JP4896755B2 - 液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物および液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物および液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法に関する。

従来より、液晶表示素子、集積回路素子、固体撮像素子などの電子部品においては、劣化や損傷を防止する為の保護膜や、電極、配線等を絶縁する為の層間絶縁膜が設けられてきた。
集積回路素子の場合、例えばＬＳＩ（大規模集積回路素子）の多層配線は、電気を通す金属配線とそれらを電気的に絶縁する層間絶縁膜とを交互に成膜・加工しながら形成していく。
また、液晶表示素子の場合、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）型液晶表示素子は、一般的に、偏光板を設けたガラス基板等の透明基板上にＩＴＯ（インジウム−スズ−酸化物）等の透明導電回路層およびＴＦＴを形成し、層間絶縁膜で被覆して背面板（液晶アレイ基板）とする一方、偏光板を設けたガラス基板等の透明基板上に、必要に応じてブラックマトリックス層およびカラーフィルター層のパターンを形成し、さらにＩＴＯ等の透明導電回路層を順次形成して上面板（対向基板）とし、この液晶アレイ基板と対向基板とをスペーサを介して対向させて両板間に液晶を封入して製造される。

液晶アレイ基板の一例を図１および図２に示す。図１は、液晶アレイ基板１の画素領域の１つを示す概略上面図であり、図２は、図１中の位置Ａ−Ａ’における断面の部分拡大図である。
液晶アレイ基板１は、一般的に、透明基板２上に形成された複数のゲートライン３と、該ゲートライン３と直交する複数のソースライン４と、それらに囲まれた複数の領域（画素領域）にそれぞれ設けられた透明な画素電極５と、各画素電極５に配設されたＴＦＴ６とから構成される。
ＴＦＴ６は、透明基板２上に形成されたゲート７と、その上方に絶縁膜（ゲート絶縁膜）８を介して設けられたアモルファスシリコン層９とから構成される。ゲートライン３とゲート７とはゲート電極１０を介して接続されている。また、ソースライン４とアモルファスシリコン層９とはソース電極を介して接続されている。また、アモルファスシリコン層９と画素電極５とはドレイン電極１１を介して接続されている。
また、透明基板２上には、ＴＦＴ６、ソースライン４およびゲートライン５を覆う透明な層間絶縁膜１２が設けられている。該層間絶縁膜１２は、ＴＦＴ６、ソースライン４およびゲートライン５を直接被覆する絶縁性の高い層間絶縁膜１３と、該層間絶縁膜１３上に、ＴＦＴ６等に由来する表面の凹凸を平坦化するために設けられる層間絶縁膜（平坦化絶縁膜）１４とから構成されている。
平坦化絶縁膜を設けることにより、縦断面方向において画素電極−ＴＦＴ間の距離を充分に確保できるため、ソースラインおよびゲートラインに囲まれた領域全体に画素電極を設けることができ、有効画素範囲が増大する。その結果、液晶表示素子の開口率が向上し、省電力化、輝度の向上に寄与する。また、液晶アレイ基板の表面の平坦性が向上することで、液晶部分の斑を低減でき、画質が向上する利点もある。

現在、液晶表示素子の製造において、層間絶縁膜形成用の材料には、主に、透明性に優れることから、アクリル系の樹脂が用いられている。
また、層間絶縁膜の形成に用いられる材料としては、画素電極等を形成する際の加工性に優れることから、感光性の材料が望まれている。たとえば、図２に示した液晶アレイ基板の製造においては、ＴＦＴと画素電極とを部分的に接続するために、層間絶縁膜にホールを設ける必要があるが、感光性の材料を用いることにより、その加工を容易に行うことができる。
たとえば特許文献１〜２には、層間絶縁膜を形成するための材料として、アクリル系のアルカリ可溶性樹脂と感光剤とを含む感光性樹脂組成物が記載されている。
特開平１０−１５３８５４号公報 特開２００６−２５９０８３号公報

しかしながら、これまで提案されている層間絶縁膜形成用の材料には、感光性を有するものは圧倒的に少ないのが現状である。
また、液晶表示素子においては、液晶表示素子の製造時に高温での加工を行うことがあり、高い耐熱性が必要とされるが、上記感光性樹脂組成物は耐熱性が充分ではない。たとえばＳＯＧ（スピンオングラス）薄膜のように、４００℃近い耐熱性を有する層間絶縁膜を形成できるものもあるが、従来、このような材料は感光性を有さない。感光性を有さない材料を用いる場合、絶縁膜の上層にレジスト膜を形成し、該レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングしてからレジストを剥離するなどの多工程を必要とするため、スループット・コスト的にデメリットがある。
また、特に平坦化絶縁膜の用途においては、膜厚をある程度厚くする必要があるため、透明性がきわめて重要であり、透明性のさらなる向上が求められる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感光性を有し、優れた透明性および耐熱性を備えた液晶表示素子用平坦化絶縁膜を形成できる組成物および液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第一の態様は、下記一般式（ａ１−１）で表される構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ２−１）で表される構成単位（ａ２）とを含有する樹脂（Ａ）、および感光剤（Ｂ）を含有することを特徴とする液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物である。
本発明の第二の態様は、下記一般式（ａ１−１）で表される構成単位（ａ１）を含有する樹脂（Ａ）、および感光剤（Ｂ）を含有し、前記感光剤（Ｂ）が、ナフトキノンジアジド基を有する化合物であることを特徴とする液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物である。

［式中、Ｒ^１は単結合または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表し、Ｒ^１０１はアルキル基を表し、ｎ１は０〜４の整数を表す。］

［式中、Ｒ ^２ は芳香族炭化水素基またはアルキル基を表す。］

本発明の第三の態様は、支持体上に、前記第一の態様または第二の態様の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物を用いて樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜を露光する工程、前記樹脂膜を現像してパターンを形成する工程、および前記パターンを焼成する工程を含む液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法である。

本明細書および特許請求の範囲において、「構成単位」とは、樹脂（重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖、分岐鎖および環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖、分岐鎖および環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「低級アルキル基」は、炭素原子数１〜５のアルキル基である。
「露光」は放射線の照射全般を含む概念とする。

本発明により、感光性を有し、優れた透明性および耐熱性を備えた液晶表示素子用平坦化絶縁膜を形成できる組成物および液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法を提供できる。

≪液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物≫
本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物は、前記一般式（ａ１−１）で表される構成単位（ａ１）を含有する樹脂（Ａ）（以下、（Ａ）成分という。）、および感光剤（Ｂ）（以下、（Ｂ）成分という。）を含有する。
かかる組成物を用いて形成される樹脂膜は、露光前は（Ｂ）成分の存在によりアルカリ不溶性である。該樹脂膜に対して露光を行うと、（Ｂ）成分の構造が変化し、アルカリ溶解性が増大する。そのため、露光後にアルカリ現像を行うと、露光部が溶解する一方、未露光部はそのまま残るため、当該樹脂膜にポジ型のパターンが形成される。そして、該パターンが形成された樹脂膜をさらに焼成することにより、所定のパターンを有する平坦化絶縁膜が形成される。

＜（Ａ）成分＞
「構成単位（ａ１）」
一般式（ａ１−１）中、Ｒ^１が単結合である場合、ベンゼン環が直接ケイ素原子に結合する。
Ｒ^１のアルキレン基は、炭素数が１〜５であることが好ましい。
直鎖状のアルキレン基としては、たとえばメチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基等が挙げられる。
分岐鎖状のアルキレン基としては、たとえば、メチルエチレン基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、１，１−ジメチルエチレン基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基、１，２−ジメチルプロパン−１，３−ジイル基、１，１−ジメチルプロパン−１，３−ジイル基、２，２−ジメチルプロパン−１，３−ジイル基等が挙げられる。
Ｒ^１としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。

式（ａ１−１）中、ベンゼン環における水酸基の結合位置は、特に限定されないが、Ｒ^１の結合位置に対してパラ位が好ましい。

一般式（ａ１−１）中のベンゼン環は、置換基として、Ｒ^１０１を有していてもよい。「Ｒ^１０１を有する」とは、ベンゼン環を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部または全部がＲ^１０１で置換されていることを意味する。
Ｒ^１０１のアルキル基としては、炭素数が１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。工業的にはメチル基又はエチル基が好ましい。
ｎ１は０〜４の整数であり、０または１が好ましく、０が特に好ましい。

構成単位（ａ１）は１種を単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
（Ａ）成分中、構成単位（ａ１）の割合は、（Ａ）成分を構成する全構成単位の合計に対し、１０モル％以上であることが好ましく、２５モル％以上がより好ましく、３０モル％以上がさらに好ましい。２０モル％以上であると、露光後のアルカリ溶解性が向上し、良好なパターンを形成できる。上限は特に制限されないが、８０モル％以下が好ましく、７５モル％以下が最も好ましい。

（Ａ１）成分は、構成単位（ａ１）以外の構成単位を含有してもよい。構成単位（ａ１）以外の構成単位としては、たとえば、以下に示す構成単位（ａ２）〜（ａ５）等が挙げられる。

「構成単位（ａ２）」
（Ａ）成分は、さらに、下記一般式（ａ２−１）で表される構成単位（ａ２）を含有することが好ましい。これにより、アルカリ溶解抑止効果が向上し、大量の（Ｂ）成分を添加する必要が無くなる。

［式中、Ｒ^２は芳香族炭化水素基またはアルキル基を表す。］

Ｒ^２の芳香族炭化水素基としては、たとえば、置換基を有していてもよく有していなくてもよい芳香族環から水素原子を１個除いた基が挙げられる。
芳香族環としては、たとえば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環等が挙げられる。
芳香族環が有していてもよい置換基としては、式（ａ１−１）中のベンゼン環が有していてもよい置換基としてあげたものと同様のものが挙げられる。
Ｒ^２の芳香族炭化水素基としては、特に、フェニル基またはフェナントリル基が好ましい。

Ｒ^２のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜５であることが好ましく、炭素数１〜３がより好ましい。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数３〜５であることが好ましく、たとえば１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１，１−ジメチルエチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基等が挙げられる。
環状のアルキル基としては、基本環の炭素数（環を構成する炭素の数）が３〜１０であるものが好ましく、シクロペンチル基またはシクロヘキシル基がより好ましい。該環状のアルキル基は、基本環に置換基が結合していてもよく、置換基としては、式（ａ１−１）中のＲ^１０１と同様のものが挙げられる。
Ｒ^２のアルキル基としては、特に、直鎖状の炭素数３〜５のアルキル基が好ましい。

構成単位（ａ２）は１種を単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
（Ａ）成分中、構成単位（ａ２）の割合は、（Ａ）成分を構成する全構成単位の合計に対し、５〜８０モル％の範囲であることが好ましく、１０〜７５モル％がより好ましく、２０〜７０モル％がさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、構成単位（ａ２）を含有することによる効果が充分に得られ、上限値以下であると他の構成単位とのバランスが良好である。

「構成単位（ａ３）」
構成単位（ａ３）は、下記一般式（ａ３−１）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^３は単結合または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表し、Ｒ^４は直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表し、Ｒ^１０３はアルキル基を表し、ｎ３は０〜４の整数を表す。］

Ｒ^３としては、式（ａ１−１）中のＲ^１と同じものが挙げられる。
Ｒ^４としては、式（ａ２−１）中のＲ^２のアルキル基として挙げた直鎖状のアルキル基および分岐鎖状のアルキル基と同じものが挙げられる。
一般式（ａ３−１）中のＲ^１０３、ｎ３としては、それぞれ、前記一般式（ａ１−１）中のＲ^１０１、ｎ１と同様のものが挙げられる。

構成単位（ａ３）は１種を単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
構成単位（ａ３）を含有させる場合、（Ａ）成分中の構成単位（ａ３）の割合は、（Ａ）成分を構成する全構成単位の合計に対し、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。

「構成単位（ａ４）」
構成単位（ａ４）は、下記一般式（ａ４−１）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^５は単結合または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表し、Ｒ^６は直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表し、Ｒ^１０４はアルキル基を表し、ｎ４は０〜４の整数を表す。］

Ｒ^５としては、式（ａ１−１）中のＲ^１と同じものが挙げられる。
Ｒ^６としては、式（ａ２−１）中のＲ^２のアルキル基として挙げた直鎖状のアルキル基および分岐鎖状のアルキル基と同じものが挙げられる。
一般式（ａ４−１）中のＲ^１０４、ｎ４としては、それぞれ、前記一般式（ａ１−１）中のＲ^１０１、ｎ１と同様のものが挙げられる。

構成単位（ａ４）は１種を単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
構成単位（ａ４）を含有させる場合、（Ａ）成分中の構成単位（ａ４）の割合は、（Ａ）成分を構成する全構成単位の合計に対し、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。

「構成単位（ａ５）」
構成単位（ａ５）は、下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^７は単結合または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表し、Ｒ^８は直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表し、Ｒ^１０５はアルキル基を表し、ｎ５は０〜４の整数を表す。］

Ｒ^７としては、式（ａ１−１）中のＲ^１と同じものが挙げられる。
Ｒ^８としては、式（ａ２−１）中のＲ^２のアルキル基として挙げた直鎖状のアルキル基および分岐鎖状のアルキル基と同じものが挙げられる。
一般式（ａ５−１）中のＲ^１０５、ｎ５としては、それぞれ、前記一般式（ａ１−１）中のＲ^１０１、ｎ１と同様のものが挙げられる。

構成単位（ａ５）は１種を単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
構成単位（ａ５）を含有させる場合、（Ａ）成分中の構成単位（ａ５）の割合は、（Ａ）成分を構成する全構成単位の合計に対し、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。

（Ａ）成分の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記することもある）によるポリスチレン換算、以下同様。）は、特に限定するものではないが、２０００〜１５０００が好ましく、２５００〜１００００がより好ましい。この範囲とすることで有機溶剤への溶解性が良好となる。
また、Ｍｗ／数平均分子量（Ｍｎ）は、特に限定するものではないが、好ましくは１．０〜６．０、さらに好ましくは１．０〜２．０である。この範囲とすることで、解像性やパターン形状が良好となる。
（Ａ）成分は、たとえば、特許第２５６７９８４号公報に記載の方法により製造することができる。

＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分としては、一般にポジ型レジスト組成物において感光剤として用いられているものであれば特に限定されない。
本発明において、（Ｂ）成分としては、ナフトキノンジアジド基を有する化合物（キノンジアジド基含有化合物）が好ましい。
キノンジアジド基含有化合物としては、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とフェノール化合物とのエステル化物が挙げられる。

上記ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物としては、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸又はナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸などを挙げることができる。
上記フェノール化合物としては、例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン化合物；
トリス（４−ヒドロシキフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタンなどのトリスフェノール型化合物；
２，４−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−５−ヒドロキシフェノール、２，６−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール等のリニア型３核体フェノール化合物；
１，１−ビス〔３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシ−５−シクロヘキシルフェニル〕イソプロパン、ビス［２，５−ジメチル−３−（４−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン、ビス［２，５−ジメチル−３−（４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−エチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−エチルフェニル］メタン、ビス［２−ヒドロキシ−３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス［２−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス［２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン等のリニア型４核体フェノール化合物；
２，４−ビス［２−ヒドロキシ−３−（４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルベンジル］−６−シクロヘキシルフェノール、２，４−ビス［４−ヒドロキシ−３−（４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルベンジル］−６−シクロヘキシルフェノール、２，６−ビス［２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシベンジル］−４−メチルフェノール等のリニア型５核体フェノール化合物等のリニア型ポリフェノール化合物；
ビス（２，３，−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、２，３，４−トリヒドロキシフェニル−４'−ヒドロキシフェニルメタン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２'，３'，４'−トリヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（２'，４'−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−２−（３'−フルオロ−４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシ−３'，５'−ジメチルフェニル）プロパンなどのビスフェノール型化合物；
１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１−［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、などの多核枝分かれ型化合物；
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンなどの縮合型フェノール化合物などが挙げられる。

ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とフェノール化合物とのエステル化物は、例えば前記フェノール化合物と、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド又はナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリドとを、ジオキサンなどの適当な溶剤中において、トリエタノ−ルアミン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリなどのアルカリの存在下に縮合させ、水酸基の一部または全部をエステル化することにより製造できる。

上記エステル化物は、エステル化率が４０〜１００％であることが好ましく、５０〜１００％であることがより好ましい。エステル化率は、〔（エステル化された水酸基の数）／（エステル化前の（フェノール化合物の）水酸基の総数）〕×１００で求めることができる。

また、上記以外の他のキノンジアジド基含有化合物も用いることができる。
他のキノンジアジド基含有化合物としては、例えば、オルトベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジアジド、オルトアントラキノンジアジドなどのオルトキノンジアジド類；その核置換誘導体（例えばオルトナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類など）；オルトキノンジアジドスルホニルクロリドと、水酸基又はアミノ基をもつ化合物（例えばフェノール、ｐ−メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−１，３−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ−アミノジフェニルアミンなど）との反応生成物；などが挙げられる。

これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｂ）成分としては、特に、下記一般式（ｂ−１）で表されるフェノール化合物と、ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化物が好ましい。

［式中、Ｒ^１１〜Ｒ^２０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基または炭素原子数１〜６のアルコキシ基を表し；Ｒ^２２〜Ｒ^２５はそれぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；Ｒ^２１は水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、Ｑ^１は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基または下記一般式（ｂ−２）で表される基を表すか、またはＲ^２１の末端とＱ^１の末端とが結合して炭素数２〜５のアルキレン基を形成してもよく；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄ、ｅは０〜３の整数を表し；ｈ、ｉはｈ＋ｉ＝０〜３となる整数を表す。］

［式中、Ｒ^２６及びＲ^２７はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基または炭素原子数１〜６のアルコキシ基を表し；ｃは１〜３の整数を表す。］

Ｒ^１１〜Ｒ^２０、Ｒ^２６及びＲ^２７におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒ^１１〜Ｒ^２７におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、特に、メチル基またはシクロヘキシル基が好ましい。
Ｒ^２１の末端とＱ^１の末端とが結合して炭素数２〜５のアルキレン基を形成する場合には、Ｑ^１と、Ｒ^２１と、Ｑ^１とＲ^２１との間の炭素原子とにより炭素数３〜６の環状アルキル基が形成される。

（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対し、５〜２００質量部が好ましく、５〜１００質量部がより好ましく、５〜５０質量部がさらに好ましく、１０〜２０質量部が最も好ましい。上記範囲の下限値以上であると、感度、解像性等が向上し、上限値以下であると、得られる膜の透明性、絶縁性、低誘電率化等が向上する。

＜酸発生剤（Ｃ）＞
本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物は、さらに、本発明の効果を損なわない範囲で、任意成分として、放射線の照射（露光）により酸を発生する酸発生剤（Ｃ）（以下、（Ｃ）成分という。）を含有してもよい。（Ｃ）成分を含有することにより、感度、解像性等が向上する。
（Ｃ）成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。

オニウム塩系酸発生剤としては、例えば下記一般式（ｃ−０）で表される酸発生剤が挙げられる。

［式中、Ｒ^５１は、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基、または直鎖、分岐鎖若しくは環状のフッ素化アルキル基を表し；Ｒ^５２は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、または直鎖若しくは分岐鎖状のアルコキシ基であり；Ｒ^５３は置換基を有していてもよいアリール基であり；ｕ”は１〜３の整数である。］

一般式（ｃ−０）において、Ｒ^５１は、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基、または直鎖、分岐鎖若しくは環状のフッ素化アルキル基を表す。
前記直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数４〜１２であることが好ましく、炭素数５〜１０であることがさらに好ましく、炭素数６〜１０であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。また、該フッ素化アルキル基のフッ素化率（アルキル基中全水素原子の個数に対する置換したフッ素原子の個数の割合）は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。
Ｒ^５１としては、直鎖状のアルキル基またはフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。

Ｒ^５２は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、または直鎖若しくは分岐鎖状のアルコキシ基である。
Ｒ^５２において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ｒ^５２において、アルキル基は、直鎖または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは１〜５、特に１〜４、さらには１〜３であることが望ましい。
Ｒ^５２において、ハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。ここでのアルキル基は、前記Ｒ^５２における「アルキル基」と同様のものが挙げられる。置換するハロゲン原子としては上記「ハロゲン原子」について説明したものと同様のものが挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、水素原子の全個数の５０〜１００％がハロゲン原子で置換されていることが望ましく、全て置換されていることがより好ましい。
Ｒ^５２において、アルコキシ基としては、直鎖状または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは１〜５、特に１〜４、さらには１〜３であることが望ましい。
Ｒ^５２としては、これらの中でも水素原子が好ましい。

Ｒ^５３は置換基を有していてもよいアリール基であり、置換基を除いた基本環（母体環）の構造としては、ナフチル基、フェニル基、アントリル基などが挙げられ、本発明の効果やＡｒＦエキシマレーザーなどの露光光の吸収の観点から、フェニル基が望ましい。
置換基としては、水酸基、低級アルキル基（直鎖または分岐鎖状であり、その好ましい炭素数は５以下であり、特にメチル基が好ましい）などを挙げることができる。
Ｒ^５３のアリール基としては、置換基を有しないものがより好ましい。
ｕ”は１〜３の整数であり、２または３であることが好ましく、特に３であることが望ましい。

一般式（ｃ−０）で表される酸発生剤の好ましいものとしては以下の様なものを挙げることができる。

また一般式（ｃ−０）で表される酸発生剤の他のオニウム塩系酸発生剤としては、例えば下記一般式（ｃ−１）または（ｃ−２）で表される化合物が挙げられる。

［式中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”，Ｒ^５”〜Ｒ^６”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し；Ｒ^４”は、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表し；Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち少なくとも１つはアリール基を表し、Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち少なくとも１つはアリール基を表す。］

式（ｃ−１）中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、２以上がアリール基であることが好ましく、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。
Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数６〜２０のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数１〜５であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。
これらの中で、Ｒ^１”〜Ｒ^３”は、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが最も好ましい。

Ｒ^４”は、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す。
前記直鎖または分岐のアルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、前記Ｒ^１”で示したような環式基であって、炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１０であることがさらに好ましく、炭素数６〜１０であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。また、該フッ素化アルキル基のフッ素化率（アルキル基中のフッ素原子の割合）は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。
Ｒ^４”としては、直鎖または環状のアルキル基、またはフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。

式（ｃ−２）中、Ｒ^５”〜Ｒ^６”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ^５”〜Ｒ^６”のすべてがアリール基であることが好ましい。
Ｒ^５”〜Ｒ^６”のアリール基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^５”〜Ｒ^６”のアルキル基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、Ｒ^５”〜Ｒ^６”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
式（ｃ−２）中のＲ^４”としては上記式（ｃ−１）のＲ^４”と同様のものが挙げられる。

式（ｃ−１）または（ｃ−２）で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ（４−メチルフェニル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル（１−（４−メトキシ）ナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ（１−ナフチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部がメタンスルホネート、ｎ−プロパンスルホネート、ｎ−ブタンスルホネート、ｎ−オクタンスルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。

また、前記一般式（ｃ−１）又は（ｃ−２）において、アニオン部を下記一般式（ｃ−３）又は（ｃ−４）で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる（カチオン部は（ｃ−１）又は（ｃ−２）と同様）。

［式中、Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数２〜６のアルキレン基を表し；Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基を表す。］

Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は２〜６であり、好ましくは炭素数３〜５、最も好ましくは炭素数３である。
Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は１〜１０であり、好ましくは炭素数１〜７、より好ましくは炭素数１〜３である。
Ｘ”のアルキレン基の炭素数またはＹ”、Ｚ”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、Ｘ”のアルキレン基またはＹ”、Ｚ”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また２００ｎｍ以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０〜１００％、さらに好ましくは９０〜１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式（Ｃ−１）で表される基を少なくとも１つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。

（式（Ｂ−１）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２はそれぞれ独立に有機基を表す。）

Ｒ^３１、Ｒ^３２の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子（たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）等）を有していてもよい。
Ｒ^３１の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数１〜６の直鎖、分岐または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数１〜２０が好ましく、炭素数１〜１０がより好ましく、炭素数１〜８がさらに好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数１〜４が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基（以下、ハロゲン化アルキル基ということがある）が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数４〜２０が好ましく、炭素数４〜１０がより好ましく、炭素数６〜１０が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
Ｒ^３１としては、特に、置換基を有さない炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１〜４のフッ素化アルキル基が好ましい。

Ｒ^３２の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。Ｒ^３２のアルキル基、アリール基としては、前記Ｒ^３１で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３２としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数１〜８のアルキル基、または炭素数１〜８のフッ素化アルキル基が好ましい。

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式（Ｃ−２）または（Ｃ−３）で表される化合物が挙げられる。

［式（Ｃ−２）中、Ｒ^３３は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^３４はアリール基である。Ｒ^３５は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。］

［式（Ｃ−３）中、Ｒ^３６はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^３７は２または３価の芳香族炭化水素基である。Ｒ^３８は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。ｐ”は２または３である。］

前記一般式（Ｃ−２）において、Ｒ^３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ^３３としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
Ｒ^３３におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上フッ素化されていることが好ましい。

Ｒ^３４のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を１つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
Ｒ^３４のアリール基は、炭素数１〜１０のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜８であることが好ましく、炭素数１〜４がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ^３５としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
Ｒ^３５におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため好ましい。最も好ましくは、水素原子が１００％フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。

前記一般式（Ｃ−３）において、Ｒ^３６の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ^３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３７の２または３価の芳香族炭化水素基としては、上記Ｒ^３４のアリール基からさらに１または２個の水素原子を除いた基が挙げられる。
Ｒ^３８の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ^３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
ｐ”は好ましくは２である。

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ｐ−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロ−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−クロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（２−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−チエン−２−イルアセトニトリル、α−（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−［（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−［（ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−（トシルオキシイミノ）−４−チエニルシアニド、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロオクテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−エチルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−プロピルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロペンチルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メチルフェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平９−２０８５５４号公報（段落［００１２］〜［００１４］の［化１８］〜［化１９］）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、ＷＯ２００４／０７４２４２Ａ２（６５〜８５頁目のＥｘａｍｐｌｅ１〜４０）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。

上記例示化合物の中でも、下記の４つの化合物が好ましい。

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平１１−０３５５５１号公報、特開平１１−０３５５５２号公報、特開平１１−０３５５７３号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類としては、例えば、特開平１１−３２２７０７号公報に開示されている、１，３−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，４−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタン、１，６−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン、１，２−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）エタン、１，３−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，６−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカンなどを挙げることができる。

（Ｃ）成分としては、これらを１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記の中でも、オキシムスルホネート系酸発生剤は、透明性に優れ、かつ酸発生剤としての性能が高く、有機溶剤への溶解性が良好である。また、液晶表示素子において平坦化絶縁膜に隣接する液晶へのハロゲン原子等の浸潤がなく、液晶を変質させることが少ないため好ましい。
本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物における（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、１〜１０質量部が好ましく、２〜５質量部がより好ましい。上記範囲の下限値以上であると、（Ｃ）成分を配合することによる効果が充分に得られ、上限値以下であると、当該組成物を有機溶剤に溶解した際に均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。

本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物は、さらに、本発明の効果を損なわない範囲で、任意成分として、架橋剤（Ｄ）（以下、（Ｄ）成分という。）を含有してもよい。（Ｄ）成分を含有することにより、耐熱性がさらに向上する。
（Ｄ）成分としては、熱および／または紫外線の作用によって（Ａ）成分中や当該（Ｄ）成分中に架橋構造を形成し得る成分であることが望ましい。
（Ｄ）成分としては、例えばエポキシ基および／またはオキセタン基を有する化合物が挙げられる。具体的には、例えば各種エポキシ樹脂、エポキシ基含有重合性不飽和化合物を含む重合性不飽和化合物の共重合体などが挙げられる。

エポキシ樹脂としては、例えば特開平８−２６２７０９号公報に記載のものを挙げることができる。好ましくはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、グリシジルメタアクリレートを（共）重合した樹脂等を挙げることができる。これらの中では、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が好ましい。

エポキシ基含有重合性不飽和化合物としては、例えばビニル基とエポキシ基を有する化合物が挙げられる。具体例としては、例えば、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−ｎ−プロピルアクリル酸グリシジル、α−ｎ−ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸−３，４−エポキシブチル、メタクリル酸−３，４−エポキシブチル、アクリル酸−６，７−エポキシヘプチル、メタクリル酸−６，７−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−６，７−エポキシヘプチル、Ｎ−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）−３，５−ジメチルベンジル］アクリルアミド、Ｎ−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）−３，５−ジメチルフェニルプロピル］アクリルアミド、アクリル酸−β−メチルグリシジル、メタクリル酸−β−メチルグリシジル、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテルなどが挙げられる。
前記「エポキシ基含有重合性不飽和化合物を含む重合性不飽和化合物の共重合体」において、エポキシ基含有重合性不飽和化合物とともに用いられる重合性不飽和化合物としては、重合性不飽和結合を有し、かつエポキシ基を有さない化合物が挙げられ、具体的には、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、及びクロトン類エステル類などが挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステ類、メタクリル酸エステル類が好ましく、特にアクリル酸、メタクリル酸が好ましく、さらにはメタクリル酸が好ましい。
前記共重合体に用いられる重合性不飽和化合物において、エポキシ基含有重合性不飽和化合物の割合は５〜９０モル％、好ましくは５０〜８５モル％であることが望ましい。

また、（Ｃ）成分としては、脂環式エポキシ基を有するものが好ましく、特に、脂環式エポキシ基含有重合性不飽和化合物を含む重合性不飽和化合物の共重合体が好ましい。脂環式エポキシ基とは、脂肪族環式基の環を構成する炭素原子のうちの隣接する２つの炭素原子に−Ｏ−が結合して環を形成してなる基である。脂環式エポキシ基の脂環式基の炭素数は、５〜１０程度が好ましい。
脂環式エポキシ基含有重合性不飽和化合物としては、例えば特開平８−２６２７０９号公報に記載の一般式（２）〜（３２）で示される化合物が挙げられる。

また、（Ｄ）成分としては、上記以外に、一般的にレジスト組成物に用いられている架橋剤を用いることができる。該架橋剤としては、例えば２，３−ジヒドロキシ−５−ヒドロキシメチルノルボルナン、２−ヒドロキシ−５，６−ビス（ヒドロキシメチル）ノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、３，４，８（又は９）−トリヒドロキシトリシクロデカン、２−メチル−２−アダマンタノール、１，４−ジオキサン−２，３−ジオール、１，３，５−トリヒドロキシシクロヘキサンなどのヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基あるいはその両方を有する脂肪族環状炭化水素又はその含酸素誘導体が挙げられる。
また、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、尿素、エチレン尿素、プロピレン尿素、グリコールウリルなどのアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物が挙げられる。これらのうち、メラミンを用いたものをメラミン系架橋剤、尿素を用いたものを尿素系架橋剤、エチレン尿素、プロピレン尿素等のアルキレン尿素を用いたものをアルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤という。

メラミン系架橋剤としては、メラミンとホルムアルデヒドとを反応させて、アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基で置換した化合物、メラミンとホルムアルデヒドと低級アルコールとを反応させて、アミノ基の水素原子を低級アルコキシメチル基で置換した化合物等が挙げられる。具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサプロポキシメチルメラミン、ヘキサブトキシブチルメラミン等が挙げられ、なかでもヘキサメトキシメチルメラミンが好ましい。
尿素系架橋剤としては、尿素とホルムアルデヒドとを反応させて、アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基で置換した化合物、尿素とホルムアルデヒドと低級アルコールとを反応させて、アミノ基の水素原子を低級アルコキシメチル基で置換した化合物等が挙げられる。具体的には、ビスメトキシメチル尿素、ビスエトキシメチル尿素、ビスプロポキシメチル尿素、ビスブトキシメチル尿素等が挙げられ、なかでもビスメトキシメチル尿素が好ましい。
アルキレン尿素系架橋剤としては、アルキレン尿素とホルマリンを縮合反応させることにより、またこの生成物を低級アルコールと反応させることにより得られる化合物が挙げられる。具体例としては、例えば、モノ及び／又はジヒドロキシメチル化エチレン尿素、モノ及び／又はジメトキシメチル化エチレン尿素、モノ及び／又はジエトキシメチル化エチレン尿素、モノ及び／又はジプロポキシメチル化エチレン尿素、モノ及び／又はジブトキシメチル化エチレン尿素等のエチレン尿素系架橋剤；モノ及び／又はジヒドロキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び／又はジメトキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び／又はジエトキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び／又はジプロポキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び／又はジブトキシメチル化プロピレン尿素等のプロピレン尿素系架橋剤；１，３−ジ（メトキシメチル）４，５−ジヒドロキシ−２−イミダゾリジノン、１，３−ジ（メトキシメチル）−４，５−ジメトキシ−２−イミダゾリジノンなどを挙げられる。
グリコールウリル系架橋剤としては、Ｎ位がヒドロキシアルキル基および炭素数１〜４のアルコキシアルキル基の一方又は両方で置換されたグリコールウリル誘導体が挙げられる。かかるグリコールウリル誘導体は、グリコールウリルとホルマリンとを縮合反応させることにより、またこの生成物を低級アルコールと反応させることにより得ることができる。具体例としては、例えばモノ，ジ，トリ及び／又はテトラヒドロキシメチル化グリコールウリル、モノ，ジ，トリ及び／又はテトラメトキシメチル化グリコールウリル、モノ，ジ，トリ及び／又はテトラエトキシメチル化グリコールウリル、モノ，ジ，トリ及び／又はテトラプロポキシメチル化グリコールウリル、モノ，ジ，トリ及び／又はテトラブトキシメチル化グリコールウリルなどが挙げられる。

（Ｄ）成分は１種または２種以上混合して用いることができる。
（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、５〜１００質量部が好ましく、１０〜５０質量部がより好ましい。この範囲とすることにより耐熱性向上効果がさらに良好となる。

本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、界面活性剤、増感剤、消泡剤、紫外線吸収剤、保存安定化剤、付加的樹脂、可塑剤、安定化剤、コントラスト向上剤等の各種添加剤を添加してもよい。
界面活性剤としては、従来公知のものであってよく、アニオン系、カチオン系、ノニオン系等の化合物が挙げられる。具体的には、Ｘ−７０−０９０（製品名、信越化学工業社製）等を挙げることができる。
増感剤としては、従来公知のポジ型レジストに用いられるものを使用することができる。例えば、分子量１０００以下のフェノール性水酸基を有する化合物等が挙げられる。
消泡剤としては、従来公知のものであってよく、シリコーン系、フッ素系化合物が挙げられる。

本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物は、上記各成分を有機溶剤（以下、（Ｓ）成分という。）に溶解させて製造することができる。
（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、たとえば従来レジスト溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
具体例としては、例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；
ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；
アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ＥＬが好ましい。
また、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２、さらに好ましくは３：７〜７：３である。
また、（Ｓ）成分として、その他には、ＰＧＭＥＡ及びＥＬの中から選ばれる少なくとも１種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０〜９５：５とされる。
（Ｓ）成分の使用量は特に限定されず、支持体上に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、通常、組成物中の固形分濃度が１０〜５０質量％、好ましくは１５〜３５質量％の範囲内となる様に用いられる。

≪液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法≫
本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法は、支持体上に、前記液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物を用いて樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜を露光する工程、前記樹脂膜を現像してパターンを形成する工程、および前記パターンを焼成する工程を含む。

以下、本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法の一実施形態を、図１〜２に示す液晶アレイ基板１を例に挙げて説明する。
まず支持体を用意する。本実施形態においては、支持体として、透明基板２上に、平行に形成された複数のゲートライン３と、該ゲートライン３と直交する複数のソースライン４と、それらに囲まれた複数の領域（画素領域）にそれぞれ設けられたＴＦＴ６と、それらを直接被覆する層間絶縁膜１３とから構成されるものを用いる。
ＴＦＴ６は、透明基板２上に形成されたゲート７と、その上方に絶縁膜（ゲート絶縁膜）８を介して設けられたアモルファスシリコン層９とから構成される。ゲートライン３とゲート７とはゲート電極１０を介して接続されている。また、ソースライン４とアモルファスシリコン層９とはソース電極を介して接続されている。また、アモルファスシリコン層９と画素電極５とはドレイン電極１１を介して接続されている。
透明基板２上にゲートライン３、ソースライン４、ＴＦＴ６および層間絶縁膜１３を形成する工程は、従来公知の方法により行うことができる。
なお、本発明により形成される液晶表示素子用平坦化絶縁膜が絶縁性を有するため、層間絶縁膜１３は、必ずしも設けなくともよい。

次に、上記支持体上に樹脂膜を形成する。樹脂膜は、たとえば、支持体の表面に、本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物を、スピンナー、ロールコータ、スプレーなどで塗布し、乾燥することにより形成できる。乾燥方法は特に限定されず、例えば（１）ホットプレートにて８０℃〜１５０℃の温度にて６０秒〜１２０秒間乾燥する方法、（２）室温にて数時間〜数日放置する方法、（３）温風ヒーターや赤外線ヒーター中に数十分〜数時間入れて溶剤を除去する方法、のいずれでもよい。
樹脂膜の膜厚は、特に限定されず、適宜設定すればよい。通常、支持体の上端部から、当該樹脂膜の上側表面（平坦化面）までの厚さが、１〜１０μｍとなる膜厚で形成される。

次に、前記樹脂膜に対し、可視光線、紫外線、エキシマレーザー光等の放射線を選択的に照射（露光）する。
本発明では、露光時、放射線が照射された部分で（Ｂ）成分の分子構造が変化して、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する。そのため、次工程で、当該樹脂膜を現像液（アルカリ水溶液）で現像すると、樹脂膜の、露光によって可溶化した部分が選択的に溶解除去されて、マスクに忠実なパターンが形成される。
露光条件は、特に限定されるものではない。露光に用いる光源及び方法に応じて、露光領域、露光時間、露光強度等を適宜選択することが可能である。
露光光源は、特に限定されず、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、Ｘ線、軟Ｘ線等の放射線を用いて行うことができる。本発明においては、特に、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）またはｉ線（３６５ｎｍ）が好ましく、ｇ線またはｉ線がより好ましい。
露光後、８０〜１５０℃の温度条件下、４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間のポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を行ってもよい。

次に、露光後の樹脂膜をアルカリ現像液、例えば０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のような有機アルカリ水溶液又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、メタケイ酸ナトリウム、リン酸ナトリウムなどの無機アルカリ水溶液を用いて現像処理を行う。これにより、樹脂膜に、当該樹脂膜を貫通するホールが形成される。

本発明においては、現像後、樹脂膜の焼成を行う前に、前記パターンに対して紫外線硬化処理を施す工程を行うことが好ましい。これにより、当該パターンの耐熱性が向上し、焼成時のパターンの変形を抑制でき、高精度のパターンが得られる。かかる効果が得られる理由としては、定かではないが、（Ｂ）成分が架橋剤として機能し、（Ａ）成分の分子間に架橋を形成することによるのではないかと推測される。
紫外線硬化処理は公知の方法を用いて行うことができる。例えば、公知の紫外線照射装置（たとえば日本電池（株）製ＤｅｅｐＵＶＰｒｏｃｅｓｓｏｒ ランプＬ−８００ＦＳ、ウシオ電機（株）製エキシマ光照射装置ＳＣＧ０１等）を用いて、パターン全面に紫外線を照射することにより実施できる。
紫外線照射は、波長４００ｎｍ以下の紫外線、特に波長１５０〜３００ｎｍの波長の紫外線を主に出力する光源を用いることが好ましい。かかる光源としては、たとえば、日本電池（株）製ランプＬ−８００ＦＳ（メイン波長：２５４ｎｍ，１８５ｎｍ）、ウシオ電機（株）製ランプ ＵＥＭ５０Ｌ−１７２Ａ／ｘ４（メイン波長：１７２ｎｍ）等が挙げられる。
紫外線は、約５００〜２００００ｍＪ／ｃｍ^２程度の照射量で照射することが好ましく、１０００〜１５０００ｍＪ／ｃｍ^２程度がより好ましい。照射量は、照射する紫外線の強度と照射時間によって制御することができる。
なお、紫外線の照射に際しては、照射部のパターン表面にしわが発生しないように、急激な照射や照射による温度上昇を抑制することが望ましい。

紫外線硬化処理後、焼成を行う前に、ポストベークを行ってもよい。このポストベーク処理は必ずしも必要ではないが、ポストベークを行うことにより耐熱性がさらに向上する。また、ポストベーク処理により、パターンと支持体との密着性が向上する。
ポストベーク処理としては、１５０〜２３０℃の温度で、１〜１０分間程度の加熱処理が好ましい。
なお、紫外線硬化処理によりパターンの耐熱性が向上しているため、ポストベーク工程においてパターン変形が生じる心配はない。

次に、上記パターン（樹脂膜）の焼成を行う。これにより、ＳｉＯ_２を主成分とする膜（平坦化絶縁膜１４）が形成される。この平坦化絶縁膜１４は、ＳｉＯ_２を主成分とすることから、可視光線に対する透明性が非常に高い。また、平坦化絶縁膜に必要な絶縁性（たとえば１ＭＨｚでの誘電率が３．５〜５の範囲内の絶縁性）を有する。
焼成温度は、２５０〜４５０℃が好ましく、３００〜４００℃がより好ましい。又これらは窒素雰囲気中で焼成することが好ましい。該範囲内において、焼成温度が高いほど、得られる平坦化絶縁膜の透明性、絶縁性が向上する。
焼成時間は、焼成温度によっても異なるが、通常、１０〜６０分間が好ましく、１５〜３０分間がより好ましい。

上記平坦化絶縁膜が形成された支持体において、さらに、平坦化絶縁膜１４に形成されたホール内を充填し、かつ平坦化絶縁膜１４表面の一部を被覆する画素電極５を形成することにより、液晶アレイ基板１が得られる。
上記のようにして得られた液晶アレイ基板１と対向基板とを対向配置し、それらの間に液晶を挟持させることにより、液晶表示素子が得られる。

本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物は、感光性を有する。そのため、液晶表示素子用平坦化絶縁膜の形成において、スループット・コスト的に非常にメリットを有する。
また、本発明の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物を用い、焼成等の工程を経て形成される液晶表示素子用平坦化絶縁膜は、耐熱性に優れており、たとえば２５０〜４５０℃といった高温に曝された場合でも、変形や、絶縁性等の特性の劣化がほとんど生じない。また、該平坦化絶縁膜は、基本的にシリカから構成されるため、可視光線の透過率が極めて高く、透明性に優れている。

次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
［実施例１〜７、比較例１〜２］
表１に示す各成分を混合して樹脂組成物を調製した。

表１中の各略号はそれぞれ以下のものを示す。また、［ ］内の数値は配合量（質量部）を示す。
（Ａ）−１：下記化学式（Ａ）−１［式中、ｘ１：ｙ１＝３０：７０（モル比）］で表されるＭｗ＝８５００の樹脂。
（Ａ）−２：下記化学式（Ａ）−２［式中、ｘ２：ｙ２＝２８：７２（モル比）］で表されるＭｗ＝２８００の樹脂。
（Ａ）−３：下記化学式（Ａ）−３［式中、ｘ３：ｙ３＝７０：３０（モル比）］で表されるＭｗ＝３０００の樹脂。
（Ａ）−４：下記化学式（Ａ）−４［式中、ｘ４：ｙ４＝７０：３０（モル比）］で表されるＭｗ＝３６００の樹脂。
（Ａ）−５：下記化学式（Ａ）−５で表されるＭｗ＝６０００の樹脂。
（Ｂ）−１〜（Ｂ）−３：それぞれ下記化学式（Ｂ）−１〜（Ｂ）−３［式中、Ｄはナフトキノン−１，２−ジアジドスルホニル基を表す。］で表される化合物。

得られた樹脂組成物について、以下の評価を行った。
＜感光性評価および耐熱性評価＞
前記樹脂組成物を、シリコン基板表面上にスピンコート法にて塗布し、ホットプレート上で１２０℃９０秒間の加熱処理（ソフトベーク）を行うことにより、膜厚１．０μｍの樹脂膜を形成した。
次に、該樹脂膜に対し、露光機（ニコン社製、製品名：ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ、ＮＡ＝０．５７）にてマスクを介して露光を行い、その後、ホットプレート上で１５０℃９０秒間の加熱処理（ＰＥＢ）を行った。ＰＥＢ後、濃度２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて２０秒間の現像処理を行い、純水でリンスした。次に、上記樹脂膜に対してＵＶキュア処理（高圧水銀ランプ（日本電池（株）製、製品名：ＤｅｅｐＵＶＰｒｏｃｅｓｓｏｒ ランプＬ−８００ＦＳ、メイン波長２５４，１８５ｎｍ；照射量：２７００ｍＪ／ｃｍ^２）によるＵＶ照射、および１５０℃で９０秒間のベーク）を行った。

上記ＵＶキュア処理後の基板表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。
その結果、実施例１〜７の樹脂組成物を用いた例においては、それぞれ、基板上に、ライン幅１．２μｍのラインパターン、および直径２．０μｍのホールパターンが形成されていた。
一方、比較例１〜２の樹脂組成物を用いた例においてはパターンが形成できなかった。

次に、上記パターンが形成された基板に対し、縦型ベーク炉（製品名：ＴＯＫ ＴＳ８０００ＭＢ）にて、窒素雰囲気下で、４００℃で３０分間の高温ベーク処理を行って平坦化絶縁膜を形成した。

上記高温ベーク処理後の基板表面をＳＥＭにより観察した。
その結果、実施例１〜７の樹脂組成物を用いた例においては、それぞれ、高温ベーク処理前（ＵＶキュア処理後）とほぼ同じ形状のパターン（高精度のパターン＜寸法変化が±５％以内＞）が形成されていた。
高精度のパターンが形成できたことから、上記のようにして得られたパターンの耐熱性が高いことが確認できた。
上記結果を、高精度のパターンが形成できたものを○、パターンが形成できなかったものを×として表２に示す。

また、実施例１の樹脂組成物を用い、樹脂膜形成後にＵＶキュア処理を行わなかった以外は上記と同様にして平坦化絶縁膜を形成し、ＳＥＭにより観察した。
その結果、形成されたパターンは、高温ベーク処理前のパターンに比べて、側壁の垂直性が悪く、たとえばラインパターンの断面形状が半円形状になっているなど、精度が悪かった。

＜絶縁性評価＞
上記パターン形成評価と同様にして平坦化絶縁膜を形成し、パターニングが形成されていない部分について、１ＭＨｚでの誘電率、および１ＭＶ／ｃｍでのリーク電流値（Ａ／ｃｍ^２）を、ＳＳＭ社のＳＳＭ４９５（製品名）により測定し、下記の評価基準で評価した。
その結果を表２に示す。
［誘電率の評価基準］
○：５以下
×：５超
［リーク電流値の評価基準］
○：１×１０^−７未満
×：１×１０^−７以上

液晶表示素子を構成する液晶アレイ基板の画素領域の１つを示す概略上面図である。 図１中の位置Ａ−Ａ’における断面の部分拡大図である。

符号の説明

１…液晶アレイ基板、２…透明基板、３…ゲートライン、４…ソースライン、５…画素電極、６…ＴＦＴ、７…ゲート、８…ゲート絶縁膜、９…アモルファスシリコン層、１０…ゲート電極、１１…ドレイン電極、１２…層間絶縁膜、１３…層間絶縁膜、１４…平坦化絶縁膜。

Claims (5)

1. 下記一般式（ａ１−１）で表される構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ２−１）で表される構成単位（ａ２）とを含有する樹脂（Ａ）、および感光剤（Ｂ）を含有することを特徴とする液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物。
   

   

   ［式中、Ｒ^１は単結合または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表し、Ｒ^１０１はアルキル基を表し、ｎ１は０〜４の整数を表す。］
   

   

   ［式中、Ｒ ^２ は芳香族炭化水素基またはアルキル基を表す。］
2. 下記一般式（ａ１−１）で表される構成単位（ａ１）を含有する樹脂（Ａ）、および感光剤（Ｂ）を含有し、前記感光剤（Ｂ）が、ナフトキノンジアジド基を有する化合物であることを特徴とする液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物。
   

   

   ［式中、Ｒ ^１ は単結合または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表し、Ｒ ^１０１ はアルキル基を表し、ｎ１は０〜４の整数を表す。］
3. 前記感光剤（Ｂ）が、ナフトキノンジアジド基を有する化合物である請求項１記載の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物。
4. 支持体上に、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示素子用平坦化絶縁膜形成用組成物を用いて樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜を露光する工程、前記樹脂膜を現像してパターンを形成する工程、および前記パターンを焼成する工程を含む液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法。
5. 前記焼成を行う前に、前記パターンに対して紫外線硬化処理を施す工程を含む請求項４記載の液晶表示素子用平坦化絶縁膜の製造方法。

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