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
a pixel area including a plurality of sub-pixels;
a peripheral area configured to surround the pixel area;
an anode wire disposed on one side of the peripheral area, extending from the one side to the other opposite side, and configured to supply an anode voltage to the pixel area;
a cathode wiring disposed on the other opposite side of the peripheral area, extending from the other facing side in a direction toward the one side, and configured to supply a cathode voltage to the pixel area; and
jump wiring and
comprising at least one circuit board,
One of the anode wire and the cathode wire is configured to surround the peripheral area,
The anode wiring and the cathode wiring are configured to receive voltage from the same side,
The anode wire and the cathode wire are made of the same material, one of the anode wire and the cathode wire is separated into at least two parts in the peripheral area, and the wire separated into the at least two parts is the Connected by jump wiring,
An organic light emitting display device, wherein the at least one circuit board is arranged not to overlap a back surface of the pixel area.
제8항에 있어서,
상기 복수의 서브-화소 각각은,
액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터에 영상 신호를 인가하도록 구성된 데이터 배선; 및
상기 구동 트랜지스터에 의해 구동되고, 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 다이오드를 포함하고,
상기 데이터 배선은 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되고,
상기 애노드 배선은 상기 구동 트랜지스터의 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는,
상기 캐소드 배선은 상기 유기 발광 다이오드의 상기 캐소드와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 8,
Each of the plurality of sub-pixels,
A driving transistor including an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
a data line configured to apply an image signal to the driving transistor; and
It is driven by the driving transistor and includes an organic light-emitting diode including an anode, an organic light-emitting layer, and a cathode,
The data wire is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor,
The anode wiring is electrically connected to the drain electrode of the driving transistor,
The cathode wiring is electrically connected to the cathode of the organic light emitting diode.
제9항에 있어서,
상기 데이터 배선을 통해서 상기 구동 트랜지스터에 인가되는 영상 신호는 상기 복수의 서브-화소 각각의 상기 캐소드의 캐소드 전압 증가분에 따른 Vgs 전압을 보상하도록 가변된 영상 신호인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 9,
An organic light emitting display device, wherein the image signal applied to the driving transistor through the data line is an image signal changed to compensate for the Vgs voltage according to an increase in the cathode voltage of the cathode of each of the plurality of sub-pixels.
제8항에 있어서,
상기 복수의 서브-화소는 투명성을 제공하기 위한 투과부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 8,
An organic light emitting display device, wherein the plurality of sub-pixels further include a transparent portion to provide transparency.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제8항에 있어서,
상기 캐소드 배선은 적어도 두 개의 금속층으로 구성되고,
상기 적어도 두 개의 금속층은 컨택홀을 통해서 서로 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 8,
The cathode wiring consists of at least two metal layers,
An organic light emitting display device, characterized in that the at least two metal layers are connected to each other through a contact hole.
제1항에 있어서,
상기 제2 애노드 배선은 상기 제1 애노드 배선 보다 좁은 폭으로 구성되고, 상기 제2 캐소드 배선은 상기 제1 캐소드 배선 보다 좁은 폭으로 구성되는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The organic light emitting display device wherein the second anode wire has a narrower width than the first anode wire, and the second cathode wire has a narrower width than the first cathode wire.
제1항에 있어서,
상기 제1 캐소드 배선의 배선 길이는 상기 제1 애노드 배선의 배선보다 길고,
상기 제1 캐소드 배선의 폭은, 상기 제1 애노드 배선의 폭보다 넓은, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The wiring length of the first cathode wiring is longer than the wiring length of the first anode wiring,
The organic light emitting display device wherein the width of the first cathode wiring is wider than the width of the first anode wiring.
제1항에 있어서,
상기 제1 캐소드 배선은 상기 주변 영역을 ㅁ 형태 또는 링 형태로 둘러싸도록 배치되는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The organic light emitting diode display device wherein the first cathode wiring is arranged to surround the peripheral area in a ㅁ shape or a ring shape.
제1항에 있어서,
상기 제2 캐소드 배선은 제2 캐소드 제1 배선, 제2 캐소드 제2 배선 및 컨택홀을 포함하고, 상기 제2 캐소드 제1 배선은 상기 애노드와 동일한 물질로 형성되고, 상기 제2 캐소드 제2 배선은 상기 제2 애노드 배선과 동일한 물질로 형성되고, 상기 제2 캐소드 제1 배선과 상기 제2 캐소드 제2 배선은 상기 컨택홀에 의해 서로 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The second cathode wiring includes a second cathode first wiring, a second cathode second wiring, and a contact hole, the second cathode first wiring is formed of the same material as the anode, and the second cathode second wiring is formed of the same material as the second anode wire, and the second cathode first wire and the second cathode second wire are connected to each other through the contact hole.
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