JP4917085B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4917085B2 JP4917085B2 JP2008318606A JP2008318606A JP4917085B2 JP 4917085 B2 JP4917085 B2 JP 4917085B2 JP 2008318606 A JP2008318606 A JP 2008318606A JP 2008318606 A JP2008318606 A JP 2008318606A JP 4917085 B2 JP4917085 B2 JP 4917085B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous
- semiconductor device
- crystalline
- amorphous film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 47
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 35
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 237
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710195802 Nitric oxide synthase oxygenase Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000311 lanthanide oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40117—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a charge-trapping insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/4234—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66833—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a charge trapping gate insulator, e.g. MNOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
前記ブロッキング酸化膜が、前記チャージトラップ膜側に設けられた結晶質膜と、前記ゲート電極側に設けられたアモルファス膜とを具備し、前記チャージトラップ膜がSiNから構成される半導体装置であって、前記ブロッキング酸化膜が、前記チャージトラップ膜上に第1アモルファス膜を形成する第1アモルファス膜形成工程と、前記第1アモルファス膜上に当該第1アモルファス膜より結晶化され難い第2アモルファス膜を形成する第2アモルファス膜形成工程と、前記第1アモルファス膜が結晶化され、かつ、前記第2アモルファス膜が結晶化されない温度に加熱して、前記第1アモルファス膜を結晶化する加熱工程とによって形成され、前記第1アモルファス膜形成工程と、前記第2アモルファス膜形成工程と、前記加熱工程とを、複数の前記シリコン基板を、円筒状の処理容器内に間隔を設けて上下方向に積層して収容して処理するバッチ式の処理装置であって、前記処理容器内に処理ガスを供給する機構と、前記処理ガスをプラズマ化する機構と、前記シリコン基板を加熱する機構と、前記処理容器内を真空排気する機構とを具備したバッチ式の処理装置によって、同一の前記処理容器内で連続的に行うことを特徴とする。
のプロットがイレース(消去)を示している。図3に示すように、結晶質膜をブロッキング酸化膜113として使用した場合、図2に示すアモルファス膜の場合(ΔV=3.4V)に比べ、消去(Erase)側のウィンドウ特性が改善され、ウィンドウ特性が、ΔV=8.2Vと良好になる。これは、結晶化により膜中にホールトラップが形成されるためである。
Claims (6)
- シリコン基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング酸化膜、ゲート電極が、下側からこの順で形成された積層構造を有し、
前記ブロッキング酸化膜が、前記チャージトラップ膜側に設けられた結晶質膜と、前記ゲート電極側に設けられたアモルファス膜とを具備し、
前記チャージトラップ膜がSiNから構成される半導体装置であって、
前記ブロッキング酸化膜が、
前記チャージトラップ膜上に第1アモルファス膜を形成する第1アモルファス膜形成工程と、
前記第1アモルファス膜を加熱して結晶質膜とする加熱工程と、
前記結晶質膜の上層に第2アモルファス膜を形成する第2アモルファス膜形成工程とによって形成され、
前記第1アモルファス膜形成工程と前記加熱工程と前記第2アモルファス膜形成工程とを、
複数の前記シリコン基板を、円筒状の処理容器内に間隔を設けて上下方向に積層して収容して処理するバッチ式の処理装置であって、前記処理容器内に処理ガスを供給する機構と、前記処理ガスをプラズマ化する機構と、前記シリコン基板を加熱する機構と、前記処理容器内を真空排気する機構とを具備したバッチ式の処理装置によって、同一の前記処理容器内で連続的に行う
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記結晶質膜が、Al 2 O 3 、HfO 2 、ZrO 2 、Ta 2 O 5 、Y 2 O 3 、ランタノイド系酸化物のいずれかから構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置であって、
前記アモルファス膜が、アルミニウムシリケート膜、Al 2 O 3 膜、又は、Al 2 O 3 膜とSiO 2 膜とを積層させたAl 2 O 3 −SiO 2 ラミネート膜、のいずれかから構成されていることを特徴とする半導体装置。 - シリコン基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング酸化膜、ゲート電極が、下側からこの順で形成された積層構造を有し、
前記ブロッキング酸化膜が、前記チャージトラップ膜側に設けられた結晶質膜と、前記ゲート電極側に設けられたアモルファス膜とを具備し、
前記チャージトラップ膜がSiNから構成される半導体装置であって、
前記ブロッキング酸化膜が、
前記チャージトラップ膜上に第1アモルファス膜を形成する第1アモルファス膜形成工程と、
前記第1アモルファス膜上に当該第1アモルファス膜より結晶化され難い第2アモルファス膜を形成する第2アモルファス膜形成工程と、
前記第1アモルファス膜が結晶化され、かつ、前記第2アモルファス膜が結晶化されない温度に加熱して、前記第1アモルファス膜を結晶化する加熱工程と
によって形成され、
前記第1アモルファス膜形成工程と、前記第2アモルファス膜形成工程と、前記加熱工程とを、
複数の前記シリコン基板を、円筒状の処理容器内に間隔を設けて上下方向に積層して収容して処理するバッチ式の処理装置であって、前記処理容器内に処理ガスを供給する機構と、前記処理ガスをプラズマ化する機構と、前記シリコン基板を加熱する機構と、前記処理容器内を真空排気する機構とを具備したバッチ式の処理装置によって、同一の前記処理容器内で連続的に行う
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置であって、
前記結晶質膜が、Al 2 O 3 、HfO 2 、ZrO 2 、Ta 2 O 5 、Y 2 O 3 、ランタノイド系酸化物のいずれかから構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4又は5記載の半導体装置であって、
前記アモルファス膜が、アルミニウムシリケート膜、Al 2 O 3 膜、又は、Al 2 O 3 膜とSiO 2 膜とを積層させたAl 2 O 3 −SiO 2 ラミネート膜、のいずれかから構成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008318606A JP4917085B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 半導体装置 |
KR1020090094569A KR101119880B1 (ko) | 2008-12-15 | 2009-10-06 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US12/630,296 US8129775B2 (en) | 2008-12-15 | 2009-12-03 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
TW098142653A TWI400793B (zh) | 2008-12-15 | 2009-12-14 | A semiconductor device, and a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008318606A JP4917085B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012011680A Division JP5462897B2 (ja) | 2012-01-24 | 2012-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010141256A JP2010141256A (ja) | 2010-06-24 |
JP4917085B2 true JP4917085B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=42239476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008318606A Active JP4917085B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8129775B2 (ja) |
JP (1) | JP4917085B2 (ja) |
KR (1) | KR101119880B1 (ja) |
TW (1) | TWI400793B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9000556B2 (en) * | 2011-10-07 | 2015-04-07 | International Business Machines Corporation | Lateral etch stop for NEMS release etch for high density NEMS/CMOS monolithic integration |
CN103855164A (zh) * | 2012-12-07 | 2014-06-11 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法与操作方法 |
US8877624B2 (en) | 2013-01-10 | 2014-11-04 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structures |
US9275909B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-03-01 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating semiconductor structures |
JP2016157874A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 半導体積層構造体及びその製造方法、並びに半導体素子及びその製造方法 |
FR3062517B1 (fr) * | 2017-02-02 | 2019-03-15 | Soitec | Structure pour application radiofrequence |
US11737276B2 (en) | 2021-05-27 | 2023-08-22 | Tokyo Electron Limited | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004079687A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Tokyo Electron Ltd | キャパシタ構造、成膜方法及び成膜装置 |
JP4410497B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2010-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
KR100688521B1 (ko) | 2005-01-18 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 고유전율 절연막을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR100771808B1 (ko) | 2006-07-05 | 2007-10-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | Sonos 구조를 갖는 플래시 메모리 소자 및 그것의제조 방법 |
CN101283448B (zh) * | 2005-10-03 | 2011-08-31 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体存储装置及其制造方法 |
KR101152390B1 (ko) * | 2006-05-29 | 2012-06-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 캐패시터의 유전막 및 그 제조 방법과 이를 이용한 반도체소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 |
KR20080010623A (ko) | 2006-07-27 | 2008-01-31 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
KR20080031594A (ko) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | 삼성전자주식회사 | 전하 트랩형 메모리 소자 |
JP4365850B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2009-11-18 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100805018B1 (ko) * | 2007-03-23 | 2008-02-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
JP5221065B2 (ja) | 2007-06-22 | 2013-06-26 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
US7790591B2 (en) * | 2007-11-13 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing semiconductor devices including metal oxide layers |
JP5208537B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2013-06-12 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶素子 |
JP2010021204A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-15 JP JP2008318606A patent/JP4917085B2/ja active Active
-
2009
- 2009-10-06 KR KR1020090094569A patent/KR101119880B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-03 US US12/630,296 patent/US8129775B2/en active Active
- 2009-12-14 TW TW098142653A patent/TWI400793B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI400793B (zh) | 2013-07-01 |
TW201041124A (en) | 2010-11-16 |
US8129775B2 (en) | 2012-03-06 |
KR101119880B1 (ko) | 2012-03-14 |
KR20100069560A (ko) | 2010-06-24 |
JP2010141256A (ja) | 2010-06-24 |
US20100148241A1 (en) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4917085B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101504910B1 (ko) | 성막 장치 | |
US9972500B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US20180076021A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
TWI552225B (zh) | SiCN膜之形成方法及裝置 | |
JP5258229B2 (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
JP5661262B2 (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
TWI555059B (zh) | A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium | |
JP6124477B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 | |
JP6147480B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
TW201308488A (zh) | 膜形成方法及膜形成設備 | |
TWI436421B (zh) | Substrate processing method and substrate processing device | |
WO2009123331A1 (ja) | Mos型半導体メモリ装置およびその製造方法 | |
JP6747220B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2019175911A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP5462897B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9552981B2 (en) | Method and apparatus for forming metal oxide film | |
JP6946248B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
WO2009123335A1 (ja) | Mos型半導体メモリ装置の製造方法およびプラズマcvd装置 | |
JP2009132961A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
WO2008156215A1 (ja) | Mos型半導体メモリ装置 | |
JP7296855B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2010123752A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101533846B1 (ko) | 반도체 디바이스 제조 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법 | |
JP2009088236A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111227 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4917085 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |