JP4918365B2 - フッ素化フェニルピリジン配位子を有するエレクトロルミネセンスイリジウム化合物、およびかかる化合物で製造されたデバイス - Google Patents
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Description
本出願は、2004年1月30日に出願された米国特許出願第10/768,298号明細書の一部継続出願、2003年2月13日に出願された米国特許出願第10/366,295号明細書の一部継続出願である。
R1=H、R4、OR4、N(R4)2
R2=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN
R3=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN、
R4は、各出現時に、同一または異なっており、H、アルキル、アリールであるか、または隣接したR4基が互いに結合して5または6員環を形成することができ、
L’=二座配位子であり、かつフェニルピリジン、フェニルピリミジン、またはフェニルキノリンでなく;
L’’=一座配位子であり、かつフェニルピリジン、およびフェニルピリミジン、またはフェニルキノリンでなく;
m=1、2または3であり、
nは1〜20の整数であり、
y=0、1または2であり、
z=0または1〜4の整数であり、
ただし、前記化合物が電荷中性であり、かつイリジウムが六座配位である]
を有するイリジウム化合物(一般に「Ir(III)化合物」と称される)に関する。
1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオネート[DI]
2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート[TMH]
4,4,4−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−1,3−ブタンジオネート[TTFA]
7,7−ジメチル−1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−4,6−オクタンジオネート[FOD]
1,1,1,3,5,5,5−ヘプタフルオロ−2,4−ペンタンジオネート[F7acac]
1,1,1,5,5,5−ヘキサフロウロ(hexaflouro)−2,4−ペンタンジオネート[F6acac]
1−フェニル−3−メチル−4−i−ブチリル−ピラゾリノネート[FMBP]
8−ヒドロキシキノリネート[8hq]
2−メチル−8−ヒドロキシキノリネート[Me−8hq]
10−ヒドロキシベンゾキノリネート[10−hbq]
親ヒドロキシキノリン化合物は一般に市販されている。
R7は、各出現時に、同一または異なっていてもよく、HおよびCn(H+F)2n+1から選択され、
R8は、各出現時に、同一または異なっていてもよく、Cn(H+F)2n+1およびC6(H+F)5、またはC6H5−b(R9)bから選択され、
R9=CF3、C2F5、n−C3F7、i−C3F7、C4F9、CF3SO2であり、
φは2または3であり、
bは0〜5であり、
nは1〜20である。
3−(ジフェニルホスフィノ)−1−オキシプロパン[dppO]
1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2−(ジフェニルホスフィノ)−エトキシド[tfmdpeO]
親ホスフィノアルカノール化合物のいくつかは市販されており、または例えば、(非特許文献4)または(非特許文献5)においてtfmdpeOについて記載された手順などの公知の手順を用いて調製することができる。
Ar[−(CH2)q−Y]p (V)
によって表すことができ、上式中、Arはアリールまたはヘテロアリール基であり、Yは、Irに配位することができるヘテロ原子を有する基であり、qは0または1〜20の整数であり、pは1〜5の整数であり、さらに、(CH2)qの炭素の1つまたは複数がヘテロ原子で置換されてもよく、(CH2)qの水素の1つまたは複数はDまたはFで置換されてもよい。
PAr3 (VI)
で表すことができ、上式中、Arはアリールまたはヘテロアリール基を表す。Ar基は、非置換であるかまたはアルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ハリド、カルボキシル、スルホキシル、またはアミノ基で置換されてもよい。ホスフィン配位子は一般に市販されている。
本発明はまた、2つの電気的接触層の間に配置された少なくとも1つの層を含む電子デバイスに関するものであり、ここで、前記デバイスの少なくとも1つの層が、本発明のイリジウム錯体を含有する。デバイスはしばしば、付加的な正孔輸送および電子輸送層を有する。代表的な構造を図1に示す。デバイス100が、アノード層110及びカソード層150を有する。正孔輸送材料を含む層120がアノードに隣接している。電子輸送材料を含む層140がカソードに隣接している。正孔輸送層と電子輸送層との間に光活性層130がある。
この実施例は、式IIの配位子前駆体化合物の調製について説明し、ここでR2=CF3、およびR1=R3=Hである。
この実施例は、式XIIIの本発明の錯体の調製について説明する:
この実施例は、式VIIの配位子のための前駆体ホスフィノ−アルコール化合物1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2−ビス(トリフェニルホスフィノ)−エタノール(「PO−1H」)の調製について説明する。化合物を2つの異なった方法によって製造した。
ホスフィノアルカノールを(非特許文献9)の手順によって製造した。窒素下、1,1−ビス(トリフルオロメチル)エチレンオキシド(12g、0.066モル)を、ジフェニルホスフィン(10g、0.053モル)を乾燥THF(50mL)に溶かした予備冷却(10〜15℃)溶液に滴下した。反応混合物を2日間25℃において撹拌し、その後、NMR分析は>90%の変換を示した。溶剤を真空下で除去し、残留した粘性油を真空下で蒸留して、放置時に結晶化する8gの分画(0.05mmHgにおいてb.p.110〜114℃)を生じた。この材料(>95%の純度)のNMRデータおよびm.p.(59〜62℃)の両方が、(非特許文献4)に記載されたものと一致していた。1H NMR(CDCl3、20℃)、δ:7.3〜7.8(m,10H,arom.H);2.8(br.s.;1H,OH);2.2(s,2H,CH2)。19F NMR(CDCl3、20℃)、δ:−77.3(d,JF−P=15.5Hz)。31P NMR(CDCl3、20℃)、δ:−24.4(septet,JP−F=15.5Hz)。
(i)1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2−ブロモエタノール、BrCH2C(CF3)2OHの調製。1,1−ビス(トリフルオロメチル)オキシラン(100g;0.55モル;本願特許出願人に対する2000年、(特許文献6)に記載されているように調製された)を、30〜40℃において、ドライアイス冷却器、温度計、および磁気撹拌棒を備えた丸底ガラスフラスコ内に入れた100mlの47% HBr水溶液にゆっくりと添加した。反応混合物を還流しながら3時間、撹拌した。その時点で温度を90℃まで上昇させた。室温に冷却した後、下層を分離し、MgSO4で乾燥させ、蒸留して104g(72%)のBrCH2C(CF3)2OH、b.p.101−103℃を生じた。1H NMR(CDCl3):3.50(brs,1H,−OH)、3.70(s,2H,CH2)。19F NMR(CDCl3):−75.9(s)。この材料を、次の工程の前にか焼したばかりの分子ふるい(4Å)で乾燥させた。
この実施例は、式XIVの本発明の錯体の調製について説明する:
本発明は、特許請求の範囲に記載した発明を含め、以下の発明を包含する。
(1) 式I
R1=H、R4、OR4、N(R4)2
R2=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN
R3=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN、
R4は、各出現時に、同一または異なっており、H、アルキル、アリールであるか、または隣接したR4基が互いに結合して5または6員環を形成することができ、
L’=二座配位子であり、かつフェニルピリジン、フェニルピリミジン、またはフェニルキノリンでなく;
L’’=一座配位子であり、かつフェニルピリジン、およびフェニルピリミジン、またはフェニルキノリンでなく;
m=1、2または3であり、
nは1〜20の整数であり、
y=0、1または2であり、
z=0または1〜4の整数であり、
ただし、前記化合物が電荷中性であり、かつイリジウムが六座配位である]
を有する化合物を含む少なくとも1つの層を含むことを特徴とする有機電子デバイス。
(2) R2およびR3が独立して、H、CF3、C2F3、n−C3F7、i−C3F7、C4F9、CF3SO2、COOR4およびCNから選択されることを特徴とする(1)に記載のデバイス。
(3) m=3、y=0、およびz=0であることを特徴とする(1)に記載のデバイス。
(4) m=2、y=1、z=0であり、L’がモノアニオン性二座配位子であることを特徴とする(1)に記載のデバイス。
(5) m=1、y=1、およびz=2であることを特徴とする(1)に記載のデバイス。
(6) 少なくとも1つのL’’がハイドライドであることを特徴とする(5)に記載のデバイス。
(7) L’が、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシレート、ホスフィノ、およびチオレートから選択された配位基を有することを特徴とする(4)に記載のデバイス。
(8) L’がβ−エノラート配位子、β−エノラート配位子のN類似体、β−エノラート配位子のS類似体、アミノカルボキシレート配位子、イミノカルボキシレート配位子、サリチレート配位子、ヒドロキシキノリネート配位子、ヒドロキシキノリネート配位子のS類似体、ホスフィノアルコキシド配位子、および芳香族基の一部である炭素原子によって配位された配位子から選択されることを特徴とする(4)に記載のデバイス。
(9) L’が、式III:
R5は、各出現時に、同一または異なっており、水素、ハロゲン、置換または非置換アルキル、アリール、アルキルアリールおよび複素環基から選択されるか、または隣接したR5基が結合して、置換されてもよい5および6員環を形成することができ、
R6はアルキル、アリール、アルキルアリール、複素環基、およびフッ素から選択される]
を有するβ−エノラートであることを特徴とする(8)に記載のデバイス。
(10) L’が、式IV:
R7は、各出現時に、同一または異なっていてもよく、HおよびCn(H+F)2n+1から選択され、
R8は、各出現時に、同一または異なっていてもよく、Cn(H+F)2n+1およびC6(H+F)5、またはC6H5−n(R9)nから選択され、
R9=CF3、C2F5、n−C3F7、i−C3F7、C4F9、CF3SO2であり、
φは2または3である]
を有するホスフィノアルコキシドであることを特徴とする(8)に記載のデバイス。
(11) L’が、式VII:
(12) 前記少なくとも1つの層が発光層であることを特徴とする(1)に記載のデバイス。
(13) 前記発光層が希釈剤をさらに含むことを特徴とする(12)に記載のデバイス。
(14) 前記希釈剤が、ポリマーまたは小分子材料、またはそれらの混合物を含むことを特徴とする(13)に記載のデバイス。
(15) 式I
R1=H、R4、OR4、N(R4)2
R2=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN
R3=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN、
R4は、各出現時に、同一または異なっており、H、アルキル、アリールであるか、または隣接したR4基が互いに結合して5または6員環を形成することができ、
L’=二座配位子であり、かつフェニルピリジン、フェニルピリミジン、またはフェニルキノリンでなく;
L’’=一座配位子であり、かつフェニルピリジン、およびフェニルピリミジン、またはフェニルキノリンでなく;
m=1、2または3であり、
nは1〜20の整数であり、
y=0、1または2であり、
z=0または1〜4の整数であり、
ただし、前記化合物が電荷中性であり、かつイリジウムが六座配位である]
を有することを特徴とする化合物。
(16) 式IのR2およびR3が独立して、H、CF3、C2F3、n−C3F7、i−C3F7、C4F9、CF3SO2、COOR4およびCNから選択されることを特徴とする(15)に記載の化合物。
(17) 式IX、式X、式XI、および式XII:
(18) 以下の式XIII、式XIV、および式XV:
(19) 式VIII:
Claims (10)
- 式I
R1=H、R4、OR4、N(R4)2
R2=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN
R3=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN、
R4は、各出現時に、同一または異なっており、H、アルキル、アリールであるか、または隣接したR4基が互いに結合して5または6員環を形成することができ、
L’’=一座配位子であり、かつフェニルピリジン、およびフェニルピリミジン、またはフェニルキノリンでなく;
m=1、2または3であり、
nは1〜20の整数であり、
y=0、1または2であり、
z=0または1〜4の整数であり、
L’が、式IIIを有するβ−エノラートまたは式IVを有するホスフィノアルコキシドであり、
R 5 は、各出現時に、同一または異なっており、水素、ハロゲン、置換または非置換アルキル、アリール、アルキルアリールおよび複素環基から選択されるか、または隣接したR 5 基が結合して、置換されてもよい5および6員環を形成することができ、
R 6 はアルキル、アリール、アルキルアリール、複素環基、およびフッ素から選択される]
R 7 は、各出現時に、同一または異なっていてもよく、HおよびC n (H+F) 2n+1 から選択され、
R 8 は、各出現時に、同一または異なっていてもよく、C n (H+F) 2n+1 およびC 6 (H+F) 5 、またはC 6 H 5-n (R 9 ) n から選択され、
R 9 =CF 3 、C 2 F 5 、n−C 3 F 7 、i−C 3 F 7 、C 4 F 9 、CF 3 SO 2 であり、
φは2または3である]
ただし、前記化合物が電荷中性であり、かつイリジウムが六座配位である]
を有する化合物を含む少なくとも1つの層を含むことを特徴とする有機電子デバイス。 - R2およびR3が独立して、H、CF3、C2F3、n−C3F7、i−C3F7、C4F9、CF3SO2、COOR4およびCNから選択されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 少なくとも1つのL’’がハイドライドであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- L’が、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシレート、ホスフィノ、およびチオレートから選択された配位基を有することを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記少なくとも1つの層が発光層であることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 式I
R1=H、R4、OR4、N(R4)2
R2=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN
R3=H、CnF2n+1、CnF2n+1SO2、COOR4、CN、
R4は、各出現時に、同一または異なっており、H、アルキル、アリールであるか、または隣接したR4基が互いに結合して5または6員環を形成することができ、
L’’=一座配位子であり、かつフェニルピリジン、およびフェニルピリミジン、またはフェニルキノリンでなく;
m=1、2または3であり、
nは1〜20の整数であり、
y=0、1または2であり、
z=0または1〜4の整数であり、
L’が、式IIIを有するβ−エノラートまたは式IVを有するホスフィノアルコキシドであり、
R 5 は、各出現時に、同一または異なっており、水素、ハロゲン、置換または非置換アルキル、アリール、アルキルアリールおよび複素環基から選択されるか、または隣接したR 5 基が結合して、置換されてもよい5および6員環を形成することができ、
R 6 はアルキル、アリール、アルキルアリール、複素環基、およびフッ素から選択される]
R 7 は、各出現時に、同一または異なっていてもよく、HおよびC n (H+F) 2n+1 から選択され、
R 8 は、各出現時に、同一または異なっていてもよく、C n (H+F) 2n+1 およびC 6 (H+F) 5 、またはC 6 H 5-n (R 9 ) n から選択され、
R 9 =CF 3 、C 2 F 5 、n−C 3 F 7 、i−C 3 F 7 、C 4 F 9 、CF 3 SO 2 であり、
φは2または3である]
ただし、前記化合物が電荷中性であり、かつイリジウムが六座配位である]
を有することを特徴とする化合物。
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