TWI363792B - Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridine ligands, and devices made with such compounds - Google Patents

Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridine ligands, and devices made with such compounds Download PDF

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TWI363792B TW094102739A TW94102739A TWI363792B TW I363792 B TWI363792 B TW I363792B TW 094102739 A TW094102739 A TW 094102739A TW 94102739 A TW94102739 A TW 94102739A TW I363792 B TWI363792 B TW I363792B
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Description

1363792 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具氟化苯基„比啶配位基之電發光銥（ΙΠ)錯 合物。其亦係關於活性層包含電發光Ir(III)錯合物之電子 裝置。 【先前技術】 許多不同之電子設備中存在發光有機電子裝置，例如構 成顯示器之發光二極管。在所有該等裝置中，一有機活性 層夾在兩個電接觸層中。其中至少一電接觸層為透光的以 便光可穿過該電接觸層。在該等電接觸層間施加電流時， • °亥有機活性層發出穿過該透光性電接觸層之光。 眾所周知使用有機電發光化合物作為發光二級管之活性 成分。已知簡單的有機分子例如蒽、噻二唑衍生物、及香 丑素何生物顯不出電發光性。半導體共軛聚合物亦已用作 電發光成分，舉例而言如Friend等人美國專利第5,247，19〇 • 唬、Heeger等人美國專利第5,408,109號及Nakano等人公開 歐洲專利申請案第443 861號t所揭示。如舉例而言Tang 等人美國專利第5,552,678號巾所揭示，8_經基㈣鹽與三 價金屬離子特別是與紹離子之錯合物已廣泛用作電ς光成 分。 BUrrows與Th〇mps〇n已報導面-參（2苯基d比幻銀可用作 有機發光裝置中之活性成分。（物1999, 75, )田銥化3物存在於宿主導體材料中時性能得到最大 化。Th〇mPS〇n還報導了其中該活性層為摻雜有面-參[2- 99269.doc 1363792 (4'，5’·二氟笨基）吡啶_c，2，N]銥（πι)之聚（ν·乙烯咔 嗤）（P〇lymer Preprints 2〇〇〇, 41 ⑴，77〇)。在公開之申請案 WO 02/02714中已揭示具有說化苯基。比咬、苯基嘴咬、或 笨基喧琳配位基之電發光銀錯合物。 然而仍持續需要電致發光化合物。 【發明内容】 本發明係關於具有式！之銥化合物（通常稱為"Ιγ(πι)化合
0)
物，'）： 其中：
Ri=H、R4、OR4、N(R4)2
R2=H、CnF2n+1、CnF2n+1S02、COOR4、CN R3=H、CnF2n+1、（:nF2n+1S02、COOR4、CN R4在各情況下係相同或不同，且為H、烧基、芳基， 或相鄰之R4基團可連在一起形成5員或6員環； L’ =雙牙配位基且不為苯基。比啶、苯基嘧啶、或苯基 喧琳； 99269.doc 1363792 L"=單牙配位基且不為苯基，比啶、笨基嘧啶、或苯基 啥琳； m=l、2或 3 ; η為1至20之間的整數； y=〇、〗或2 ;及 z=0或一 1至4之間的整數， 其限制條件為該化合物為電中性且銥為六配價。 在另一實施例中，本發明係關於製得上述銥（ΐπ)化合物 的經取代之2-苯基β比唆前驅體化合物。該等前驅體化合物 具有下式Π :
R3 其中R、r2及R3如上文式I中所定義。 應理解苯基1錢存在自由轉動。然而對於本文之討 論，該等化合物將按照一種方位描述。 在另貫刼例中，本發明係關於一具有至少一層包含上 述Ir(III)化合物或上壯(m)化合物組合之有機電子裝置。 【實施方式】 " 本發明之化合物具有上述式I。 在式I之—實施例中，…與尺3係獨立選自H、CF3、 C2F5、正 c3f7、異 c3f7、C4f9、Cf3S〇2、c〇〇R，及 。 在式I之-實施例中，L,配位基為單陰離子雙牙配位基。 99269.doc 丄363792
大體上此等配位基有N、0、P或者S作為配位原子且與銀 配位時形成5員或6員環。合適的配位基團包括：胺基、亞 胺基、醞胺基、醇鹽、羧酸鹽、膦基、硫醇等等。此等配 位基之合適母體化合物的實例包括二羰基（心烯醇化物配 位基）’及其N與S類似物；胺基羧酸（胺基羧酸鹽配位 基），°比咬幾酸（亞胺基羧酸鹽配位基）；水揚醆衍生物（水 楊酸鹽配位基）；羥基喹啉（羥基喹啉配位基）及其S類似 物’及膦基烷醇（膦基烷醇配位基）。 卢-稀醇化物配位基通常具有如式ΠΙ之化學式：
(III)
其中R5在各情況下相同或不同。該等R5基團可為氣 '鹵 素、經取代或未經取代之烷基、芳基、烷芳基或雜環基。 相鄰之R5與R6基團可結合形成可經取代之5員或者6員環。 在一實施例中，R5基團係選自Cn(H+F)2n+i、_C6h5、 及，其中n為一 1至2〇之整數。R6基團可為h，經取 代或未經取代之烷基、芳基、烷芳基、雜環基或氟。 適當的/3-烯醇化物配位基實例包括下文列出的化合物。 卜稀醇化物形式之縮寫在以下方括弧中給出。 2,4-戊二浠酸基[&(：3(；] 1，3-二苯基_ι，3-丙二酸基[DI] 99269.doc 1363792 2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸基[ΤΜΗ] 4,4,4-三氟 _ΐ-(2-噻吩基，3· 丁二酸基[TTFA] 7,7-二甲基-1，1，1，2,2,3,3-七氟-4,6-辛二酸基[卩00] 1，1，1，3,5,5,5-七氟-2,4-戊二酸基[F7acac] 1，1，1，5,5,5-六氣-2,4-戍二酸基[?63〇&(；] 1-苯基·3·甲基-4-異丁醯基·吡唑啉基[FMBP]
/?-二幾基母體化合物一般為市售。母體化合物 1，1，1，3,5,5,5-七氟-2,4-戊二酮〇卩3(：(0)€?11<：(0)€?3，可使 用一個兩步合成來製備，其係基於全氟代戊烯-2與氨反 應’隨後根據在/ζν·謂仍仰.尺1980, 2827中所公 開之程序進行水解步驟。因為該化合物容易水解，其應在 無水條件下儲存及反應。 羥基喹啉鹽配位基可經例如部分或全部氟化之烷基或烷 氧基取代。合適的羥基喹啉鹽配位基實例包括（在方括號 中提供縮寫）： 8-羥基喹啉基[8hq] 2-甲基-8-經基喧嚇·基[Me-8hq] 10-羥基苯幷喹啉基[l〇_hbq] 該等母體羥基喹啉化合物一般為市售。 院氧化膦基配位基一般具有式IV : R8 …>-_2"⑷ ㈣ 其中 7 R在各情況下相同或不同且係選自c 〆、十扣）2n+1 99269.doc -10- 1363792 R在各情況下相同或不同且係選自Cn(H+F)2n+i、 . C6(H+F)4C6H5.b(R9)b ; ·. R —CF3、C2F5、正 C3F7、異 C3F7、C4F9、CF3S02及 Φ為2或3 ; b為0-5 ;且 π為 1 -20 〇 合適的烷氧化膦配位基包括（在方括弧中提供縮寫）： I 3-(二苯基膦基）_丨氧基丙烷[dpp〇] 1，1-雙（二氟甲基）-2-(二苯基膦基乙醇鹽[tfmdpe〇] 某些母體烷氧化膦化合物為市售，或可使用已知程序來 ' 製備，舉例而言，在CAem. 1985 ,第24卷，第3680 頁或在·/. C/zm. 2002，117，121中所報導的製備 tfmdpeO之步驟。 在一實施例中，L，為經由作為芳基一部分之碳原子配位 的配位基。該配位基具有式V : • Ar[-(CH2)q-Y]p (V) 其中Ar為芳基或雜芳基，丫為具有能配位至銥之雜原子之 基團，q為0或一 1至20之整數，p為一 1至5之整數，且進一 步（CH2)q中一或多個碳原子可經雜原子置換且（CH2)q令之 一或多個氫原子可經D或f置換。 在一實施例中，Y係選自N(R10)2、OR10、SR〗0及 P(Rll)2 ’其中Rl0在各情況下相同或不同且為Η、CnH2n+，或 Cn(H+F)2n+1且Rn在各情況下相同或不同且係選自η、 R10、Ar及經取代之Αγ。 99269.doc 1363792 在一實施例中，Ar為苯基，4為i，丫為以八仏，且？為i 或2。 單牙配位基L可為陰離子或非離子。陰離子配位基包括 但不限於：H_("氫化物"）及具有c、〇或s作為配位原子之 配位基。配位基團包括但不限於：醇鹽、羧酸鹽、硫代羧 酸鹽、二硫代羧酸鹽、磺酸鹽、硫醇鹽、胺基甲酸鹽、二 硫代胺基甲酸鹽、疏卡巴膝（thiocarbazone)陰離子、及續 醯胺陰離子等等。在某些狀況下，上述作為L,之配位基（如 /3-烯醇化物及膦基醇鹽）可充當單牙配位基。該單牙配位基 亦可為配位陰離子，如鹵化物，硝酸鹽，硫酸鹽，六鹵代 銻酸鹽等等。此等配位基通常為市售。 έ亥單牙配位基L”可為非離子配位基，如c〇或單牙膦配 位基。該等膦配位基具有式VI : pAr3 (VI) 其中Ar代表芳基或雜芳基。射基可不經取代或經烷基、雜 烷基、芳基、雜芳基、齒化物、羧基、次硫酸基或胺基取 代。膦配位基一般為市售。 在式I之一實施例中，該化合物經參環金屬化，其中m=3 且y=z=0。該化合物可為面的，經向的或係其組合之。 在式I之一實施例中，m=2。在一實施例中，y=1且z=〇。 在式I之一實施例中，m=1。在一實施例中，y=1且z=2。 在一實施例中至少一個L"配位基為氫化物。在一實施例中 L’為一經由一作為芳基一部分之碳原子配位之配位基。 在一實施例中，具有式I之化合物發出藍光。在一實施 99269.doc 12 1363792 例中，該等錯合物具有最大值為500 nm或更小之光致發光 及/或電發光光譜。在一實施例中，該最大值小於480 nm °
具有式I之銥錯合物實例在下表1中給出。 表1 · 式I之錯合物其中z = 0 錯合物 Ri R2 R3 m L' y 1 -a H H H 3 - 0 l-b H cf3 H 3 - 0 1-c H COOMe H 3 - 0 l-d H CN H 3 - 0 1-e ch3 H H 3 - 0 l-f ch3 cf3 H 3 _ 0 i-g ch3 COOMe H 3 - 0 l-h ch3 CN H 3 - 0 1-i ch3 H H 2 PO 1 i-j 第三丁基 H H 3 - 0 1 -k OMe cf3 H 3 - 0 1-1 OMe COOMe H 3 - 0 1 -m OMe CN H 3 - 0 1 -n OMe cf3 cf3 3 - 0 l-o NMe2 H H 3 - 0 i-p NMe2 cf3 H 3 - 0 l-q NMe2 COOMe H 3 - 0 1-r NMe2 CN H 3 - 0 1 -s NMe2 CF3SO2 H 3 - 0 l-t NMe2 C2F5 H 3 - 0 99269.doc 、13· 1363792
(VII) 1 -u NMe2 CF(CF3)2 H 3 - 0 1 -v NMe2 H H 2 PO 1 1 -w NPh2 CF3 H 3 - 0 1-x NPh2 COOMe H 3 - 0 1-y NPh2 CN H 3 - 0 其中"P0”代表具有式VII之雙牙單陰離子配位基： 在式I之一實施例中，該錯合物包含一衍生自具有式 VIII、式IX、式XI及式XII之配位基前驅體的配位基：
F
cf3
(VIII) 99269.doc -14- 1363792
(IX)
f3c
F
Me2N^^.
k^N
F3CO2S
F 99269.doc -15- 1363792 Μθ2Ν-γ^ (Χΐ)
F3C02S*/^：V^s'S〇2CF3
Me2N^^
N (xii) cf3 f3c
F 99269.doc -16- 1363792 該等Ir(III)化合物係為中性及非離子性，且可完全昇 華。經由真空沉積得到的此等材料之薄賴示良好至極佳 之電發光性貝。將敦取代基引人銀原子上的配位基中同時 增加該等錯合物之穩定性及揮發性^此，真空沉積可在 較低溫度下進行且可避免錯合物分解。將氟取代基引入配 位基中經常可降低非輻射性衰減率及固態下之自淬光現 象。此等降低可導致發光效率提高。 般由適當經取代之2_苯基吡啶化合物製備本發明之銥 錯口物。如在〇. Lohse，p Thevenin，E 彻柄如 ，45 48中所▲述，使用經取代之2_氯吼咬與芳基删酸 進行鈴木（Suzuki)偶合，而卩良好至極佳的產率製備如在 上文式Π所示之經取代之2·苯基吡啶。該反應示於以下方 程式（1)中。
2-苯基吡啶化合物之實例係為上文所示之式νπι至式 XII。 將如此製備之2-苯基吡啶用於合成環金屬化銥錯合物。 已研發出-種枝之-步法，其㈣料之三氣化銀水合 ，及二氟gt酸銀…般在3當量AgC)c〇CF3存在下以過量2_ 苯基H錢或㈣不使用溶劑進行該反應。該反應示 99269.doc 1363792 於以下方程式（2)中：
Eq.2 具有式1(其中m=3)之經參-環金屬化之銥化合物可經分離， 純化，且由元素分析、1Η及i9F NMR光譜資料及化合物之 - 單晶X射線繞射資料來充分表徵。在某些狀況下得到異構 - 體混合物。通常該混合物可不經分離單獨異構體而直接使 用。 可在某些狀況下使用與製備參環金屬化錯合物相同的合 成程序自該反應混合物中分離具有式j(其中m=2)之雙環金 φ 屬化銥錯合物。該等錯合物亦可由先製備銥二聚體中間體 來製備：
其中L係相同或不同且為苯基吡啶配位基，且Z為C1或 〇R12 ’其中R12為Η、CH3、或C2HS。一般可藉由首先使三 氣化銥水合物與苯基吡啶反應製備且視情況加入NaOR12 來製備該銀二聚體。 99269.doc -18- ★在某二狀况下可自上述過程中所形成之反應混合物中分 離出本發明之單環金屬化銀錯合物。利用例如式VII所示 3膦配位基且利用化學計量過量之該等配位基（每當量 •銥：於2當量)可有利於該等單環金屬化物種。此等材料可 由私準技術自忒反應混合物中分離出來，該等標準技術例 如為經一氧化石夕以二氯甲院溶離劑進行色層分析。 電子裝置 料明亦係、關於一包含位於兩個電接觸層之間至少一層 的電子裝置’其中該裝置之該至少一層包括本發明之銀錯 «物。裝置㈣有額外之電洞傳輸及電子傳輸層。圖i中 - 表不典型結構^該裝置100有一陽極層110及一陰極層 • 150。冑近該陽極為-包含電洞傳輪材料之層120。鄰近該 陰極為包含電子傳輸材料之層140。在電洞傳輸層與電 子傳輸層中間為光敏層13〇。 視裝置100之應用而疋，光敏層13〇可為一經施加電壓激 • 活之發光層（如發光二極管或發光電化學電池），一層響應 輻射能量且隨或不隨一施加偏壓產生一訊號之材料（如在 一光電偵測器中）。光電偵測器之實例包括光電導電池、 光敏電阻器、光控開關、光電晶體、光電管及光電電池， 此等術語描述於Markus，John，
Nucleonics 少，470及 476(McGraw-Hill, Inc. 1966)中0 本發明之銥化合物尤其可用作層1 3〇中之光敏材料’或 用作層140中之電子傳輸材料。較佳本發明之銥錯合物用 作一級管中之發光材料。已發現在此等應用中，本發明之 99269.doc •19- 1363792 氣化化合物不需要在固態基質稀釋劑中以使其有效。基於 . 該層之總重量大於20重量％之銥化合物、高至100%之銥化 .·· 合物的一層可用作發射層。此與未經氟化之銥化合物參（2_ … 苯基吡啶）銥（Ιπ)相反，後者被發現當僅占該發射層6_8重 量％時獲得最大效率。對於減少自淬光效應而言這是必須 的。額外之材料可與銥化合物共存於發射層。舉例而言， 可存在螢光染料以改變發射光之顏色。亦可加入稀釋劑且 亥稀釋劑可為電荷傳輸材料或惰性基質。稀釋劑可包含聚 合材料，小分子或其混合物。稀釋劑可充當加工助劑，可 改良含銥化合物膜之物理或電學性質，可減少本文所述銥 - 化合物中之自淬光，及/或可降低本文所述銥化合物之聚 • 集。適當聚合材料之非限制性實例包括聚（Ν-乙烯咔唑）， 共軛聚合物及聚矽烷。適當小分子之非限制性實例包括 4,4 -Ν，Ν -一咔唑聯苯或第三芳胺。適當共輛聚合物之實例 包括聚伸芳基乙稀、聚第、聚噪二。坐、聚苯胺、聚嗟盼、 魯 |本、其共聚物及其組合。該共輛聚合物可為具有未經共 輛^分之共聚物，例如丙酸酸 '甲基丙烯酸、或乙稀基單 體單兀。在-實施例中，該稀釋劑包含氣與經取代第之均 # &與共聚物° §使用稀釋劑時，銀化合物通常佔很小的 f I貫施例中’ e亥銀化合物基於該層總重量為小於 重里/〇在實細*例中，該銥化合物基於該層總重量為小 於10重量％。 在某些狀泥下银錯合物可存在多於一種異構體形式，或 可存在不同錯σ物之混合物。應理解之上文討論 99269.doc -20· 1363792 中，術語”銥化合物"旨在容納化合物及/或異構體之混人 物。 ·. 為獲得高效LED，該電洞傳輸材料之H〇M〇(最高佔用分 . 子執道）應與陽極功函相匹配，該電子傳輸材料之 LUMO(最低未佔用分子執道）應與陰極功函相匹配。在選 擇電子及電洞傳輸材料時其化學相容性及昇華溫度亦為重 要之考慮事項。 • OLED中之其它層可由已知可用於此等層之任何材料製 造。陽極110為一尤其有效注入正電荷載體之電極。它可 由（例如）含有金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合 -金屬氧化物之材料來製成，或其可為導電聚合物。合適金 • 屬包括11族金屬，4、5及ό族中之金屬及8-1〇族過渡金 屬。若欲該陽極發光，則一般使用12、13及14族金屬之混 合金屬氧化物，如銦錫氧化物。通篇使用IupAC編號系 統’其中週期表中之該等族自左至右編為 春 Handbook of Chemistry and Physics，第 8 1版，2000)。該 陽極lio亦可包含有機材料，如在"Flexible light_emitting diodes made from soluble conducting polymer"中所描述之 苯胺，TWziwre第3 57卷，第477-479頁（1992年ό月11曰）。陽 極與陰極中之至少一者應為部分透明的以使得能夠觀察到 所產生之光。 層120之電洞傳輸材料實例已例如總結於Y. Wang2Kirk-
Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第四版， 第18卷，第83 7-860頁，1996中。電洞傳輸分子與聚合物 99269.doc 21 1363792 皆可使用。常用電洞傳輸分子為：N，N'-二苯基-N，N，-雙（3-甲基苯基）_[1，1'·聯笨基]-4,4'-二胺（TPD)、1，1-雙[(二-4-甲 苯基胺基）苯基]環己烷（TAPC)、Ν，Ν·-雙（4-曱苯基）-N,N'-雙（4-乙苯基）-[1，ΐ，-(3,3ι·二曱基）聯苯基二胺 (ETPD)、肆-(3-曱苯基）-N，N，N，，N'-2,5l:®(PDA)、aj 基-4-N，N-二苯基胺基苯乙烯（TPS)、對（二乙基胺基）苯曱 駿二苯基腙（DEH)、三苯胺（TPA)、雙[4-(N，N-二乙基胺 基）-2-曱苯基](4-甲苯基）甲烷（MPMP)、1-苯基-3-[對（二乙 基胺基）苯乙烯基]-5·[對（二乙基胺基）笨基]„比唑啉（ppR或 DEASP)、1，2-反-雙（9H-咔唑-9-基）環丁烷（DCZB)、 N，N，N’，N’-肆（4-甲苯基）-(ι，ι，_ 聯苯基）_4,4’_ 二胺（TTB)、及 卟啉系化合物，如銅酞菁。常用電洞傳輸聚合物為：聚乙 烯咔唑、（苯甲基）聚矽烷、及聚苯胺。亦有可能藉由向聚 合物中摻雜諸如上述者之電洞傳輸分子來得到電洞傳輸聚 合物，比如聚苯乙烯及聚碳酸酯。 層140之電子傳輸材料實例包括螯合金屬之類咢辛化合 物，如參（8-羥基喹啉酸）鋁（Alq3);菲咯啉基化合物，如 2,9-二甲基-4,7-二苯基-ΐ，ι〇_菲咯啉（DDpA)或4,7二苯基 1，10-菲咯啉（DPA)，及唑類化合物，如2_(4•聯苯基） 第三丁苯基）-1，3,4-噁二唑（PDB)及3_(4_聯苯基）_4_苯基巧_ (第一 丁笨基）-1，2,4-二唑（TAZ)。層140可同時起到促進 電子傳輸及充當一緩衝層或限制層以阻止在層介面之激子 淬光的作用。較佳此層提高電子遷移率及減少激子淬光。 陰極150為一注射電子或負電荷載體特別有效之電極。 99269.doc -22· 1^63792 。亥陰極可為任何比陽極 極之材料可……：屬或非金屬。製作陰 T選自1族驗金屬（例如L彳、p、 金眉，丨萄1灼如£1、cs)，2族（鹼土金屬） 矢金屬’包括稀土金屬及纖盎 鑭系、、及锕系。可使用 女鋁、銦、鈣、鋇、釤及鎂 與陰極層門h接An 、 /、、·且5的材料。可在有機層 層間》儿積含L!有機金屬化合物以降低工作電塵。 有機電子裝置中有其它層。舉例而言，在導電聚 。物層120與活性層！3〇間有一 輸及/或帶^配該等層之正電荷傳 、… 到一保護層之作用。類似地，在 活性層130與陰極層15〇之間 笪® μ A 層（未圖不）以促進該 公間負電荷傳輸及/或帶隙匹配，或起到一保護層的作 了使用此項技術中已知之層。另外，任何上述層可由 =或兩層以上來製得。另一選擇為，某些或所有無機陽 = no、導電聚合物層12〇、活性層13〇、及陰極層胸 、”里表面處理來提高電荷載體的傳輸效率。較佳藉由均衡提 =具有高裝置效率之該等目標來確定對各組成層材料之 應理解各功能層可由多於一層組成。 該裝置可通過在一合適基底上依次氣相沉積該等獨立層 來製備。可使用例如玻璃及聚合物膜之基底。可使用習知 氣相沉積技術，例如熱蒸發，化學氣相沉積法等等。另一 選擇為，可使用任何習知塗覆技術從合適溶劑中之溶液戋 分散液來塗覆該等有機層。大體上，不同層應有下列厚度 範圍：陽極110，500-5000A，較佳1000-2000A ;電洞傳輪 層 120，50-1000A，較佳 200·8〇〇Α ;發光層 13〇， 99269.doc -23· 1〇〇〇A ’較佳】〇〇-8〇〇人；電子傳輸層14〇，5〇1〇〇〇a，較 佳 200·800Α;陰極 15〇, 2〇(M〇〇〇〇A，較佳 3〇〇·5〇〇〇α。可 ‘·· 藉由各層之相對厚度來影響裝置中電子-電洞重組區域之 .. &置’與如此該裝置之發射光譜。因此應選擇電子傳輸層 之厚度以使得該電子_電洞重組區域處於該發光層中。所 要層厚度之比例應取決於所用材料之具體特性。 應理解以本發明之銀化合物製造之裝置的效率可由最適 φ 化該裝置中之其它層來進一步改良。舉例而言，可使用更 有效之陰極，例如Ca、Ba或LiF。亦可應用導致工作電壓 降低或增加量子效率的 '經定形 < 基底與新顆電洞傳輸材 • 料。亦可添加額外層以修整不同層之能量水平及促進電發 光。 本發明之銥化合物經常係磷光性及螢光性的’且可用於 OLEDs以外之應用中。舉例而言，銀的有機金屬錯合物已 經用作氧敏感性指示劑’生物檢定中之碟光指示劑，及催 • 化劑。雙環金屬化錯合物可用以合成參環金屬化錯合物， 其中該第二配位基係相同或不同。 本文所用術語"化合物"旨在意謂一由分子所組成的不帶 電荷之基底’該等分子又由原子組成，其中該等原子不能 由物理方法分離。術語"配位基”旨在意謂連接在一金屬離 子配位層上的分子、離子或原子。術語，，錯合物"用作名詞 時旨在意謂具有至少一個金屬離子及至少一個配位基的化 合物。術語，，基團"旨在意謂化合物之一部分，例如有機化 合物之一取代基或錯合物中之一配位基。術語，，面"旨在意 99269.doc •24· 1363792 謂錯合物之一種異構體Ma^3，其中”a”及，，b"代表不同的配 位基原子，該異構體具有八面體幾何形狀，其中該等二個 原子皆相鄰，意即在該八面體一面之角上。術語"經向,， 旨在意謂錯合物之—種異構體Mhb3 ,其具有八面體幾何 形狀’其中該等三個，V’原子佔據三個位置使得兩個原子 相互逆反。術語”六配位價"旨在意謂六個基團或連接點配 位於一中心金屬。短語"鄰近於”用於指一裝置中之層時不 必要意謂一層緊接於另一層。另一方面，短語"相鄰之反基 團”用於指在一化學式中相互緊接之R基團（意即位於由一 鍵結連接之原子上的R基團）。術語"光敏性”係指任何顯示 出電發光及/或光敏性的材料。在該方程式與方程式中， 字母L、R、Y&Z用於命名其中所定義之原子或基團。所 有其它字母用於命名習知原子符號。術語”(h+f)”旨在意 "月所有氫與氤之組合，包括完全氫化、部分氟化或全氟化 之取代基。 本文所用術語"包含"、"包括”、"具有"或其任何其它變 化旨在意謂涵蓋一非獨占性内含。舉例而言，包含—元件 列表之製程、方法、物品或設備不必要僅限於彼等元件而 可包括其它在該製程、方法、物品或設備中沒有明確列出 或固有之元件。此外，除非明確指出相反情況，否則I，或，， 係指一内含性或而非獨占性或。舉例而言，條件A或B可 由下列任何一種情況滿足：A為真（或存在）且3為假（或不 存在），A為假（或不存在）且B為真（或存在），及人與8皆為 真（或存在）。 99269.doc -25- 1363792 亦及採用"一"來描述本發明之元件與組分。此僅僅出於 方便且給出本發明之-大體意義。此描述應理解為包括一 個或至少一個且單數亦包括複數，除非其顯然表示其它含 義。 矛非另作疋義，本文所用全部技術及科學術語具有與一 般^習本發8月所屬技術者理解之含義相同的含義。雖然與 本文描述之方法及材料相似或相等的材料可用於實踐或測 -式=發明’下文描述合適的方法與材料。本文所提及之所 有開案專利申請案，專利及其它參考文獻皆以全文引 方式併入本文中。另外，該等材料、方法及實例僅為 說明性的而並非旨在進行限制。 實例 下列實例說明本發明之某些特徵及優勢。其旨在說明本 心月而非進行限制。除非另作說明，否則所有百分比為重 量百分比。 實例 A例說明具有式11之配位基前驅體的製備方法，其中 r2=CF3，且，R丨=r3=h 製備2,4-二氟·3_三氟甲基笨硼酸
Β(0Η), 99269.doc •26· 1363792
在-70 C下向溶於25 ml無水乙醚與25 ml無水THF之混合 物的2.4 g 2,6-二氟·三氟甲基笨溶液中逐滴添加7 mi 2 μ丁 基鐘之戊烷溶液。在_7(TC下攪拌反應混合物15分鐘接著 添加2 g硼酸三甲脂。使該反應暖至2rc且將其以2〇〇 ml 10%鹽酸稀釋且接著以乙醚（2x50 ml)萃取之，將經合併之 有機層以水（2χ1〇〇 ml)洗滌，經MgS04乾燥且在真空下於 50 C下除去溶劑以留下3.4 g粗硼酸（含有約50 % THF)，其 用於以下反應中而不經進一步提純。1η NMR_ (CDCI3): 6.9 (2H, t), 7.9 (1H, q), 5.3 (2H, br s); 19p NMR: -56.68 (3F，t)，-106.0 (1F，m)，-108.0 (1F，m)。 製備式VIII之2-(2,4-二氟_3_三氟甲基苯基）_吡啶
F γ 、f (vm) 向溶於100 ml脫氣水中之10 g碳酸鉀溶液添加溶於5〇 mi 乙二醇二甲醚中之3·4 g 2,4-二氟_3_三氟甲基蝴酸（5〇%純 度，其餘為THF)溶液，隨後添加35 g 2溴吡啶、〇1呂雙 環幾基（聯苯基）膦，0.05 g醋酸鈀。將該反應混合物回流 (90-95°C)16 h。以500 ml水稀釋該反應混合物，將其以二 氯甲烷萃取（3x50 ml)，以水洗滌有機層（1χ3〇〇以），經 MgS〇4乾燥且在真空下除去溶劑。將粗產物（3·2幻溶於％ 99269.doc -27- 1363792 ml己烷中且使該溶液穿過一矽膠短塞（SiHcagel 6〇，em Science”再以30 ml己烷洗滌該管柱。在真空條件不將己 烷自最後溶液中移除得到丨.6 g淡黃色液體，其基sNMR* 析係為含有27%之2-溴吡啶的2-(2,4-二氟_3_三氟甲基苯 基）-吡啶。該粗物質可用於下一反應中而不經進一步提 純0 實例2
此實例說明具有式ΧΙΠ之本發明化合物的製備方法： (XIII)
將0.52 g來自實例丨之配位基前驅體與1〇 2乙氧基乙 醇與1 mL水中之0.38 g氣化銀混合。在氮氣下將該混合物 回流30分鐘。將該混合物冷卻，且向冷卻之混合物添加 〇-2g二·第三丁基乙醯基丙鲷（四甲基庚二嗣）與期邮碳酸 I持續回流至少30分鐘。接著將其冷卻，在氮氣流中某 ^將其以二氯甲烧萃&，且過滤之。二氯f料取液為 讀色歸㈣I接著將該：氯甲烧溶液蒸乾且經二氧 匕矽層析以分離該發藍光部分。接著自二氣甲烷/甲醇中 99269.doc •28· 將該部分重結晶。 nmr分析表明該材料為具有式XIII之錯合物。 實例3 此實例說明具有式VII之配位基的前驅體膦基-醇化合物 1，1-雙（三氟甲基）-2·雙（三苯基膦基）_乙醇（"p〇_1H")的製備 方法。該化合物可由兩種不用的方法製得。 方法a :
根據在 horg. Ckm.(1985)，24(22)，第 368〇_7頁中之程 序製備膦基烷醇。在氮氣下，將1，1_雙（工氟甲基）環氧乙 燒（12 g，〇_〇66 mol)逐滴添加至二笨基膦（1〇 g，〇 〇53 mol)溶於THF之預冷卻（1〇-15。〇溶液（50 ml)。在25。(：下授 拌該反應混合物2天，其後NMR分析顯示轉化率大於 90%。在真空下移除溶劑且真空蒸餾殘餘黏性油得到8 §部 分（1)屮.110-114°〇在〇.〇5 1113 11§下）’其在靜置時結晶。該材 料（>95%純度）的 NMR數據及 m.p.(59-62°C)與 Boere，R τ 等 人 ’ /worg. (1985)，24 ’ 3680 中所報導者一致。 NMR (CDC13> 20°C), δ: 7.3-7.8 (m, 10H, arom. H); 2.8 (br. s.; 1H, OH); 2.2 (s, 2H, CH2). 19F NMR (CDC13, 20°〇, δ: -77.3 (d, Jp-P = 15.5 Hz). 31p NMR (CDC13, 20°〇, δ: -24.4 (septet, Jp_F = Ϊ5.5 Hz)。 方法b: (i)製備1，卜雙（三氟甲基）-2-溴乙醇，即 BrCH2C(CF3)2〇H。在30-40°C下將1，1-雙（三氟曱基）環氧乙 ^(100 g ; 〇_55 mol ;如頒予DuPont之WO 00/66575 ’ 2000 99269.doc -29- /yz 、斤述t備）緩.&添加至_ 備—乾冰冷;疑器、溫度計及 :力攪拌棒之圓底燒瓶中的100 ml 47% HBr水溶液中。在 回桃下攪拌该反應混合物3 h。此時溫度上升至9〇。(：。在冷 p至至m後，將底層分離，經MgS〇4乾燥且進行蒸餾得到 〇4 g (72 %) BrCH2C(CF3)2〇H，b p 1〇卜1〇3。匚。 (CdC13): 3.50 (br s，1H，_〇H)，3 7〇(s，2H，CH2)听 nmr (C：DCl3): _75.9 (s)。將該材料在下一步前經新焙燒之分子 篩（4A)乾燥》 (11)在氮氣下，在攪拌下向冷卻至-78。(：的1，1-雙（三氟甲 基）_2_溴乙醇（5.64 g;如上述製備）之無水乙醚（110 mL)溶 液中逐滴添加1.6 Μ正丁基鋰之己烷溶液（Aldrich ; 27 mL)。在-78°C下1小時後，在劇烈攪拌下將氣代二苯基膦 (Strem ; 4.53 g)逐滴添加至所得二鋰化衍生物溶液。 在-78 C下攪拌該混合物3小時20分鐘後，將其緩慢暖至室 溫且接著在室溫下攪拌隔夜。在真空下移除溶劑。向殘餘 物中添加二氣曱烷（1〇 mL)及三氟乙酸（1 66 mL)，且將該 混合物經矽膠管柱以二氯甲烷進行層析（5x25 cm)。分離 出經真空乾燥而結晶之油狀產物。呈白色結晶固體之產物 的產率為5·3 g(71 %)。發現該化合物與根據方法^製得之材 料相同。 實例4 該實例說明具有式XIV之本發明錯合物的製備方法： 99269.doc •30· 1363792
將0.26 g來自實例1之配位基前驅體與溶於1〇 mL 2乙氧 基乙醇與！ mL水中之0.19 g氣化銀混合。在氮氣下回流該 混合物30分鐘。冷卻該混合物，且向經冷卻之混合物中添 加〇·37 g來自實例3之膦基醇（2當量）及3〇〇 mg碳酸鈉。持 續回流至少30分鐘。接著將其冷卻，在氮氣流中蒸乾，以 二氯甲料取之，並將其進行㈣。該m萃取液為 淡黃色且發藍綠色光。將該溶液蒸乾且經色析分離出該發 藍色光部分。 ,ΤΙΧ分析表明在溶劑前沿流動—很深藍色磷光斑點且在 後面流動-青綠色磷光斑點作為主要部分。使用—二氧化 矽管柱以二氣甲烷溶離劑來分離該兩種材料。收集該兩部 分：⑴少量快速流動的藍色材料及⑻更大量發青綠色光 的淺黃色麵質材料。㈣材料皆自乙酸己 結晶得到淡色晶體-第-種材料⑴為塊狀體且第二種材料 (ii)為針狀體。大邱八4 裡柯科 σΡ刀材料為近似250 mg之蓬鬆淡黃色針 狀體。該材料之溶该名义工， 、 液杳天藍色螢光。該固體發青綠色螢 99269.doc 上363792 光。nmr分析表明該材料具有式χιν。
用50:50的己烷：二氯曱烷藉由再次層析來提純第二種材 料。在該免藍色螢光帶前洗脫出非發光性黃色帶。收集該 呈白色固體之藍色螢光光帶材料（〜25 mg)。nmr分析表明 垓材料為具有式XV的單環金屬化之氫化材料： y\ .cf3
在此錯合物中有兩個膦基醇配位基，一者為雙牙而另 者為單牙。 【圖式簡單說明】
圖為發光裝置（LED)之—說明性實例的示意圖。 【主要元件符號說明】 100 電子裝置 110 陽極層 120 包含電洞傳輸材料之層 130 光敏層 14〇 包含電子傳輪材料之層 150 陰極層 99269.doc -32-

Claims (1)

  1. ^ 101年02月16日修正 十、申請專利範圍： ' 1 種有機電子裝置，其包含具有式I之化合物的至少一 層：
    R 、CnF2n+1、CnF2n+iS〇2、c〇〇R4、CN ~ 、CnF2n+i、CnF2n+1S02、COOR4、CN R4 在各情況下可係相同或不同且為H、烷基、芳基 或相鄰之R4基團可連接至一起形成5員或6員環， L-雙牙配位基且不為苯基11比啶、苯基嘧啶或苯基喹 琳； L-單牙配位基且不為苯基^比啶、苯基嘧啶或苯基喹 琳； m=i ； η為一 1至20的整數; y=i，且 1363792 101年02月16曰修正 其限制條件為該化合物係為電中性的且銥係為六配 • 2·如清求項1之裝置，其中R2及R3可獨立選自Η、CF3、 C2F3、正 C3F7、異 C3F7、C4F9、CF3S02、COOR4及 CN。 3. 如請求項1之裝置，其中至少一個L”為氫基。 4. 如請求項丨之裝置，其中L，具有一選自胺基、亞胺基、醯 胺基、燒氡化物、羧酸基、膦基與硫醇基之配位基團。 5. 如請求項1之裝置，其中L，係選自β·烯醇化物配位基、 稀醇化物配位基之N—同系物、β_烯醇化物配位基之3_同 系物、胺基羧酸鹽配位基、亞胺基羧酸鹽配位基、水楊 酸鹽配位基、羥基喹啉配位基、羥基喹啉配位基之S-同 系物、膦基醇鹽配位基及經由一芳基上之碳原子配位之 配位基。 6. 如請求項5之裝置，其令L，係為具有式出之卩烯醇化物： R5
    (-1)
    CR6 \ ,· \ '· C—0 (ΠΙ) 其中 R5在各情況下相同或不同且係選自氫、_素、經取代 ^未經取代之烧基、芳基、料基及雜環基，或相鄰之 R5基團可經連接以形成可經取代之5員及6員環，且 1363792 101年02月16日修正 R6係選自烷基、芳基、烷芳基、雜環基及氟。 如請求項5之裝置，其中L’係為具有式IV之烷氧化膦基： R8 R8> P-[C(R7)山—妒） (IV) 其中 R在各情況下可係相同或不同且選自Η及 Cn(H + F)2n+i 1 R在各情況下可係相同或不同且選自Cn(H + F)2n+i及 C6(H+F)5 ’ 或 C6H5-n(R9)n， g —CFs、C2F5、正 C3F7、異 c3F7、C4F9、CF3S02，且 φ為2或3。 8如請求項5之裝置，其中L，具有式VII:
    月求項1之裝置，其中該至少一層為一發光層。 10·如請求項^ 之裝置，其中該發光層進一步包含一稀釋 劑。 :月求項10之裝置，其中該稀釋劑包含聚合物或小分子 材料，或其混合物。 1363792 101年02月16曰修正 12.- 種具有式I之化合物：
    ：lrL'yL" (I) 其中 R1=H、R4、OR4、N(R4)2 r2=H、CnF2n+1、CnF2n+1S02、COOR4、CN r3=H、CnF2n+1、CnF2n+1S02、COOR4、CN r4在各情況下係相同或不同且為H、烷基、芳基，或 相鄰之R4基團可連接至一起以形成一 5員或6員環， 雙牙配位基且不為苯基„比咬、苯基鳴咬或苯基喧 琳； L單牙配位基且不為笨基吡啶、苯基嘧啶或苯基喹 琳； m=i， n為一 1至20之整數， y=i，且 z=2， 其限制料為該化合物係為t中性的且㉟係為六配 價。 1363792 101年02月16日修正 13.如請求項12之化合物，其中式I中之R2及R3係選自Η、 CF3、C2F3、正 C3F7、異 C3F7、C4F9、CF3S02、COOR4及 CN。 Me2NN^^ N F、 (ix) F3c F 14. 一種化合物，其具有一選自下列式XV之結構
    (XV)
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Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7476452B2 (en) * 2000-06-30 2009-01-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridine ligands, and devices made with such compounds
US7816016B1 (en) * 2003-02-13 2010-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds and devices made therefrom
SE528408C2 (sv) 2005-03-07 2006-11-07 Interactive Inst Ii Ab En metod och en anordning för visuell indikering av ström- eller effektförbrukning i en elkabel
EP2036914A1 (en) 2005-06-30 2009-03-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electro luminescent metal complexes
JP2007059783A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Showa Denko Kk 有機ｅｌ素子、その製造方法およびその用途
US8115378B2 (en) * 2006-12-28 2012-02-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tetra-substituted chrysenes for luminescent applications
US8257836B2 (en) 2006-12-29 2012-09-04 E I Du Pont De Nemours And Company Di-substituted pyrenes for luminescent applications
KR101547159B1 (ko) * 2007-05-18 2015-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 발광소자를 포함하는 전자기기
KR101554751B1 (ko) 2007-06-01 2015-09-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 녹색 발광 재료
JP5292394B2 (ja) * 2007-06-01 2013-09-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 青色発光材料
KR101554750B1 (ko) 2007-06-01 2015-09-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 진청색 발광 용도를 위한 크라이센
JP5401449B2 (ja) * 2007-06-01 2014-01-29 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 緑色発光用途のためのクリセン類
TW200911821A (en) * 2007-06-08 2009-03-16 Solvay Light emitting material
US8192848B2 (en) 2008-01-11 2012-06-05 E I Du Pont De Nemours And Company Substituted pyrenes and associated production methods for luminescent applications
JP5609022B2 (ja) * 2008-06-23 2014-10-22 住友化学株式会社 金属錯体の残基を含む高分子化合物及びそれを用いた素子
JP2011526416A (ja) * 2008-06-26 2011-10-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機発光ダイオード照明器具
WO2009158555A2 (en) 2008-06-26 2009-12-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US20110215715A1 (en) * 2008-11-19 2011-09-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Chrysene compounds for blue or green luminescent applications
US8932733B2 (en) * 2008-12-19 2015-01-13 E I Du Pont De Nemours And Company Chrysene derivative host materials
TW201038532A (en) * 2008-12-19 2010-11-01 Du Pont Anthracene compounds for luminescent applications
US8531100B2 (en) 2008-12-22 2013-09-10 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
KR20110114594A (ko) * 2008-12-22 2011-10-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광활성 조성물 및 그 조성물로 제조된 전자 소자
EP2393820A4 (en) * 2009-02-06 2013-03-13 Solvay IRIDIUM COMPLEX EMITTING PHOSPHORESCENT LIGHT CONTAINING LIGAND PYRIDYLTRIAZOLE
US8759818B2 (en) 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
WO2010114583A1 (en) 2009-04-03 2010-10-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
EP2671936B1 (en) 2009-05-19 2015-06-24 E. I. du Pont de Nemours and Company Chrysene compounds for luminescent applications
EP2449054A4 (en) 2009-07-01 2013-05-29 Du Pont CHRYSENE COMPOUNDS FOR LUMINESCENT APPLICATIONS
KR101545774B1 (ko) * 2009-08-13 2015-08-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 크라이센 유도체 재료
US8476620B2 (en) * 2009-08-24 2013-07-02 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
KR20120066026A (ko) * 2009-08-24 2012-06-21 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 유기 발광 다이오드 조명기구
WO2011028482A2 (en) * 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
TW201117652A (en) * 2009-08-24 2011-05-16 Du Pont Organic light-emitting diode luminaires
CN102484213A (zh) * 2009-08-24 2012-05-30 E.I.内穆尔杜邦公司 有机发光二极管灯具
TW201121116A (en) * 2009-08-24 2011-06-16 Du Pont Organic light-emitting diode luminaires
EP2483366A4 (en) 2009-09-29 2013-05-01 Du Pont DEUTERATED COMPOUNDS FOR LUMINESCENT APPLICATIONS
JP2013508380A (ja) 2009-10-19 2013-03-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用のトリアリールアミン化合物
CN102596893A (zh) 2009-10-19 2012-07-18 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子应用的三芳基胺化合物
US8716699B2 (en) 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
CN102596950A (zh) * 2009-10-29 2012-07-18 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子应用的氘代化合物
US8674343B2 (en) 2009-10-29 2014-03-18 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US8716700B2 (en) * 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
TW201119976A (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Du Pont Deuterated compound as part of a combination of compounds for electronic applications
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
US8465849B2 (en) * 2009-12-21 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated zirconium compound for electronic applications
TW201213277A (en) 2010-08-11 2012-04-01 Du Pont Electroactive compound and composition and electronic device made with the composition
JP5886858B2 (ja) 2010-08-24 2016-03-16 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 光活性組成物、およびその組成物を用いて作製した電子デバイス
CN102408448B (zh) * 2010-09-21 2015-04-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种检测次氯酸根的磷光材料
TW201229010A (en) 2010-12-13 2012-07-16 Du Pont Electroactive materials
US9269909B2 (en) 2010-12-15 2016-02-23 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive material and devices made with such materials
US20130248843A1 (en) 2010-12-17 2013-09-26 E I Du Pont De Nemours And Company Anthracene derivative compounds for electronic applications
TW201229003A (en) 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
TW201229204A (en) 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
KR102158326B1 (ko) 2010-12-20 2020-09-21 주식회사 엘지화학 전자적 응용을 위한 전기활성 조성물
US20130264560A1 (en) 2010-12-20 2013-10-10 E I Du Pont De Nemours And Company Triazine derivatives for electronic applications
JP5727038B2 (ja) 2010-12-20 2015-06-03 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 電子技術応用のための組成物
EP2655339A1 (en) 2010-12-21 2013-10-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a pyrimidine compound
WO2013059718A1 (en) 2011-10-19 2013-04-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device for lighting
JP2012039161A (ja) * 2011-11-22 2012-02-23 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
CN104203967A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 E.I.内穆尔杜邦公司 绿色发光材料
KR101503767B1 (ko) * 2012-04-30 2015-03-19 율촌화학 주식회사 신규의 금속 착화합물 및 이를 포함하는 청색 인광 유기발광소자
KR102065586B1 (ko) 2013-01-30 2020-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 착체 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102037375B1 (ko) 2013-02-13 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 착체 및 이를 포함한 유기 발광 소자
EP2958917A1 (en) 2013-02-25 2015-12-30 E. I. du Pont de Nemours and Company Electronic device including a diazachrysene derivative
WO2015089304A1 (en) 2013-12-13 2015-06-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company System for forming an electroactive layer
US9944846B2 (en) 2014-08-28 2018-04-17 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
US9972783B2 (en) 2015-03-25 2018-05-15 E I Du Pont De Nemours And Company High energy triarylamine compounds for hole transport materials
US10804473B2 (en) 2015-05-21 2020-10-13 Lg Chem, Ltd. Electron transport materials for electronic applications
US9966542B2 (en) 2016-06-02 2018-05-08 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
RU2657496C1 (ru) * 2017-07-10 2018-06-14 Сиа Эволед Разнолигандные фторзамещенные ароматические карбоксилаты лантанидов, проявляющие люминесцентные свойства, и органические светодиоды на их основе

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE187732T1 (de) 1994-07-25 2000-01-15 Roche Diagnostics Gmbh Hydrophile metallkomplexe
US5552678A (en) 1994-09-23 1996-09-03 Eastman Kodak Company AC drive scheme for organic led
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
KR20100042665A (ko) 1999-03-23 2010-04-26 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 유기 엘이디의 인광성 도펀트로서의 사이클로메탈화 금속 복합체
JP3992929B2 (ja) 1999-05-13 2007-10-17 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 電気リン光に基づく高効率有機発光装置
ATE511222T1 (de) 1999-12-01 2011-06-15 Univ Princeton Komplex der formel l2irx
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP4048521B2 (ja) 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 発光素子
US20020121638A1 (en) * 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
US7476452B2 (en) 2000-06-30 2009-01-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridine ligands, and devices made with such compounds
US6670645B2 (en) 2000-06-30 2003-12-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
EP1175128B1 (en) 2000-07-17 2010-09-22 FUJIFILM Corporation Light emitting element and azole compound
US7306856B2 (en) * 2000-07-17 2007-12-11 Fujifilm Corporation Light-emitting element and iridium complex
EP1325671B1 (en) 2000-08-11 2012-10-24 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
US6939624B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
KR100750756B1 (ko) 2000-11-30 2007-08-20 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
CN100505376C (zh) * 2000-11-30 2009-06-24 佳能株式会社 发光器件和显示装置
JP3812730B2 (ja) * 2001-02-01 2006-08-23 富士写真フイルム株式会社 遷移金属錯体及び発光素子
US7320833B2 (en) 2001-11-07 2008-01-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
EP2299785A1 (en) 2001-12-26 2011-03-23 E. I. du Pont de Nemours and Company Iridium compounds
US6869695B2 (en) 2001-12-28 2005-03-22 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US6919139B2 (en) * 2002-02-14 2005-07-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with phosphinoalkoxides and phenylpyridines or phenylpyrimidines and devices made with such compounds
DE10215010A1 (de) 2002-04-05 2003-10-23 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
US6916554B2 (en) * 2002-11-06 2005-07-12 The University Of Southern California Organic light emitting materials and devices
CN100340630C (zh) * 2002-08-16 2007-10-03 南加利福尼亚大学 有机发光材料和器件
EP1551206A4 (en) * 2002-10-09 2007-12-05 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
KR100682858B1 (ko) * 2003-06-26 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 금속 착물 및 이를 채용한 유기 전계 발광 소자
US7198730B2 (en) * 2003-08-28 2007-04-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Phosphorescent material
JP4438394B2 (ja) * 2003-10-30 2010-03-24 三菱化学株式会社 有機金属錯体およびそれを用いた有機電界発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005075597A3 (en) 2005-12-01
WO2005075597A2 (en) 2005-08-18
US20050037233A1 (en) 2005-02-17
JP4918365B2 (ja) 2012-04-18
TW200604312A (en) 2006-02-01
US7476452B2 (en) 2009-01-13
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US20070292713A9 (en) 2007-12-20

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