JP4904294B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、請求項１の上位概念部に記載した電子装置に関する。

支持されていないカバーを基板上に有する、面状に構成された電子素子においては、構成素子の面、及びひいてはカバーの面が大きくなるにつれて、構成素子が損傷するか又は非気密性となる危険性が生じる。このような危険性は、カバーに過圧又は負圧が作用することによって生ぜしめられる。またこれによって、構成素子の面が大きくなるのに伴って、損傷が生じないようにするために、構成素子に作用する許容される過圧又は負圧を減少させる必要がある。

そこで本発明の課題は、前記欠点を取り除くことができるような、電子素子を提供することである。

この課題は、本発明の請求項１に記載した特徴を有する電子装置によって解決された。本発明による電子装置の有利な実施態様及び改良は、従属請求項、並びに以下の説明及び図面に記載されている。

本発明の１実施例による電子装置は、基板と、
該基板上に設けられた電子素子と、
前記電子素子上に設けられたカバーと、
を有しており、
この場合、前記カバーと電子素子との間に中間室が設けられていて、
前記カバーが、電子素子側に向いた内側に、カバーが少なくとも前記中間室内に突入する少なくとも１つの支持構造体を有しており、
前記カバーが、電子素子を取り囲んで環状に延びる縁部領域を有しており、
前記カバーが縁部領域内で基板上に被着されており、
前記支持構造体が、縁部領域から離れる方向に向かって次第に小さくなる高さを有している。

基板上にカバーを設けたことによって、電子素子は、外部の影響に対して効果的に保護されるようになっている。

さらに、カバーは、電子素子を包囲する縁部領域を有しており、この場合、カバーは縁部領域において基板上に被着され得る。これによって、カバーは、電子素子上に、支持されていない大きい領域を有することができる。このことは特に、カバーが縁部領域だけで基板上に支持され、これに対して、電子素子上に位置するカバーの領域は、間接的に直接的にも基板上に、又は電子素子上に載ることはない、ということを意味する。これによって、例えばカバーと電子素子との間に中間室が形成される。特に、カバーと基板とは空洞を形成し、この空洞内に電子素子が配置されるようになっている。

特に、本発明の電子装置においては、電子素子を面状（フラット）に構成することができる。このことはつまり、電子素子が基板の主要な延在方向に沿って、電子素子の厚さに対して大きく構成される、ということを意味する。電子素子がより大面積に、つまりより大きい面を有して構成されればされる程、カバーの十分な形状安定性及び機械的な一体性を配慮する必要がある。特に、外部から圧力が作用すると、つまり過圧又は負圧が作用すると、大面積のカバーは、電子素子上に配置され、かつ支持されていない領域（上記のように）において力にさらされ、この力が、カバーの変形、又は基板の縁部領域の少なくとも一部の剥離を促進することになる。この場合、このような力は、例えば電子装置の製造において一般的に用いられる位置決め工具（負圧装置によって電子装置を保持することができる）によっても、電子装置に作用させることができる。

外部の圧力又は力によって生ぜしめられるカバーの剥離又は変形は、特に例えば、真直ぐな縁部領域によって、かつ／又は（特に支持されていない領域の）カバーの僅かな厚さによって、しかもカバーの大きい面においてさらに促進される。つまり、まさに電子素子上に配置されている領域が、その機械的な一体性のためのカバーの弱点を成している。カバーを厚く構成する代わりに、カバーと電子素子との間の中間室内に突入する、少なくとも１つの支持構造体によって、カバーの形状安定性、及びひいては機械的な一体性が高められる、という利点が得られる。それによって、光学装置は、電子装置の駆動中においても、また電子装置をさらに加工する場合においても、支持構造体を有していない公知のカバーを使用した場合と比較して、損傷することなしにより強い過圧又は負圧及び／又は力にさらすことができる。この支持構造体によって、外部の圧力又は力がカバーに及び／又は電子装置に作用した場合に、カバーの撓みに抗する効果的な作用が得られる。

またカバーは、電子素子上に、中間室の一部である凹部を有している。これによって特に、カバーは、電子素子上に、縁部領域よりも薄い厚さを有し、しかもこの縁部領域によって包囲され、かつ／又は制限され、かつ／又は取り囲まれている領域を有することができる。このような支持構造体によって、この支持構造体の領域内において、機械的な一体性及び形状安定性が高められ、しかもこの場合、凹部の深さを小さくするか、又はカバーの厚さを不都合に大きくする必要はない。

特に、上記電子装置によれば、基板上の電子素子をカバーを用いて効果的にカプセル状に包囲することができる。これは特に、高い負圧及び／又は過圧が作用する場合でもカバーを用いて電子素子を基板上にカプセル状に包囲することができる程度に、カバーの形状安定性を支持構造体によって高めることができることによって、実現される。

別の実施態様によれば、カバーは電子素子に対して間隔を保って配置されている。この間隔は特に、カバーが電子素子に接触しない程度に、維持される。これによって、カバーと電子素子全体との間に中間室を形成することができる。これは特に、大面積の電子素子において、カバーが、より大きい支持されない領域を有していて、この領域の機械的な形状安定性が支持構造体によって効果的に高められる、ということを意味する。特にこれによって、高い負圧及び／又は過圧において、電子素子に向かう方向若しくは電子素子から離れる方向にカバーが曲がるという、カバーの不都合な特性が減少される。

特に、カバーの領域が支持構造体を形成するように、構成されている。これによって特に、支持構造体がカバーに組み込まれた構成部分を形成する。これは例えば、支持構造体とカバーとが一体的に構成されていることによって、得られる。この場合、特に有利な形式で、支持構造体とカバーとは１つの部材より一体的に形成することができる。この場合、支持構造体は、例えば射出成形技術又は鋳造技術、圧刻成形プロセス、フライス切削又はエッチング等の成形プロセスによって、カバーと一緒に製造することができる。さらに支持構造体は、例えば接着、溶融又は溶接によっても、カバーに強固に結合することができる。このような、支持構造体とカバーとの有利には一体的な構成によって、有利な形式で、簡単な製造可能性並びに高い機械的な形状安定性および一体性が保証される。カバーが凹部を有していれば、支持構造体は、有利な形式で特に少なくとも部分的にこの凹部内に配置され、それによってこの領域において機械的な形状安定性が前記のように高められる。

特に有利な実施例によれば、少なくとも１つの支持構造体が、リブ状、ウエブ状又は積層体状の突出部として構成されている。これは特に、支持構造体が、カバーの、電子素子に向いた内側に、厚味部特に細長い厚味部を形成する、ということである。これによって支持構造体は、内側の突出部であるか、若しくはカバーの内側の隆起部を形成する。この場合、支持構造体がウエブとして構成されていれば、つまり支持構造体が、カバーの内側を越えて隆起する細長い形状を有していれば、特に有利である。

さらにまた、少なくとも１つの支持構造体が、少なくとも部分的に電子素子上に延在していれば、有利である。これによって、特に、支持構造体が、カバーの機械的な形状安定性の弱点を形成する、前記のような支持されていない領域内において、機械的な一体性を高めるように働くので、有利である。この場合、支持構造体は、電子素子に向き合って位置するように、構成されている。特に、支持構造体は、電子素子に向いた側でカバーの内側の一部を形成することができる。これによって特に、支持構造体と電子素子との間に中間室も形成されるので、電子素子上に、有利な形式で、支持されていないが機械的な形状安定性を有するカバーが形成される。

さらにまた、支持構造体はウエブを形成しており、このウエブは、縁部領域からカバーの一部の領域上に延在している。これは特に、支持構造体が、縁部領域に隣接しているか、若しくはこの縁部領域を経由して、この縁部領域から離れる方向に延在している、ということである。この場合、支持構造体は、縁部領域から突き出す膨出部若しくは突出部若しくは隆起部として成形されていてカバーの内側面に亘って延在している。この場合、カバーは、縁部領域の、互いに向き合う少なくとも２つの部分領域を有しており、支持構造体が、縁部領の一方の部分領域から出発して、この一方の部分領域に向き合う、縁部領域の他方の部分領域に向かって延在している。この場合、支持構造体は、縁部領域と有利には直角の角度を成すように、縁部領域の部分領域から離れる方向延在している。この角度は、直角より小さくてもよく、例えば３０゜よりも大きく、有利には４５゜と同じか又は４５゜よりも大きくてよい。

さらにまた、支持構造体は、縁部領域の互いに向き合う部分領域に接触していてよい。このことは、支持構造体が、縁部領域の一方の部分領域から他方の部分領域まで突き出している、ということである。これによって、特に、支持構造体は、互いに向き合う部分領域間に亘ってカバーを支えているので、支持構造体は電子素子を覆ってもいる。これによって、少なくとも支持構造体の延在長さに沿って、カバーの機械的な形状安定性が有利な形式で高められる。何故ならば、支持構造体を形成する、カバーの内側の厚味部若しくは隆起部が、例えば外部からの圧力に基づくカバーの撓みを減少させることができるからである。前述のように、カバーが凹部を有していれば、支持構造体は、凹部を互いに分離された２つの領域に分割することができる。

別の実施態様によれば、支持構造体は、縁部領域から離れる方向に向かって次第に小さくなる高さを有している。この場合、支持構造体の高さは、特にカバーの内側に対する相対的な高さによって規定される。特に、少なくとも１つの支持構造体は、縁部領域から離れる方向に向かって次第に小さくなる高さを有している。この場合、支持構造体が縁部領域の範囲内で、縁部領域と同じ高さを有していて、この高さが縁部領域からの間隔が大きくなるにつれて次第に小さくなっていてもよい。この高さの変化は例えば、連続的な高さプロフィールによって規定されるか、又は段部プロフィールによっても規定される。この場合、高さが小さくなると、プロフィールは、縁部領域から離れる方向で次第に細くなる。特に、支持構造体は、カバーの凹部の深さと同じか又はこれよりも小さい高さを有している。これは特に、支持構造体が凹部内に侵入し、凹部に対する縁部領域の高さに相当するか又はこれよりも小さい、凹部に対する高さを有している、ということである。この場合、支持構造体は、縁部領域と共に１つの段部を形成している。例えばこれによって、カバーを電子素子に向かって曲げるような、外部の圧力がカバーに作用した時に、カバー並びに支持構造体が電子素子に接触しないことが、保証される。

別の実施態様によれば、支持構造体が分岐するウエブを有している。このような支持構造体の分岐部は、支持構造体の主要な延在方向から別のウエブが所定の角度を成して、支持構造体から離れる方向に延在している、ことによって構成されている。この場合、この角度はほぼ直角であってよいが、９０゜より小さく、例えば１５゜よりも大きくてよい。縁部領域から離れる方向に、カバーの内側に延在する支持構造体において、分岐する複数のウエブを有するこのような分岐部は、カバーの機械的な形状安定性および一体性をさらに高めることができる。例えば、少なくとも１つの支持構造体は、Ｖ字形、Ｔ字形又は十字形の分岐部、又はこれらの形状の組み合わせより成る分岐部を有していてよい。

さらに有利な実施態様によれば、カバーが複数の支持構造体を有しており、これらの支持構造体は、縁部領域の複数の部分領域に隣接していて、しかもこれらの部分領域から離れる方向に延在している。これによって特に、カバーの機械的な形状安定性は、前記形式で、複数の部分領域から出発して、有利な形式で高められる。この場合、特に複数の支持構造体が互いに隣り合って配置される。このことは例えば、同じ又は類似の複数の支持構造体が、例えば同じ又は類似の形式の一方の縁部領域から、これに向き合う、縁部領域の他方の部分領域まで延在している、ということである。これは特に、第１の支持構造体が、縁部領域の第１の部分領域内に配置されていて、第２の支持構造体が、縁部領域の第２の部分領域内に配置されており、この場合、縁部領域の第１の部分領域と第２の部分領域とが、互いに向き合っている。

特に有利には、複数の支持構造体が、縁部領域全体に沿って配置されている。これは特に、支持構造体が、カバーの支持されていない領域を包囲する、ということを意味している。この場合、特に、支持構造体は、互いに規則的な間隔を保って配置されている。これによって、カバーの形状安定性が、電子素子を包囲する縁部領域全体によって均一に、かつ全体的に高められる。

別の実施態様によれば、カバーの内側に格子材料が配置されている。この場合、格子材料は有利な形式で、少なくとも一方の支持構造体に隣接して、カバーの内側に設けられる。このことは特に、格子材料が、少なくとも１つの支持構造体と縁部領域の間に配置されている、ということである。複数の支持構造体が設けられている場合、格子材料は支持構造体間に配置されている、ということも意味する。さらに、カバーは凹部を有しており、この凹部内に格子材料が配置されている。次いで格子材料は、カバーの凹部の深さよりも小さいか又はこれと同じ深さの所定の厚さを有している。

格子材料として、有利な形式で、酸素及び湿気に反応して、これらの有害物質を結合することができる、酸化可能な材料が使用される。簡単に酸化する材料として、特にアルカリ金属及びアルカリ土類金属のグループより成る金属が使用される。さらに別の金属、例えばチタン又は酸化可能な非金属材料も適している。

別の実施態様によれば、カバーの縁部領域と基板との間にシール材料が配置されている。この場合、シール材料は、電子素子を周囲に対してシールするものである。これによって例えば、シール材料が電子素子の周囲を巡って延在し、特にこの電子素子を包囲することによって、得られる。シール材料のための適当な材料は、特に、接着結合部及びシール結合部の製作を容易にする、樹脂、有利には反応樹脂（Reaktionharze）であってよい。この場合、反応樹脂は、熱的に又は光によって又は組み合わせ硬化によって硬化される、単一成分より成る又は複数成分より成る樹脂として実現することができる。適当な材料は、シール媒体としても接着媒体としても適している、例えばシリコーン、エポキシド、アクリル酸エステル、イミド又はこれらの混合物が使用される。さらに、シール材料は別の層、例えばプラスチック又は前記樹脂より成る保護層を有していてもよい。シール材料を、カバーの縁部領域と基板との間に配置することによって、電子素子を効果的にカプセル状に包囲することができる。

この場合、シール材料は、支持構造体が電子素子に接触しない程度に選定された高さを有している。少なくとも１つの支持構造体は、例えばカバーの凹部の深さに相当する高さを有していてよい。シール材料の厚さが、電子素子の高さよりも大きい高さを有するように選定されていれば、カバーは、少なくとも１つの支持構造体が電子素子に接触することなしに電子素子上に延在するように、電子素子上で基板上に配置される。この場合、一般的に、シール材料の高さとカバーの凹部の深さとの合計は、電子素子の高さと少なくとも１つの支持構造体の高さとの合計よりも大きくなっている。これによって、シール材料の適当な厚さによって、有利な形式で、カバーと電子素子との間に中間室が存在するように、電子素子上のカバーの前記配置が得られる。

別の実施態様によれば、カバーは、成形可能、圧刻可能、フライス切削可能及び／又はエッチング可能な材料を有しており、この材料は、少なくとも１つの支持構造体を有するカバーの製造を可能にする。適当な材料は、例えばガラス、プラスチック、金属又はこれらの組み合わせであってよい。またカバーは、積層体として構成されてもよい。特に、カバーが、湿気及び／又は酸素の透過性が低いバリア層を有していれば、有利である。

別の実施態様によれば、電子素子が複数の半導体層の連続（連続する複数の半導体層）を有している。特に電子素子が、活性領域を有する半導体層の連続を備えたオプトエレクトロニクス素子として構成されている。特に、オプトエレクトロニクス素子は、例えば発光ダイオード等の光線を発信するオプトエレクトロニクス素子であるか、又はフォトダイオード等の光線を受信するオプトエレクトロニク素子である。

特に有利には、オプトエレクトロニク素子は、光を発信する有機的なダイオード（ＯＬＥＤ）として構成されている。ＯＬＥＤは、例えば活性領域内で基板上に第１の電極を有している。第１の電極上に、有機的な材料より成る単数又は複数の機能層を有する機能領域を設けることができる。この場合、機能層は、例えば電子伝達層、エレクトロルミネッセンス層及び／又は正孔伝達層（Lochtransportschicht）として構成される。機能層上に第２の電極が設けられる。この機能層内に、電子注入、正孔注入及び電子再結合によって、単独の波長又は複数の波長範囲を有する電磁放射線が生ぜしめられる。この場合、観察者は、単色、多色及び／又は混合色の発光印象を受ける。

特に、第１の電極及び／又は第２の電極は、特に有利な形式で面状に構成されるか、又は選択的に第１若しくは第２の電極部分領域内に微細構造化される。例えば第１の電極は、互いに平行に並んで配置された第１の電極ストリップとして構成されていて、第２の電極は、第１の電極に対して垂直に延在する互いに平行に並んで配置された第２の電極ストリップとして構成されている。これによって、第１の電極ストリップと第２の電極ストリップとは重なり合って、別個に制御可能な発光領域として構成することができる。さらにまた、第１又は第２の電極だけを構造化してもよい。特に有利には、第１及び／又は第２の電極又は電極部分領域第１の導体路と導電接続されている。この場合、電極又は電極部分領域は部分的に第１の導体路に移行しているか、又は第１の導体路とは別個に構成されていて、この第１の動態度と導電接続されている。

別の実施態様によれば、第１の基板は有利にはガラスを有している。選択的に又は付加的に、第１の基板は、石英、プラスチックシート、金属、金属シート、シリコンウェーハ又は任意の曽田の適当な基板材料を有している。電子素子がＯＬＥＤとして、特にいわゆる「ボトムエミッタ；Bottom-Emitter」として構成されていれば、つまり機能層内に生ぜしめられる光線が、第１の基板を通って放射される場合、基板は有利な形式で、活性領域内に生ぜしめられた電磁放射線の少なくとも一部を有している。

ボトムエミッタ構造では、有利な形式で第１の電極も、活性領域内で生ぜしめられた電磁放射線の少なくとも一部のための透明度を有している。アノードとして構成されていて、ひいては正孔注入材料として用いられる透明な第１の電極は、例えば透明な導電性の酸化物を有しているか、又は透明な導電性の酸化物より成っている。透明な導電性の酸化物（"transparent conductive oxide"短縮して"ＴＣＯ"）は、一般的に、酸化金属、例えば酸化亜鉛、酸化錫、酸化カドミウム、二酸化チタン、酸化インジウム、又は特に有利には金属酸化膜（ＩＴＯ）である。二元酸化金属化合物、例えばＺｎＯ，ＳｎＯ₂又はＩｎ₂Ｏ₃の他に、三元酸化金属化合物、例えばＺｎ₂ＳｎＯ₄、ＣｄＳｎＯ₃、ＺｎＳｎＯ₃、ＭｇＩｎ₂Ｏ₄、ＧａＩｎＯ₃、Ｚｎ₂Ｉｎ₂Ｏ₅又はＩｎ₄Ｓｎ₃Ｏ₁₂又は種々異なる透明な導電性の酸化物をＴＣＯSのグループの混合物も属している。さらに、ＴＣＯSは、必ずしも化学量論的な組成に相当していなくてもよく、ｐ型ドーピング又はｎ型ドーピングであってよい。

機能層は、有機ポリマー、有機オリゴマー、有機モノマー、有機的な極小の非ポリマー分子（"small molecules"）又はこれらの組み合わせを有している。機能層のための材料の配置及び構造並びに適当な材料は、専門家にとって公知であり、従ってここでは詳しい説明は省く。

第２の電極はカソードとして構成されていて、それによって電子注入材料として用いられる。カソード材料としては、特にアルミニウム、バリウム、インジウム、シルバー、ゴールド、マグネシウム、カルシウム又はリチウム並びにこれらの化合物、組み合わせ及び合金が有利であることが分かった。付加的に又は選択的に、第２の電極は透明に構成されていて、かつ／又は第１の電極がカソードとして、及び第２の電極がアノードとして構成されている。このことはつまり、ＯＬＥＤが、「Ｔｏｐ―エミッタ」として構成できるということである。

活性領域はさらに、アクティブ又はパッシブな表示装置又は照明装置のためのその他の特徴及び構成部分を有していてよい。

本発明のその他の利点及び有利な実施例を、図面に示した実施例を用いて以下に説明する。

図示の実施例及び図面において、同じ構成部分又は同じ作用を有する構成部分は、同じ符号で示した。図示の部材及びその互いの寸法比は、基本的に縮尺通りではなく、むしろ、各部材、例えば層、構成部分及び領域は、見やすさのために、及び／又は分かりやすさのために、過大に厚く又は大きい寸法で誇張して示されている。

図１Ａ〜図１Ｃには、電子装置１００のための実施例が示されており、この場合、図１Ａ〜図１Ｃは、それぞれＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿った断面図で示されている。以下の説明は、３つのすべての図面、図１Ａ〜図１Ｃに関連している。

電子装置１００は基板１を有しており、この基板１上に電子素子２が被着されている。この場合、電子素子２は、面状に構成されていて、特に図示の実施例では面状に構成されたＯＬＥＤである。電子素子２上にカバー３が配置されており、この場合、カバー３は、縁部領域３１を有していて、この縁部領域３１は電子素子を包囲している。この縁部領域３１によって、カバー３は基板１上に被着される。カバー３は凹部３３を有している。これによって、基板１とカバー３とは、内部に電子素子２が配置されている空洞を形成している。この場合、カバー３は、電子素子２及び基板１側に向けられた内側３２を有するように構成されている。さらにまたカバー３は、このカバー３と電子素子２との間に中間室３３０が形成されるように、構成されている。つまり、カバー３は、電子素子２と接触しないように、電子素子２上に配置されている。

この場合、カバー３は、電子素子２を妨害的な外部の影響に対して保護し、電子素子２をカプセル状に包囲するのに適している。圧力負荷が発生すると、特に縁部領域３１間のカバーの特に支持されていない領域は、変形特に曲がる特性を有している。この場合、例えば過圧が生じると、特に支持されていない領域が「へこむ」ことがある。この場合、カバー３の機械的な形状安定性は、一般的に、カバー３の大きさ及び凹部３３の深さに基づいている。カバー３の大きさは、基板延在平面に対して並行なカバーの延在寸法つまり側方長さでも、またカバーの厚さ、特にその縁部領域におけるカバーの厚さでも、さらにまた側方長さの互いの比でも表される。特に縁部領域３１間の支持されていない領域におけるカバー３の機械的な形状安定性を高めるために、カバーはさらに支持構造体４を有している。この場合、支持構造体４は、縁部領域のそれぞれの部分領域３４から、カバーの内側３２に沿って、電子素子２を越えて延在するように、構成されている。この場合、各支持構造体４は、電子装置１００上、特に縁部領域３１間のカバー３の支持されない部分上に圧力負荷及び／又は力の負荷がかかると、この支持されない領域の可能な撓みを減少させることができるように、作用する。特に、支持構造体４は、ウエブ状若しくはリブ状に構成されていて、この場合カバー３と一体的に構成されている。このことは特に、支持構造体４がカバー３と一緒に、同じ材料から構成される、ということを意味する。図示の実施例に示したカバーは、ガラスウエブを備えたガラスカバーである。

特に、電子装置１００は、少なくとも１平方デシメートルの面又は数平方デシメートルの面を占めることができるように構成される。図示の方形の形状のカバー及び電子素子２の代わりに、選択的に、それぞれ任意の別の形状を選択してもよい。特に、電子装置１００は、例えば円形又は楕円形、又は任意のＮ角形の形状で構成してもよい。

図示の実施例では、複数の支持構造体４は、縁部領域３１の互いに向き合う２つの部分領域３４に隣接していて、これらの２つの部分領域３４から互いに向き合う方向に延在するように、配置されている。この場合、ウエブ４と縁部領域３１とは直角を成している。図示の実施例に対して選択的に、ウエブ３は、実施例の一般的な部分における角度とは別の角度を成していてもよい。さらにまた、ウエブ４は縁部領域３１と共にそれぞれ１つの段部３４を形成している。このことはつまり、ウエブ４は、カバー３の内側３２から見て、凹部３３よりも僅かに低い高さを有している、ということを意味する。

以下の図面に示した実施例は、図１Ａ〜図１Ｃに示した実施例の変化例及び拡大を示す。従って、以下の実施例の説明は、変化例及び拡大の説明に限定されている。

図２Ａ及び図２Ｂには、カバー３のための実施例が示されている。この場合、図２Ａ及び図２Ｂのカバー３は、例えば図１Ａ〜図１Ｃの電子装置１００のカバー３の代わりに使用することができる。

この場合、図２Ａ及び図２Ｂに示したカバー３は、ガラスから一体的に形成されていて、複数の支持構造体４を有しており、これらの支持構造体４はウエブとして構成されている。この場合、図２Ｂに示されているように、これらのウエブは、カバー３の凹部３３の深さに相当し、かつこの凹部と同じ高さを有している。この場合、支持構造体４は、互いに規則的な間隔を保って隣接し合って配置されていて、それぞれ縁部領域３１の複数の部分領域３４から１対で、カバー３の内側に沿って互いに向き合う方向に延在している。

このように形成されたカバー３は、このような１つのカバー３を有し、この場合、縁部領域３１によって約２２ｃｍ^２の面を包囲する電子装置が、５ｂａｒまでの過圧、及び１０ｍｂａｒまでの負圧を維持できるように作用する。これに対して、支持構造体４を有していないカバーは、このようなカバーを有する電子装置が、１．５ｂａｒまでの過圧、及び５００ｍｂａｒまでの負圧を維持できるだけである。図２Ａ及び図２Ｂに示したカバーの実施例によって、電子装置の機械的な形状安定性および一体性は、５００％まで高めることができる。このことは特に、相応の電子装置が前記圧力領域内において、電子素子のための効果的なカプセル包囲が保証される、ということを意味する。

図３Ａ〜図３Ｃには、電子装置３００のための実施例が示されている。この場合、電子装置３００はカバー３を有しており、このカバー３は、前記実施例で示したカバー３に相当するカバー３を有している。この場合、カバー３は、カバー３の縁部領域３１と基板１との間にシール材料５が配置されるように、基板１上に配置され、かつ被着される。この場合、シール材料５は、前記の一般的な部分を構成する材料と同じ材料を有していて、特に、電子素子２を周囲に対してシールするのに適している。図２Ａ及び図２Ｂに関連して記載したように、ウエブ状に構成された支持構造体４の高さは、カバー３の凹部３３の高さに相当し、ウエブ状の支持構造体４は、電子素子２に亘って少なくとも部分的に延在しているので、シール材料５の厚さは、カバー３が支持構造体４と共に電子素子２に接触しない程度の高さを有するように、選択されている。このことは特に、シール材料５が、電子素子２の高さよりも大きい高さを有している、ということを意味する。カバー３の内側３２で、支持構造体４間の凹部３３内には格子材料６が被着されている。この格子材料６は、湿気及び酸素を吸収し、それによってこれらの有害物質による電子素子２の損傷を阻止するか若しくは減少させるために適している。格子材料の図示の配置に対して付加的に又は選択的に、格子材料を、中間室内で支持構造体４の延在方向に沿って配置してもよい。この場合、格子材料６と支持構造体４との間のギャプ、並びに電子構成阻止２とカバー３との間の中間室は、例えばカバー３及び基板１によって全体が形成されている空洞内で湿気又は酸素を吸収できるようにするためにも、有利である。

この場合、凹部３３の深さは、電子素子２の上に配置されている格子材料６が、この電子素子２に接触しないように選択されている。このことは特に、凹部が、少なくとも格子材料の厚さと同じ寸法の深さを有している、ということを意味している。支持構造体の長さはさらに、電子装置の寸法によって並びに格子材料６によって必要とされる面によって予め与えられている。図示の実施例によるカバーによって、カバー３も、また電子装置３００も、前記圧力及びそれに伴う力において処理し、かつ駆動するために適している。

図４Ａ〜図４Ｃには、カバー３のための別の実施例が示されている。この場合、図４Ａは、図４Ｂに示したカバー３の斜視図を断面した図に相当する。この場合、カバー３は支持構造体４０を有しており、この支持構造体４０は、縁部領域３１の２つの部分領域３４０間に、これらの互いに向き合って位置する部分領域３４０と接触するように、延在している。これによって、ウエブ状の支持構造体４０は、カバー３の凹部を、互いに分離された２つの領域３３１，３３２に分割する。このような形式の支持構造体４０によって、カバー３の機械的な形状安定性および一体性は、著しく高められる。付加的に、支持構造体４０は、分岐するウエブ４１を有している。これらのウエブ４１は、支持構造体４０から直角に、カバー３の凹部の領域３３１若しくは３３２に突入するように、支持構造体４０から離れる方向に延在している。さらに前述されているように、支持構造体４，４０及び４１がそれぞれ縁部領域３１若しくは支持構造体４０から離れる方向に延在する角度は、９０゜以外であってよい。形状安定性を十分に高めるために、例えばウエブ４１は、向き合っている側の縁部領域３１まで延在していて、この縁部領域３１と接触しているか、若しくはこの縁部領域３１に移行していてよい。

図４Ｃに示されているように、領域３３１及び３３２内で、支持構造体４，４０，４１間にそれぞれ格子材料６が配置されていてよい。図５Ａ〜図５Ｃに示した実施例には、支持構造体のための実施例が示されている。この場合、図面はカバー３のそれぞれ一部を示している。

図５Ａは、支持構造体４の斜視図を示しており、この支持構造体４は、縁部領域からカバー３の内側に沿って凹部３３内に延在している。この場合、ウエブ状若しくはリブ状に構成されている支持構造体の高さは、縁部領域３１の高さ、及びひいては凹部３３の深さに相当する。図５Ｂは、概略的な断面図を示している。支持構造体のこのような形状、特に支持構造体４が、凹部３３は縁部領域３１と同じ高さを有しているということによって、カバーを安価に、かつ簡単に製造することができる。

図５Ｃ及び図５Ｄには、別の実施例によるカバー３の部分の斜視図若しくは断面図が示されている。この場合、ウエブ状に構成された支持構造体４の高さ寸法は、縁部領域３１から離れるに従って次第に小さくなっている。

図５Ｅの断面図には、ウエブ状の支持構造体４が示されており、この支持構造体４は縁部領域３１と共に段部４３を形成している。この場合、カバー３の内側に対して相対的な支持構造体の高さは、支持構造体４の延在方向に沿って同じであって、凹部３３の深さよりも小さい。

図５Ｆに示した支持構造体の高さは、図５Ｃ及び図５Ｄの実施例におけるのと同様に、縁部領域から支持構造体４の延在方向に沿って連続的に小さくなっている。

支持構造体４のための、図５Ｃ〜図５Ｇに示した実施例は、特に、高い機械的な形状安定性および一体性が、非常に高い圧力又は非常に低い圧力においても保証されるカバーのために適している。特にこのような支持構造体は、大面積の電子装置においても適している。このような大面積の電子装置においては、カバー３の縁部領域３１間の支持されない領域が大きいことによって、圧力負荷時にカバー３が大きく撓むことを考慮する必要がある。

図６Ａ〜図６Ｅには、支持構造体４の平面図が示されている。図６Ａは、前記実施例において示された、縁部領域３１の部分領域３４から離れる方向に直角に延在するリブ形状又はウエブ形状を示しており、図６Ｂは、同様に、真っ直ぐなリブ形状若しくはウエブ形状を示しているが、このリブ形状若しくはウエブ形状は、縁部領域３１と鋭角を成している。図６Ｃは、分岐部４１を有する支持構造体４を示しており、それによって支持構造体はＴ字形を有している。図６Ｄが、凹部４１を有する支持構造体４を示しており、それによって十字形の支持構造体が得られる。図６Ｅは、２つのＶ字形に配置された分岐部４１より成る支持構造体４を示している。さらにまた支持構造体は、実施例に示した支持構造体の組み合わせを有していてもよい。

本発明は、図示の実施例だけに限定されるものではない。むしろ、本発明は、本発明の請求項に含まれる特徴又はこれらの特徴の組み合わせがそれ自体、請求項又は実施例にはっきりと記載されていなくても、特に請求項に含まれる特徴のそれぞれの組み合わせを含む、それぞれ新たな特徴、並びにこれらの特徴の組み合わせを有している。

１実施例による電子装置の概略図であって、図１Ｂ及び図１ＣのＡ−Ａ線に沿った断面図である。 １実施例による電子装置の概略図であって、図１Ａ及び図１ＣのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 １実施例による電子装置の概略図であって、図１Ｂ及び図ＢＣのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 別の実施例によるカバーの概略的な断面図である。 図２ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 別の実施例による電子装置若しくはカバー３の、図３ＢのＡ−Ａ線に沿った概略的な断面図である。 図３ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 図３ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 別の実施例によるカバー３の概略的な断面図である。 図４Ａに示したカバーの概略的な斜視図である。 図４Ａに示したカバーの概略的な斜視図である。 別の実施例による支持構造体４の概略的な斜視図である。 図５Ａの概略的な断面図である。 別の実施例によるカバー３の一部の概略的な斜視図である。 図５Ｃの概略的な断面図である。 ウエブ状の支持構造体４の概略的な断面図である。 別の実施例による支持構造体の概略的な断面図である。 別の実施例による支持構造体の概略的な断面図である。 別の実施例による支持構造体の概略的な平面図である。 別の実施例による支持構造体の概略的な平面図である。 別の実施例による支持構造体の概略的な平面図である。 別の実施例による支持構造体の概略的な平面図である。 別の実施例による支持構造体の概略的な平面図である。

符号の説明

１ 基板、 ２ 電子素子、 ３ カバー、 ４ 支持構造体、 ５ シール材料、 ６ 格子材料、 ３１ 縁部領域、 ３２ 凹部、 ３４ 部分領域、 ４０ 支持構造体、 ４１ ウエブ、分岐部、 ４３ 段部、 ３３０ 中間室、 ３３１，３２３ カバー３の凹部の領域、 ３４０ 部分領域

Claims (33)

1. 電子装置において、
   基板（１）と、
   該基板（１）上に設けられた電子素子（２）と、
   前記電子素子（２）上に設けられたカバー（３）と、
   を有しており、
   この場合、前記カバー（３）と電子素子（２）との間に中間室（３３０）が設けられていて、
   前記カバー（３）は、電子素子（２）側に向いた内側（３２）において、少なくとも前記中間室（３３０）内に突入する少なくとも１つの支持構造体（４，４０）を有しており、
   前記カバー（３）が、電子素子（２）を取り囲んで環状に延びる縁部領域（３１）を有しており、
   前記カバー（３）が縁部領域（３１）内で基板（１）上に被着されており、
   前記支持構造体（４，４０）が、縁部領域（３１）から離れる方向に向かって次第に小さくなる高さを有している、
   ことを特徴とする、電子装置。
2. 基板（１）上に設けられた前記電子素子（２）がカバー（３）によってカプセル状に包囲されている、請求項１記載の電子装置。
3. カバー（３）が電子素子（２）に対して間隔を保って配置されている、請求項１又は２記載の電子装置。
4. 前記カバー（３）の領域が支持構造体（４，４０）を形成するように、構成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の電子装置。
5. 支持構造体（４，４０）とカバー（３）とが一体的に構成されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の電子装置。
6. 少なくとも１つの支持構造体（４，４０）が、カバー（３）のリブ状、ウエブ状又は積層体状の突出部によって形成されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の電子装置。
7. 少なくとも１つの支持構造体（４，４０）がウエブとして構成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の電子装置。
8. 少なくとも１つの支持構造体（４，４０）が、少なくとも部分的に電子素子（２）上に延在している、請求項１から７までのいずれか１項記載の電子装置。
9. 少なくとも１つの支持構造体（４，４０）が、電子素子（２）に向き合って位置している、請求項１から８までのいずれか１項記載の電子装置。
10. 支持構造体（４，４０）が、分岐するウエブ（４１）を有している、請求項１から９までのいずれか１項記載の電子装置。
11. カバー（３）の縁部領域（３１）と基板（１）との間にシール材料（５）が配置されており、該シール材料（５）が、電子素子（２）を周囲に対してシールしている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の電子装置。
12. 前記シール材料（５）は、支持構造体（４，４０）が電子素子（２）と接触しない程度の高さを有している、請求項１１記載の電子装置。
13. シール材料（５）が、電子素子（２）の高さより大きい高さを有している、請求項１１又は１２記載の電子装置。
14. 支持構造体（４，４０）が、縁部領域（３１）からカバー（３）の部分領域に亘って延在するウエブを形成している、請求項１から１３までのいずれか１項記載の電子装置。
15. 支持構造体（４，４０）が、縁部領域（３１）から突出する突出部として成形されていて、カバー（３）の内側（３２）上に延在している、請求項１から１４までのいずれか１項記載の電子装置。
16. カバー（３）が、縁部領域（３１）の、互いに向き合う少なくとも２つの部分領域（３４）を有しており、支持構造体（４，４０）が、縁部領域（３１）の一方の部分領域（３４）から出発して、この一方の部分領域（３４）に向き合う、縁部領域（３１）の他方の部分領域（３４）に向かって延在している、請求項１から１５までのいずれか１項記載の電子装置。
17. 支持構造体（４，４０）が、縁部領域（３１）の互いに向き合う部分領域に接触している、請求項１から１６までのいずれか１項記載の電子装置。
18. 複数の支持構造体が縁部領域全体に沿って配置されており、
    互いに向き合う支持構造体が互いに向き合う方向に延在していて、ウエブとして構成されており、
    前記支持構造体が、カバーの支持されていない領域を包囲している、請求項１１から１７までのいずれか１項記載の電子装置。
19. カバー（３）が、電子素子（２）上に凹部（３３）を有しており、該凹部（３３）が中間室（３３０）の一部である、請求項１から１８までのいずれか１項記載の電子装置。
20. 縁部領域（３１）が凹部（３３）を包囲している、請求項１から１９までのいずれか１項記載の電子装置。
21. 支持構造体（４，４０）が、前記凹部（３３）を互いに分離した２つの領域（３３１，３３２）に分割している、請求項１９又は２０記載の電子装置。
22. 支持構造体（４，４０）が、凹部（３３）の深さよりも小さいか又はこれと同じ高さを有している、請求項１９から２１までのいずれか１項記載の電子装置。
23. 支持構造体（４，４０）が縁部領域（３１）と共に段部を形成している、請求項１から２２までのいずれか１項記載の電子装置。
24. カバー（３）が複数の支持構造体（４，４０）を有している、請求項１から２３までのいずれか１項記載の電子装置。
25. 複数の支持構造体（４０，４０）が、互いに並んで配置されている、請求項２４記載の電子装置。
26. 複数の支持構造体（４０，４０）が、縁部領域（３１）の全体に沿って配置されている、請求項２４又は請求項２５記載の電子装置。
27. カバー（３）の内側（３２）に、支持構造体（４，４０）に隣接して格子材料（６）が被着されている、請求項１から２６までのいずれか１項記載の電子装置。
28. 前記格子材料（６）が、支持されていない領域内に被着されている、請求項１８を引用する請求項２７記載の電子装置。
29. 電子素子（２）が連続する複数の半導体層を有している、請求項１から２８までのいずれか１項記載の電子装置。
30. 電子素子（２）が有機的な半導体層を有している、請求項１から２９までのいずれか１項記載の電子装置。
31. 電子素子（２）が光電素子として構成されている、請求項１から３０までのいずれか１項記載の電子装置。
32. 電子素子（２）が有機的な発光ダイオードである、請求項１から３１までのいずれか１項記載の電子装置。
33. 電子素子（２）が面状に構成されている、請求項１から３２までのいずれか１項記載の電子装置。