KR20130058750A - 광전자 반도체 컴포넌트 - Google Patents

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KR20130058750A
KR20130058750A KR1020137010035A KR20137010035A KR20130058750A KR 20130058750 A KR20130058750 A KR 20130058750A KR 1020137010035 A KR1020137010035 A KR 1020137010035A KR 20137010035 A KR20137010035 A KR 20137010035A KR 20130058750 A KR20130058750 A KR 20130058750A
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radiation
layer
substrate
semiconductor component
absorbing layer
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KR1020137010035A
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English (en)
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마르쿠스 슈나이더
요한 람헨
미하엘 비트만
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 광전자 반도체 컴포넌트와 관련이 있으며,
상기 광전자 반도체 컴포넌트는
- 기판(1)을 구비하고, 상기 기판은 상부 측(11) 및 상기 상부 측(11)에 마주 놓인 하부 측(12)을 가지며;
- 방사선을 방출하는 적어도 하나의 반도체 소자(2)를 구비하며, 상기 방사선 방출 반도체 소자는 상기 상부 측(11)에 배치되어 있고, 방사선 배출 면(6)을 가지며, 반도체 소자(2)의 작동 중에 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 방사선 배출 면(6)을 통해 반도체 소자(2)를 떠나며, 그리고
- 방사선을 흡수하는 층(3)을 구비하고, 상기 방사선 흡수 층은 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 컴포넌트(100)의 외부 면(101)이 적어도 국부적으로는 흑색으로 나타나도록, 상기 컴포넌트(100)에 입사되는 환경 광(ambient light)을 흡수하도록 설계되었으며, 이 경우
- 상기 방사선 흡수 층(3)은 상기 방사선 방출 반도체 소자(2) 둘레를 가로 방향(L)으로 완전히 둘러싸고, 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)의 측면(23)과 적어도 국부적으로 직접 접촉하며, 그리고
- 상기 방사선 배출 면(6)에는 상기 방사선 흡수 층(3)이 없다.

Description

광전자 반도체 컴포넌트 {OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 광전자 반도체 컴포넌트에 관한 것이다.
본 발명의 해결 과제는, 흑색으로 나타나는 광전자 반도체 컴포넌트를 제공하는 것이다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 광전자 반도체 컴포넌트는 기판을 구비하고, 상기 기판은 상부 측 및 상기 상부 측에 마주 놓인 하부 측을 갖는다. 기판으로서는 회로 기판 또는 금속성 리드 프레임(lead frame)이 사용될 수 있다. 또한, 기판은 유연하게 그리고 예를 들어 박막으로서 형성될 수도 있다. 상기 기판은 예를 들어 금속과 같은 전기 전도성 재료로부터 그리고/또는 예를 들어 열경화성 및/또는 열가소성 재료와 같은 전기 절연성 재료로부터 그리고/또는 세라믹 재료로부터 형성될 수 있다.
상기 상부 측 및 하부 측에는 기판 외부 면의 한 부분에 의해서 형성된 면이 각각 하나씩 형성되어 있다. 상기 하부 측에 있는 면은 기판이 장착된 상태에서 콘택 캐리어 - 예를 들어 회로 기판 - 쪽을 향하고 있는 기판 외부 면의 부분이다. 예컨대 기판의 하부 측에 있는 면은 광전자 반도체 컴포넌트를 장착하기 위해서 이용될 수 있는 장착 면이다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 광전자 반도체 컴포넌트는 상부 측에 배치된 적어도 하나의 방사선 방출 반도체 소자를 포함하고, 상기 방사선 방출 반도체 소자는 방사선 배출 면을 가지며, 반도체 소자의 작동 중에 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 방사선 배출 면을 통해 반도체 소자를 떠난다. 방사선을 방출하는 반도체 소자로서는 방사선을 방출하는 반도체 칩이 사용될 수 있다. 반도체 칩으로서는 예를 들어 루미네선스(luminescence) 다이오드 칩이 사용된다. 루미네선스 다이오드 칩으로서는 발광 다이오드 칩 또는 레이저 다이오드 칩이 사용될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 광전자 반도체 컴포넌트는 방사선을 흡수하는 층을 구비하고, 상기 방사선 흡수 층은 기판으로부터 떨어져서 마주한 컴포넌트의 외부 면이 적어도 국부적으로는 흑색으로 나타나도록, 상기 컴포넌트에 입사되는 환경 광(ambient light)을 흡수하도록 설계되었다. 이 목적을 위하여 상기 방사선 흡수 층 내부에는 예컨대 카본 블랙 입자 또는 다른 방사선 흡수 입자와 같이 방사선을 흡수하는 입자 또는 섬유가 삽입되어 있다. 예를 들어 상기 기판으로부터 떨어져서 마주한 컴포넌트의 외부 면은 적어도 국부적으로는 상기 방사선 흡수 층 자체에 의해서 형성되었다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 방사선을 흡수하는 층은 방사선을 방출하는 반도체 소자를 가로 방향으로 완전히 둘러싸고, 상기 방사선을 방출하는 반도체 소자의 측면과 적어도 국부적으로 직접 접촉한다. 이 경우에 "가로 방향"이란 기판의 주(主) 연장 방향에 대하여 평행한 방향을 의미한다. 예를 들어 반도체 컴포넌트의 외부 면에 대한 평면도 상으로 볼 때에 상기 외부 면은 방사선 배출 면을 제외하고는 흑색으로 나타난다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 방사선 배출 면에는 방사선을 흡수하는 층이 없다. "없다"라는 표현은, 방사선 배출 면이 방사선 흡수 층에 의해서 덮여 있지도 않고, 또한 상기 방사선 흡수 층이 예를 들어 방사선 방출 반도체 소자의 방사선 배출 경로를 따라서 반도체 소자 뒤에 배치되어 있지도 않다는 것을 의미한다. 최대로 가능한 상황은, 제조 조건들로 인해 방사선 흡수 층의 나머지 재료가 계속해서 방사선 배출 면 상에 존재할 수 있지만, 상기 방사선 흡수 층이 상기 방사선 배출 면을 최대 10%까지, 바람직하게는 최대 5%까지 덮을 수 있는 상황이다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 광전자 반도체 컴포넌트는 기판을 포함하고, 상기 기판은 상부 측 및 상기 상부 측에 마주 놓인 하부 측을 갖는다. 상기 상부 측에는 적어도 하나의 방사선 방출 반도체 소자가 배치되어 있고, 상기 방사선 방출 반도체 소자는 방사선 배출 면을 가지며, 반도체 소자의 작동 중에 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 방사선 배출 면을 통해 반도체 소자를 떠난다. 또한, 광전자 반도체 컴포넌트는 방사선을 흡수하는 층을 포함하고, 상기 방사선 흡수 층은 기판으로부터 떨어져서 마주한 컴포넌트의 외부 면이 적어도 국부적으로는 흑색으로 나타나도록, 상기 컴포넌트에 입사되는 환경 광을 흡수하도록 설계되었다. 상기 방사선 흡수 층은 상기 방사선 방출 반도체 소자를 가로 방향으로 완전히 둘러싸고, 상기 방사선 방출 반도체 소자의 측면과 적어도 국부적으로 직접 접촉한다. 또한, 상기 방사선 배출 면에는 방사선 흡수 층이 없다.
본 출원서에 기재된 광전자 반도체 컴포넌트는 방사선 배출 면과 컴포넌트의 나머지 외부 면 간의 명도 대비(brightness contrast)가 높은 것을 특징으로 하기 때문에 예컨대 디스플레이 장치에 사용하기에 특히 적합하다. 또한, 전자기 방사선이 예를 들어 컴포넌트 내부에 잘못 설치된 광학 수단에 의해서 상기 컴포넌트의 방사선 방출 반도체 소자의 방향으로 되돌아가는 방해 역반사도 피해질 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 반도체 컴포넌트의 외부 면은 적어도 국부적으로는 방사선을 흡수하는 층의 외부 면에 의해서 형성되었다. 상기 방사선 흡수 층은 반도체 컴포넌트를 외부로 제한하고, 특히 하우징의 공동 내부에 배치되어 있지 않으며, 그리고 특히 심지어는 상기 하우징의 한 부분을 형성하기도 한다. 이때 상기 방사선 흡수 층의 측면들은 기판의 측면들과 동일한 수준에서 끝나며, 이 경우 상기 방사선 흡수 층은 기판으로부터 떨어져서 마주한 상기 반도체 컴포넌트의 표면까지도 형성할 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 방사선을 흡수하는 층은 반도체 컴포넌트의 측면들을 적어도 국부적으로 형상 결합 방식으로 둘러싸는 캐스팅 컴파운드(casting compound)이다. 이와 관련하여 "형상 결합 방식으로"라는 표현은 방사선 흡수 층과 반도체 소자의 측면들 사이에 간극(gap)도 형성되어 있지 않고, 중단부도 형성되어 있지 않다는 의미이다. 바람직하게 상기 방사선 흡수 층과 측면들은 서로 직접적으로 접촉하고 있다. 예를 들어 상기 방사선 흡수 층은 반도체 소자의 캐스팅 공정에 의해서 그리고 그 다음에 연속으로 이루어지는 경화 공정에 의해서 기판상에 증착되었다. 이때 "적어도 국부적으로"라는 표현은 상기 방사선 흡수 층이 반도체 소자의 측면들을 단지 소정의 충전 높이까지만 형상 결합 방식으로 둘러싼다는 것을 의미한다. 그럼으로써, 반도체 소자 자체는 자신의 측면들에서 상기 방사선 흡수 층에 의해 완전히 덮일 수 있게 된다. 더 상세하게 설명하자면, 반도체 소자의 측면들은 방사선 흡수 층에 의해서 완전히 덮여 있거나 또는 사전에 설정될 수 있는 높이까지만 부분적으로 덮여 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 방사선을 흡수하는 층은 수직 방향으로 반도체 소자 위로 돌출하지 않는다. 이때 "수직 방향"이란 가로 방향에 대하여 수직인 방향을 일컫는다. 예를 들어 상기 방사선 흡수 층은 가로 방향으로 반도체 소자의 방사선 배출 면과 동일한 수준에서 끝난다. 이 경우에 예를 들어 반도체 소자의 외부 면은 기판으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 흡수 층의 외부 면 및 반도체 소자의 방사선 배출 면에 의해서 형성되었다. 예컨대 방사선을 방출하는 반도체 소자는 방사선을 방출하는 반도체 칩 그리고 자신의 주 송출 방향으로 볼 때 상기 반도체 칩 뒤에 배치된 변환 소자에 의해서 형성되었다. 상기 변환 소자는 상기 방사선 방출 반도체 칩에 의해서 방출된 전자기 방사선을 다른 파장 범위의 전자기 방사선으로 적어도 부분적으로 변환시키기 위해서 이용될 수 있다. 이 경우에 방사선 배출 면은 기판으로부터 떨어져서 마주한 상기 변환 소자의 외부 면에 의해서 형성될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 수직 방향으로 기판과 방사선 흡수 층 사이에는 방사선을 반사하는 층이 배치되어 있으며, 상기 방사선 반사 층은 반도체 소자의 측면들을 국부적으로 덮는다. 특히 "방사선을 반사하는"이라는 표현은 상기 방사선 반사 층이 자신에게 투사되는 광에 대하여 적어도 80%까지, 바람직하게는 90% 이상까지 반사 작용을 한다는 것을 의미한다. 예를 들어 방사선 반사 층의 외부 관찰자에게는 상기 방사선 반사 층이 백색으로 보인다. 이 목적을 위하여 예를 들어 상기 방사선 반사 층 내부에는 방사선을 반사하는 입자들이 삽입되어 있으며, 이 경우 상기 방사선을 반사하는 입자들은 예컨대 TiO2, BaSo4, ZnO 또는 AlxOy와 같은 물질들 중에 적어도 한 가지 물질로 형성되었거나 또는 전술된 물질들 중에 적어도 한 가지 물질을 함유한다. 바람직하게 반도체 컴포넌트의 외부 면에 대한 평면도 상으로 볼 때에 상기 반사 층은 방사선 흡수 층에 의해서 완전히 덮여 있다. 다른 말로 표현하자면, 반도체 컴포넌트의 외부 면에 대한 평면도 상으로 볼 때에 외부 관찰자는 더 이상 상기 방사선 반사 층을 인식할 수 없고/없거나 감지할 수 없다. 반도체 소자 내부에서 발생하여 측면들을 통해 배출되는 전자기 방사선은 바람직하게 상기 방사선 반사 층에 의해서 적어도 국부적으로 반도체 소자 내부로 역 반사되고, 예를 들어 방사선 배출 면의 방향을 향하게 된다. 그렇기 때문에 반도체 소자 내부에서 발생하는 전자기 방사선의 가급적 큰 비율이 방사선 배출 면의 방향으로 반사되고, 그 다음에 반도체 소자의 방사선 배출 면을 통해 반도체 컴포넌트로부터 디-커플링 될 수 있다. 다른 말로 설명하자면, 한 편으로는 가급적 많은 전자기 방사선이 컴포넌트로부터 디-커플링 될 수 있도록 하기 위하여 그리고 다른 한 편으로는 대비 정도를 높이기 위하여, 방사선 반사 층의 반사 특성들은 방사선 흡수 층의 대비 형성 특성들과 반도체 컴포넌트 내부에서 조합된다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 반도체 소자에 의해서 방출되는 총 전자기 방사선의 적어도 20%가 측면들을 통해서 반도체 소자로부터 외부로 배출되고, 방사선 반사 층에 의해서 적어도 부분적으로 반사된다. 더 상세하게 말하자면 소위 용적 이미터(volume emitter)가 반도체 소자로서 사용되며, 이 경우 용적 이미터로부터는 상기 용적 이미터에 의해서 발생하는 전자기 방사선이 기판으로부터 떨어져서 마주한 자신의 주 표면을 통해서뿐만 아니라 적어도 부분적으로는 자신의 측면들을 통해서도 배출된다. 드러난 놀라운 사실은, 반도체 소자가 자신의 측면들을 통해서 전자기 방사선을 방출하더라도, 본 출원서에 기재된 방사선 반사 층에 의해서는 방사선 디-커플링 효율이 특히 효과적으로 상승 될 수 있다는 것이다. 이때 "방사선 디-커플링 효율"이란 반도체 컴포넌트로부터 이 반도체 컴포넌트의 방사선 배출 면을 통해서 디-커플링 되는 광 에너지 대(對) 반도체 소자 내부에서 최초로 발생 된 광 에너지의 비율이다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 기판으로부터 떨어져서 마주한 방사선 흡수 층의 외부 면 상에 그리고/또는 방사선 배출 면 상에는 방사선을 투과할 수 있는 층이 적어도 국부적으로 증착된다. 이와 관련하여 "방사선을 투과할 수 있는"이라는 표현은 상기 층이 입사되는 전자기 방사선에 대하여 적어도 80%까지, 바람직하게는 90% 이상까지 투과성을 갖는다는 것을 의미한다. 이 경우에 반도체 컴포넌트의 외부 면은 기판으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 투과 층의 외부 면에 의해서 적어도 국부적으로 형성될 수 있다. 상기 반도체 컴포넌트의 외부 면에 대한 평면도 상으로 볼 때에, 외부로부터는 예를 들어 단지 방사선 흡수 층 및/또는 반도체 소자의 방사선 배출 면만을 볼 수 있다. 다른 말로 표현하자면, 상기 방사선 투과 층의 외부 면은 그 아래에 있는 방사선 흡수 층으로 인해 외부 관찰자에게는 적어도 국부적으로 흑색으로 보이게 된다. 예컨대 상기 방사선 투과 층은 적어도 부분적으로 산화된('캡슐화(encapsulation)'로도 불림) 실리콘으로 형성되었다. 예컨대 상기 방사선 투과 층의 외부 면은 적어도 국부적으로 산화되었다. 상기 방사선 투과 층의 적어도 부분적인 산화에 의해서는 바람직하게 상기 방사선 투과 층의 외부 면의 접착성이 줄어들 수 있다. 예를 들어 먼지 입자와 같은 원치 않는 외부 입자들이 상기 방사선 투과 층의 외부 면에 달라붙는 그리고/또는 접착되는 상황이 피해질 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 광전자 반도체 컴포넌트의 기판은 적어도 하나의 연결 장소를 갖는다. 예컨대 상기 연결 장소는 기판의 상부 측에서 국부적으로 면을 형성한다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 광전자 반도체 컴포넌트는 기판의 연결 장소들 중에 적어도 하나의 연결 장소 위에 배치된 적어도 하나의 층 개구를 포함하며, 상기 층 개구는 방사선 흡수 층을 완전히 관통하여 기판으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 흡수 층의 한 상부 측으로부터 기판의 하부 측 방향으로 연장된다. 예를 들어 상기 층 개구는 적어도 하나의 측면을 갖는다. 상기 개구의 적어도 하나의 측면은 상기 방사선 흡수 층에 의해서 적어도 국부적으로 형성되었다. 상기 내용과 관련해서 "위에"라는 표현은 연결 장소와 층 개구가 수직 방향으로 적어도 국부적으로 겹쳐진다는 것을 의미한다. 연결 장소가 층 개구와 겹쳐지는 장소에서, 상기 연결 장소에는 방사선을 흡수하는 층의 재료가 적어도 국부적으로 없다. 예를 들어 상기 연결 장소는 방사선 흡수 층 내부에서 층 개구를 통해 외부로부터 전기적으로 접촉될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 층 개구는 가로 방향으로 반도체 소자에 대하여 간격을 두고 떨어져서 배치되어 있다. 다시 말하자면, 상기 층 개구는 반도체 소자의 측방에 배치되어 있고, 예를 들어 가로 방향에 대하여 수직으로 또는 대체로 수직으로 진행한다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 층 개구 내부에는 전기 전도성 재료가 적어도 국부적으로 배치되어 있다. 상기 전기 전도성 재료는 예를 들어 금속으로써 또는 전기 전도성 접착제로써 형성되었다. 예를 들어 상기 전기 전도성 재료는 층 개구를 완전히 채운다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 전기 전도성 재료는 기판으로부터 떨어져서 마주한 컴포넌트의 외부 면 상에 적어도 국부적으로 배치되어 있다. 예를 들어 기판으로부터 떨어져서 마주한 방사선 흡수 층의 외부 면 자체가 적어도 국부적으로 컴포넌트의 외부 면을 형성하면, 전기 전도성 재료는 방사선 흡수 층의 외부 면에 적어도 국부적으로 배치될 수 있고, 상기 장소에서 방사선 흡수 층과 직접 접촉할 수 있다. 기판으로부터 떨어져서 마주한 방사선 투과 층의 외부 면이 적어도 국부적으로 컴포넌트의 외부 면을 형성하는 경우에도 상응하는 내용이 적용된다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 전기 전도성 재료는 반도체 소자와 연결 장소를 전기 전도성으로 접속한다. 다시 말해, 상기 전기 전도성 재료는 층 개구와 반도체 소자를 접속시키는 동시에 가로 방향으로 반도체 소자와 층 개구 사이에서는 적어도 국부적으로 컴포넌트의 외부 면 상에서 진행한다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 한 연결 장소와 기판의 상부 측에 있는 추가 연결 장소 간의 적어도 하나의 전도성 결합은 상기 상부 측에 마주 놓인 기판 하부 측에 있는 접촉 면과의 관통 접촉 형성에 의해서 만들어진다. 이때 상기 관통 접촉 형성부는 기판을 관통해서 연장되고, 측방에서 기판에 의해 둘러싸여 있다. 기판의 하부 측에 있는 접촉 면에 의해서는 광전자 반도체 컴포넌트가 예컨대 표면 장착 기술(SMT로도 불림)에 의해 장착될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 층 개구는 추가로 방사선 반사 층 및/또는 방사선 투과 층을 완전히 관통한다. 이 경우에 상기 층 개구의 적어도 하나의 측면은 추가로 국부적으로 방사선 흡수 층 또는 방사선 반사 층에 의해서 형성되었다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 광전자 반도체 컴포넌트는 기판의 상부 측에 가로 방향으로 나란히 배치된 적어도 두 개의 방사선 방출 반도체 소자를 포함하며, 이 경우 적어도 두 개의 방사선 방출 반도체 소자는 상이한 컬러의 광을 방출한다. 예를 들어 상기 광전자 반도체 컴포넌트는 청색의 광을 방출하는 방사선 방출 반도체 소자 및 황색의 광을 방출하는 방사선 방출 반도체 소자를 포함한다. 또한, 상기 광전자 반도체 컴포넌트에 대하여 제기되는 조명 조건들에 따라서, 상이한 컬러의 광을 방출할 수 있는 방사선 방출 반도체 컴포넌트의 임의의 다른 조합들을 생각할 수도 있다. 바람직하게 상이한 컬러의 광을 방출하는 반도체 컴포넌트들은 공간을 절약하는 방식으로 서로 가변적으로 배치될 수 있고, 하나의 공통 기판상에 콤팩트하게 배치될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 반도체 소자의 본딩 와이어 접촉 형성부는 방사선 흡수 층에 의해서 적어도 국부적으로 덮여 있다. 상기 본딩 와이어 접촉 형성부는 예를 들어 본딩 와이어를 이용해서 연결 장소를 반도체 소자에 전기적으로 접속한다. 예를 들어 상기 본딩 와이어 접촉 형성부는 방사선 흡수 층에 의해서 완전히 덮여 있다. 다른 말로 표현하자면, 이때 본딩 와이어 접촉 형성부는 완전히 방사선 흡수 층 내부에서 진행한다. 이 경우에 상기 본딩 와이어 접촉 형성부의 본딩 와이어는 반도체 소자로부터 외부로 돌출하지 않는다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 광전자 반도체 컴포넌트는 적어도 하나의 전자 소자를 포함하며, 이 경우 상기 전자 소자는 기판의 상부 측에 배치되어 있고, 방사선 흡수 층에 의해서 완전히 덮여 있다. 다른 말로 설명하자면, 반도체 컴포넌트의 외부 면에 대한 평면도 상으로 볼 때에 외부 관찰자에게는 상기 전자 소자가 더 이상 눈에 띄지 않는다. 예컨대 상기 전자 소자는 반도체 소자와 동일한 방식으로 전기적으로 접촉되었다. 다시 말해, 상기 전자 소자도 마찬가지로 본딩 와이어 접촉 형성부를 통해서 그리고/또는 방사선 흡수 층 내부에 형성된 층 개구를 통해서 접촉될 수 있으며, 이 경우 상기 층 개구 내에는 전기 전도성 재료가 적어도 국부적으로 배치되어 있다. 예를 들어 상기 전자 소자는 정전기 충전에 의한 손상으로부터 보호해주는 작용을 하는 보호 회로(ESD-보호 회로로도 불림)를 포함하거나 또는 그 보호 회로 자체이다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 전기 전도성 재료는 방사선 흡수 층에 국부적으로 직접 인접한다. 예컨대 이 경우 상기 전기 전도성 재료는 기판으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 흡수 층의 외부 면에서 국부적으로 뻗고, 그곳에서 상기 방사선 흡수 층을 부분적으로 덮는다. 이때에는 특히 상기 전기 전도성 재료가 방사선을 투과시킬 수 있는 재료, 예를 들어 TCO(Transparent Conductive Oxide)에 의해서 형성될 수 있다. 이 경우에 방사선 투과 물질로서는 다른 무엇보다도 ITO 또는 ZNO가 사용된다. 전기 전도성 재료용으로 방사선 투과 재료가 사용되기 때문에, 방사선을 흡수하는 층의 방사선 흡수 효과는 줄어들지 않는다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 한 가지 실시 예에 따르면, 전기 전도성 재료는 방사선을 투과시킬 수 있으며, 특히 육안으로 명확하게 확인할 수 있을 정도로 투명하다.
본 출원서에 기재된 광전자 반도체 컴포넌트는 실시 예들 및 관련 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다:
도 1a, 1b, 1c, 1d, 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 3a, 3b, 3c, 3d, 4a 및 4b는 본 출원서에 기재된 광전자 반도체 컴포넌트의 다양한 실시 예들을 개략도로 보여주고 있다.
개별 실시 예들 및 도면들에서 동일하거나 또는 동일한 작용을 하는 구성 부품들에는 각각 동일한 도면 부호들이 제공되었다. 도면에 도시된 소자들은 척도에 맞는 것으로 간주 될 수 없으며, 오히려 개별 소자들은 도면에 대한 이해를 돕기 위하여 상이한 크기로 도시될 수 있다.
도 1a는 본 출원서에 기재된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 한 가지 실시 예를 개략적인 단면도로 보여주고 있다. 상기 반도체 컴포넌트(100)의 기판(1)은 상부 측(11) 그리고 상기 상부 측(11)에 마주 놓인 하부 측(12)을 갖는다. 예컨대 기판(1)은 플라스틱 재료 및/또는 세라믹 재료로써 형성되었다. 또한, 기판(1)은 자신의 상부 측(11)에 연결 장소(13)를 갖는다. 가로 방향(L)으로 각각 상기 연결 장소(13) 옆에 배치된 상기 기판(1)의 연결 장소(2a) 상에는, 반도체 소자(2)의 마주 놓인 두 개의 주 표면 중에 각각 하나의 주 표면을 갖고 한 가지 횡 방향(L1)으로(도 1b 및 도 1c 참조) 방사선을 방출하는 반도체 소자(2)가 하나의 행(row) 형태로 제공되어 있다. 이때 상기 횡 방향(L1)은 기판(1)의 주 연장 방향에 대하여 평행하게 그리고 상기 가로 방향(L)에 대하여 횡으로 진행한다. 각각의 방사선 방출 반도체 소자(2)는 본딩 와이어 접촉 형성부(9)에 의해서 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)에 할당된 한 연결 장소(13)에 전기적으로 접촉되었다. 또한, 기판(1)은 자신의 하부 측(12)에 가로 방향(L)으로 나란히 배치된 접촉 면(14A 및 14B)을 갖는다. 기판(1)의 상부 측(11)에서 이루어지는 상기 접촉 면(14A, 14B)과 상기 연결 장소(13, 2A) 간의 전기 전도성 접속은 관통 접촉 형성부(15)에 의해서 만들어진다. 다른 말로 표현하자면, 상기 관통 접촉 형성부(15)는 기판(1)의 상부 측(11)으로부터 출발해서 연속적으로 기판(1)의 하부 측(12)의 방향으로 연장된다.
이때 상기 접촉 면(14A)은 이 접촉 면에 각각 할당된 연결 장소(13)에 전기적으로 접촉하기 위해서 이용되고, 상기 접촉 면(14B)은 이 접촉 면에 각각 할당된 연결 장소(2A)에 전기적으로 접촉하기 위해서 이용된다. 기판(1)의 접촉 면(14A, 14B)이 콘택 캐리어 상에 제공되면, 광전자 반도체 컴포넌트(100)는 상기 접촉 면(14A, 14B)을 통해서 전기적으로 접촉될 수 있다. 그 다음에 광전자 반도체 컴포넌트(100)가 표면에 장착될 수 있다.
또한, 각각의 방사선 방출 반도체 소자(2)는 방사선 배출 면(6)을 구비하며, 방사선을 방출하는 반도체 소자(2)의 작동 중에 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 방사선 배출 면을 통해서 반도체 소자(2)를 떠난다. 상기 방사선 배출 면(6)은 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)의 주 표면이다. 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)의 측면(23)은 두 개의 주 표면을 서로 연결하고, 상기 두 개의 주 표면에 대하여 가로로 또는 대체로 가로로 진행한다.
또한, 광전자 반도체 컴포넌트(100)는 반도체 소자(2)의 측면(23)을 완전히 그리고 형상 결합 방식으로 덮는 방사선 흡수 층(3)도 포함한다. 본 경우에 방사선 흡수 층(3)으로서는 캐스팅 컴파운드가 사용되며, 상기 캐스팅 컴파운드는 예를 들어 반도체 소자(2)의 캐스팅 공정에 의해서 기판(1)의 상부 측(11)에 있는 한 면(11A)에 제공되었다. 이때 상기 방사선 배출 면(6)에는 방사선 흡수 층(3)이 없으며, 이 경우 상기 방사선 흡수 층(3)은 방사선 방출 반도체 소자(2)를 가로 방향(L)으로 완전히 둘러싼다. 상기 방사선 흡수 층(3)은 매트릭스 재료로 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 매트릭스 재료 내부에는 예컨대 카본 블랙 입자와 같은 방사선을 흡수하는 입자들이 삽입되어 있다. 그렇기 때문에 방사선 흡수 층은 흑색으로 나타난다. 예컨대 상기 매트릭스 재료로서는 실리콘, 에폭시드 또는 실리콘과 에폭시드로 이루어진 혼합물이 사용된다.
또한, 상기 방사선 흡수 층(3)은 수직 방향(V)으로 반도체 소자(2) 위로 돌출하지 않는다. 다른 말로 표현하자면, 상기 방사선 흡수 층(3)은 가로 방향(L)으로 볼 때에 상기 반도체 소자(2)의 방사선 배출 면(6)과 동일한 수준에서 끝난다.
기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 흡수 층(3)의 한 외부 면(31) 상에 그리고 상기 방사선 배출 면(6) 상에는 방사선 투과 층(4)이 완전히 증착되어 있다. 예를 들어 상기 방사선 투과 층(4)은 실리콘, 에폭시드 또는 실리콘과 에폭시드로 이루어진 혼합물과 같은 매트릭스 재료로 형성되었다. 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 하나의 외부 면(101)은 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 투과 면(4)의 한 외부 면(33)에 의해서 완전히 형성되었다.
도 1a로부터 알 수 있는 또 다른 사실은, 본딩 와이어 접촉 형성부(9)가 완전히 방사선 흡수 층(3) 및 방사선 투과 층(4) 내부에서 진행한다는 것이다. 다른 말로 표현하자면, 상기 본딩 와이어 접촉 형성부(9)는 광전자 반도체 컴포넌트(100)로부터 외부로 돌출하지 않는다. 그렇기 때문에 이와 같은 반도체 컴포넌트(100)는 특히 콤팩트하면서도 간단하게 취급될 수 있다.
도 1b는 반도체 컴포넌트(100)의 외부 면(101)에 대한 개략적인 평면도에서 도 1a에 대한 설명 부분에서 기술된 반도체 컴포넌트(100)를 보여주고 있다. 본 경우에 하나의 행으로 배치된 세 개의 방사선 방출 반도체 소자(2)를 볼 수 있다. 각각의 방사선 방출 반도체 소자(2)는 상이한 컬러의 광을 방출한다. 예컨대 하나의 방사선 방출 반도체 소자(2)는 적색의 광, 녹색의 광 및 추가로 청색의 광을 방출한다.
도 1c는 도 1a 및 도 1b에 대한 설명 부분에서 기술된 반도체 컴포넌트(100)의 개략적인 회로도를 보여주고 있다. 도면을 통해 알 수 있는 사실은, 개별 방사선 방출 반도체 소자(2)가 각각 별도로 접촉되어 있고, 개별적으로 할당된 연결 장소(13)를 통해서 상호 분리된 상태로 제어될 수 있다는 것이다. 다른 말로 설명하자면, 각각의 방사선 방출 반도체 소자(2) 내부로는 나머지 방사선 방출 반도체 소자(2)로부터 분리된 상태에서 각각 사전에 설정 가능한 레벨의 전류 및/또는 작동 전압이 유입 및/또는 인가될 수 있다.
도 1d는 도 1a 내지 도 1c에 대한 설명 부분에서 기술된 광전자 반도체 컴포넌트(100)를 개략적인 사시도로 보여주고 있다. 도면에서는 재차 기판(1) 그리고 상기 기판(1)의 상부 측(11)에 있는 면(11A) 상에 증착된 방사선 흡수 층(3)을 볼 수 있다. 도 1d를 통해서 알 수 있는 또 다른 사실은, 방사선 투과 층(4)이 완전히 방사선 흡수 층(3)의 외부 면(31) 상에 그리고 반도체 소자(2)의 방사선 배출 면(6) 상에 제공되어 있다는 것이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 출원서에 기재된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 한 가지 추가 실시 예를 개략도로 보여주고 있다.
도 2a는 본 출원서에 기재된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 한 가지 추가 실시 예를 개략적인 단면도로 보여주고 있다. 도 2a 내지 도 2e에 도시된 실시 예에서는 도 1a 내지 도 1d에 도시된 바와 같은 본딩 와이어 접촉 형성부(9)가 없다. 그 대신에 방사선 방출 반도체 소자(2)들의 접촉은 다음과 같은 방식으로 이루어진다:
수직 방향(V)으로 기판(1)의 연결 장소(13) 위에 층 개구(32)가 각각 하나씩 배치되어 있으며, 상기 층 개구는 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 방사선 투과 층(4)의 외부 면(33)으로부터 출발하여 기판(1)의 하부 측(12)의 방향으로 완전히 상기 방사선 투과 층(4)을 관통해서 연장될 뿐만 아니라 방사선 흡수 층(3)까지도 관통해서 연장된다.
이 경우에 층 개구(32)들은 각각 가로 방향(L)으로 해당 방사선 방출 반도체 소자(2)에 대하여 간격을 두고서 배치되어 있다. 각각의 층 개구(32) 내부에는 상기 층 개구(32)를 완전히 채우는 전기 전도성 재료(7)가 배치되어 있다. 이때 상기 전기 전도성 재료(7)는 반도체 컴포넌트(100)의 외부 면(101) 상에 있는 층 개구(32)로부터 출발하여 각각 하나의 층 개구(32)에 할당된 반도체 소자(2)의 방향으로 뻗는다. 상기 전기 전도성 재료(7)는 반도체 소자(2)의 접촉 면(2B) 위에서 상기 방사선 투과 층(4) 내부에 수직 방향(V)으로 형성된 추가의 층 개구(32A)를 통해서 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)에 전기적으로 접촉된다. 다른 말로 표현하자면, 상기 전기 전도성 재료(7)는 연결 장소(13)를 이 연결 장소에 할당된 반도체 소자(2)에 전기 전도성으로 접속시킨다. 이때 상기 전기 전도성 재료(7)는 가로 방향(L)으로 상기 연결 장소(13)와 이 연결 장소에 할당된 반도체 소자(2) 사이에 직접 배치되어 있고, 연속해서 외부 면(101) 상에 배치되어 있다. 본 출원서에 기재된 반도체 소자(2)의 접촉 형성 방식에 의해서는 바람직하게 가로 방향(L)으로 이웃하여 배치된 반도체 소자(2)들의 최소 간격이 구현될 수 있다. 이와 같은 최소 간격의 구현에 의해서는 콤팩트하면서도 공간을 절약할 수 있는 광전자 반도체 컴포넌트(100)가 얻어진다.
도 2b에 도시된 외부 면(101)에 대한 개략적인 평면도에는 도 2a에 대한 설명 부분에서 기술된 반도체 컴포넌트(100)가 도시되어 있다. 상기 반도체 컴포넌트(100)는 총 네 개의 방사선 방출 반도체 소자(2)를 포함한다. 도 2b로부터 알 수 있는 또 다른 사실은, 반도체 소자(2)가 2 x 2 매트릭스의 형태로, 다시 말해 행과 열의 형태로 배치되어 있다는 것 그리고 본 경우에는 녹색의 광을 방출하는 두 개의 반도체 소자(2), 적색의 광을 방출하는 하나의 반도체 소자(2) 및 청색의 광을 방출하는 하나의 반도체 소자(2)가 포함되어 있다는 것이다. 이때 녹색의 광을 방출하는 상기 두 개의 반도체 소자(2)는 대각으로 마주 놓여 있다(바이에르-패턴으로도 불림). 또한, 반도체 소자(2)를 임의의 다른 형태로 배열하는 것도 가능하다. 도 1a 내지 도 1d에 도시되어 있는 바와 같이, 선형 배열 상태 또는 (세 개의 반도체 소자(2)가 사용되는 경우에는) 삼각형 배열 상태도 생각할 수 있다. 또한, 본 출원서에 기재된 모든 실시 예들에서는 모두 동일한 컬러의 광을 방출하는 반도체 소자(2)가 사용될 수 있다.
도 2c 및 도 2d는 도 2a 및 도 2b에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 두 가지 상이한 개략적인 회로도를 보여주고 있다. 도면을 통해 알 수 있는 사실은, 상기 반도체 컴포넌트(100)가 단 하나의 접촉 면(14B) 그리고 각각 하나의 반도체 소자(2)에 할당된, 다시 말하자면 본 경우에는 총 네 개의 접촉 면(14A)을 포함한다는 것이다. 다른 말로 설명하자면, 상기 단 하나의 접촉 면(14B)은 모든 방사선 방출 반도체 소자(2)를 위해서 하나의 제 1 전기 접촉부를 형성하고, 상기 네 개의 접촉 면(14A)은 방사선 방출 반도체 소자(2)를 위해서 각각 다른 전기 접촉부들을 형성한다. 이 경우 도 2c에서 상기 접촉 면(14B)은 이 접촉 면이 외부 전기 접촉에 의해서 하나의 공통 음극(cathode)을 형성하도록 접속된 한편, 도 2d에서 상기 접촉 면(14B)은 외부 접촉에 의해서 모든 방사선 방출 반도체 소자(2)를 위한 하나의 공통 양극(anode)을 형성하도록 접속되었다. 다시 말하자면, 도 1a 내지 도 1d에 도시된 반도체 컴포넌트(100)와 달리 방사선을 방출하는 반도체 소자(2)들은 양극 또는 음극의 형태로 형성된 하나의 공통 접촉 면(14B)을 통해서 모두 공동으로 전기적으로 접촉되고 제어될 수 있다. 도 2e는 도 2a 내지 도 2d에 대한 설명 부분에서 기술된 광전자 반도체 컴포넌트(100)를 개략적인 사시 평면도로 보여주고 있다. 본 도면에서는 재차 매트릭스 형태로 배치된 광전자 반도체 소자(2)들을 볼 수 있으며, 이 경우 상기 광전자 반도체 소자들은 각각 전기 전도성 재료(7)를 통해서 전기 전도성으로 접촉되어 있다.
도 3a 내지 도 3d에는 본 출원서에 기재된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 한 가지 추가 실시 예가 개략도로 도시되어 있다.
도 3a는 개략적인 단면도를 통해서 기판(1)의 상부 측(11)에 있는 면(11A) 상에 광전자 반도체 소자(2)가 어떻게 증착되었는지를 보여주고 있다. 본 경우에 광전자 반도체 소자(2)는 방사선을 방출하는 반도체 칩(26)으로써 형성되었으며, 이 경우 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 방출 반도체 칩(26)의 외부 면 상에는 변환 소자(25)가 제공되어 있다. 상기 변환 소자(25)는 상기 방사선 방출 반도체 칩(26)에 의해서 방출되는 전자기 방사선을 다른 파장 범위의 전자기 방사선으로 적어도 부분적으로 변환하기 위해서 이용된다. 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)의 측면(23)들은 상기 방사선 방출 반도체 칩(26)의 측면들 및 상기 변환 소자(25)의 측면들에 의해서 형성되었다. 그렇기 때문에 상기 반도체 소자(2)의 방사선 배출 면(6)은 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 변환 소자(25)의 외부 면이 된다.
본 경우에는 도 1a 내지 도 1d에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트(100)와 달리 방사선 투과 층(4)이 없다. 다른 말로 설명하자면, 상기 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 외부 면(101)은 완전히 방사선 흡수 층(3)의 외부 면(31) 및 방사선 배출 면(6)에 의해서 형성되었다. 상기 방사선 흡수 층(3)은 수직 방향(V)으로 상기 반도체 소자(2) 위로 돌출하지 않고, 가로 방향(L)으로 상기 반도체 소자(2)의 방사선 배출 면(6)과 동일한 수준에서 끝난다. 또한, 본딩 와이어 접촉 형성부(9)도 완전히 방사선 흡수 층(3) 내부에서 진행하고, 상기 방사선 흡수 층(3)에 의해서 둘러싸여 있다.
도 3b에는 도 3a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트(100)를 가로 방향(L)을 따라서 절단하여 도시한 추가의 개략도가 도시되어 있다. 도면을 통해 알 수 있는 사실은, 하나의 전자 소자(20)가 상부 측(11)에 있는 면(11A) 상에 제공되어 있고, 추가의 본딩 와이어 접촉 형성부(91)에 의해서 방사선 방출 반도체 칩(26)과 예를 들어 역-평행(anti-parallel) 방식으로 전기 접속되어 있다는 것이다. 이때 상기 전자 소자(20) 그리고 상기 추가의 본딩 와이어 접촉 형성부(91)는 방사선 흡수 층(3)에 의해서 완전히 덮여 있다. 다른 말로 표현하자면, 상기 전자 소자(20)는 외부로부터 더 이상 볼 수가 없다.
도 3c는 도 3a 및 도 3b에 대한 설명 부분에서 기술된 그리고 접촉 면(14A 및 14B)을 구비한 광전자 반도체 컴포넌트(100)를 면(12A)에 대한 개략적인 저면도에서 보여주고 있다.
또한, 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 외부 면(101)에 대한 도 3d의 개략적인 평면도에서는 방사선 배출 면(6)을 제외하고는 상기 외부 면(101)의 나머지 부분이 흑색으로 보인다는 것도 알 수 있다. 다른 말로 설명하자면, 본 경우에 반도체 컴포넌트(100)의 외부 면(101)은 단지 변환 소자(25)의 장소에서만 컬러로 나타나는데, 그 이유는 환경 광을 조사할 때에 상기 변환 소자(25)가 컬러 광을 재-방출할 수 있기 때문이다.
도 4a 및 도 4b에는 본 출원서에 기재된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 한 가지 추가 실시 예가 개략도로 도시되어 있다.
도 4a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 외부 면(101)에 대한 개략적인 평면도로부터는, 상기 외부 면(101)이 방사선을 흡수하는 층(3)의 외부 면(31) 및 방사선을 방출하는 반도체 소자(2)의 방사선 배출 면(6)에 의해서 형성되었다는 것을 알 수 있다. 이 경우 상기 방사선 배출 면(6)은 재차 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 변환 소자(25)의 외부 면에 의해서 형성되었다. 하지만, 이전에 도시된 실시 예들과 달리 방사선 방출 반도체 소자(2)는 본딩 와이어 접촉 형성부(9) 또는 하나의 방사선 방출 반도체 소자(2)에 할당된 단 하나의 층 개구(32) 대신에, 상기 방사선 흡수 층(3) 내부에 형성된 두 개의 추가 층 개구(32A)에 의해서 전기적으로 접촉된다. 전기적인 접촉을 형성하기 위하여 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)는 두 개의 접촉 면(2B)을 가지며, 상기 접촉 면들 위에서는 두 개의 추가 층 개구(32A)가 변환 소자(25) 내부에 형성되어 있다. 또한, 하나의 층 개구(32)와 상기 층 개구(32)에 할당된 하나의 추가 층 개구(32A) 사이에는 각각 전기 전도성 재료(7)에 의해서 전기 전도성 접속이 만들어져 있다. 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)의 접촉 형성부는 전술된 차이점을 제외하고는 도 2a 내지 도 2e에 도시된 실시 예에서와 동일한 방식으로 뻗는다.
도 4b에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 개략적인 단면도로부터는, 방사선을 흡수하는 층(3)과 기판(1) 사이에 수직 방향(V)으로 방사선을 반사하는 층(5)이 배치되어 있다는 것을 알 수 있다. 상기 방사선 반사 층(5)은 반도체 소자(2)의 측면(23)을 국부적으로 덮는다. 상기 방사선 반사 층(5)에 의해서 덮이지 않은 상기 측면(23)의 장소들은 상기 방사선 흡수 층(3)에 의해서 덮여 있다. 본 경우에는 방사선 방출 반도체 소자(2)에 의해서 방출되는 총 전자기 방사선의 적어도 20%가 측면(23)을 통해서 방사선 방출 반도체 소자(2)로부터 외부로 배출되고, 상기 방사선 반사 층(5)에 의해서 상기 반도체 소자(2) 내부로 적어도 부분적으로 역-반사되며, 그리고 예를 들어 방사선 배출 면(6)의 방향을 향하게 된다. 다른 말로 설명하자면, 도 4a 및 도 4b에 도시된 반도체 소자(2)로서는 용적 이미터가 사용된다.
본 발명은 실시 예들을 참조하는 상세한 설명에 의해서 제한되지 않는다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 그리고 상기 특징들의 각각의 조합을 포함하며, 이런 점은, 비록 상기 특징 그리고 특징 조합 자체가 특허 청구의 범위 또는 실시 예들에 명시적으로 기재되어 있지 않더라도, 특히 특허 청구의 범위 내 특징들의 각각의 조합을 포함한다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원서 제 10 2010 046 254.3호의 우선권을 청구하며, 상기 독일 특허 출원서의 공개 내용은 인용의 형태로 본 출원서에 수용된다.

Claims (15)

  1. 광전자 반도체 컴포넌트(100)로서,
    상기 광전자 반도체 컴포넌트는
    - 기판(1)을 구비하고, 상기 기판은 상부 측(11) 및 상기 상부 측(11)에 마주 놓인 하부 측(12)을 가지며;
    - 방사선을 방출하는 적어도 하나의 반도체 소자(2)를 구비하며, 상기 방사선 방출 반도체 소자는 상기 상부 측(11)에 배치되어 있고, 방사선 배출 면(6)을 가지며, 반도체 소자(2)의 작동 중에 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 방사선 배출 면(6)을 통해 반도체 소자(2)를 떠나며, 그리고
    - 방사선을 흡수하는 층(3)을 구비하고, 상기 방사선 흡수 층은 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 컴포넌트(100)의 외부 면(101)이 적어도 국부적으로는 흑색으로 나타나도록, 상기 컴포넌트(100)에 입사되는 환경 광(ambient light)을 흡수하도록 설계되었으며, 이때
    - 상기 방사선 흡수 층(3)은 상기 방사선 방출 반도체 소자(2) 둘레를 가로 방향(L)으로 완전히 둘러싸고, 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)의 측면(23)과 적어도 국부적으로 직접 접촉하며, 그리고
    - 상기 방사선 배출 면(6)에는 상기 방사선 흡수 층(3)이 없는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 컴포넌트의 외부 면(101)이 상기 방사선 흡수 층(3)의 외부 면(31)에 의해서 적어도 국부적으로 형성되는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 방사선 흡수 층(3)이 상기 반도체 소자(2)의 측면(23)을 적어도 국부적으로 형상 결합 방식으로 둘러싸는 캐스팅 컴파운드인,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 흡수 층(3)이 수직 방향(V)으로 상기 반도체 소자(2) 위로 돌출하지 않는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    수직 방향(V)으로 상기 기판(1)과 상기 방사선 흡수 층(3) 사이에는 방사선을 반사하는 층(5)이 배치되어 있으며, 상기 방사선 반사 층이 상기 반도체 소자(2)의 측면을 국부적으로 덮는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 소자(2)에 의해서 방출되는 총 전자기 방사선의 적어도 20%가 상기 측면(23)을 통해서 반도체 소자(2)로부터 외부로 배출되고, 상기 방사선 반사 층(5)에 의해서 적어도 부분적으로 반사되는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 흡수 층(3)의 외부 면(31) 상에 그리고/또는 상기 방사선 배출 면(6) 상에 방사선을 투과할 수 있는 층(4)이 적어도 국부적으로 증착되는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 상기 기판(1)의 적어도 하나의 연결 장소(13) 위에 배치된 적어도 하나의 층 개구(32)를 더 포함하며, 상기 층 개구는 상기 방사선 흡수 층(3)을 완전히 관통하여 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 흡수 층(3)의 한 상부 측(31)으로부터 기판(1)의 하부 측 방향으로 연장되며, 이때
    - 상기 층 개구(32)는 가로 방향(L)으로 반도체 소자(2)에 대하여 간격을 두고 떨어져서 배치되어 있으며,
    - 상기 층 개구(32) 내부에는 전기 전도성 재료(7)가 적어도 국부적으로 배치되어 있으며,
    - 상기 전기 전도성 재료(7)는 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 컴포넌트(100)의 외부 면(101) 상에 적어도 국부적으로 배치되어 있으며, 그리고
    - 상기 전기 전도성 재료(7)가 상기 반도체 소자(2)와 상기 연결 장소(13)를 전기 전도성으로 접속시키는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연결 장소(13)와 상기 기판(1)의 상부 측에 있는 하나의 추가 연결 장소(2A) 간의 적어도 하나의 전도성 결합이 상기 상부 측(11)에 마주 놓인 기판(1)의 하부 측(12)에 있는 접촉 면(14A, 14B)과의 관통 접촉(15)에 의해서 이루어지는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 층 개구(32)가 추가로 상기 방사선 반사 층(5) 및/또는 상기 방사선 투과 층(4)을 완전히 관통하는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판(1)의 상부 측(11)에 가로 방향(L)으로 나란히 배치된 적어도 두 개의 방사선 방출 반도체 소자(2)를 더 구비하며, 이때에는 적어도 두 개의 방사선 방출 반도체 소자(2)가 상이한 컬러의 광을 방출하는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 소자(2)의 본딩 와이어 접촉 형성부(9)가 상기 방사선 흡수 층(3)에 의해서 적어도 국부적으로 덮이는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 전자 소자(20)를 더 구비하며, 이때 상기 전자 소자는 기판(1)의 상부 측(11)에 배치되어 있고, 상기 방사선 흡수 층(3)에 의해서 완전히 덮이는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 전도성 재료(7)가 상기 방사선 흡수 층(3)에 국부적으로 직접 인접하는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 전도성 재료(7)가 방사선을 투과시킬 수 있으며, 특히 육안으로 명확하게 확인할 수 있을 정도로 투명한,
    광전자 반도체 컴포넌트.
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