JP4914795B2 - 電子機器 - Google Patents

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本発明は、ICカードリーダライタのような電子機器に関し、特に、当該電子機器に対する不正アクセスの防止技術に関する。
ICカードリーダライタのような電子機器に格納された情報への不正アクセスに対抗する手段としては、例えば、特許文献1に開示されているものが挙げられる。
特開2003−141469号公報
特許文献1記載の技術では、バッテリからの電源供給を遮断することにより記憶部に記憶されたデータの消去を行うとしていることから明らかなように、揮発性の記憶手段にしか適用ができない。しかしながら、実際には、不正利用を防ぎたい情報が不揮発性の記憶手段に格納されていることも多く、そのような場合には特許文献1記載の技術では対処し得ない。
また、特許文献1記載の技術によれば、バッテリが放電しきってしまうと、不正アクセスを試みた場合と同様に記憶部への電源供給が遮断されてしまい、不正アクセスが行われたのではない場合にも不正アクセスが試みられた場合と同様の処理が行われることとなる。かかる誤動作を避け、不正アクセスが試みられた場合にのみ、記憶部への電源供給が遮断され保護したい情報が消去されるという状態を作り出すためには、バッテリの容量をかなり大きなものとしなければならない。
そこで、本発明は、バッテリの容量を大きくせずとも適切に機能する新たな不正アクセスへの対抗手段を備えた電子機器を提供することを目的とする。
即ち、本発明によれば、第1の電子機器として、筐体と、該筐体に収容される基板であって不正アクセスから保護したい情報を格納してなる記憶手段と制御手段とを形成されてなる基板を備える電子機器であって、前記筐体が開けられたことを検出して開状態検出信号をアサートする筐体開状態検出手段を更に備えており、前記制御手段は、アサートされた前記開状態検出信号に応じて前記記憶手段に格納された前記保護したい情報に対する保護処理を実行するように構成されている電子機器が得られる。
更に、本発明によれば、第2の電子機器として、第1の電子機器において、前記筐体は導体からなり、前記筐体を閉じた状態において当該筐体を電気的パスの一部とするようなパターンが前記基板上に形成されており、前記筐体開状態検出手段は該電気的パスが切れたことをもって前記検出信号をアサートする電子機器が得られる。
更に、本発明によれば、第3の電子機器として、第1又は第2の電子機器において、前記保護処理は、前記記憶手段に格納された前記保護したい情報の削除である電子機器が得られる。
更に、本発明によれば、第4の電子機器として、第1乃至第3のいずれかの電子機器において、主電源オフ時であっても、一定期間、前記筐体開状態検出手段にバッテリ電源を供給するためのバッテリ回路と、該バッテリ回路が放電した後に主電源がオンされた場合に該バッテリが放電していたことを検出し放電状態検出信号をアサートするためのバッテリ放電検出手段とを更に備えており、前記制御手段は、アサートされた前記放電状態検出信号に応じて不正アクセス対応処理を実行するように構成されている電子機器が得られる。
更に、本発明によれば、第5の電子機器として、第4の電子機器において、前記不正アクセス対応処理は、当該電子機器の動作凍結処理である電子機器が得られる。
更に、本発明によれば、第6の電子機器として、第5の電子機器において、リセット信号を生成するリセット信号生成手段を更に備えており、前記バッテリ放電検出手段は、前記リセット信号を受けて、前記放電状態検出信号をネゲートし、前記動作凍結処理を解除する、電子機器が得られる。
また、本発明によれば、第7の電子機器として、第6の電子機器において、前記リセット信号は、前記筐体開状態検出手段にも入力され、それにより、前記筐体開状態検出手段は、前記開状態検出信号をネゲートする、電子機器が得られる。
また、本発明によれば、第8の電子機器として、第6又は第7の電子機器において、前記リセット信号生成手段は、外部からリセット指示を入力するための入力指示手段を備えており、少なくとも所定時間に亘って前記リセット指示が入力され続けた場合にのみ、前記リセット信号を生成する、電子機器が得られる。
更に、本発明によれば、第9の電子機器として、第4乃至第8のいずれかの電子機器において、前記開状態検出信号がアサートされた状態と前記放電状態検出信号がアサートされた状態とが競合する場合には、前記制御手段は、前記保護処理を行わず、前記不正アクセス対応処理を行う電子機器が得られる。
更に、本発明によれば、第1乃至第9のいずれかの電子機器を備えるICカードリーダライタが得られる。
本発明によれば、不正アクセス目的等で筐体が開けられると、その状態が筐体開状態検出手段により検出され、その検出に応じて、制御手段によるデータ消去等の情報保護処理が行われることとなっているため、不正アクセスにより重要なデータ等が悪用されるのを防ぐこができる。
以下、本発明の実施の形態による電子機器としてICカードリーダライタを例にとり詳細に説明する。
図1に示されるように、本実施の形態におけるICカードリーダライタは、上位装置とのコマンド送受信を行う上位インタフェース1と、ICカードリーダライタ全体を制御するCPU2と、CPU2の動作プログラム及びICカードリーダライタ−ICカード間で送受信されるデータの暗号化処理に使われる鍵データ等を保存しているメモリ3と、ICカードへ送信するデータの変調処理を行う変調回路4と、変調したデータを増幅する送信アンプ5と、ICカードとの通信を行うアンテナ6と、アンテナとのインピーダンス整合を行う整合回路7と、ICカードからの受信信号を検波する検波回路8と、ICカードからの受信信号を増幅する受信アンプ9と、ICカードからの受信信号を復調する復調回路10を備えている。これらの回路等は制御基板上に形成され、制御基板は筐体に収容されている。
このような構成を有するICカードリーダライタに対してスキミング装置を取り付けるといった不正改造を行おうとした場合、復調回路10とCPU2の間の信号ラインや、CPU2と上位インタフェース1の間の信号ラインが考えられる。即ち、いずれの場合にも、筐体を開けなければならない。このことを利用し、本実施の形態においては、筐体を開けたことを検出した場合に悪用されたくない情報を破棄してしまうなどといった情報保護処理を行うことにより、不正アクセスへ対処することとしている。即ち、本実施の形態においては、筐体が開けられた場合に電気的パスが途切れるように制御基板上に形成された筐体開状態検出接点11と、筐体開状態検出接点11に接続され、筐体が開けられた場合に、それをCPU2に通知するための筐体開状態検出回路12をリーダライタに設けることとしている。
なお、本実施の形態における筐体開状態検出回路12には、バッテリ回路13が接続されているため、主電源がオフになった場合であっても、所定の時間、バッテリ回路13から筐体開状態検出回路12に対するバッテリ電源の供給が行われることから、バッテリ回路13からのバッテリ電源の供給が行われる所定の時間に筐体が開けられたりしても筐体開状態検出回路12は、筐体が開けられたことを検出してCPU2に通知することができる。このようにして、筐体開状態検出回路12から筐体が開けられたことを通知されたCPU2は、メモリ3に格納された情報等の保護すべき情報をアクセス不能にしたりICカードリーダライタとしての機能を果たせないようにしたりするといった保護処理を行う。
但し、筐体開状態検出回路12が機能するのは、主電源がオフとなった後においては、バッテリ回路13からバッテリ電源が供給されている間だけである。即ち、バッテリ電源の供給さえも途絶えてしまった場合には、筐体開状態検出回路12を機能させるための電源がなくなってしまうことから、筐体を開けたとしても、それを検出することはできなくなってしまうし、少なくとも、CPU2に上述した保護処理を行わせることはできない。
かかる場合をも想定し、本実施の形態においては、更に、主電源投入後に、バッテリが一旦放電してしまっていたことを検出してCPU2にバッテリが放電していたことを通知するバッテリ放電検出回路14を備えている。バッテリ放電検出回路14からバッテリが放電していたとの通知を受けたCPU2は、バッテリ放電状態において不正改造等が行われていなかったことを確認できるまでICカードリーダライタの機能を停止する動作凍結処理のような不正アクセス対応処理を行う。特に、本実施の形態においては、バッテリ放電検出回路14に接続されたリセット回路15を更に備えており、バッテリ放電検出回路14にてバッテリ放電状態を検出した場合、リセット回路15にて正規オペレータ等によるリセットが行われるまで、上述した動作凍結処理が行われ続けることとなっている。従って、バッテリが放電するまで待った後、筐体を開けて不正改造等を行おうとしても、結局、ICカードリーダライタの不正使用をすることはできないように構成されている。
以下、図2乃至図8をも参照して、本実施の形態による不正アクセスへの対処手段について、より詳細に説明する。
図2に示される制御基板20には、前述したCPU2やメモリ3、変調回路4等の種々の回路が設けられている。加えて、本実施の形態における制御基板20には、導体からなる筐体開状態検出接点11(21,22)が設けられている。本実施の形態においては、IC−ドリーダライタの筐体に制御基板20を取り付けるための固定用孔23のパターンランドを筐体開状態検出接点11(21,22)として利用している。
図3に示されるように、制御基板20は、導体からなる筐体上部30及び筐体下部31に挟まれるようにして筐体32内に組み込まれる。筐体32が閉じている状態では、筐体開状態検出接点21,22は導体である筐体上部30又は筐体下部31を通して電気的に接続されている。即ち、本実施の形態においては、筐体は、筐体開状態検出接点21と筐体開状態検出接点22とを接続する電気的パスの一部を構成する。このため、筐体が開けられた場合には、筐体開状態検出接点21と筐体開状態検出接点22とを接続する電気的パスが遮断されることとなる。本実施の形態においては、この電気的パスの遮断をもって筐体が開けられたか否かを検出する。かかる仕組みはメカ式スイッチやセンサを用いないことから、不正改造を行おうとする者が筐体開状態検出機能の具備を容易に察することは出来ないため、筐体開状態検出機能が無効化されてしまうといった確率を下げることができる。加えて、本実施の形態による筐体開状態検出接点11(21,22)は、極めて安価に構成することができる。なお、本実施の形態においては、筐体を導体からなるものとして説明したが、本発明はそれに制限されるものではなく、例えば、導体線路をプラスチック等で構成された筐体内表面上に設け、筐体が閉じられた状態においては、その導体線路をもって、筐体開状態検出接点11(21,22)間を接続することとしてもよい。
本実施の形態におけるバッテリ回路13は、図4に示されるような構成を備えている。図4において、充電電流制限抵抗40は、主電源Vccからバッテリ45に供給されるバッテリ充電電流の制限を行うものであり、充電電圧設定ダイオード41は、主電源Vccからバッテリ45へ印加される充電電圧を一定に保つよう制限するものである。充電電流整流ダイオード43は、主電源Vccが印加されていない場合に、主電源Vccへバッテリ45からの電流の逆流を防止するためのものである。整流ダイオード42は、主電源Vccをバッテリ回路出力Vbatへバイパスするためのものである。この整流ダイオード42により、主電源Vccが印加されている状態においては、主電源Vccがバッテリ回路出力Vbatとして供給されることとなる。バッテリ電流整流ダイオード44は、整流ダイオード42を通った電流がバッテリ45へ逆流することを防止すると共に主電源Vccにバッテリ電圧が単純に加算されてしまうといった状態を防ぐ(即ち、電圧制限の無い電源給電を防止する)ためのものである。かかる構成により、主電源Vcc印加時には主電源Vccがバッテリ回路出力Vbatとして供給される共にバッテリ45への充電が行われる。一方、主電源Vccが印加されなくなると、状態が自動的に切り替わり、バッテリ45からバッテリ回路出力Vbatへの供給が行われることとなる。従って、主電源Vccからの電源供給が停止した場合でも、バッテリ45が放電しきらない限りバッテリ回路出力Vbatからの電源供給は行われ続けることとなる。
図5に示されるように、本実施の形態における筐体開状態の検出及びバッテリの放電状態検出は、夫々、Dフリップフロップ回路(以下「D−FF」と表記する)50及び60を備える筐体開状態検出回路12及び放電状態検出回路14により行われる。
筐体開状態検出回路12はバッテリ回路出力Vbatからの電源供給により動作する。筐体開状態検出回路12を構成するD−FF50のD1端子は、バッテリ回路出力Vbatに接続されている。即ち、バッテリ回路13を介して電源が供給されている限り、D1端子には、Hレベルが与えられることとなっている。D−FF50のCK1端子は端子(筐体開放検出接点)21に接続されると共にプルアップ抵抗51を介してバッテリ回路出力Vbatに接続されている。従って、CK1端子は、筐体が閉じた状態では、端子21、筐体上部30又は筐体下部31、及び端子(筐体開放検出接点)22を介して、GNDに接続されることとなる一方、端子21と端子22とが接続されていない状態、即ち、筐体が開けられた状態においては、CK1端子はプルアップ抵抗51によりバッテリ回路出力Vbatの電圧にプルアップされる。D−FF50の/CLR1端子は、後述するリセット回路15に接続されている。D−FF50の/PR1端子は、バッテリ回路出力Vbatに接続されている。D−FF50のQ1端子は端子52を介してCPU2に接続され、筐体開状態検出信号を出力している。この筐体開状態検出信号は、原則として、CK1端子に入力される信号の立ち上がり時にD1端子に入力される信号をラッチした値となるが、/PR1端子にL->Hレベルが与えられるか、/CLR1端子にH->Lレベルが与えられたときには、Q1端子からの出力、即ち、筐体開状態検出信号はクリアされてLレベルとなる。
ここで、筐体開状態検出回路12の動作を図6のタイミングチャートを参照しながら説明する。Q1端子からの出力は、初期状態においては、プリセットされているため、Lレベルとなっている。また、前述の通り、筐体開状態検出回路12の動作中、即ち、バッテリ回路13から電源が供給されている間、D1端子にはHレベルが供給されている。筐体が閉じている状態においては、端子21と端子22の間が接続されていることとなるので、CK1端子はGNDに接続される。即ち、CK1端子にはLレベルが与えられる。
タイミングt1において、筐体32が開けられ、端子21と端子22との接続が切断されたとする。すると、CK1端子のレベルはLレベルからHレベルへと変化することとなる。このCK1端子のレベル変化により、D1端子のレベルがラッチされ、Q1端子の出力レベルに反映される。即ち、初期状態でLレベルであったQ1端子のレベルは、Hレベルへと変化する。このレベル変化が端子52を介してCPU2に伝達され、それをもって、CPU2は筐体開状態検出信号がアサートされたと認識することができる。CPU2は、筐体開状態検出信号がアサートされたことを認識すると、メモリ3に記録してあるプログラムおよびデータの消去をする処理(保護処理)を実行する。即ち、本実施の形態によれば、筐体開状態検出回路12が筐体の開けられた状態を検出し、その検出結果に基づいてCPU2が保護処理を実行すると、不正改造後に筐体を閉じたとしても、もはやICカードリーダライタとしての機能を発揮できなくなっているため、不正改造されたICカードリーダライタを悪用される恐れはなくなる。
次いで、タイミングt2において、筐体32を閉じたとする。この場合、端子21と端子22とは再び接続されることとなり、D−FF50のCK1端子には再びGNDが与えられることとなる。即ち、CK1端子のレベルは、HレベルからLレベルへと変化する。しかし、Q1端子のレベル変化に影響を及ぼすのは、CK1端子がLレベルからHレベルへと変化するときのみであるので、タイミングt2においてはQ1端子のレベルには変化は現れず、Q1端子のレベルはHレベルに保持されている。即ち、本実施の形態においては、一旦筐体を開いてしまうと、筐体を閉じたとしても、後述するリセット処理を行わない限り、筐体開状態検出信号をネゲートすることはできないように構成されている。
再び、図5を参照して、バッテリ放電検出回路14もまた、バッテリ回路出力Vbatから電源供給され動作する。バッテリ放電検出回路14を構成するD−FF60のD2端子は、バッテリ回路出力Vbatに接続されている。即ち、バッテリ回路13を介して電源が供給されている限り、D2端子には、Hレベルが与えられることとなっている。D−FF60のCK2端子はコンデンサ61を介してGNDに接続されると共にCK2プルアップ抵抗62を介してバッテリ回路出力Vbat3へ接続されている。即ち、CK2端子は、コンデンサ61が充電されるまでは、コンデンサ61に蓄えられた電荷に応じたレベルが与えられ、コンデンサ61が満充電となった場合には、プルアップ抵抗62を介してバッテリ回路出力Vbatと同じレベルになる。D−FF60の/CLR2端子は、筐体開状態検出回路12の/CLR1と同様、リセット回路15に接続されている。D−FF60のQ2端子は端子63を介してCPU2に接続され、放電状態検出信号を出力している。この放電状態検出信号は、原則として、CK2端子に入力される信号の立ち上がり時にD2端子に入力される信号をラッチした値となるが、/PR2端子にL->Hレベルが与えられるか、/CLR2端子にH->Lレベルが与えられたときには、Q2端子からの出力、即ち、放電状態検出信号はクリアされてLレベルとなる。
次に、バッテリ放電検出回路60の動作を図7のタイミングチャートを参照しながら説明する。
主電源も落とされ、バッテリ回路13のバッテリ45も放電しきってしまった状態で、タイミングt3において、主電源が投入されたとする。この場合、/PR2端子の働きにより、Q2端子のレベルはLレベルとなっており、D2端子のレベルはHレベルとなる。一方、CK2端子のレベルは、コンデンサ61に蓄えられた電荷に応じたレベルとなる。即ち、CK2端子のレベルは、徐々に上昇していく。そして、給電開始(タイミングt3)から一定時間経過したタイミングt4において、CK2端子のレベルは閾値(LレベルからHレベルへと遷移したと見做せるレベル)に達すると、それにより、D2端子のレベルがラッチされ、Q2端子のレベルへと反映される。このようにして、端子63からHレベルが出力される(即ち、バッテリ放電検出信号がアサートされる)とCPU2は、バッテリが放電していたことを認識し、正規オペレータによる検出信号のリセットが行われるまで、不正アクセス対応処理(本実施の形態においては、ICカードリーダライタの動作を凍結する処理)を行う。
再び図5に戻り、リセット回路15は、/CLR1端子及び/CLR2端子とGNDとの間に接続されたコンデンサ71と、/CLR1端子及び/CLR2端子とバッテリ回路出力Vbatとの間に接続されたプルアップ抵抗72と、リセット指示を入力するためのリセット端子74に対して/CLR1端子及び/CLR2端子を接続する抵抗73を備えている。本実施の形態におけるリセット回路15では、リセット端子74に対してLレベルを一定時間以上供給することにより、/CLR1端子及び/CLR2端子へのリセット信号の入力が行われる。リセット端子74へのLレベルの供給には例えばGNDとリセット端子74との間を接続するスイッチの役割を果たすリセットボタン(図示せず)を設け、そのリセットボタンを長押しすることとすればよい。
続いて、このリセット回路15によるリセット動作を図8のタイミングチャートを用いて説明する。リセット端子74へのリセット指示(Lレベル)の入力があるまでは、コンデンサ71は満充電となっているため、/CLR1端子や/CLR2端子はプルアップ抵抗72を介してバッテリ回路出力Vbatの電位までプルアップされている。即ち、/CLR1端子や/CLR2端子のレベルはHレベルとなっている。次いで、タイミングt5において、リセットボタン(図示せず)の長押しなどによりリセット端子74にリセット指示(Lレベル)が一定期間入力されると、コンデンサ71が放電し始めることとなり、それによって、/CLR1端子及び/CLR2端子の電位は徐々に下がっていくこととなる。そして、タイミングt6において、デジタル的には/CLR1端子及び/CLR2端子の状態がHからLへと遷移したと見做される状態となる。本実施の形態においては、この/CLR1端子及び/CLR2端子のH->L遷移がD−FF50及びD−FF60へのリセット信号となる。即ち、この/CLR1端子及び/CLR2端子のH->L遷移によって、D−FF50及びD−FF60はクリアされる。このように、その直前に、いかなる値が出力されていようとも、Q1端子からの出力(筐体開状態検出信号)及びQ2端子からの出力(放電状態検出信号)はLレベルとなる。なお、リセットボタンの押下時間などについては、コンデンサ71並びにプルアップ抵抗72及び抵抗73の定数で自由に設定が可能である。
なお、修理時や保守時においては、Q1端子もHレベルとなり、Q2端子もHレベルとなる場合、即ち、筐体開状態検出信号及びバッテリ放電検出信号が共にアサートされた状態が生じることもありうるが、本実施の形態においては、そのような場合、バッテリ放電検出信号がアサートされたことによる処理を優先して行うこととする。即ち、筐体開状態検出信号及びバッテリ放電検出信号が共にアサートされた状態においては、CPU2は、メモリ3に格納されたデータ等の消去を行わず、ICカードリーダライタの動作凍結処理を行うこととする。また、筐体開状態検出信号及びバッテリ放電検出信号が共にアサートされるような場合、コンデンサ61の充電にかかる時間により、アサートされるタイミングにズレが生じ、筐体開状態検出信号が若干先にアサートされる場合もあるが、そのような場合、CPU2が動作可能となる時点には筐体開状態検出信号及びバッテリ放電検出信号が共にアサートされている状態となるように、コンデンサ61やプルアップ抵抗62などで決まる時定数を調整することとする。これにより、ICカードリーダライタの動作凍結処理を行った際には、既に、メモリ3に格納されたデータ等が消去されていたという事態を回避することができる。
上述した実施の形態は種々変形可能である。例えば、筐体開状態検出回路及びバッテリ放電検出回路が動作したときになされる処理として、データの消去処理及び動作停止処理以外にも、上位インタフェースを通して筐体が開けられたことやバッテリ放電があったことを上位に通知したり、ブザーおよびLEDにて異常を表示したりする等、様々な処理方法が考えられる。
更に、本発明は、ICカードリーダライタに限らず、その他情報処理端末等の電子機器において有効である。また、本発明は、スキミング等に関する不正改造のみならず、非接触ICカードのリーダライタにおけるRF出力を電波法違反となるような出力に改造するといった不正改造の場合にも有効である。
本発明の実施の形態による電子機器を構成する回路群のブロック図である。 本実施の形態による制御基板を示す斜視図である。 本実施の形態による制御基板が筐体に組み込まれた状態の断面図である。 本実施の形態におけるバッテリ回路を示す図である。 筐体開状態検出回路、バッテリ放電検出回路及びリセット回路を示す図である。 筐体開状態検出回路の動作を示したタイミングチャートである。 バッテリ放電検出回路の動作を示したタイミングチャートである。 リセット回路によるリセット動作を示すタイミングチャートである。
符号の説明
1 上位インタフェース
2 CPU
3 メモリ
4 変調回路
5 送信アンプ
6 アンテナ
7 整合回路
8 検波回路
9 受信アンプ
10 復調回路
11 筐体開状態検出接点
12 筐体開状態検出回路
13 バッテリ回路
14 バッテリ放電検出回路
15 リセット回路
20 制御基板
21,22 端子(筐体開状態検出接点)
30 筐体上部
31 筐体下部
40 充電電流制限抵抗
41 充電電圧設定ダイオード
42 整流ダイオード
43 充電電流整流ダイオード
44 バッテリ電流整流ダイオード
45 バッテリ
50 Dフリップフロップ回路(D−FF)
51 プルアップ抵抗
52 端子
60 Dフリップフロップ回路(D−FF)
61 コンデンサ
62 プルアップ抵抗
63 端子
71 コンデンサ
72 プルアップ抵抗
73 抵抗
74 リセット端子

Claims (9)

  1. 筐体と、該筐体に収容される基板であって不正アクセスから保護したい情報を格納してなる記憶手段と制御手段とを形成されてなる基板を備える電子機器であって、
    前記筐体が開けられたことを検出して開状態検出信号をアサートする筐体開状態検出手段を更に備えており、
    前記制御手段は、アサートされた前記開状態検出信号に応じて前記記憶手段に格納された前記保護したい情報に対する保護処理を実行するように構成されており、
    主電源オフ時であっても、一定期間、前記筐体開状態検出手段にバッテリ電源を供給するためのバッテリ回路と、該バッテリ回路が放電した後に主電源がオンされた場合に該バッテリが放電していたことを検出し放電状態検出信号をアサートするためのバッテリ放電検出手段とを更に備えており、
    前記制御手段は、アサートされた前記放電状態検出信号に応じて不正アクセス対応処理を実行するように構成されている
    電子機器。
  2. 前記筐体は導体からなり、
    前記筐体を閉じた状態において当該筐体を電気的パスの一部とするようなパターンが前記基板上に形成されており、
    前記筐体開状態検出手段は該電気的パスが切れたことをもって前記開状態検出信号をアサートする
    請求項1記載の電子機器。
  3. 前記保護処理は、前記記憶手段に格納された前記保護したい情報の削除である
    請求項1又は請求項2記載の電子機器。
  4. 前記不正アクセス対応処理は、当該電子機器の動作凍結処理である
    請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子機器。
  5. リセット信号を生成するリセット信号生成手段を更に備えており、
    前記バッテリ放電検出手段は、前記リセット信号を受けて、前記放電状態検出信号をネゲートし、前記動作凍結処理を解除する
    請求項記載の電子機器。
  6. 前記リセット信号は、前記筐体開状態検出手段にも入力され、それにより、前記筐体開状態検出手段は、前記開状態検出信号をネゲートする
    請求項記載の電子機器。
  7. 前記リセット信号生成手段は、外部からリセット指示を入力するための入力指示手段を備えており、少なくとも所定時間に亘って前記リセット指示が入力され続けた場合にのみ、前記リセット信号を生成する
    請求項5又は請求項記載の電子機器。
  8. 前記開状態検出信号がアサートされた状態と前記放電状態検出信号がアサートされた状態とが競合する場合には、前記制御手段は、前記保護処理を行わず、前記不正アクセス対応処理を行う
    請求項乃至請求項のいずれかに記載の電子機器。
  9. 請求項1乃至請求項のいずれかに記載の電子機器を備えるICカードリーダライタ。
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