JP2006229667A - 耐タンパ装置及び耐タンパ方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 第三者によってカバーが不正に開けられた際、筐体内部のデータがコピーされたり、改ざんされることを確実に防止する耐タンパ装置を提供する。
【解決手段】 筐体１の収納ケース２に収容された電子回路基板３５上には、ホール素子３８及びホール電圧検出部４５が設けられており、カバー７内側のホール素子３８と対向する位置には、磁石２５が設けられている。カバー７が取り外されると、磁石２５によるホール素子３８を通過する磁束が変化する。ホール素子３８はこの磁束の変化をホール電圧Ｖｈの変化として出力する。ホール電圧Ｖｈが大きく変化すると、スイッチ５６が切り替わり、揮発性メモリ６０の電源端子を接地する。この結果、揮発性メモリ６０内のデータは消去される。
【選択図】 図３

Description

本発明は、カバー及びこのカバーによって閉じられる収納部からなる筐体の内部を、カバーの不正な開放から保護する耐タンパ装置及び耐タンパ方法に関する。

機密性の高いデータを扱う装置では、この装置のカバーが第三者によって開けられた後、装置そのものが破壊されたり、あるいは内部に記憶されたデータが改ざんされるようなことを防ぐ必要がある。従来、このような行為を防止するために、機密性の高いデータを扱う装置において、機械的なスイッチや光学センサを設け、カバーが不正に開けられたことが検出されると、この検出信号によって内部にあるメモリのデータを破壊するという措置が講じられていた（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−１７５４０５号公報

しかしながら、上記従来の耐タンパ性を確保する方法では、スイッチが作動しないように筐体に孔を開けたり、あるいは光学センサが反応しないような暗い場所でカバーが開けられた場合には、検出信号が発せられず、内部のデータが改ざんされたり、コピーされるおそれかあった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、第三者によってカバーが不正に開けられた際、筐体内部のデータがコピーされたり、改ざんされることを確実に防止することが可能な耐タンパ装置及び耐タンパ方法を提供することを目的とする。

本発明の耐タンパ装置は、カバーとこのカバーによって閉じられる収納部とを有してなる筐体の内部を、前記カバーの不正な開放から保護する耐タンパ装置であって、前記カバーと前記収納部のいずれか一方に設けられた磁束発生手段と、前記カバーと前記収納部のいずれか他方の、前記磁束発生手段と対向する位置に設けられ、前記磁束発生手段によって発生する磁束の変化を検知する磁束検知手段と、前記磁束検知手段によって磁束の変化が検知された場合、前記筐体内部の所定の機能を変更する機能変更手段とを備えるものである。
これにより、第三者によってカバーが不正に開けられた際、筐体内部のデータがコピーされたり、改ざんされることを確実に防止することができる。

また、本発明は、上記の耐タンパ装置であって、前記磁束検知手段は、前記磁束の変化が検知されたことを示す検出信号を生成する検出信号生成手段を備え、
前記機能変更手段は、前記生成された検出信号に従って、前記筐体内部に搭載されたメモリの内容を使用不能な状態に変更するメモリ制御手段を備えるものとする。
これにより、筐体内部に搭載されたメモリ内のデータが改ざんされたり、コピーされることを防ぐことができる。

また、本発明は、上記の耐タンパ装置であって、前記メモリ制御手段は、前記メモリに記憶されたデータを所定のデータに書き換えるものとする。
これにより、不揮発性メモリのデータについても、改ざんやコピーから守ることができる。

また、本発明は、上記の耐タンパ装置であって、所定の操作を受け付ける操作受付手段を備え、前記機能変更手段は、前記所定の操作を受け付けた場合、前記筐体内部の所定の機能を変更しないようにするものとする。
これにより、正当な者によるカバーの開放に際しては、機能が変更されないようにすることができる。

また、本発明は、上記の耐タンパ装置であって、前記磁束発生手段は磁石であり、前記磁束検知手段は、ホール素子からのホール電圧を検出するホール電圧検出回路を有し、前記ホール電圧の変化から前記磁束の変化を検出するものである。
これにより、比較的簡単な構成で耐タンパ装置を実現できる。

また、本発明は、上記の耐タンパ装置であって、当該耐タンパ装置は非接触ＩＣカードリーダライタに搭載され、前記機能変更手段は、前記磁束検知手段により磁束の変化が検知された場合、前記非接触ＩＣカードリーダライタを初期状態に設定するものとする。
これにより、非接触ＩＣカードリーダライタに蓄積される重要なデータが改ざんされたり、コピーされることを防ぐとともに、非接触ＩＣカードリーダライタが加工されることを防ぐことができる。

本発明の耐タンパ方法は、カバーとこのカバーによって閉じられる収納部とを有してなる筐体の内部を、前記カバーの不正な開放から保護する耐タンパ方法であって、前記カバーと前記収納部のいずれか一方に設けられた磁束発生手段によって発生する磁束の変化を、前記カバーと前記収納部のいずれか他方の、前記磁束発生手段と対向する位置に設けられた磁束検知手段によって検知する磁束検知ステップと、前記磁束検知ステップで磁束の変化が検知された場合、前記筐体内部の所定の機能を変更する機能変更ステップとを有するものである。
これにより、第三者によってカバーが不正に開けられた際、筐体内部のデータがコピーされたり、改ざんされることを確実に防止することができる。

本発明によれば、第三者によってカバーが不正に開けられた際、筐体内部のデータがコピーされたり、改ざんされることを確実に防止することが可能な耐タンパ装置及び耐タンパ方法を提供できる。

（第１の実施形態）
第１の実施形態では、情報処理装置に搭載して耐タンパ性を確保するための耐タンパ装置の例を示す。図１は本発明の第１の実施形態に係る耐タンパ装置が搭載された情報処理装置の筐体を示す斜視図である。

情報処理装置の筐体１は、各種の電子回路基板等が取り付けられた収納ケース２、及びこの収納ケース２に対して回転軸５を中心に開閉自在なカバー７から構成される。筐体１の前面には、キー入力可能な操作パネル７４が設けられている。また、カバー７を収納ケース２に閉じた際、カバー７はネジ１０によって収納ケース２に固定される。

図２は図１の矢印Ａ−Ａ線方向から視た情報処理装置の筐体及びその内部の構成を示す断面図である。カバー７の内側には、断面が略Ｌ字形の固定部材２１が立設している。この固定部材２１の収納ケース側には、ベース２３が取り付けられており、その頂部に磁束発生手段の一例に相当する磁石２５が固着されている。一方、収納ケース２の底部には、スペーサ３１を介して電子回路基板３５が取り付けられている。電子回路基板３５には、磁石２５と対向するようにホール素子３８が取り付けられており、磁石２５によって発生する磁束は、ホール素子３８を真上から通過するように分布する。また、電子回路基板３５には、ホール素子３８の他、耐タンパ装置を構成する各種の電子部品が取り付けられている。

図３は耐タンパ装置の電気的構成を示す図である。耐タンパ装置は、ホール素子３８、電源部４１、ホール電圧検出部４５及びメモリ制御部４８を有して構成される。この例では、ホール素子３８と検出信号生成手段の一例に相当するホール電圧検出部４５により磁束検知手段の機能が実現され、メモリ制御部４８において機能変更手段及びメモリ制御手段の機能が実現される。電源部４１は、ホール素子３８に直列に接続された抵抗４２及び直流電源４３からなり、ホール素子３８の動作に必要な電流Ｉ［Ａ］を磁束Ｂ［Ｗｂ］の方向と直交する方向に供給する。磁束Ｂが加えられた状態で、ホール素子３８に電流Ｉが流れると、電流Ｉ及び磁束Ｂと直交する方向にホール電圧Ｖｈ［Ｖ］が発生する。

ホール電圧検出部４５は、ホール電圧Ｖｈを増幅して出力電圧Ｖｈａとして出力する電圧増幅器５２、及びこの出力電圧Ｖｈａと基準電圧Ｖref とを比較する比較器５４を有する。電圧増幅器５２の利得は、カバー７が正常な状態で収納ケースを閉じている場合、Ｖｈａ＞Ｖref となるように調整されている。そして、比較器５４は２値信号を出力可能であり、出力電圧Ｖｈａが基準電圧Ｖref より高いとき、Ｈレベルの信号を出力し、出力電圧Ｖｈａが基準電圧Ｖref より低いとき、Ｌレベルの信号を出力する。メモリ制御部４８はスイッチ５６を有する。このスイッチ５６の出力端子は、揮発性メモリ６０の電源端子Ｖinに接続されており、スイッチ５６のオン／オフ動作は、比較器５４からの出力信号Ｖout によって制御される。比較器５４の出力信号Ｖout がＨレベルであるとき、揮発性メモリ６０の電源端子Ｖinは電源電圧Ｖｃｃに接続され、比較器５４の出力信号Ｖout がＬレベルであるとき、揮発性メモリ６０の電源端子Ｖinは接地される。

また、電子回路基板３５には、情報処理装置を司る制御部７０が搭載されている。制御部７０は、前述した揮発性メモリ６０が接続されるバス７１を介して、周知のＣＰＵ７２、ＲＯＭ７３、操作パネル７４、Ｉ／Ｏインタフェース７５等が接続された構成を有する。Ｉ／Ｏインタフェース７５には、キーボード、バーコードリーダ、タッチパネル等各種の入出力機器が接続可能である。ＣＰＵ７２は、ＲＯＭ７３に記憶された制御プログラムにしたがって入出力動作を含む各種処理を行う。操作パネル７４は、操作受付手段の一例に相当するもので、テンキー及び表示部を有し、後述するようにカバー７を開く際に暗証番号を入力可能である。

上記構成を有する耐タンパ装置の動作を示す。図４は耐タンパ装置内の各部の信号の変化を示すタイミングチャートである。カバー７が収納ケース２に正常な状態で取り付けられている場合、ホール素子３８の上面には、磁束Ｂが集中して加えられる（図２参照）。これによって、ホール素子３８にはホール電圧Ｖｈ［Ｖ］が発生する。電圧増幅器５２で増幅されたその出力電圧Ｖｈａ［Ｖ］は、比較器５４で基準電圧Ｖref ［Ｖ］と比較される。Ｖｈａ＞Ｖref であるので、比較器５４の出力信号Ｖout はＨレベルに固定される（図４の区間ａ参照）。比較器５４の出力信号Ｖout がＨレベルのとき、揮発性メモリ６０の電源端子Ｖinは電源電圧Ｖｃｃに接続されるので、揮発性メモリ６０はメモリ内容を保持する。

一方、第三者がカバー７を開けようとすると、磁石２５はホール素子３８から遠ざかる方向に移動するので、ホール素子３８に加えられる磁束ＢはＢ−ΔＢ［Ｗｂ］となる。ホール電圧Ｖｈは、磁束密度［Ｔ］によって変化するので、Ｖｈ−ΔＶｈ［Ｖ］となり、比較器５４には、電圧増幅器５２の出力電圧ＶｈａであるＶｈａ−ΔＶｈａ［Ｖ］が入力される。比較器５４の出力信号Ｖout は、Ｖｈａ−ΔＶｈａ［Ｖ］＜Ｖref になると、Ｌレベル電圧に固定される（図４の区間ｂ参照）。この出力信号Ｖout により、スイッチ５６は接地側に切り替わり、揮発性メモリ６０の電源端子Ｖinは接地される。電源端子Ｖinが接地されたことで、揮発性メモリ６０に記憶されたデータは全て消去される。

このように、第１の実施形態の耐タンパ装置によれば、収納ケース２側にホール素子３８及びホール電圧検出部４５を設け、カバー７側のホール素子３８と対向する位置に磁石２５を設け、カバー７が取り外されると、ホール電圧検出部４５がホール電圧Ｖｈの変化を検出するので、第三者によってカバーが不正に取り外されたことを検出することができる。また、ホール電圧Ｖｈが変化したとき、スイッチ５６が切り替わり、揮発性メモリ６０の電源端子を接地し、揮発性メモリ６０内のデータを消去することで、耐タンパ性を確保することができる。

なお、ＣＰＵ７２は、比較器５４の出力信号Ｖout をＩ／Ｏインタフェース７５を介して入力し、Ｌレベル信号になったことを検知して、カバーが不正に開けられたことを操作パネル７４の表示部に表示するようにしてもよい。これにより、カバー７が元通りに戻されても、カバーが不正に開けられたことを認識することができる。

また、上記実施形態では、揮発性メモリを使用したが、不揮発性メモリを使用しても同様に耐タンパ性を確保できる。不揮発性メモリは、電源がオフの状態においてもデータを保持するので、例えばリセット端子を有する不揮発性メモリの場合、比較器の出力信号がＬレベルになったとき、メモリ制御部が不揮発性メモリのリセット端子にリセットパルスを発生するようにしてもよい。あるいは、比較器の出力信号がＬレベルになると、制御部内のＣＰＵがＲＯＭに記憶されたプログラムを実行して不揮発性メモリに対してデータを書き換えるようにしてもよい。

また、上記実施形態では、カバーが不正に開けられた場合、ホール電圧検出部は、ホール電圧が大幅に低下することで比較器の出力信号を変化させたが、ホール電圧が僅かに上昇あるいは下降しても比較器の出力信号が変化するようにホール電圧検出部を構成してもよい。これにより、第三者が不正にカバーを加工しようとするときの磁石の僅かな動きを検出することができ、耐タンパ性を高めることができる。

（第２の実施形態）
図５は本発明の第２の実施形態に係る耐タンパ装置の構成を示す図である。第２の実施形態は、上述した第１の実施形態の変形例である。第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付すことによりその説明を省略する。第２の実施形態では、比較器５４とスイッチ５６との間には２入力ＯＲ回路８１が接続されている。この２入力ＯＲ回路８１の入力端子には、比較器５４からの出力信号が入力されるとともに、Ｉ／Ｏインタフェース７５からの出力信号が入力される。

図６は制御部７０による２入力ＯＲ回路８１への入力処理手順を示すフローチャートである。この処理プログラムはＲＯＭ７３に格納されており、ＣＰＵ７２によって所定周期毎に実行される。まず、操作パネル７４から暗証番号が入力されたか否かを判別する（ステップＳ１）。暗証番号が入力されていない場合、そのまま本処理を終了する。一方、暗証番号が入力された場合、Ｉ／Ｏインタフェース７５を介して２入力ＯＲ回路８１にＨレベル信号を出力するとともに、操作パネル７４の表示部に、カバー７の開閉が可能である旨を表す解除表示を行う（ステップＳ２）。この後、再び操作パネル７４から暗証番号が入力されるのを待つ（ステップＳ３）。暗証番号が入力されると、２入力ＯＲ回路８１にＬレベル信号を出力するとともに、操作パネル７４の表示部に、カバー７の開閉が不能である旨を表すロック表示を行う（ステップＳ４）。この後、本処理を終了する。

このように、操作パネル７４から暗証番号等の所定の入力操作が行われた場合、Ｉ／Ｏインタフェース７５から２入力ＯＲ回路８１にＨレベルの信号が出力されるので、カバー７が外され、比較器５４の出力信号がＬレベルに下がったとしても、２入力ＯＲ回路８１からの論理和信号はＨレベルとなってスイッチ５６に入力される。これにより、揮発性メモリ６０の電源端子はＨレベルとなり、メモリ内容は保持される。

第２の実施形態の耐タンパ装置によれば、暗証番号を知る正当な者がカバーを開ける場合、揮発性メモリのデータ消去を防ぐことができる。

なお、上記実施形態では、プログラムによりカバー開閉の解除を制御していたが、筐体にキーによるロック解除機構が設けられている場合、キーによって２入力ＯＲ回路の一方の入力をＨレベルに保持するようにしてもよい。図７は２入力ＯＲ回路近傍の構成を示す図である。２入力ＯＲ回路８１の一方の入力端子は、Ｉ／Ｏインタフェース７５に接続される代わりに、キーの挿入によりオンとなるキースイッチ９０に接続されている。キーの挿入によって電源電圧側の接点９０ａと接地側の接点９０ｂとが導電部材９０ｃを介して導通し、２入力ＯＲ回路８１の一方の入力端子はＨレベルに変化する。これにより、前述した操作パネルからの暗証番号の入力操作と同様、カバー７が外され、比較器５４の出力信号がＬレベルに下がったとしても、２入力ＯＲ回路８１からの論理和信号をＨレベルに維持できる。

（第３の実施形態）
第３の実施形態では、非接触ＩＣカードリーダライタに適用した耐タンパ装置の例を示す。図８は本発明の第３の実施形態に係る耐タンパ装置が適用された非接触ＩＣカードリーダライタの構成を示す図である。

非接触ＩＣカードリーダライタの筐体は、ループアンテナ１０４が露出している他、前記第１の実施形態の情報処理装置の筐体とほぼ同様である。また、非接触ＩＣカードリーダライタの筐体内では、前記第１の実施形態と同様の配置で、磁石及びホール素子が対向している。第１の実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付すことによりその説明を省略する。第３の実施形態では、非接触ＩＣカードと情報のやり取りをするリーダライタ（Ｒ／Ｗ）ユニット９５が設けられている。

Ｒ／Ｗユニット９５は、制御回路１０１、送信回路１０２、受信回路１０３及びループアンテナ１０４から構成される。制御回路１０１はＣＰＵ、メモリ等を有し、データの送受信制御、データの格納及びデータ処理を行う。送信回路１０２は制御回路１０１から出力されるデータでキャリア（搬送波）をＡＭ変調し、所定の送信電力まで増幅する。ループアンテナ１０４は、送信回路１０２から出力されるキャリアを放射して非接触ＩＣカード（図示せず）に電源電力を供給するとともに、コマンドのデータを送信し、またレスポンスのデータでＡＭ変調されたキャリアを非接触ＩＣカードから受信する。受信回路１０３は、ループアンテナ１０４で受信したキャリアからデータを検波し、検波されたデータを増幅し波形整形して制御回路１０１に出力する。

こうして、Ｒ／Ｗユニット９５の制御回路１０１内のメモリには、非接触ＩＣカードから読み取った顧客の個人データや、非接触ＩＣカードリーダライタを使用したシステムの運用上、重要となるプログラムやデータ等の機密性の高いデータが一時的に記憶される。また、制御回路１０１は制御部７０のバス７１に接続されており、制御回路１０１内のメモリに記憶されたデータは、ＣＰＵ７２によって、所定のタイミングで読み込まれ、各種演算処理が行われた後、あるいはそのまま揮発性メモリ６０に書き込まれる。

上記構成を有する非接触ＩＣカードリーダライタでは、前記第１の実施形態と同様、カバー７が第三者によって不正に取り外されると、ホール電圧Ｖｈ［Ｖ］が低下し、ホール電圧検出部４５に内蔵された比較器５４の出力信号がＨレベルからＬレベルに切り替わる。この出力信号の変化によって、メモリ制御部４８内のスイッチ５６が接地側に切り替わり、揮発性メモリ６０の電源端子は接地される。揮発性メモリ６０内のデータは、電源端子が接地されたことにより消去される。また、比較器５４の出力信号はＲ／Ｗユニット９５のリセット端子にも入力されており、比較器５４の出力端子がＨレベルからＬレベルに変化すると、Ｒ／Ｗユニット９５の設定は初期状態に戻る。例えば、制御回路１０１はリセット動作を行い、プログラムの変数を初期値に戻すとともに、メモリ内のデータを消去する。

このように第３の実施形態によれば、悪意のある第三者によって、非接触ＩＣカードリーダライタ内のメモリに記憶されたデータが不正にコピーされたり、改ざんされるおそれを回避できる。また、非接触ＩＣカードと情報のやり取りをするリーダライタ（Ｒ／Ｗ）ユニットが加工され、非接触ＩＣカードリーダライタが不正に使用されるおそれを回避できる。

なお、非接触ＩＣカードリーダライタが不揮発性メモリを有する場合でも、前記第１の実施形態で説明した通り、メモリ制御部４８から不揮発性メモリにリセットパルスを出力したり、不揮発性メモリのデータを書き換えるプログラムを実行させることにより、同様の措置を取ることができる。

また、前記第２の実施形態と同様、スイッチ５６及びＲ／Ｗユニット９５の接続点と比較器５４の出力端子との間に、２入力ＯＲ回路を設け、操作パネルからの暗証番号の入力やキースイッチにおけるキーの挿入が行われた後、カバー７が外された場合、比較器５４の出力信号がＬレベルに下がったとしても、２入力ＯＲ回路８１からの論理和信号をＨレベルに維持するようにしてもよい。

なお、本発明は、上記実施の形態の構成に限られるものではなく、種々の変形例に適用可能である。

例えば、上記各実施形態では、メモリ内のデータの消去、書き換え等を行っていたが、この他、警報等を発するようにしてもよい。また、上記各実施形態では、磁石として永久磁石を用いた場合を示したが、電磁石を用いてもよいことは勿論である。また、磁束の変化を検知するものとして、ホール素子を用いたが、これに限らず、磁歪素子、磁気抵抗素子（ＭＲセンサ）等を用いてもよい。

また、データの消去、書き換えが行われる記憶媒体としては、揮発性メモリや不揮発性メモリである半導体メモリに限らず、磁気テープ、ハードディスク、光磁気ディスク、書き換え可能なＤＶＤなどであってもよいことは勿論である。

本発明は、第三者によってカバーが不正に開けられた際、筐体内部のデータがコピーされたり、改ざんされることを確実に防止することが可能となる効果を有し、カバー及びこのカバーによって閉じられる収納部からなる筐体の内部を、カバーの不正な開放から保護する耐タンパ装置及び耐タンパ方法等に有用である。

本発明の第１の実施形態に係る耐タンパ装置が搭載された情報処理装置の筐体を示す斜視図 図１の矢印Ａ−Ａ線方向から視た情報処理装置の筐体及びその内部の構成を示す断面図 第１の実施形態に係る耐タンパ装置の電気的構成を示す図 第１の実施形態に係る耐タンパ装置内の各部の信号の変化を示すタイミングチャート 本発明の第２の実施形態に係る耐タンパ装置の構成を示す図 第２の実施形態の制御部による２入力ＯＲ回路への入力処理手順を示すフローチャート ２入力ＯＲ回路近傍の構成を示す図 本発明の第３の実施形態に係る耐タンパ装置が適用された非接触ＩＣカードリーダライタの構成を示す図

符号の説明

１ 筐体
２ 収納ケース
７ カバー
２５ 磁石
３８ ホール素子
４５ ホール電圧検出部
４８ メモリ制御部
５４ 比較器
５６ スイッチ
６０ 揮発性メモリ
７０ 制御部
７２ ＣＰＵ
７３ ＲＯＭ
７４ 操作パネル
８１ ＯＲ回路
９５ リーダライタ（Ｒ／Ｗ）ユニット

Claims (7)

1. カバーとこのカバーによって閉じられる収納部とを有してなる筐体の内部を、前記カバーの不正な開放から保護する耐タンパ装置であって、
   前記カバーと前記収納部のいずれか一方に設けられた磁束発生手段と、
   前記カバーと前記収納部のいずれか他方の、前記磁束発生手段と対向する位置に設けられ、前記磁束発生手段によって発生する磁束の変化を検知する磁束検知手段と、
   前記磁束検知手段によって磁束の変化が検知された場合、前記筐体内部の所定の機能を変更する機能変更手段と
   を備える耐タンパ装置。
2. 請求項１記載の耐タンパ装置であって、
   前記磁束検知手段は、前記磁束の変化が検知されたことを示す検出信号を生成する検出信号生成手段を備え、
   前記機能変更手段は、前記生成された検出信号に従って、前記筐体内部に搭載されたメモリの内容を使用不能な状態に変更するメモリ制御手段を備える耐タンパ装置。
3. 請求項２記載の耐タンパ装置であって、
   前記メモリ制御手段は、前記メモリに記憶されたデータを所定のデータに書き換える耐タンパ装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の耐タンパ装置であって、
   所定の操作を受け付ける操作受付手段を備え、
   前記機能変更手段は、前記所定の操作を受け付けた場合、前記筐体内部の所定の機能を変更しないようにする耐タンパ装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の耐タンパ装置であって、
   前記磁束発生手段は磁石であり、前記磁束検知手段は、ホール素子からのホール電圧を検出するホール電圧検出回路を有し、前記ホール電圧の変化から前記磁束の変化を検出するものである耐タンパ装置。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の耐タンパ装置であって、
   当該耐タンパ装置は非接触ＩＣカードリーダライタに搭載され、前記機能変更手段は、前記磁束検知手段により磁束の変化が検知された場合、前記非接触ＩＣカードリーダライタを初期状態に設定する耐タンパ装置。
7. カバーとこのカバーによって閉じられる収納部とを有してなる筐体の内部を、前記カバーの不正な開放から保護する耐タンパ方法であって、
   前記カバーと前記収納部のいずれか一方に設けられた磁束発生手段によって発生する磁束の変化を、前記カバーと前記収納部のいずれか他方の、前記磁束発生手段と対向する位置に設けられた磁束検知手段によって検知する磁束検知ステップと、
   前記磁束検知ステップで磁束の変化が検知された場合、前記筐体内部の所定の機能を変更する機能変更ステップとを有する耐タンパ方法。

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