JP4899318B2 - 半導体レーザ駆動回路、およびそれを用いた光伝送装置、レーザプリンタおよびレーザ書込み装置 - Google Patents

半導体レーザ駆動回路、およびそれを用いた光伝送装置、レーザプリンタおよびレーザ書込み装置 Download PDF

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Description

本発明は、バイアス電流に変調電流を重畳して半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路、およびそれを用いた光伝送装置、レーザプリンタおよびレーザ書込み装置に関する。
例えば、光LAN等の光伝送系においては、半導体レーザによりレーザ光を発光させ、半導体レーザに変調信号を重畳して変調光を生成する光送信モジュールが用いられている。
光送信モジュールに用いられている発光素子駆動回路として、例えば、バイアス発生回路に発光素子である半導体レーザを接続し、この半導体レーザに所定のバイアス電流を流すと共に、変調信号が入力された差動回路の変調出力をAC結合用コンデンサを介して半導体レーザに印加し、バイアス電流と変調出力との合成により半導体レーザを駆動して変調光を得るものが知られている(例えば、非特許文献1参照。)。
図2は、従来の発光素子駆動回路を示す。この発光素子駆動回路100は、非特許文献1に示される商品名「MAX3740A」のチップセットを用い、かつデータシートの推奨回路に従って構成している。
発光素子駆動回路100は、半導体レーザ30を駆動するレーザ駆動IC10と、レーザ駆動IC10のバイアス出力端子14にアノードが接続されると共にカソードが接地された半導体レーザ30と、バイアス出力端子14と半導体レーザ30のアノードとを結ぶ配線が挿入されたフェライトビーズ40と、レーザ駆動IC10の+側の変調電流を出力する出力端子13aに一端が接続されたAC結合用コンデンサ50と、AC結合用コンデンサ50と半導体レーザ30のアノードとの間に接続された抵抗60と、レーザ駆動IC10の−側の変調電流を出力する出力端子13bに一端が接続されたコンデンサ70と、コンデンサ70の他端と接地間に接続された抵抗80とを備える。
レーザ駆動IC10は、上記のチップセットMAX3740Aを用いており、差動回路を形成する一対のトランジスタ11a,11bと、一対の入力端子12a,12bと、上記一対の出力端子13a,13bと、上記バイアス出力端子14と、入力端子12a,12b間に直列接続して挿入された抵抗15,16と、抵抗15,16の中間接続点と電源Vccとの間に接続された抵抗17と、抵抗15,16の中間接続点と接地間に接続された抵抗18と、電源Vccとトランジスタ11aのコレクタとを接続する抵抗19と、電源Vccとトランジスタ11bのコレクタとを接続する抵抗20と、共通接続されたトランジスタ11a,11bのエミッタと接地間に接続された定電流源21と、バイアス発生回路22とを備えて構成されている。
レーザ駆動IC10の出力端子13aに接続されたAC結合用コンデンサ50は、交流結合用であり、抵抗60との組み合わせにより、所望のハイパスフィルタ特性が得られる容量値に選定される。
図3は、半導体レーザ30のアノード端子電圧−出力特性を示す。ここでは、出力波長850mmの半導体レーザ30を用いている。この半導体レーザ30の場合、平均出力が0.5mW程度になるようにレーザ駆動IC10のバイアス出力を調整する。この調整により、半導体レーザ30のアノード端子には約1.6Vが印加される。
また、半導体レーザ30は、出力の上限が0.78mWの規格になっている。回路設計上、レーザ出力が最も低い「クラス1」に規定される機器の場合、レーザ安全上から規定出力を超えたレーザ光を発生させないことが重要である。従って、半導体レーザ30は、上記0.78mW(アノードに印加する電圧で2.1V)を超えないように調整する必要がある。
図2において、入力端子12a,12bに信号が入力されていないとき、半導体レーザ30には、レーザ駆動IC10のバイアス発生回路22によって一定の電流が流され、連続的にレーザ光を発生している。
次に、入力端子12a,12bに差動信号が変調信号として入力されると、トランジスタ11a,11bは、差動増幅器として動作し、差動信号に応じた波形の交流信号を出力端子13a,13bに変調出力+,−として出力する。
出力端子13aに出力された変調出力+は、AC結合用コンデンサ50および抵抗60を介して半導体レーザ30のアノードに印加される。半導体レーザ30では、バイアス発生回路22からのバイアス電流を基準に+側の変調出力に応じて半導体レーザ30の電流が変動し、これにより半導体レーザ30から変調光が生成される。
なお、上記の構成とは逆に、半導体レーザのアノードを電源Vccに接続すると共に、カソードを電流源に接続してバイアス電流を確保し、カソードにトランジスタの差動対からの変調信号をコンデンサを介して供給する構成の半導体レーザ駆動回路も知られている(例えば、特許文献1参照。)。
MAXIM社、「3.2 Gbps SFP VCSEL Driver with Diagnostic Monitors」、第1頁、[online]、[平成17年2月1日検索]、インターネット<URL:http://pdfserv.maxim-ic.com/en/ds/MAX3740A.pdf> 特表2002−508116号公報(頁10、頁11、第3図)
しかし、従来の発光素子駆動回路によれば、変調電流の出力端子13aと半導体レーザ30のアノードとの接続が、AC結合用コンデンサ50を介して行われているため、何らかの原因でAC結合用コンデンサ50が短絡した場合、抵抗60は25Ω程度の低抵抗であり、かつレーザ駆動IC10の出力端子13aが内部でVcc(3.3V)にプルアップされているため、半導体レーザ30のアノード端子に2.1V程度の電圧が印加される状態となり、上記のように規定した0.78mWの出力を越え、「クラス1」の安全基準を逸脱するおそれがある。
また、特許文献1に記載の構成においてAC結合用コンデンサが短絡した場合、半導体レーザには影響が及ばないが、電流源に過大電流が流れ、デバイスを不能にするおそれがある。
従って、本発明の目的は、バイアス電流に変調電流を重畳するためのAC結合用コンデンサに短絡が生じても、半導体レーザが異常発光しないようにするとともに、周辺デバイスを保護できるようにした半導体レーザ駆動回路、およびそれを用いた光伝送装置、レーザプリンタおよびレーザ書込み装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、半導体レーザにバイアス電流を供給するバイアス発生回路と、第1の変調電流と、前記第1の変調電流と極性が異なる第2の変調電流とを生成して出力する差動回路とを備え、前記差動回路は、前記第1の変調電流を、直列接続された複数のAC結合用コンデンサを介して前記バイアス電流に重畳して前記半導体レーザを駆動するべく前記半導体レーザに出力するとともに、前記第2の変調電流を、1つのコンデンサと抵抗とを介して、グランドに出力することを特徴とする半導体レーザ駆動回路を提供する。
上記半導体レーザ駆動回路によれば、複数のAC結合用コンデンサのうち一つに破損して短絡状態になっても他のAC結合用コンデンサによって交流結合が維持される。
上記半導体レーザとして、面発光型半導体レーザ等の半導体レーザを用いることができる。
また、本駆動回路は、変調電流がアノード側に供給される半導体レーザと、カソード側に供給される半導体レーザの両方に適用することができる。
上記複数のAC結合用コンデンサは、変調電流の出力端子と半導体レーザのアノードとの間に接続される構成としてもよい。これにより、複数のAC結合用コンデンサのうち一つ破損して短絡状態になっても他のAC結合用コンデンサによって交流結合が維持されるため、半導体レーザに過大な電流が流れるのを防止することができる。
また、本発明は、上記目的を達成するため、半導体レーザ駆動回路により駆動された面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光によって情報を送信する光伝送装置を提供する。
上記光伝送装置によれば、複数のAC結合用コンデンサのうち一つ破損して短絡状態になっても他のAC結合用コンデンサによって交流結合が維持されるため、光伝送を安定して行うことができる。
また、本発明は、上記目的を達成するため、半導体レーザ駆動回路により駆動された面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光によって感光体を露光することを特徴とするレーザプリンタを提供する。
上記レーザプリンタによれば、複数のAC結合用コンデンサのうち一つ破損して短絡状態になっても他のAC結合用コンデンサによって交流結合が維持されるため、安定したプリント出力を得ることができる。
また、本発明は、上記目的を達成するため、半導体レーザ駆動回路により駆動された前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光によって感光体を露光することを特徴とするレーザ書込み装置を提供する。
上記レーザ書込み装置によれば、複数のAC結合用コンデンサのうち一つ破損して短絡状態になっても他のAC結合用コンデンサによって交流結合が維持されるため、安定した書込み動作を行うことができる。
本発明によれば、バイアス電流に変調電流を重畳するためのAC結合用コンデンサに短絡が生じても、半導体レーザが異常発光しないようにすることができ、周辺デバイスを保護することができる。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子駆動回路を示す。この発光素子駆動回路1は、図2で説明したレーザ駆動IC10、半導体レーザ30、フェライトビーズ40、抵抗60、コンデンサ70、および抵抗80を備える他、出力端子13aと半導体レーザ30のアノードとの間に直列接続して挿入された2つのAC結合用コンデンサ90a,90とを備える。
レーザ駆動IC10は、前述したようにチップセットMAX3740Aと同様に構成されており、差動回路を形成している一対のトランジスタ11a,11b、一対の入力端子12a,12b、一対の出力端子13a,13b、バイアス出力端子14、抵抗15,16,17,18,19,20、定電流源21、およびバイアス発生回路22を備えて構成されている。
バイアス発生回路22は、半導体レーザ30に印加する電圧を、バイアス電圧Vb>(Vcc−0.2)Vの範囲で可変することができ、半導体レーザ30の特性に合わせて最適な電圧を設定できるように構成されている。例えば、平均出力が0.5mW程度の半導体レーザ30に対しては、アノードへの印加電圧を1.6Vに設定することができる。
半導体レーザ30は、平均出力が0.5mW程度の面発光型半導体レーザ(VCSEL)を用いているが、面発光型以外であってもよい。
AC結合用コンデンサ90a,90bは、コンデンサ90a,90bの直列合成容量が従来のコンデンサ50と等しくなるように、例えば、各コンデンサ90a,90bを従来のコンデンサ50の容量の2倍にする。これにより、従来と同様に所望のハイパスフィルタを構成することができる。
(発光素子駆動回路の動作)
図1において、入力端子12a,12bに信号が入力されていないとき、半導体レーザ30には、レーザ駆動IC10のバイアス発生回路22によって約1.6Vの駆動電圧が印加され、0.5mW程度の平均出力で連続発光している。
次に、入力端子12a,12bに差動信号が入力されると、トランジスタ11a,11bは、差動増幅器として動作し、差動信号に応じた波形の交流信号を出力端子13a,13bに変調出力+,−として出力する。
出力端子13aに出力された+側の変調出力は、AC結合用コンデンサ90a,90bおよび抵抗60を介して半導体レーザ30のアノードに印加される。また、出力端子13bに出力された−側の変調出力は、コンデンサ70を介して抵抗80に印加される。半導体レーザ30では、バイアス発生回路22による動作状態を基準に+側の変調出力の値に応じて半導体レーザ30の動作電流が変動し、これにより半導体レーザ30から変調光が生成される。
仮に、AC結合用コンデンサ90a,90bの一方が、故障により短絡状態になったとすると、電源Vccより抵抗20を通して出力端子13aに印加されている直流電圧は、正常な他方のコンデンサによって阻止され、半導体レーザ30のアノードには印加されず、半導体レーザ30の出力上限である0.78mWの出力を越えることはない。
この第1の実施の形態によれば、以下の効果が得られる。
(イ)変調電流の出力端子13aと半導体レーザ30とを交流結合しているAC結合用コンデンサをコンデンサ90a,90bの2つにし、何れか一方に短絡状態が生じても、他方が交流結合を維持するため、半導体レーザ30が過大出力になるのを防止することができる。このため、「クラス1」の安全基準を維持することができる。
(ロ)インピーダンス制御された回路基板の特性を損なうことなく、レーザ出力の安全性を確保することができる。
(ハ)AC結合用コンデンサの搭載数量を変更するだけなので、既存のレーザ駆動回路に容易に適用することができる。
(ニ)高価なインターロック機構を搭載する必要がなく、回路構成が複雑にならないため、安価な回路構成を実現することができる。
なお、交流結合素子として、2つのAC結合用コンデンサ90a,90bを用いたが、3つ以上のコンデンサを用いることもできる。
[第2の実施の形態]
本発明の第2の実施の形態は、半導体レーザの配置を半導体レーザのアノードを電源Vccに接続すると共に、カソードを電流源に接続してバイアス電流を確保し、カソードにトランジスタの差動対からの変調信号を直列接続した複数のAC結合用コンデンサを介して供給する構成にしたものである。この場合でも、複数のAC結合用コンデンサの1つが短絡した場合でも、電流源に過大電流が流れるのを防止することができる。
[第3の実施の形態]
本発明の第3の実施の形態は、上記第1および第2の実施の形態において、インターロック機構を付加したものである。このインターロック機構は、半導体レーザ30を光ファイバ等の導光路に接続するコネクタ(図示せず)にスイッチ等を付加し、コネクタが導光路から外れたときに、それをスイッチによって検出してレーザ出力を遮断し或いは半導体レーザ30の動作を停止して、光出力の外部への漏洩を阻止できるように構成されている。
この第3の実施の形態によれば、AC結合用コンデンサ90a,90bの2つが短絡状態になって出力端子13aから直流電圧が半導体レーザ30のアノードに印加された場合でも、半導体レーザ30が過大出力になるのを阻止できるため、レーザ出力の安全性を高めることができる。
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、発光素子は、半導体レーザに限定されるものではなく、LED等であってもよい。
上記実施の形態においては、光伝送系を対象にして説明したが、レーザプリンタ、レーザ書込装置等における発光素子駆動回路にも本発明を適用可能である。
本発明の第1の実施の形態に係る発光素子駆動回路を示す回路図である。 従来の発光素子駆動回路を示す回路図である。 半導体レーザのアノード端子電圧−出力特性を示す特性図である。
符号の説明
1 発光素子駆動回路
10 レーザ駆動IC
11a,11b トランジスタ
12a,12b 入力端子
13a,13b 出力端子
14 バイアス出力端子
15,16,17,18,19,20 抵抗
21 定電流源
22 バイアス発生回路
30 半導体レーザ
40 フェライトビーズ
50 AC結合用コンデンサ
70 コンデンサ
60,80 抵抗
90a,90b AC結合用コンデンサ
100 発光素子駆動回路

Claims (6)

  1. 半導体レーザにバイアス電流を供給するバイアス発生回路と、
    第1の変調電流と、前記第1の変調電流と極性が異なる第2の変調電流とを生成して出力する差動回路とを備え、
    前記差動回路は、前記第1の変調電流を、直列接続された複数のAC結合用コンデンサを介して前記バイアス電流に重畳して前記半導体レーザを駆動するべく前記半導体レーザに出力するとともに、前記第2の変調電流を、1つのコンデンサと抵抗とを介して、グランドに出力することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
  2. 前記半導体レーザは、面発光型半導体レーザであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ駆動回路。
  3. 前記複数のAC結合用コンデンサは、前記第1の変調電流の出力端子と前記半導体レーザのアノードとの間に接続されたことを特徴とする請求項に記載の半導体レーザ駆動回路。
  4. 請求項に記載の半導体レーザ駆動回路により駆動された前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光によって情報を送信することを特徴とする光伝送装置。
  5. 請求項に記載の半導体レーザ駆動回路により駆動された前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光によって感光体を露光することを特徴とするレーザプリンタ。
  6. 請求項に記載の半導体レーザ駆動回路により駆動された前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光によって感光体を露光することを特徴とするレーザ書込み装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4193067B2 (ja) * 2005-04-28 2008-12-10 住友電気工業株式会社 光dviケーブル及び光信号伝送装置
JP2007042955A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信サブアセンブリ及びそれを備える光送信モジュール
JP2007305762A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Mitsubishi Electric Corp レーザダイオードの駆動回路
JP5035054B2 (ja) * 2008-03-19 2012-09-26 住友電気工業株式会社 半導体レーザ駆動回路
CN102545035A (zh) * 2010-12-09 2012-07-04 新科实业有限公司 光学模块
US10666013B2 (en) * 2017-06-05 2020-05-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Driver circuit
CN110504617B (zh) * 2018-05-16 2021-06-22 华为技术有限公司 激光器驱动电路
CN113972558B (zh) * 2021-10-18 2023-09-29 厦门优迅高速芯片有限公司 光学器件驱动电路、光组件及电子设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5141603A (en) * 1988-03-28 1992-08-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Capacitor method for improved oxide dielectric
US5004906A (en) * 1989-01-20 1991-04-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Logarithmic amplifier, and image read-out apparatus using the same
JPH06310292A (ja) * 1993-04-20 1994-11-04 Nippondenso Co Ltd 放電ランプの点灯装置
US5638390A (en) * 1995-07-27 1997-06-10 Methode Electronics, Inc. Optoelectronic transceiver module laser diode stabilizer and bias control method
US5784396A (en) * 1996-09-17 1998-07-21 Xerox Corporation VCSEL integral feedback assembly two-etch structure
JP2000138415A (ja) * 1998-11-02 2000-05-16 Fujikura Ltd 半導体レーザ駆動回路
US6107808A (en) * 1998-12-28 2000-08-22 Maxwell Energy Products, Inc. Internal unbalance detection in capacitors
JP4147733B2 (ja) * 2000-09-04 2008-09-10 富士ゼロックス株式会社 面発光レーザ駆動装置
EP1289081A1 (en) * 2001-09-03 2003-03-05 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Laser driver circuit and method of driving a laser therewith
JP2004128333A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 薄膜コンデンサ装置、その実装モジュール及び製造方法
JP4151426B2 (ja) * 2003-02-05 2008-09-17 株式会社デンソー 半導体装置

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