JP4911751B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施の形態に係る半導体装置100は,図1の断面図に示す構造を有している。半導体装置100は,サファイア(Al2O3)の基板11と,基板11上に位置し,膜厚が50nmのAlNのバッファ層12と,AlNバッファ層12上に位置し,膜厚が3μmのGaNのチャネル層13と,GaNチャネル層13上に位置し,膜厚が25nmのAlGaNの電子供給層14とを有している。また,AlGaN電子供給層14上には,Ti/Al/Pt/Auの多層構造からなりオーミックコンタクト特性を有するオーミック電極15S(ソース電極),15D(ドレイン電極)と,オーミック電極15S,15D間に位置し,Ni/Auの多層構造からなり,ショットキ接合特性を有するショットキ電極15G(ゲート電極)が設けられている。
続いて,半導体装置100の製造プロセスについて説明する。本形態の製造プロセスでは,サファイアの基板11を出発材とする。
続いて,Alの薄膜を利用してAlGaN層中の酸素の低減が図られた半導体装置(実施の形態)と,酸素の低減が図られていない半導体装置(従来の形態)とについて,各半導体装置のゲートリーク電流を計測した結果について述べる。本評価では,可変直流電源をゲート電圧に接続し,ゲート電圧を変化させてゲート電流(リーク電流)を計測した。さらに,温度条件(150K,300K)別にゲート電流を計測した。
11 基板(主基板)
12 バッファ層
13 GaNチャネル層(III族窒化物半導体層)
14 AlGaN電子供給層(III族窒化物半導体層)
15S ソース電極(オーミック電極)
15D ドレイン電極(オーミック電極)
15G ゲート電極(ショットキ電極)
100 半導体装置
Claims (4)
- III族窒化物半導体層上にショットキ電極を有する半導体装置の製造方法において,
主基板上にIII族窒化物半導体層を形成する半導体層形成ステップと,
前記III族窒化物半導体層の直上にAlの薄膜を形成する酸素吸着膜形成ステップと,
前記薄膜を形成した後に,アニール処理を行うアニールステップと,
アニール処理後に前記薄膜を除去する酸素吸着膜除去ステップと,
前記薄膜を除去した後に,前記III族窒化物半導体層の直上にショットキ電極を形成するショットキ電極形成ステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載する半導体装置の製造方法において,
前記III族窒化物半導体層を形成した後であって前記薄膜を形成する前に,あるいは前記薄膜を除去した後であって前記ショットキ電極を形成する前に,窒素ラジカル中で熱処理を行う窒素補完ステップを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載する半導体装置の製造方法において,
前記半導体層形成ステップでは,AlGaN層とGaN層とを積層してなる多層構造のIII族窒化物半導体層を形成し,
前記ショットキ電極形成ステップでは,前記AlGaN層上にショットキ電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載する半導体装置の製造方法において,
前記アニールステップでは,1.33×10-8Pa以下の気圧中でアニール処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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