JP4639662B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4639662B2
JP4639662B2 JP2004188347A JP2004188347A JP4639662B2 JP 4639662 B2 JP4639662 B2 JP 4639662B2 JP 2004188347 A JP2004188347 A JP 2004188347A JP 2004188347 A JP2004188347 A JP 2004188347A JP 4639662 B2 JP4639662 B2 JP 4639662B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
conductive portion
organic electroluminescence
layer
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004188347A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006011059A (en
Inventor
祐治 茅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004188347A priority Critical patent/JP4639662B2/en
Publication of JP2006011059A publication Critical patent/JP2006011059A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4639662B2 publication Critical patent/JP4639662B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus.

電界発光を利用した有機エレクトロルミネッセンス(Electro-Luminescence,以下、ELと略記する)素子は、自己発光のため視認性が高く、かつ耐衝撃性に優れる等の特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。有機EL素子は、例えばトップエミッション型有機EL素子の場合、反射性金属膜からなる陽極と、有機発光層を含む機能層と、透明導電膜よりなる陰極とを設けた構造が一般的である。特にEL素子を駆動する薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor,以下、TFTと略記する)等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型EL素子において、上記陽極は各TFTに接続された画素電極であり、上記陰極はマトリクス状に配置された複数の画素で共有するベタ状の共通電極である。
上記トップエミッション型有機EL表示装置は、光を均一に発光させるために、TFTやマトリクス状の配線を形成した基板の表面を有機または無機の絶縁層で平坦化し、この平面上に画素電極を形成していた。
しかしながら、(1)平坦化の工程が増える。(2)有機平坦化膜の場合、酸素・水分が平坦化膜を透過して素子特性を劣化させるので、平坦化膜の表面および側面を無機絶縁膜等でカバーする等の対策が必要となる。(3)従来の無機平坦化膜では十分な平坦性が得られない。(4)例えば、インクジェット方式により発光層などの有機層を積層させると、平坦化膜表面に生じた微少な凹凸の影響によって平坦に成膜できず、画素内において均一に発光しない、というような問題があった。
上記課題を解決する技術として、電源線を含む金属部を画素表示部と積層方向に重なる位置に設けることによって、発光層から放射される光を反射させるEL表示装置が開示されている(例えば、特許文献1)。このEL表示装置によれば、画素表示部の下方に配置される電源線は、基板から平坦なパターンを積み重ねて形成される。従って、上記画素電極をこの平坦なパターンからなる電源線の上層に形成することができるため、上述したような平坦化の工程を省略することができる。
特開2004−6137号公報
Organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) elements using electroluminescence have characteristics such as high visibility and excellent impact resistance due to self-emission. The use as a light emitting element has attracted attention. For example, in the case of a top emission organic EL element, the organic EL element generally has a structure in which an anode made of a reflective metal film, a functional layer including an organic light emitting layer, and a cathode made of a transparent conductive film are provided. In particular, in an active matrix EL element including a switching element such as a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) for driving an EL element, the anode is a pixel electrode connected to each TFT, and the cathode is It is a solid common electrode shared by a plurality of pixels arranged in a matrix.
In the top emission type organic EL display device, in order to emit light uniformly, the surface of the substrate on which TFTs and matrix wiring are formed is flattened with an organic or inorganic insulating layer, and a pixel electrode is formed on this plane. Was.
However, (1) the number of flattening steps increases. (2) In the case of an organic flattening film, oxygen and moisture permeate the flattening film and deteriorate the element characteristics, and therefore measures such as covering the surface and side surfaces of the flattening film with an inorganic insulating film or the like are required. . (3) A sufficient flatness cannot be obtained with a conventional inorganic planarization film. (4) For example, when an organic layer such as a light emitting layer is stacked by an ink jet method, it cannot be formed flat due to the influence of minute irregularities generated on the surface of the flattening film, and light is not emitted uniformly in the pixel. There was a problem.
As a technique for solving the above problem, an EL display device that reflects light emitted from a light emitting layer by providing a metal portion including a power supply line in a position overlapping with a pixel display portion in a stacking direction is disclosed (for example, Patent Document 1). According to this EL display device, the power supply line disposed below the pixel display unit is formed by stacking flat patterns from the substrate. Therefore, since the pixel electrode can be formed in the upper layer of the power supply line having the flat pattern, the flattening step as described above can be omitted.
JP 2004-6137 A

ところで、上述したトップエミッション型EL表示装置では、光を共通電極側から取り出すため、共通電極にはITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電膜が広く利用されている。しかしながら、ITO等の透明導電膜は、アルミ等の金属と比較して比抵抗が2〜3桁大きく、特に大型ディスプレイを製造した場合には電圧降下が大きくなってしまう。従って、従来から提案されている画素電極に駆動電流を供給する方法、すなわち、補助配線等を使用して画素電極に駆動電流を供給する方法では、それほどITO電極の低抵抗化を図ることができず、EL表示装置の表示領域の中心部と外周部とで発光輝度が異なってしまい、表示品質が低下するという問題があった。さらに、このような問題と並列して上述したような画素電極を形成するための平坦化膜形成という問題も同時に解決しなければならない。
本願発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のプロセスを簡略化し、さらに、表示領域の輝度ムラを防止して高輝度の有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器を提供することにある。
Incidentally, in the above-mentioned top emission type EL display device, a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) is widely used for the common electrode in order to extract light from the common electrode side. However, a transparent conductive film such as ITO has a specific resistance that is two to three orders of magnitude higher than that of a metal such as aluminum, and particularly when a large display is manufactured, the voltage drop becomes large. Therefore, in the conventionally proposed method of supplying a drive current to the pixel electrode, that is, a method of supplying the drive current to the pixel electrode using an auxiliary wiring or the like, the resistance of the ITO electrode can be reduced so much. In other words, there is a problem in that the emission luminance differs between the central portion and the outer peripheral portion of the display area of the EL display device, and the display quality deteriorates. Furthermore, the problem of forming a planarization film for forming the pixel electrode as described above in parallel with such a problem must be solved at the same time.
The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to simplify the process of an organic electroluminescence display device, and to prevent uneven luminance in a display region and to provide a high-brightness organic electroluminescence display device and To provide electronic equipment.

本発明は、上記課題を解決するために、スイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた発光層と、少なくとも前記第1電極、前記第2電極および前記発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含むマトリクス状に配置された複数の画素と、を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記第1電極に電流を供給するための第1導電部と、前記第2電極に電流を供給するための第2導電部とを備え、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、前記第1導電部および前記第2導電部の平坦領域に形成されていることを特徴とする。また、前記第1導電部が電源線であり、前記第2導電部が陰極補助配線であることを特徴とする。   In order to solve the above problems, the present invention provides a switching element, a first electrode electrically connected to the switching element, a second electrode provided to face the first electrode, and the first electrode. A plurality of pixels arranged in a matrix including an organic electroluminescent element having a light emitting layer provided between an electrode and the second electrode, and at least the first electrode, the second electrode, and the light emitting layer; A first conductive part for supplying current to the first electrode, and a second conductive part for supplying current to the second electrode, wherein the organic electroluminescence device comprises: The luminescence element is formed in a flat region of the first conductive part and the second conductive part. The first conductive portion may be a power supply line, and the second conductive portion may be a cathode auxiliary wiring.

このような構成によれば、絶縁膜を介して直接的に、第1導電部および第2導電部の上層側に有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される。従って、TFT等を形成した基板の表面を有機または無機の絶縁層で平坦化し、この平坦面上に第1電極を形成する工程を省略した場合でも、発光層で均一に発光させることができる。また、平坦化膜形成工程を省略することにより有機平坦化膜を使用する必要がないため、有機平坦化膜を酸素、水分が透過することもなく、表示品質の劣化を抑制することができる。また、第2電極に電流を供給するための第2導電部は、従来より配線幅が広くなるため低抵抗化を図ることができ、これにより有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高輝度化を図ることができる。なお、本願発明における画素とは、有機エレクトロルミネッセンスその他スイッチング素子等を含む広い概念で使用している。   According to such a configuration, the organic electroluminescence element is formed directly on the upper layer side of the first conductive portion and the second conductive portion via the insulating film. Therefore, even when the surface of the substrate on which the TFT or the like is formed is flattened with an organic or inorganic insulating layer and the step of forming the first electrode on the flat surface is omitted, the light emitting layer can uniformly emit light. Further, since it is not necessary to use an organic flattening film by omitting the flattening film forming step, oxygen and moisture do not pass through the organic flattening film, and display quality deterioration can be suppressed. In addition, since the second conductive portion for supplying current to the second electrode has a wider wiring width than before, the resistance can be reduced, thereby increasing the luminance of the organic electroluminescence display device. it can. The pixel in the present invention is used in a broad concept including organic electroluminescence and other switching elements.

また、前記第1導電部および前記第2導電部がそれぞれストライプ状に設けられ、前記第1電極の下層側にそれぞれ平面視略平行に配置されていることも好ましい。
このような構成によれば、スイッチング素子および信号線や走査線を避けて形成される第1導電部および第2導電部の上層側は平坦面となる。従って、第1電極は、第1導電部および第2導電部の上層側の平坦面上に設けることができ、画素内の光を均一に発光させることができるとともに、平坦化膜形成工程を省略することができる。また、第2導電部と第1導電部とはストライプ状に設けられているため、第2導電部の配線幅を第1導電部の配線幅とほぼ同じくして設けることも可能である。これにより、第2電極に電流を供給するための第2導電部は、従来より配線幅が広くなるため低抵抗化を図ることができ、例えば、ITOからなる第2電極に対して十分な電流を供給することができる。この結果、表示領域の周辺部と中央部で電圧降下による輝度のばらつきを解消することができ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高輝度化を図ることができる。
In addition, it is also preferable that the first conductive portion and the second conductive portion are respectively provided in a stripe shape, and are disposed substantially parallel to each other on a lower layer side of the first electrode in plan view.
According to such a configuration, the upper layer side of the first conductive portion and the second conductive portion formed so as to avoid the switching element, the signal line, and the scanning line is a flat surface. Therefore, the first electrode can be provided on the flat surface on the upper layer side of the first conductive portion and the second conductive portion, so that the light in the pixel can be uniformly emitted, and the step of forming the planarization film is omitted. can do. In addition, since the second conductive portion and the first conductive portion are provided in a stripe shape, the wiring width of the second conductive portion can be provided substantially the same as the wiring width of the first conductive portion. As a result, the second conductive portion for supplying current to the second electrode can be reduced in resistance because the wiring width is wider than before, and for example, sufficient current for the second electrode made of ITO can be achieved. Can be supplied. As a result, it is possible to eliminate variations in luminance due to a voltage drop at the peripheral portion and the central portion of the display region, and to increase the luminance of the organic electroluminescence display device.

また、前記第1導電部が、前記第2導電部と同層に設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、第1導電部が、第2導電部と同層に設けられているため同一行程で同時に形成可能なため、製造工程の簡略化を図ることができる。
It is also preferable that the first conductive part is provided in the same layer as the second conductive part.
According to such a configuration, since the first conductive portion is provided in the same layer as the second conductive portion, it can be simultaneously formed in the same process, so that the manufacturing process can be simplified.

また、前記第1電極が、前記各画素内において、前記第1導電部および前記第2導電部のほぼ全面積にわたって設けられることも好ましい。
このような構成によれば、第1電極が各画素内において、第1導電部および第2導電部のほぼ全面積にわたって設けられているため、第1電極の面積を広くすることができる。従って、各画素の開口率(発光面積率)を向上させることができる。この結果、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高輝度化を図ることができる。
It is also preferable that the first electrode is provided over substantially the entire area of the first conductive portion and the second conductive portion in each pixel.
According to such a configuration, since the first electrode is provided over almost the entire area of the first conductive portion and the second conductive portion in each pixel, the area of the first electrode can be increased. Therefore, the aperture ratio (light emission area ratio) of each pixel can be improved. As a result, it is possible to increase the brightness of the organic electroluminescence display device.

また、前記第2導電部と前記第2電極とが、これらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されることも好ましい。
このような構成によれば、第2導電部と第2電極とがコンタクトホールを介して電気的に接続されているため、第2導電部と第2電極とを異なる層に形成することができるため、設計の自由度が向上する。さらに、金属に比べて比抵抗が大きいITOなどからなる第2電極に対して十分な電流を供給することができる。この結果、表示領域の周辺部と中央部で電圧降下による輝度のばらつきを解消することができ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高輝度化を図ることができる。
Further, it is also preferable that the second conductive portion and the second electrode are electrically connected through a contact hole penetrating an insulating layer interposed therebetween.
According to such a configuration, since the second conductive portion and the second electrode are electrically connected via the contact hole, the second conductive portion and the second electrode can be formed in different layers. Therefore, the degree of freedom in design is improved. Furthermore, a sufficient current can be supplied to the second electrode made of ITO or the like having a higher specific resistance than metal. As a result, it is possible to eliminate variations in luminance due to a voltage drop at the peripheral portion and the central portion of the display region, and to increase the luminance of the organic electroluminescence display device.

また、前記各画素内において、前記第1導電部と前記第2導電部とに有機エレクトロルミネッセンス素子が分割して設けられ、前記第1導電部と前記第2導電部とに設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子が前記第1電極を共有することも好ましい。
有機EL表示装置の構造上、第1導電部と第2導電部との間には段差部が生じてしまう場合がある。この場合に、第1導電部と第2導電部とにわたって第1電極を形成すると、第1導電部および第2導電部間に段差部があるため、光を均一に発光させることが困難である。本発明の構成によれば、第1導電部と第2導電部との段差部を境界にして有機エレクトロルミネッセンスL素子が分割されて設けられているため、段差部を介さない平坦な有機エレクトロルミネッセンス素子を設けることができる。これにより、光を均一に発光させることができる。
また、ウエットプロセスによって有機層を形成する高分子タイプの有機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合には、上記段差部には絶縁膜が形成されることによって有機エレクトロルミネッセンス素子が分割される。そのため、段差部に形成される絶縁膜によって、第1電極および第2電極間でのショートを防止することができる。
また、第1導電部および第2導電部上に形成される有機エレクトロルミネッセンス素子は、第1電極を共有しているため、第1導電部および第2導電部上にそれぞれ設けられた2つの有機エレクトロルミネッセンス素子が、第1電極に接続されている1つの駆動回路により駆動することができる。従って、駆動回路が占める面積を省き、これによって、画素の開口率(発光面積率)の向上を図ることができる。この結果、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高輝度化を図ることができる。
Further, in each of the pixels, an organic electroluminescence element is divided and provided in the first conductive portion and the second conductive portion, and the organic electroluminescence element provided in the first conductive portion and the second conductive portion. It is also preferred that the luminescence element shares the first electrode.
Due to the structure of the organic EL display device, there may be a stepped portion between the first conductive portion and the second conductive portion. In this case, when the first electrode is formed across the first conductive portion and the second conductive portion, it is difficult to emit light uniformly because there is a step portion between the first conductive portion and the second conductive portion. . According to the configuration of the present invention, since the organic electroluminescence L element is divided and provided with the step portion between the first conductive portion and the second conductive portion as a boundary, the flat organic electroluminescence without the step portion is provided. An element can be provided. Thereby, light can be emitted uniformly.
In the case of a polymer type organic electroluminescence display device in which an organic layer is formed by a wet process, an organic electroluminescence element is divided by forming an insulating film on the stepped portion. Therefore, a short circuit between the first electrode and the second electrode can be prevented by the insulating film formed in the step portion.
In addition, since the organic electroluminescence elements formed on the first conductive portion and the second conductive portion share the first electrode, two organic elements provided on the first conductive portion and the second conductive portion, respectively. The electroluminescence element can be driven by one drive circuit connected to the first electrode. Accordingly, the area occupied by the drive circuit can be omitted, and thereby the aperture ratio (light emission area ratio) of the pixel can be improved. As a result, it is possible to increase the brightness of the organic electroluminescence display device.

また、前記第1導電部と、前記第2導電部とが互いに積層して設けられ、前記第1電極が、前記第1導電部または前記第2導電部の上層側に設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、第1導電部と第2導電部とが平面的に重なって設けられるので、有機エレクトロルミネッセンス装置の構造により、第1導電部と第2導電部とをストライプ状に設けた場合に生じる弊害、すなわち、第1導電部と第2導電部との境界に段差が生じることを回避することができる。従って、第1導電部と第2導電部との境界に段差がないため、段差部を境界として有機エレクトロルミネッセンス素子を分割させる必要がなくなり、第1電極を大面積で形成することができる。よって、画素の開口率(発光面積率)を向上させることができ、有機エレクトロルミネッセンス装置の高輝度化を図ることができる。
The first conductive part and the second conductive part may be provided in a stacked manner, and the first electrode may be provided on the upper layer side of the first conductive part or the second conductive part. preferable.
According to such a configuration, the first conductive portion and the second conductive portion are provided so as to overlap in a planar manner. Therefore, the first conductive portion and the second conductive portion are formed in a stripe shape due to the structure of the organic electroluminescence device. It is possible to avoid adverse effects caused by the provision, that is, generation of a step at the boundary between the first conductive portion and the second conductive portion. Accordingly, since there is no step at the boundary between the first conductive portion and the second conductive portion, it is not necessary to divide the organic electroluminescence element with the step portion as a boundary, and the first electrode can be formed in a large area. Therefore, the aperture ratio (light emission area ratio) of the pixel can be improved, and the luminance of the organic electroluminescence device can be increased.

また、前記第2導電部が隣接する画素ごとに分割して設けられ、前記第1導電部と同層に設けられた中継層を介して隣接する前記画素に分割して設けられた前記第2導電部同士を電気的に接続することも好ましい。
このような構成によれば、隣接する画素間に中継層が設けられているため、外部駆動回
路から供給される電流(電子)は、隣接する画素の第2導電部を次々に経由して第2電極
に到達することができる。そのため、金属に比べて比抵抗が大きいITOなどからなる第
2電極に対して十分な電流を供給することができる。この結果、表示領域の周辺部と中央
部で電圧降下による輝度のばらつきを解消することができ、有機エレクトロルミネッセン
ス表示装置の高輝度化を図ることができる。
Further, the second conductive portion is provided separately for each adjacent pixel, and the second conductive portion is provided separately for the adjacent pixels via a relay layer provided in the same layer as the first conductive portion. It is also preferable to electrically connect the conductive parts.
According to such a configuration, since the relay layer is provided between the adjacent pixels, the current (electrons) supplied from the external drive circuit passes through the second conductive portions of the adjacent pixels one after another. Two electrodes can be reached. Therefore, a sufficient current can be supplied to the second electrode made of ITO or the like having a higher specific resistance than metal. As a result, it is possible to eliminate variations in luminance due to a voltage drop at the peripheral portion and the central portion of the display region, and to increase the luminance of the organic electroluminescence display device.

本発明の電子機器は、上記有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とす
る。
本発明によれば、上記有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることにより、高輝度で、かつ表示品質に優れた電子機器を実現することができる。
An electronic apparatus according to the present invention includes the organic electroluminescence device.
According to the present invention, by providing the organic electroluminescence device, it is possible to realize an electronic device having high luminance and excellent display quality.

[第1の実施の形態]
以下、本発明の最良の形態である一実施例を図面を参照して説明する。なお、以下の全ての図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものと異なるように表している。また、陰極補助配線107(第2導電部)等については図1においては省略している。
[First Embodiment]
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment that is the best mode of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the following drawings, the scale of each layer and each member is shown to be different from the actual scale so that each layer and each member has a size that can be recognized on the drawings. Further, the auxiliary cathode wiring 107 (second conductive portion) and the like are omitted in FIG.

図1は、本実施形態の有機EL表示装置の配線構造を示す等価回路図である。
本実施形態の有機EL表示装置1は、図1に示すように、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103(第1導電部)とがそれぞれ格子状に配線されている。そして、走査線101と信号線102とにより区画された領域が画素Aとして構成されている。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路104が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路105が接続されている。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing a wiring structure of the organic EL display device of the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 according to the present embodiment includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction intersecting the scanning lines 101, and the signal lines 102 extending in parallel. A plurality of power supply lines 103 (first conductive portions) are respectively wired in a grid pattern. An area defined by the scanning line 101 and the signal line 102 is configured as a pixel A.
The signal line 102 is connected to a data side driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. Further, a scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.

各画素Aには、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量4と、保持容量4によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT123とが設けられている。さらに、この各画素Aには、上記駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに当該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極111(第1電極)と、この画素電極に対向して配置された共通電極12(第2電極)と、この画素電極111と共通電極12との間に挟持された機能層110とが設けられている。有機EL表示装置1は、この画素Aがマトリクス状に複数形成されている。   Each pixel A includes a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101, a holding capacitor 4 for holding a pixel signal supplied from the signal line 102 via the switching TFT 112, A driving TFT 123 is provided in which the pixel signal held by the holding capacitor 4 is supplied to the gate electrode. Further, each pixel A has a pixel electrode 111 (first electrode) into which a driving current flows from the power supply line 103 when electrically connected to the power supply line 103 via the driving TFT 123, and the pixel electrode A common electrode 12 (second electrode) disposed opposite to each other and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the common electrode 12 are provided. In the organic EL display device 1, a plurality of the pixels A are formed in a matrix.

この構成によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオンになると、そのときの信号線102の電位が保持容量4に保持され、保持容量4の状態に応じて、駆動用TFT123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT123のチャネルを介して、電源線103から画素電極111に電流が流れ、さらに機能層110を介して共通電極12に電流が流れる。機能層110は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。   According to this configuration, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 4, and the driving TFT 123 of the driving TFT 123 depends on the state of the holding capacitor 4. The on / off state is determined. Then, current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving TFT 123, and further current flows to the common electrode 12 through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing therethrough.

図2は、本実施形態における有機EL表示装置1の平面模式図である。
図2に示すように、有機EL表示装置1は、大型の支持基板180上に、互いに隣接して配置された複数の基板2を備えている。支持基板180は、複数の基板2を一体に支持する基板である。図2では、4枚の基板2を2行×2列に配置しているが、基板2の枚数はこれに限定されず、少なくとも2枚以上の基板2を備えていればよい。上記各基板2は、基板2上に設けられた表示領域50と、この表示領域50の周縁部に配置されるデータ側駆動回路104および走査側駆動回路105等を備えており、表示領域50には、平面視マトリクス状に配列された複数の画素Aが形成されている。また、データ側駆動回路104および走査側駆動回路105は、上記走査線101、信号線102等を介して各画素Aを構成するスイッチング用TFT112等に電気的に接続されている。本実施形態においては、図2に示すように、4つの表示領域50により有機EL表示装置1の画像表示部115を形成している。
FIG. 2 is a schematic plan view of the organic EL display device 1 in the present embodiment.
As shown in FIG. 2, the organic EL display device 1 includes a plurality of substrates 2 arranged adjacent to each other on a large support substrate 180. The support substrate 180 is a substrate that integrally supports the plurality of substrates 2. In FIG. 2, four substrates 2 are arranged in 2 rows × 2 columns. However, the number of substrates 2 is not limited to this, and it is sufficient that at least two substrates 2 are provided. Each of the substrates 2 includes a display area 50 provided on the substrate 2, a data side driving circuit 104 and a scanning side driving circuit 105 arranged at the peripheral edge of the display area 50. Are formed with a plurality of pixels A arranged in a matrix in plan view. Further, the data side driving circuit 104 and the scanning side driving circuit 105 are electrically connected to the switching TFT 112 and the like constituting each pixel A through the scanning line 101, the signal line 102 and the like. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the image display unit 115 of the organic EL display device 1 is formed by four display regions 50.

なお、図2では、図面を見易くするために基板2同士の境界70a、70b近傍の各表示領域50間の間隙を広く図示しているが、実際には、70a、70bの介して隣接する画素A間の間隔は極めて狭い幅になっており、また必要に応じて遮光処理等の境界を目立たなくする処理を施している。
また、本実施形態では各基板2にデータ側駆動回路104および走査側駆動回路105が備えられている構成としているが、基板2間の境界70a、70bにおいて相互の配線を接続することにより、少ない数のデータ側駆動回路104および走査側駆動回路105によって複数の画素Aを駆動可能に構成することもできる。
In FIG. 2, the gaps between the display areas 50 in the vicinity of the boundaries 70a and 70b between the substrates 2 are widely illustrated to make the drawing easy to see, but actually, the pixels adjacent to each other through the 70a and 70b. The interval between A is extremely narrow, and a process for making the boundary inconspicuous, such as a light shielding process, is performed as necessary.
Further, in this embodiment, each substrate 2 is provided with the data side drive circuit 104 and the scanning side drive circuit 105. However, by connecting the mutual wirings at the boundaries 70a and 70b between the substrates 2, the number is reduced. A plurality of pixels A can be driven by a plurality of data side driving circuits 104 and scanning side driving circuits 105.

図3は、発光表示領域を構成する各画素の概略構成を示す平面図である。
図3に示すように、R(赤)、G(緑)、B(青)の3原色の後述する表示素子部(有機EL素子)を備える各画素Aが平面視ストライプ状に配置され、図中横方向に反復して配置されている(図3では3つの画素Aのみを図示する)。また、図中縦方向には、R(赤)、G(緑)、B(青)のそれぞれの同一色に対応する画素Aが配列されている。本実施形態においては、R(赤)の表示素子部を備える画素Aについて説明するが、その他の画素Aについては、上記R(赤)の表示素子部を備える画素Aと同様の構成を採用するため説明は省略する。また、画素Aの理解を容易とするため、図3においては有機機能発光層、共通電極等の図示は省略している。
FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of each pixel constituting the light emitting display region.
As shown in FIG. 3, each pixel A including a display element portion (organic EL element) to be described later with three primary colors of R (red), G (green), and B (blue) is arranged in a stripe shape in plan view. They are repeatedly arranged in the middle horizontal direction (only three pixels A are shown in FIG. 3). In the vertical direction in the figure, pixels A corresponding to the same color of R (red), G (green), and B (blue) are arranged. In the present embodiment, a pixel A having an R (red) display element portion will be described, but the other pixels A have the same configuration as the pixel A having an R (red) display element portion. Therefore, explanation is omitted. In order to facilitate understanding of the pixel A, the organic functional light emitting layer, the common electrode, and the like are not shown in FIG.

図3に示すように、信号線102、電源線103および陰極補助配線107が互いに平行して図中縦方向に延在して配置され、これらと直交するように走査線101が配置されている。そして、信号線102と走査線101との交差する点に対応してスイッチング用TFT112が設けられており、このスイッチング用TFT112に駆動用TFT123および保持容量4が接続されている。
電源線103と陰極補助配線107とは、平面視ストライプ状に図中縦方向に延在して配置され、上記スイッチング用TFT112、駆動用TFT123、その他の配線が配置されている領域を除いて画素A全域にわたって形成されている。ここで、電源線103および陰極補助配線107は、ほぼ同じ配線幅に形成されている。電源線103は、隣接して配置されている駆動用TFT123のソース領域に接続され、駆動用TFT123のスイッチがオン状態となると画素電極111に電流を供給するようになっている。また、陰極補助配線107は、後述する共通電極12(第2電極)にコンタクトホール30を介して接続され、共通電極12に電流(電子)を供給するようになっている。
As shown in FIG. 3, the signal line 102, the power supply line 103, and the auxiliary cathode wiring 107 are arranged in parallel with each other so as to extend in the vertical direction in the figure, and the scanning line 101 is arranged so as to be orthogonal thereto. . A switching TFT 112 is provided corresponding to the intersection of the signal line 102 and the scanning line 101, and the driving TFT 123 and the storage capacitor 4 are connected to the switching TFT 112.
The power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are arranged extending in the vertical direction in the figure in a stripe shape in plan view, and the pixel except for the switching TFT 112, the driving TFT 123, and other areas where wiring is arranged. A is formed over the entire region A. Here, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are formed with substantially the same wiring width. The power supply line 103 is connected to the source region of the driving TFT 123 disposed adjacent thereto, and supplies a current to the pixel electrode 111 when the switch of the driving TFT 123 is turned on. The cathode auxiliary wiring 107 is connected to a common electrode 12 (second electrode), which will be described later, via a contact hole 30, and supplies current (electrons) to the common electrode 12.

スイッチング用TFT112は、走査線101から延出されたゲート電極15aと、延出されたゲート電極15aの下層側に形成され、延出されたゲート電極15aにゲート絶縁膜35を挟んで対向して形成されたチャネル領域を有する半導体層20と、この半導体層20の両側に形成されたソース領域とドレイン領域とを有している。
駆動用TFT123は、後述する保持容量を構成する第1容量電極15から延出されたゲート電極15aと、延出されたゲート電極15aの下層側に形成され、延出されたゲート電極15aにゲートにゲート絶縁膜15aをはさんで対向して形成されたチャネル領域を有する半導体層25と、この半導体層25の両側に形成されたソース領域とドレイン領域とを有している。また、駆動用TFT123のゲート電極15aを構成する第1容量電極15は、電源線103とほぼ同じ配線幅で電源線103の下層側に矩形形状に形成されている。また、駆動用TFT123の半導体層25から延出して形成される第2容量電極16は、上記第1容量電極15とほぼ同じ面積の矩形形状から形成され、第1容量電極15の下層側に絶縁膜を介して対向して配置されている。第1容量電極15とこの第1容量電極15の積層方向に対向して形成される第2容量電極16とにより保持容量4を構成している。
The switching TFT 112 is formed on the lower side of the gate electrode 15a extended from the scanning line 101 and the extended gate electrode 15a, and is opposed to the extended gate electrode 15a with the gate insulating film 35 interposed therebetween. The semiconductor layer 20 has a formed channel region, and has a source region and a drain region formed on both sides of the semiconductor layer 20.
The driving TFT 123 is formed on the lower side of the gate electrode 15a that extends from the first capacitor electrode 15 that constitutes a storage capacitor, which will be described later, and on the extended gate electrode 15a. The semiconductor layer 25 has a channel region formed so as to face each other across the gate insulating film 15a, and a source region and a drain region formed on both sides of the semiconductor layer 25. Further, the first capacitor electrode 15 constituting the gate electrode 15 a of the driving TFT 123 is formed in a rectangular shape on the lower layer side of the power supply line 103 with substantially the same wiring width as that of the power supply line 103. The second capacitor electrode 16 formed to extend from the semiconductor layer 25 of the driving TFT 123 is formed in a rectangular shape having substantially the same area as the first capacitor electrode 15 and is insulated on the lower layer side of the first capacitor electrode 15. It arrange | positions through the film | membrane. The storage capacitor 4 is constituted by the first capacitor electrode 15 and the second capacitor electrode 16 formed so as to face the stacking direction of the first capacitor electrode 15.

また、上記スイッチング用TFT112の半導体層20のソース領域は、コンタクトホール21を介して信号線102に接続されている。一方、スイッチング用TFT112の半導体層20のドレイン領域は、コンタクトホール22を介して第1中継導電層23に接続されている。第1中継導電層23は、コンタクトホール29を介して後述する第1容量電極15から延在する駆動用TFT123のゲート電極15aに接続されている。
また、駆動用TFT123の半導体層25のソース領域は、コンタクトホール26を介して電源線103に接続されている。一方、駆動用TFT123の半導体層25のドレイン領域は、コンタクトホール27を介して第2中継導電層24に接続されている。
The source region of the semiconductor layer 20 of the switching TFT 112 is connected to the signal line 102 via the contact hole 21. On the other hand, the drain region of the semiconductor layer 20 of the switching TFT 112 is connected to the first relay conductive layer 23 through the contact hole 22. The first relay conductive layer 23 is connected via a contact hole 29 to a gate electrode 15 a of a driving TFT 123 extending from a first capacitance electrode 15 described later.
The source region of the semiconductor layer 25 of the driving TFT 123 is connected to the power supply line 103 through the contact hole 26. On the other hand, the drain region of the semiconductor layer 25 of the driving TFT 123 is connected to the second relay conductive layer 24 through the contact hole 27.

さらに、画素電極111は、コンタクトホール28を介して第2中継導電層24に接続され、駆動用TFT123がオン状態となることにより、電源線103から画素電極111に電流が供給されるようになっている。この画素電極111は、画素A内に配線された電源線103および陰極補助配線107の上層側の全面に矩形形状に形成されている。
バンク7は、後述するように第1バンク層7aと第2バンク層7bとから構成されている。バンク7は、画素電極111の周縁部および電源線103と陰極補助配線107との境界部に形成され、画素Aが2つの表示素子部に分割されている。このバンク7は、2つの表示素子部の開口部が図中縦方向に長円形状となるようにパターン形成されている。
Further, the pixel electrode 111 is connected to the second relay conductive layer 24 through the contact hole 28, and when the driving TFT 123 is turned on, a current is supplied from the power supply line 103 to the pixel electrode 111. ing. The pixel electrode 111 is formed in a rectangular shape on the entire upper layer side of the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 wired in the pixel A.
As will be described later, the bank 7 includes a first bank layer 7a and a second bank layer 7b. The bank 7 is formed at the periphery of the pixel electrode 111 and at the boundary between the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107, and the pixel A is divided into two display element portions. The bank 7 is patterned so that the openings of the two display element portions have an oval shape in the vertical direction in the figure.

次に、本実施形態の有機EL表示装置1の断面構造について図4(a)、(b)を参照して説明する。
図4(a)は、図3の有機EL表示装置のA−A’に沿った断面図である。図4(a)に示すように、本実施形態の有機EL表示装置1は、基板2上に回路素子部14と表示素子部10が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部によって封止された構造を有する。表示素子部10は、画素電極111と、画素電極111上に積層された有機機能層Yと、有機機能層Y上に形成された共通電極12とからなる。共通電極12および封止部は透光性を有しており、本実施形態の有機EL表示装置1は、発光層から発した表示光が封止部側から出射される、いわゆるトップエミッション型の有機EL表示装置1として構成されている。
Next, a cross-sectional structure of the organic EL display device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b).
FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the organic EL display device of FIG. As shown in FIG. 4A, in the organic EL display device 1 of the present embodiment, the circuit element unit 14 and the display element unit 10 are sequentially stacked on the substrate 2, and the substrate surface on which the stacked body is formed is sealed. It has a structure sealed by a stop. The display element unit 10 includes a pixel electrode 111, an organic functional layer Y stacked on the pixel electrode 111, and a common electrode 12 formed on the organic functional layer Y. The common electrode 12 and the sealing portion have translucency, and the organic EL display device 1 of the present embodiment is a so-called top emission type in which display light emitted from the light emitting layer is emitted from the sealing portion side. The organic EL display device 1 is configured.

詳細には、図4(a)に示すように、基板2上に、シリコン酸化膜等からなる第1保護膜31、半導体層25、保持容量4を構成する第2容量電極16およびゲート絶縁膜35が積層されている。ここで、本実施形態においては、有機EL表示装置1はトップエミッション型を採用しているため、基板2には、透明基板、半透明基板、不透明基板のいずれを用いることもできる。透明または半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。   Specifically, as shown in FIG. 4A, on the substrate 2, a first protective film 31 made of a silicon oxide film or the like, a semiconductor layer 25, a second capacitor electrode 16 constituting the storage capacitor 4, and a gate insulating film 35 are laminated. Here, in the present embodiment, since the organic EL display device 1 employs a top emission type, any of a transparent substrate, a translucent substrate, and an opaque substrate can be used for the substrate 2. Examples of the transparent or translucent substrate include glass, quartz, and resin (plastic and plastic film). As the opaque substrate, for example, a ceramic sheet such as alumina or a metal sheet such as stainless steel subjected to an insulation treatment such as surface oxidation, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be given.

第1保護膜31上には、シリコン等の半導体材料の薄膜を所定形状にパターニングしてなる半導体層25および第2容量電極16が同層に平坦に形成され、これらを覆ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜35が形成されている。ここで、半導体層25は駆動用TFT123を構成しドレイン領域、ソース領域およびチャネル領域を有する。
ゲート絶縁膜35上には、半導体層25に対向して形成されるゲート電極15aと第2容量電極16に対向して形成される第1容量電極15とが同層に平坦に形成されている。第1絶縁膜36は、ゲート電極15aと第1容量電極15とを覆って形成されている。そして、コンタクトホール26、27は、第1絶縁膜36およびゲート絶縁膜35を貫通して半導体層25に到達し、半導体層25表面を露出させるようにして形成されている。
On the first protective film 31, a semiconductor layer 25 and a second capacitor electrode 16 formed by patterning a thin film of a semiconductor material such as silicon into a predetermined shape are formed flat in the same layer, covering these layers from the silicon oxide film. A gate insulating film 35 is formed. Here, the semiconductor layer 25 constitutes a driving TFT 123 and has a drain region, a source region, and a channel region.
On the gate insulating film 35, a gate electrode 15a formed opposite to the semiconductor layer 25 and a first capacitor electrode 15 formed opposite to the second capacitor electrode 16 are formed flat in the same layer. . The first insulating film 36 is formed so as to cover the gate electrode 15 a and the first capacitor electrode 15. The contact holes 26 and 27 are formed so as to penetrate the first insulating film 36 and the gate insulating film 35 to reach the semiconductor layer 25 and expose the surface of the semiconductor layer 25.

電源線103は、第1容量電極15上に第1絶縁膜36を介して平坦に形成され、コンタクトホール26を介して駆動用TFT123の半導体層25のソース領域に電気的に接続されている。ここで、電源線103の配線幅は、第1容量電極15とほぼ同じ配線幅であり、第1容量電極15の位置に重なるように平坦面に形成されている。電源線103は、例えばアルミニウム(Al)、クロム(Cr)またはタンタル(Tr)等の金属から構成されている。また、第2中継導電層24は、電源線103と同層に形成され、さらに、電源線103と同様の金属等から構成され、コンタクトホール27を介して画素電極111に電気的に接続されている(不図示)。   The power supply line 103 is formed flat on the first capacitor electrode 15 via the first insulating film 36 and is electrically connected to the source region of the semiconductor layer 25 of the driving TFT 123 via the contact hole 26. Here, the wiring width of the power supply line 103 is substantially the same as that of the first capacitor electrode 15 and is formed on a flat surface so as to overlap the position of the first capacitor electrode 15. The power supply line 103 is made of a metal such as aluminum (Al), chromium (Cr), or tantalum (Tr). Further, the second relay conductive layer 24 is formed in the same layer as the power supply line 103, and is made of the same metal as the power supply line 103 and is electrically connected to the pixel electrode 111 through the contact hole 27. (Not shown).

陰極補助配線107は、電源線103と同層に隣接して平坦に形成され、陰極補助配線107の配線幅は電源線103とほぼ同じ配線幅で形成されている。陰極補助配線107は、低抵抗の導電材料を使用するのが好ましく、例えばクロム(Cr)/金(Au)、チタン(Ti)/銅(Cu)/窒化チタン(TiN)等の金属から構成されている。なお、本実施形態では、陰極補助配線107は電源線103と同層に形成されているが、陰極補助配線107が形成されている領域の下層には上記第1容量電極15等が形成されていないため、これらの境界には段差が生じている。   The cathode auxiliary wiring 107 is formed flat adjacent to the same layer as the power supply line 103, and the wiring width of the cathode auxiliary wiring 107 is formed with substantially the same wiring width as that of the power supply line 103. The cathode auxiliary wiring 107 is preferably made of a low-resistance conductive material, and is made of, for example, a metal such as chromium (Cr) / gold (Au), titanium (Ti) / copper (Cu) / titanium nitride (TiN), or the like. ing. In this embodiment, the cathode auxiliary wiring 107 is formed in the same layer as the power supply line 103, but the first capacitor electrode 15 and the like are formed in the lower layer of the region where the cathode auxiliary wiring 107 is formed. Therefore, there is a step at these boundaries.

第2絶縁膜37は、電源線103、陰極補助配線107および信号線102等を覆って形成され、電源線103および陰極補助配線107上は段差部を除いた領域が平坦に形成されている。
画素電極111は、電源線103および陰極補助配線107上の平坦面に第2絶縁膜37を介して形成され、電源線103と陰極補助配線107との段差部を除く領域以外は平坦面となっている。画素電極111は、例えばアルミニウム、銀等の光反射性の高い金属等から構成され、正孔を有機機能層Yに注入する機能を有している。なお、上記電源線103および陰極補助配線107の材料に光反射性の高い金属を使用した場合には、画素電極111の材料にITO等の透明導電膜を使用することも好ましい。
バンク7を構成する第1バンク層7aは、画素電極111の開口部が長円形状となるように、画素電極111の周縁部から画素電極111が形成されていない第2絶縁膜37上にわたって形成されている。さらに、第1バンク層7aは、電源線103と陰極補助配線107との段差部上に形成され、電源線103および陰極補助配線107との段差部を境界として、それぞれの表示素子部10に対応した長円形状の開口部を形成するとともに、1画素Aを2つの表示素子部10に分割している。
The second insulating film 37 is formed so as to cover the power supply line 103, the cathode auxiliary wiring 107, the signal line 102, and the like, and on the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107, a region excluding the step portion is formed flat.
The pixel electrode 111 is formed on a flat surface on the power supply line 103 and the auxiliary cathode wiring 107 via the second insulating film 37, and is a flat surface except for a region excluding a step portion between the power supply line 103 and the auxiliary cathode wiring 107. ing. The pixel electrode 111 is made of, for example, a metal with high light reflectivity such as aluminum or silver, and has a function of injecting holes into the organic functional layer Y. In the case where a metal having high light reflectivity is used as the material for the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107, it is also preferable to use a transparent conductive film such as ITO as the material for the pixel electrode 111.
The first bank layer 7a constituting the bank 7 is formed from the peripheral edge of the pixel electrode 111 over the second insulating film 37 where the pixel electrode 111 is not formed so that the opening of the pixel electrode 111 has an oval shape. Has been. Further, the first bank layer 7a is formed on a stepped portion between the power supply line 103 and the auxiliary cathode wiring 107, and corresponds to each display element portion 10 with the stepped portion between the power supply line 103 and the auxiliary cathode wiring 107 as a boundary. In addition to forming the elliptical opening, one pixel A is divided into two display element portions 10.

そして、バンク7を構成する第2バンク層7bは、上述したように画素電極111の周縁部に一部重なるようにして第1バンク層7a上に形成されている。さらに、第2バンク層7bは、電源線103と陰極補助配線107との段差部上に形成された第1バンク層7a上に形成され、1画素Aを2つの表示素子部10に分割している。バンク7は、例えば、有機機能層Yから発光された光を遮断または抑制させるような材料により形成することが好ましい。例えば、第1バンク層7aの材料としてはSiO、TiO、SiN等を用いることが好ましく、また、第2バンク層7bの材料としてはアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることが好ましい。なお、バンク7は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等からなる単層から構成されることも好ましい。 The second bank layer 7b constituting the bank 7 is formed on the first bank layer 7a so as to partially overlap the peripheral portion of the pixel electrode 111 as described above. Further, the second bank layer 7 b is formed on the first bank layer 7 a formed on the step portion between the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107, and divides one pixel A into two display element portions 10. Yes. The bank 7 is preferably formed of a material that blocks or suppresses light emitted from the organic functional layer Y, for example. For example, it is preferable to use SiO 2 , TiO 2 , SiN or the like as the material of the first bank layer 7a, and it is preferable to use acrylic resin, polyimide resin or the like as the material of the second bank layer 7b. The bank 7 is also preferably composed of a single layer made of acrylic resin, polyimide resin, or the like.

バンク7間の凹部となっている領域の画素電極111上には、有機機能層Yが積層され
ている。有機機能層Yは、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層61と、正孔注入/輸送層上に形成された発光層62とから構成されている。正孔注入/輸送層61は、例えばポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層62は、赤色(R)に発光する赤色発光層、緑色(G)に発光する緑色発光層、および青色(B)に発光する青色発光層の3種類を有し、各色の発光層62がストライプ配置されている。この発光層62の材料としては、赤色発光層としてシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光層および青色発光層としてポリフェニレンビニレンなどを用いることができる。
An organic functional layer Y is stacked on the pixel electrode 111 in a region that is a recess between the banks 7. The organic functional layer Y includes a hole injection / transport layer 61 laminated on the pixel electrode 111 and a light emitting layer 62 formed on the hole injection / transport layer. For the hole injection / transport layer 61, for example, a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylene dioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid can be used. In addition, the light emitting layer 62 has three types, a red light emitting layer that emits red (R), a green light emitting layer that emits green (G), and a blue light emitting layer that emits blue (B). Layers 62 are arranged in stripes. As the material of the light emitting layer 62, cyanopyriphenylene vinylene can be used as the red light emitting layer, and polyphenylene vinylene can be used as the green light emitting layer and the blue light emitting layer.

共通電極12は、有機機能層Yおよびバンク7上を含む領域の全面を覆って形成され、上記画素電極111の対向電極として、電子を有機機能層Yに注入する機能を有している。また、共通電極12は、有機機能層Y上に形成されたバソフェンセシウム等からなる電子注入層と、本実施形態ではトップエミッション型の有機EL装置1を採用し、発光した光を共通電極12側から取り出す必要ため、電子注入層の上層にはITO等の透明導電膜とを備える2層構造となっている。共通電極12の上層は、酸素や水分の浸入を防止するための有機または/および無機の透明封止膜43で覆われ、さらに接着層44を介してカバーガラス45が設けられている。   The common electrode 12 is formed so as to cover the entire surface of the region including the organic functional layer Y and the bank 7, and has a function of injecting electrons into the organic functional layer Y as a counter electrode of the pixel electrode 111. Further, the common electrode 12 employs an electron injection layer made of bathophencesium or the like formed on the organic functional layer Y and a top emission type organic EL device 1 in this embodiment, and the emitted light is emitted from the common electrode 12. Since it needs to be taken out from the side, the upper layer of the electron injection layer has a two-layer structure including a transparent conductive film such as ITO. The upper layer of the common electrode 12 is covered with an organic or / and inorganic transparent sealing film 43 for preventing intrusion of oxygen and moisture, and a cover glass 45 is provided via an adhesive layer 44.

図4(b)は、図3の有機EL表示装置のB−B’に沿った断面図である。なお、上記図4(a)と同様の構成部分については説明を省略する。
図4(b)に示すように、基板2上に、第1保護膜31、第2容量電極16、ゲート絶縁膜35、第1容量電極15、第1絶縁膜36が積層されている。そして、この第1絶縁膜36上の同層には、電源線103、陰極補助配線107が形成され、これらを覆って第2絶縁膜37が形成されている。また、第2絶縁層37上には、画素電極111、バンク7が積層されている。
FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of the organic EL display device of FIG. Note that the description of the same components as those in FIG.
As shown in FIG. 4B, the first protective film 31, the second capacitor electrode 16, the gate insulating film 35, the first capacitor electrode 15, and the first insulating film 36 are stacked on the substrate 2. In the same layer on the first insulating film 36, the power source line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are formed, and the second insulating film 37 is formed so as to cover them. Further, the pixel electrode 111 and the bank 7 are stacked on the second insulating layer 37.

図4(a)のA−A’断面領域で、駆動用TFT123が形成されていた領域に、図4(b)のB−B’断面領域では、第2絶縁層37およびバンク7を貫通して陰極補助配線107に到達するコンタクトホール30が形成されている。また、図4(b)のB−B’断面領域では、陰極補助配線107の配線幅が他の部分と比較して広く形成され、コンタクトホール30の下層にまで延在し、陰極補助配線107と共通電極12とを電気的に接続するようになっている。   4A, in the region where the driving TFT 123 is formed, the second insulating layer 37 and the bank 7 are penetrated in the region BB ′ in FIG. 4B. Thus, a contact hole 30 reaching the cathode auxiliary wiring 107 is formed. Further, in the BB ′ cross-sectional area of FIG. 4B, the wiring width of the cathode auxiliary wiring 107 is formed wider than that of other portions, extends to the lower layer of the contact hole 30, and the cathode auxiliary wiring 107 is formed. And the common electrode 12 are electrically connected.

本実施形態によれば、画素電極111が、電源線103および陰極補助配線107の上層側に電源線103および陰極補助配線107と平面的に重なるように設けられている。すなわち、第1絶縁膜36を介して直接的に、電源線103および陰極補助配線107の上層側に画素電極111が形成される。従って、従来のように発光層から光を均一に発光させるためにTFT等を形成した基板の表面を有機または無機の絶縁層で平坦化し、この平坦面上に画素電極111を形成する工程を省略することができる。また、平坦化膜形成工程を省略することにより有機平坦化膜を使用する必要がないため、有機平坦化膜を酸素、水分が透過することもなく、表示品質の劣化を抑制することができる。   According to the present embodiment, the pixel electrode 111 is provided on the upper layer side of the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 so as to overlap the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 in a plane. That is, the pixel electrode 111 is formed directly on the upper side of the power supply line 103 and the auxiliary cathode wiring 107 through the first insulating film 36. Therefore, the conventional process of flattening the surface of the substrate on which the TFTs are formed in order to uniformly emit light from the light emitting layer with an organic or inorganic insulating layer and forming the pixel electrode 111 on this flat surface is omitted. can do. Further, since it is not necessary to use an organic flattening film by omitting the flattening film forming step, oxygen and moisture do not pass through the organic flattening film, and display quality deterioration can be suppressed.

また、本実施例によれば、電源線103および陰極補助配線107は、ストライプ状に略平行に設けられているため、電源線103および陰極補助配線107の上層側は平坦面となる。従って、画素電極111は、電源線103および陰極補助配線107の上層側の平坦面上に設けることができ、画素A内の光を均一に発光させることができるとともに、平坦化膜形成工程を省略することができる。
また、ウエットプロセスによって有機機能層Yを形成する高分子タイプの有機EL表示装置1の場合には、上記段差部には第1バンク層7aが形成されることによって表示素子部10が分割される。そのため、段差部によって形成される第1バンク層7aによって、画素電極111と共通電極12のショートを防止することができる。
また、電源線103および陰極補助配線107は、画素電極111を共有しているため、電源線103および陰極補助配線107にそれぞれ設けられた2つの表示素子部10を、画素電極111に接続されている1つの駆動回路により駆動することができる。従って、駆動回路の省スペース化を図ることができ、これによって、画素の開口率(発光面積率)の向上を図ることができる。この結果、有機EL表示装置の高輝度化を図ることができる。
さらに、陰極補助配線107と電源線103とはストライプ状に設けられているため、陰極補助配線107の配線幅を電源線103の配線幅とほぼ同じくして設けることも可能である。これにより、共通電極12に電流(電子)を供給する陰極補助配線107は、従来より配線幅が広くなるため低抵抗化でき、ITOからなる共通電極12に対して十分な電流を供給することができる。この結果、表示領域の周辺部と中央部で電圧降下による輝度のばらつきを解消することができ、有機EL表示装置1の高輝度化と表示品質の向上を図ることができる。
Further, according to the present embodiment, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are provided substantially in a stripe shape, and therefore the upper layer side of the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 is a flat surface. Therefore, the pixel electrode 111 can be provided on a flat surface on the upper layer side of the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107, and the light in the pixel A can be emitted uniformly, and the planarization film forming step is omitted. can do.
In the case of the polymer type organic EL display device 1 in which the organic functional layer Y is formed by a wet process, the display element portion 10 is divided by forming the first bank layer 7a at the stepped portion. . Therefore, a short circuit between the pixel electrode 111 and the common electrode 12 can be prevented by the first bank layer 7a formed by the step portion.
Further, since the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 share the pixel electrode 111, the two display element portions 10 provided respectively on the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are connected to the pixel electrode 111. It can be driven by a single driving circuit. Therefore, the space of the drive circuit can be saved, and thereby the aperture ratio (light emission area ratio) of the pixel can be improved. As a result, the brightness of the organic EL display device can be increased.
Further, since the cathode auxiliary wiring 107 and the power supply line 103 are provided in a stripe shape, the wiring width of the cathode auxiliary wiring 107 can be provided substantially the same as the wiring width of the power supply line 103. As a result, the auxiliary cathode wiring 107 for supplying current (electrons) to the common electrode 12 can be reduced in resistance because the wiring width is wider than before, and sufficient current can be supplied to the common electrode 12 made of ITO. it can. As a result, it is possible to eliminate the variation in luminance due to the voltage drop at the peripheral portion and the central portion of the display region, and it is possible to increase the luminance of the organic EL display device 1 and improve the display quality.

[第2の実施の形態]
以下、本実施形態について図5、図6を参照して説明する。
上記第1の実施形態においては電源線103と陰極補助配線107と同層に形成されていた。これに対して、本実施形態においては、電源線103と陰極補助配線107とが異なる層に形成されている点において異なる。その他の有機EL表示装置1の基本構成は第1の実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Second Embodiment]
Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to FIGS.
In the first embodiment, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are formed in the same layer. On the other hand, the present embodiment is different in that the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are formed in different layers. The other basic configuration of the organic EL display device 1 is the same as that of the first embodiment, and common constituent elements are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.

図5は、発光表示領域を構成する各画素Aの概略構成を示す平面図である。図5に示すように、R(赤)、G(緑)、B(青)の3原色の表示素子部10を備える各画素Aが平面視ストライプ状に配置されている。
図5に示すように、電源線103、陰極補助配線107および信号線102が互いに平行して図中縦方向に延在して配置され、これらと直交するように図中下側に走査線101が配置されている。そして、走査線101と信号線102との交差する点に対応してスイッチング用TFT112が設けられており、このスイッチング用TFT112に駆動用TFT123および保持容量4が接続されている。第1の実施形態と異なる点は、スイッチング用TFT112、駆動用TFT123等が画素Aの図中下側に配置されている点である。
FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of each pixel A constituting the light emitting display region. As shown in FIG. 5, each pixel A including the display element portions 10 of the three primary colors R (red), G (green), and B (blue) is arranged in a stripe shape in plan view.
As shown in FIG. 5, the power supply line 103, the cathode auxiliary wiring 107, and the signal line 102 are arranged in parallel with each other so as to extend in the vertical direction in the drawing, and on the lower side in the drawing so as to be orthogonal to these. Is arranged. A switching TFT 112 is provided corresponding to the intersection of the scanning line 101 and the signal line 102, and the driving TFT 123 and the storage capacitor 4 are connected to the switching TFT 112. The difference from the first embodiment is that the switching TFT 112, the driving TFT 123, and the like are arranged on the lower side of the pixel A in the drawing.

次に、本実施形態の有機EL表示装置1の断面構造について図6(a)、(b)を参照して説明する。
図6(a)は、図5の有機EL表示装置のC−C’に沿った断面図である。図6(a)に示すように、基板2上に、第1保護膜31、保持容量4を構成する第2容量電極16、ゲート絶縁膜35、保持容量4を構成する第1容量電極15、第1絶縁膜36が積層されている。そして、第1絶縁膜36上には、第1容量電極15の配線幅とほぼ等しく、かつ第1容量電極15の位置と重なるようにして電源線103が形成され、これらを覆って第2絶縁膜37が形成されている。
Next, a cross-sectional structure of the organic EL display device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 6A is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of the organic EL display device of FIG. As shown in FIG. 6A, on the substrate 2, a first protective film 31, a second capacitor electrode 16 constituting the storage capacitor 4, a gate insulating film 35, a first capacitor electrode 15 forming the storage capacitor 4, A first insulating film 36 is stacked. A power line 103 is formed on the first insulating film 36 so as to be substantially equal to the wiring width of the first capacitor electrode 15 and to overlap the position of the first capacitor electrode 15, and covers the second insulating film 36 to cover the second insulating film 36. A film 37 is formed.

第2絶縁膜37上には、陰極補助配線107が平坦に形成され、陰極補助配線107を含む全面を覆って第3絶縁膜38が形成されている。ここで、陰極補助配線107は、上記電源線103とは異なる層に形成され、電源線103が形成された位置とは重ならない領域に形成されている。第3絶縁膜38上には、下層側に平面視ストライプ状に形成されている電源線103と陰極補助配線107とに重なるように画素電極111が平坦に形成されている。バンク7は、画素電極111の開口部が矩形形状となるように、画素電極111の周縁部から画素電極111が形成されていない第3絶縁膜38上に形成されている。さらに、バンク7は、電源線103と陰極補助配線107との段差部上に形成され、電源線103および陰極補助配線107との段差部を境界として、それぞれに対応した矩形形状の開口部を形成するとともに、1画素Aを2つの表示素子部10に分割している。画素電極111およびバンク7上には、有機機能層Y、共通電極12、透明封止膜43、接着層44、カバーガラス45が積層されている。なお、バンク7は、上記第1の実施形態において説明したように、第1バンク層7aとこの第1バンク層7a上に形成される第2バンク層7bとから構成されている。   On the second insulating film 37, a cathode auxiliary wiring 107 is formed flat, and a third insulating film 38 is formed so as to cover the entire surface including the cathode auxiliary wiring 107. Here, the auxiliary cathode wiring 107 is formed in a layer different from the power line 103 and is formed in a region that does not overlap with the position where the power line 103 is formed. On the third insulating film 38, the pixel electrode 111 is formed flat so as to overlap the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 formed in a stripe shape in plan view on the lower layer side. The bank 7 is formed on the third insulating film 38 where the pixel electrode 111 is not formed from the peripheral portion of the pixel electrode 111 so that the opening of the pixel electrode 111 has a rectangular shape. Further, the bank 7 is formed on a stepped portion between the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107, and a rectangular opening corresponding to each step is formed with the stepped portion between the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 as a boundary. In addition, one pixel A is divided into two display element portions 10. On the pixel electrode 111 and the bank 7, the organic functional layer Y, the common electrode 12, the transparent sealing film 43, the adhesive layer 44, and the cover glass 45 are laminated. Note that the bank 7 includes the first bank layer 7a and the second bank layer 7b formed on the first bank layer 7a as described in the first embodiment.

図6(b)は、図3の有機EL表示装置のD−D’に沿った断面図である。なお、上記図6(a)と同様の構成部分については説明を省略する。
図6(b)に示すように、基板2上に第1保護膜31、シリコン等の半導体材料の薄膜を所定形状にパターニングしてなる駆動用TFT123の半導体層25、ゲート絶縁膜35が積層されている。駆動用TFT123のゲート電極15aは、ゲート絶縁膜35を介して半導体層25に対向して形成され、ゲート電極15aを含む全面を覆って第1絶縁膜36が形成されている。ここで、半導体層25は、ドレイン領域、チャネル領域およびソース領域を有する。そして、コンタクトホール26、27は、第1絶縁膜36およびゲート絶縁膜35を貫通して半導体層25に到達し、半導体層25表面を露出させるようにして形成されている。
FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of the organic EL display device of FIG. Note that the description of the same components as those in FIG.
As shown in FIG. 6B, a first protective film 31, a semiconductor layer 25 of a driving TFT 123 formed by patterning a thin film of a semiconductor material such as silicon into a predetermined shape, and a gate insulating film 35 are laminated on the substrate 2. ing. The gate electrode 15a of the driving TFT 123 is formed to face the semiconductor layer 25 with the gate insulating film 35 interposed therebetween, and the first insulating film 36 is formed to cover the entire surface including the gate electrode 15a. Here, the semiconductor layer 25 has a drain region, a channel region, and a source region. The contact holes 26 and 27 are formed so as to penetrate the first insulating film 36 and the gate insulating film 35 to reach the semiconductor layer 25 and expose the surface of the semiconductor layer 25.

電源線103は第1絶縁膜36上に形成され、コンタクトホール26を介して駆動用TFT123のソース領域に電気的に接続されている。また、電源線103と同層に形成される第2中継導電層24は、コンタクトホール27を介して駆動用TFT123のドレイン領域に接続されている。そして、これらを覆って第2絶縁膜37が形成され、第2絶縁膜37上には陰極補助配線107が形成されている。コンタクトホール28aは、第2絶縁膜37を貫通して第2中継導電層24に到達し、第2中継導電層24表面を露出させるようにして形成され、コンタクトホール28a内部には、陰極補助配線107の一部が充填されている。コンタクトホール28aの周縁部には第2絶縁膜37が形成され、コンタクトホール28aに充填されている陰極補助配線107とコンタクトホール28aの周縁部に形成されている陰極補助配線107とを絶縁している。第3絶縁膜38は陰極補助配線107を覆って形成されている。   The power supply line 103 is formed on the first insulating film 36 and is electrically connected to the source region of the driving TFT 123 through the contact hole 26. The second relay conductive layer 24 formed in the same layer as the power supply line 103 is connected to the drain region of the driving TFT 123 through the contact hole 27. A second insulating film 37 is formed so as to cover these, and a cathode auxiliary wiring 107 is formed on the second insulating film 37. The contact hole 28a is formed so as to penetrate the second insulating film 37 to reach the second relay conductive layer 24 and expose the surface of the second relay conductive layer 24. Inside the contact hole 28a, the cathode auxiliary wiring is formed. Part of 107 is filled. A second insulating film 37 is formed on the peripheral edge of the contact hole 28a to insulate the auxiliary cathode wiring 107 filled in the contact hole 28a from the auxiliary cathode wiring 107 formed on the peripheral edge of the contact hole 28a. Yes. The third insulating film 38 is formed so as to cover the cathode auxiliary wiring 107.

コンタクトホール28bは、第3絶縁膜38を貫通して、上記コンタクトホール28aに充填された陰極補助配線107の一部に到達している。そして、画素電極111は、コンタクトホール28bを介して、陰極補助配線107の一部に接続され、この陰極補助配線107の一部を中継層にして第2中継導電層24に電気的に接続されている。   The contact hole 28b penetrates the third insulating film 38 and reaches a part of the cathode auxiliary wiring 107 filled in the contact hole 28a. The pixel electrode 111 is connected to a part of the cathode auxiliary wiring 107 through the contact hole 28b, and is electrically connected to the second relay conductive layer 24 using a part of the cathode auxiliary wiring 107 as a relay layer. ing.

コンタクトホール30は、第3絶縁膜38を貫通して陰極補助配線107に到達し、陰極補助配線107表面を露出させるようにして形成されている。そして、画素電極111と同層の導電層334は、コンタクトホール30を介して陰極補助配線107に電気的に接続され、さらに、バンク7を貫通するコンタクトホール30が、画素電極111と同層の導電層334を露出させるように形成されている。この画素電極111と同層の導電層334およびバンク7全面に共通電極12が形成され、共通電極12と陰極補助配線107とが電気的に接続されている。   The contact hole 30 is formed so as to penetrate the third insulating film 38 and reach the cathode auxiliary wiring 107 and expose the surface of the cathode auxiliary wiring 107. The conductive layer 334 in the same layer as the pixel electrode 111 is electrically connected to the cathode auxiliary wiring 107 through the contact hole 30, and the contact hole 30 penetrating the bank 7 is in the same layer as the pixel electrode 111. The conductive layer 334 is formed so as to be exposed. The common electrode 12 is formed on the entire surface of the conductive layer 334 and the bank 7 in the same layer as the pixel electrode 111, and the common electrode 12 and the cathode auxiliary wiring 107 are electrically connected.

このように、上記第1の実施形態においては、電源線103と陰極補助配線107とはともに第2層目に形成されていたが、本実施形態においては、電源線103は第2層目に、陰極補助配線107は第3層目に形成されている点において異なる。すなわち、本実施形態では、電源線103と陰極補助配線107とは異なる層に形成されている。
本実施形態によれば、スイッチング用TFT112および駆動用TFT123を、陰極補助配線107の下層側に配置することができるため設計の自由度が向上する。また図5では、発光領域の面積がそれほど大きく見えないが、実際は配線やTFTの配置を最適化することによって、発光領域を広げることが可能である。
As described above, in the first embodiment, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are both formed in the second layer. However, in the present embodiment, the power supply line 103 is formed in the second layer. The cathode auxiliary wiring 107 is different in that it is formed in the third layer. That is, in this embodiment, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are formed in different layers.
According to the present embodiment, since the switching TFT 112 and the driving TFT 123 can be arranged on the lower layer side of the cathode auxiliary wiring 107, the degree of freedom in design is improved. In FIG. 5, although the area of the light emitting region does not seem so large, the light emitting region can be expanded by actually optimizing the arrangement of wirings and TFTs.

[第3の実施の形態]
以下、本実施形態について図7、図8を参照して説明する。
上記第1の実施形態においては、電源線103と陰極補助配線107とが同層かつストライプ状に形成されていた。これに対して、本実施形態においては、電源線103が陰極補助配線107に重なるようにして異なる層に形成されている点において異なる。なお、その他の有機EL表示装置1の基本構成は第1の実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Third Embodiment]
Hereinafter, this embodiment will be described with reference to FIGS.
In the first embodiment, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are formed in the same layer and in stripes. On the other hand, the present embodiment is different in that the power supply line 103 is formed in a different layer so as to overlap the cathode auxiliary wiring 107. The other basic configuration of the organic EL display device 1 is the same as that of the first embodiment, and common constituent elements are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.

図7は、発光表示領域を構成する各画素の概略構成を示す平面図である。
図7に示すように、R(赤)、G(緑)、B(青)の3原色の表示素子部10を備える各画素Aが平面視ストライプ状に配置されている。信号線102、電源線103および陰極補助配線107が互いに平行して図中縦方向に延在して配置され、これらと直交するように走査線101が配置されている。そして、信号線102と走査線101との交差する点に対応してスイッチング用TFT112が設けられており、このスイッチング用TFT112に駆動用TFT123および保持容量4が接続されている。
FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of each pixel constituting the light emitting display region.
As shown in FIG. 7, each pixel A including display elements 10 of the three primary colors R (red), G (green), and B (blue) is arranged in a stripe shape in plan view. The signal line 102, the power supply line 103, and the cathode auxiliary wiring 107 are arranged in parallel with each other so as to extend in the vertical direction in the figure, and the scanning line 101 is arranged so as to be orthogonal thereto. A switching TFT 112 is provided corresponding to the intersection of the signal line 102 and the scanning line 101, and the driving TFT 123 and the storage capacitor 4 are connected to the switching TFT 112.

また、図7に示すように、電源線103は、スイッチング用TFT112、駆動用TFT123および保持容量4等が形成されている領域を除いて、画素A全域に矩形形状に形成され、駆動用TFT123の半導体層25のソース領域に接続されている。陰極補助配線107は、電源線103の下層側に形成され、上記電源線103とほぼ同じ面積で矩形形状に形成されている。すなわち、本実施形態においては、電源線103と陰極補助配線107とは異なる層に形成され、さらに、電源線103と陰極補助配線107とが第1絶縁膜36を介して互いに重なって平坦に形成されている。   Further, as shown in FIG. 7, the power supply line 103 is formed in a rectangular shape throughout the pixel A except for the region where the switching TFT 112, the driving TFT 123, the storage capacitor 4 and the like are formed. It is connected to the source region of the semiconductor layer 25. The cathode auxiliary wiring 107 is formed on the lower layer side of the power supply line 103 and is formed in a rectangular shape with substantially the same area as the power supply line 103. That is, in the present embodiment, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are formed in different layers, and further, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are formed to overlap each other with the first insulating film 36 therebetween. Has been.

また、陰極補助配線107は、本実施形態では配線という文言を使用しているが、1画素Aごとに分離して、電源線103の下層側に重なって矩形形状に形成されている。そのため、電流を図中縦方向に隣接して配列されている画素A(不図示)に電流を流すため、陰極補助配線107は、複数のコンタクトホール41を介して第3中継層19に接続されている。そして、第3中継層19は、図中縦方向に隣接して配列されている画素A(不図示)の陰極補助配線107にコンタクトホール41を介して接続され、隣接する画素A間の陰極補助配線107同士が電気的に接続されている。また、陰極補助配線107は、コンタクトホール30を介して共通電極12(不図示)に電気的に接続されている。   In addition, although the term “wiring” is used in the present embodiment, the auxiliary cathode wiring 107 is formed in a rectangular shape by being separated for each pixel A and overlapping the lower layer side of the power supply line 103. For this reason, the cathode auxiliary wiring 107 is connected to the third relay layer 19 through the plurality of contact holes 41 in order to pass the current to the pixels A (not shown) arranged adjacent in the vertical direction in the drawing. ing. The third relay layer 19 is connected to the cathode auxiliary wiring 107 of the pixels A (not shown) arranged adjacent to each other in the vertical direction in the drawing via the contact hole 41, and the cathode auxiliary between the adjacent pixels A is provided. The wirings 107 are electrically connected. The auxiliary cathode wiring 107 is electrically connected to the common electrode 12 (not shown) through the contact hole 30.

第1容量電極15および第2容量電極16は、電源線103および陰極補助配線107が互いに積層して形成されているため、駆動用TFT123の図中下方側に形成されている。そして、画素電極111は、絶縁膜を介して電源線103上に、駆動用TFT123および配線等を除く領域全面に矩形形状により形成されている。また、画素電極111は、コンタクトホール28を介して第2中継導電層24に接続されている。バンク7(隔壁)は、画素電極111の周縁部に一部重なるようにして形成されている。なお、バンク7は、上記第1および第2の実施形態において説明したように、第1バンク層7aとこの第1バンク層7a上に形成される第2バンク層7bとから構成されている。   The first capacitor electrode 15 and the second capacitor electrode 16 are formed on the lower side of the driving TFT 123 in the figure because the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are stacked on each other. The pixel electrode 111 is formed in a rectangular shape over the entire region excluding the driving TFT 123 and the wiring on the power supply line 103 via an insulating film. The pixel electrode 111 is connected to the second relay conductive layer 24 through the contact hole 28. The bank 7 (partition wall) is formed so as to partially overlap the peripheral edge of the pixel electrode 111. As described in the first and second embodiments, the bank 7 includes the first bank layer 7a and the second bank layer 7b formed on the first bank layer 7a.

次に、本実施形態の有機EL表示装置1の断面構造について図8を参照して説明する。
図8は、図7の有機EL表示装置のE−E’に沿った断面図である。図8に示すように、基板2上に、第1保護膜31、第2容量電極16、ゲート絶縁膜35が積層されている。第1容量電極15は、ゲート絶縁膜35を介して第2容量電極16と対向して形成され、第1容量電極15と第2容量電極16とで保持容量4を構成している。陰極補助配線107は、第1容量電極15と同層に形成され、第2容量電極16を除くほぼ全域に平坦に形成されている。第1絶縁膜36は、陰極補助配線107を含む第1配線層上を覆って形成されている。電源線103は、第1絶縁膜36を介して陰極補助配線107に対向して形成され、陰極補助配線107とほぼ同じ配線幅で画素A全域に平坦に形成されている。画素電極111は、平坦に形成された電源線103上に第2絶縁膜37を介して、電源線103に重なるようにして形成されている。第1バンク層7aと第2バンク層7bとから構成されるバンク7は、画素電極111の開口部が矩形形状となるように、画素電極111の周縁部から画素電極111が形成されていない第2絶縁膜37に形成されている。
Next, a cross-sectional structure of the organic EL display device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line EE ′ of the organic EL display device of FIG. As shown in FIG. 8, the first protective film 31, the second capacitor electrode 16, and the gate insulating film 35 are stacked on the substrate 2. The first capacitor electrode 15 is formed to face the second capacitor electrode 16 with the gate insulating film 35 interposed therebetween, and the first capacitor electrode 15 and the second capacitor electrode 16 constitute the storage capacitor 4. The auxiliary cathode wiring 107 is formed in the same layer as the first capacitor electrode 15, and is formed flat substantially over the entire area excluding the second capacitor electrode 16. The first insulating film 36 is formed so as to cover the first wiring layer including the cathode auxiliary wiring 107. The power supply line 103 is formed to face the cathode auxiliary wiring 107 with the first insulating film 36 interposed therebetween, and is formed flat over the entire area of the pixel A with substantially the same wiring width as the cathode auxiliary wiring 107. The pixel electrode 111 is formed on the power supply line 103 formed flat so as to overlap the power supply line 103 through the second insulating film 37. In the bank 7 composed of the first bank layer 7a and the second bank layer 7b, the pixel electrode 111 is not formed from the peripheral edge of the pixel electrode 111 so that the opening of the pixel electrode 111 has a rectangular shape. Two insulating films 37 are formed.

本実施形態によれば、電源線103と陰極補助配線107とが平面的に重なって設けられるので、有機EL表示装置1の構造により、電源線103と陰極補助配線107とをストライプ状に設けた場合に生じる弊害、すなわち、電源線103と陰極補助配線107との境界に段差が生じることを回避することができる。従って、電源線103を陰極補助配線107上に積層しているため、段差部を介さない平坦な領域を形成することができる。その結果、電源線103と陰極補助配線107との境界に段差部がないため、段差部を境界として表示素子部10を分割させる必要がなくなり、画素電極111を大きな面積で形成することができる。よって、画素Aの開口率(発光面積率)を向上させることができ、有機EL表示装置1の高輝度化を図ることができる。   According to the present embodiment, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are provided so as to overlap each other in a plan view. Therefore, the power supply line 103 and the cathode auxiliary wiring 107 are provided in a stripe shape depending on the structure of the organic EL display device 1. It is possible to avoid the adverse effects that occur in some cases, that is, the occurrence of a step at the boundary between the power line 103 and the cathode auxiliary wiring 107. Therefore, since the power supply line 103 is laminated on the cathode auxiliary wiring 107, a flat region without a stepped portion can be formed. As a result, since there is no step portion at the boundary between the power supply line 103 and the auxiliary cathode wiring 107, there is no need to divide the display element portion 10 with the step portion as a boundary, and the pixel electrode 111 can be formed with a large area. Therefore, the aperture ratio (light emission area ratio) of the pixel A can be improved, and the luminance of the organic EL display device 1 can be increased.

[電子機器]
以下、本発明の上記実施形態の有機EL表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図9は、有機ELテレビジョン1200の一例を示した斜視図である。図9において、符号1202はテレビジョン本体、符号1203はスピーカーを示し、符号1201は上記有機EL表示装置を用いた表示部を示している。なお、上述した有機EL表示装置1は、上記有機ELテレビジョン以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)およびエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。
[Electronics]
Hereinafter, specific examples of the electronic apparatus including the organic EL display device according to the embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a perspective view showing an example of the organic EL television 1200. In FIG. 9, reference numeral 1202 denotes a television body, reference numeral 1203 denotes a speaker, and reference numeral 1201 denotes a display unit using the organic EL display device. The organic EL display device 1 described above can be applied to various electronic devices other than the organic EL television. For example, projectors, multimedia-compatible personal computers (PCs) and engineering workstations (EWS), pagers, word processors, viewfinder type or monitor direct view type video tape recorders, electronic notebooks, electronic desk calculators, car navigation systems, POS The present invention can be applied to electronic devices such as terminals and devices provided with touch panels.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記実施形態で用いた共通陰極用配線の平面形状、材料、共通電極用コンタクトホールの配置等の具体的な構成は適宜変更が可能である。さらに、R(赤)、G(緑)、B(青)の各発光層をストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、さまざまな配置構造を採用することができる。例えばストライプ配置の他、モザイク配置や、デルタ配置とすることもできる。また、上記実施形態では、フルカラーを実現する原理として3色発光法を使用したが、フィルタ法(白色法)、色変換法等の種々の方法によりフルカラーを実現することも可能である。
また、本実施形態では、電源線103および陰極補助配線107の配線幅をほぼ同じくして形成したが、電源線103および陰極補助配線107の配線幅の比率を適宜変更して形成する可能である。
また、本実施形態では画素電極111に反射率が高い材料を使用したが、反射率が低い材料を使用した場合でも、反射防止光学フィルターを省略してパネル輝度を向上させることが可能である。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, the specific configuration of the common cathode wiring used in the above embodiment, such as the planar shape, material, and arrangement of common electrode contact holes, can be changed as appropriate. Further, the case where the light emitting layers of R (red), G (green), and B (blue) are arranged in stripes has been described, but the present invention is not limited to this, and various arrangement structures can be adopted. For example, in addition to the stripe arrangement, a mosaic arrangement or a delta arrangement may be used. In the above embodiment, the three-color light emission method is used as a principle for realizing full color. However, full color can be realized by various methods such as a filter method (white method) and a color conversion method.
In the present embodiment, the power supply line 103 and the auxiliary cathode wiring 107 are formed with substantially the same wiring width, but the ratio of the power supply line 103 and the auxiliary cathode wiring 107 can be appropriately changed. .
In the present embodiment, a material having a high reflectance is used for the pixel electrode 111. However, even when a material having a low reflectance is used, it is possible to improve the panel luminance by omitting the antireflection optical filter.

本発明の有機EL表示装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the organic EL display device of the present invention. 第1実施形態の有機EL表示装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the organic electroluminescence display of 1st Embodiment. 同、有機EL表示装置のRGB画素のパターンを示す平面図である。It is a top view which shows the pattern of the RGB pixel of an organic electroluminescent display apparatus similarly. (a)は図3のA−A‘線に沿う断面図、(b)は図3のB−B‘に沿う断面図である。(A) is sectional drawing which follows the AA 'line of FIG. 3, (b) is sectional drawing which follows BB' of FIG. 第2実施形態の有機EL表示装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the organic electroluminescence display of 2nd Embodiment. (a)は図5のC−C‘線に沿う断面図、(b)は図5のD−D‘に沿う断面図である。(A) is sectional drawing which follows the CC line of FIG. 5, (b) is sectional drawing which follows DD of FIG. 第3実施形態の有機EL表示装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the organic electroluminescence display of 3rd Embodiment. 図7のE−E‘線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the EE 'line | wire of FIG. 本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…有機EL表示装置、 10…表示素子部(有機EL素子)、 12…共通電極(第2電極)、 103…電源線(第1導電部)、 107…陰極補助配線(第2導電部)、 111…画素電極(第1電極) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display apparatus, 10 ... Display element part (organic EL element), 12 ... Common electrode (2nd electrode), 103 ... Power supply line (1st electroconductive part), 107 ... Cathode auxiliary wiring (2nd electroconductive part) 111 ... Pixel electrode (first electrode)

Claims (7)

スイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた発光層と、少なくとも前記第1電極、前記第2電極および前記発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含むマトリクス状に配置された複数の画素と、を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第1電極に電流を供給するための第1導電部と、前記第2電極に電流を供給するための第2導電部とを備え、
前記第1導電部および前記第2導電部は、第1の絶縁膜を介して上面が平坦に形成されるとともに同層に設けられており、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、前記第1導電部および前記第2導電部の前記上面における平坦領域にそれぞれ第2の絶縁膜を介して形成され、
前記各画素内において、前記第1導電部と前記第2導電部とに前記有機エレクトロルミネッセンス素子が分割して設けられ、前記第1導電部と前記第2導電部とに設けられた前記有機エレクトロルミネッセンス素子が前記第1電極を共有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
A switching element; a first electrode electrically connected to the switching element; a second electrode provided to face the first electrode; and the first electrode and the second electrode. An organic electroluminescence device comprising: a light emitting layer; and a plurality of pixels arranged in a matrix including an organic electroluminescence element having at least the first electrode, the second electrode, and the light emitting layer,
A first conductive part for supplying current to the first electrode; and a second conductive part for supplying current to the second electrode;
The first conductive portion and the second conductive portion are provided in the same layer with the upper surface formed flat via a first insulating film,
The organic electroluminescence element is formed in a flat region on the upper surface of the first conductive portion and the second conductive portion via a second insulating film, respectively.
In each pixel, the organic electroluminescence element is divided and provided in the first conductive portion and the second conductive portion, and the organic electroluminescence element provided in the first conductive portion and the second conductive portion. the organic electroluminescent device luminescent device is characterized that you share the first electrode.
スイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた発光層と、少なくとも前記第1電極、前記第2電極および前記発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含むマトリクス状に配置された複数の画素と、を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第1電極に電流を供給するための第1導電部と、前記第2電極に電流を供給するための第2導電部とを備え、
前記第1導電部は、第1の絶縁膜を介して上面が平坦に形成され、
前記第2導電部は、第1の絶縁膜、および前記第1導電部を覆う第2の絶縁膜を介して上面が平坦に形成されており、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、前記第1導電部の前記上面における平坦領域に前記第2の絶縁膜、および該第2の絶縁膜を覆う第3の絶縁膜を介して形成されるとともに、前記第2導電部の前記上面における平坦領域に前記第3の絶縁膜を介して形成され、
前記各画素内において、前記第1導電部と前記第2導電部とに前記有機エレクトロルミネッセンス素子が分割して設けられ、前記第1導電部と前記第2導電部とに設けられた前記有機エレクトロルミネッセンス素子が前記第1電極を共有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
A switching element; a first electrode electrically connected to the switching element; a second electrode provided to face the first electrode; and the first electrode and the second electrode. An organic electroluminescence device comprising: a light emitting layer; and a plurality of pixels arranged in a matrix including an organic electroluminescence element having at least the first electrode, the second electrode, and the light emitting layer,
A first conductive part for supplying current to the first electrode; and a second conductive part for supplying current to the second electrode;
The first conductive portion is formed with a flat upper surface through a first insulating film,
The second conductive portion has a flat upper surface through a first insulating film and a second insulating film covering the first conductive portion,
The organic electroluminescence element is formed in a flat region on the upper surface of the first conductive portion via the second insulating film and a third insulating film that covers the second insulating film, and the first Formed in a flat region on the upper surface of the two conductive portions through the third insulating film,
In each pixel, the organic electroluminescence element is divided and provided in the first conductive portion and the second conductive portion, and the organic electroluminescence element provided in the first conductive portion and the second conductive portion. An organic electroluminescence device, wherein a luminescence element shares the first electrode .
前記第1導電部が電源線であり、前記第2導電部が陰極補助配線であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the first conductive portion is a power supply line, and the second conductive portion is a cathode auxiliary wiring . 前記第1導電部および前記第2導電部がそれぞれストライプ状に設けられ、前記第1電極の下層側にそれぞれ平面視略平行に配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The first conductive portion and the second conductive portion are respectively provided in a stripe shape, and are disposed substantially parallel to each other on a lower layer side of the first electrode in plan view. The organic electroluminescence device according to any one of the above. 前記第1電極が、前記各画素内において、前記第1導電部および前記第2導電部のほぼ全面積にわたって設けられたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 5. The device according to claim 1, wherein the first electrode is provided over substantially the entire area of the first conductive portion and the second conductive portion in each pixel. 6. Organic electroluminescence device. 前記第2導電部と前記第2電極とが、これらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 6. The device according to claim 1, wherein the second conductive portion and the second electrode are electrically connected through a contact hole penetrating an insulating layer interposed therebetween. 2. The organic electroluminescence device according to item 1 . 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器 An electronic apparatus comprising the organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 6 .
JP2004188347A 2004-06-25 2004-06-25 Electro-optical device and electronic apparatus Expired - Fee Related JP4639662B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004188347A JP4639662B2 (en) 2004-06-25 2004-06-25 Electro-optical device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004188347A JP4639662B2 (en) 2004-06-25 2004-06-25 Electro-optical device and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006011059A JP2006011059A (en) 2006-01-12
JP4639662B2 true JP4639662B2 (en) 2011-02-23

Family

ID=35778396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004188347A Expired - Fee Related JP4639662B2 (en) 2004-06-25 2004-06-25 Electro-optical device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4639662B2 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4857775B2 (en) * 2006-01-18 2012-01-18 セイコーエプソン株式会社 Electro-optic device
JP5316659B2 (en) * 2006-01-24 2013-10-16 セイコーエプソン株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
CN102903734B (en) 2006-06-19 2015-07-15 索尼株式会社 Luminous display device and manufacturing method thereof
US7863612B2 (en) 2006-07-21 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
JP4702395B2 (en) * 2008-05-20 2011-06-15 ソニー株式会社 Display device and electronic device
KR101572084B1 (en) 2008-07-16 2015-11-26 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
JP5590285B2 (en) 2009-03-06 2014-09-17 ソニー株式会社 Display device
CN102972094B (en) 2010-06-18 2015-11-25 株式会社日本有机雷特显示器 Organic EL display
WO2012042565A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 パナソニック株式会社 El display panel, el display device, and method for producing el display panel
JP5592365B2 (en) * 2010-09-29 2014-09-17 パナソニック株式会社 EL display panel, EL display device, and method of manufacturing EL display panel

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2004006137A (en) * 2002-05-31 2004-01-08 Seiko Epson Corp Electro-optical device, its manufacturing method, and electronic apparatus
JP2005538404A (en) * 2002-09-05 2005-12-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Electroluminescent display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2004006137A (en) * 2002-05-31 2004-01-08 Seiko Epson Corp Electro-optical device, its manufacturing method, and electronic apparatus
JP2005538404A (en) * 2002-09-05 2005-12-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Electroluminescent display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006011059A (en) 2006-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100537653B1 (en) Light emmision device and electronic apparatus
JP5167932B2 (en) Organic electroluminescence device
KR101695082B1 (en) Display device
JP4262902B2 (en) Electroluminescence display device
KR102652572B1 (en) Flexible electroluminesence display
US6541910B2 (en) Organic el display
WO2021121095A1 (en) Array substrate, display panel, and display device
JP2017117594A (en) Organic EL display device
KR20100034436A (en) Organic electro-luminescent device and the method for fabricating thereof
WO2020100441A1 (en) Display device and method for manufacturing same
JP4639662B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP3933169B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP7478521B2 (en) Organic EL display device
JP6728312B2 (en) Electroluminescent display
CN111312769A (en) Display panel
JP2005085737A (en) Self-light-emitting type display device and electronic equipment
JP2007184256A (en) Dual panel type organic electroluminescent display device and its manufacturing method
WO2023283996A1 (en) Double-sided display panel and display apparatus
WO2019073680A1 (en) Display device
JP3912413B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP2007286212A (en) Organic el display device
JP2005158493A (en) Organic electroluminescence device and electronic equipment
US9966422B2 (en) Organic electro-luminescent display device having pixel including fin structure
JP7220084B2 (en) Display device
CN100573905C (en) Light-emitting device and electronic instrument

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070403

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070405

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20100805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100928

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101102

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4639662

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees