JP4890077B2

JP4890077B2 - スライダの製造方法

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Publication number: JP4890077B2
Application number: JP2006108512A
Authority: JP
Inventors: 国博上田
Original assignee: SAE Magnetics HK Ltd
Current assignee: SAE Magnetics HK Ltd
Priority date: 2006-04-11
Filing date: 2006-04-11
Publication date: 2012-03-07
Anticipated expiration: 2026-04-11
Also published as: JP2007280560A

Description

本発明は、ハードディスク装置などに用いられるスライダ、およびスライダの製造方法に関し、特に、スライダの媒体対向面の表面構造に関する。

ハードディスク装置では、磁気ヘッドスライダ（以下、スライダという。）が記録媒体（磁気ディスク）に対してわずかなギャップで浮上して、記録媒体からのデータの読込み、および記録媒体へのデータの書込みをおこなう。

現在、ハードディスク装置では、コンタクト・スタート・ストップ方式が広く採用されている。これは、記録媒体の回転時にはスライダが浮上し、記録媒体を回転させる回転駆動モータが停止したときには、スライダが記録媒体表面に着地する方式である。また、駆動中のハードディスクに外的衝撃が与えられ、スライダが磁気ディスクと接触することもある。そこで、これらの理由による磁気ディスクとの接触からスライダを保護するため、スライダの記録媒体と対向する面には、ダイアモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）などからなる保護膜が形成されている。

ところで、近年記録媒体の高記録密度化が進み、これに伴い、スライダと記録媒体との距離をより縮小することが求められている。これは、より正確には、読込素子や書込素子と、記録媒体との距離を縮小することを意味する。そのためには、保護膜の膜厚を減らすことが有効である。しかし、保護膜は、ラッピング等によって凹凸の生じているスライダの表面に形成されるため、その膜厚は凹凸の影響を受けやすい。膜厚の小さい部位では、保護膜にピンホールが生じやすく、その下方にある読込素子や書込素子の腐食の原因となる。したがって、単純に膜厚を減らすことは困難である。

そこで、ヘッド素子（本明細書では、スライダのうち、保護膜を除いた部分をいう。以下同じ。）の記録媒体と対向する面に、保護膜を形成するステップと、希ガスのクラスターイオンビームを保護膜表面に照射するステップとを交互におこなう方法が開示されている（特許文献１参照）。この方法によれば、まず、ヘッド素子の凹部が保護膜で埋められ、次に、クラスターイオンビームの照射によって、保護膜の凸部が削り取られる。この２つのステップを繰返すことによって、保護膜の表面の平坦性が徐々に向上し、最終的には、小さな膜厚でもピンホールが生じにくく、かつ、表面の平坦な保護膜が形成される。本特許文献には、このような方法によって、ヘッド素子と保護膜の界面の最大深さＲｍａｘが２ｎｍ以上、保護膜の合計膜厚が５ｎｍ以下、保護膜の中心線平均粗さＲａが０．５ｎｍ以下となるスライダを製造することができると記載されている。
特開２００３−２０８７０３号公報

コンタクト・スタート・ストップ方式では、スライダは、記録媒体が回転を始める際に、記録媒体表面と摺動しながら、記録媒体表面との間の摩擦力に打ち勝って、記録媒体から浮上する必要がある。しかし、ヘッド素子の最大深さＲｍａｘが極端に小さいと、保護膜の中心線平均粗さＲａも小さくなり、スライダと記録媒体との間に固着（スティクション）が生じやすくなる。近年、パーソナルコンピュータのモバイル化や、携帯電話等への搭載に伴い、ハードディスク装置が高高度環境で使用されるケースが増えている。山岳地帯など、高高度の使用環境では気圧が６００〜７００ｈＰａ（０．６〜０．７気圧）程度しかないので、通常の気圧環境での使用に比べて、スライダは記録媒体に対して浮上しにくくなる。また、浮上距離（フライングハイト）が低減するため、スライダが記録媒体に接触する可能性も一層増える。ハードディスク装置は、車輌内など振動を伴う環境下で使用されることも多く、この問題は無視できない。スライダが記録媒体に接触すると、記録媒体に傷が生じ、最悪の場合使用不可能になる。このような事態を回避するには、スライダが記録媒体に接触したときの接触面積をできるだけ減らすことが有効である。これらの理由から、ヘッド素子の最大深さＲｍａｘをある程度大きく確保することが望ましい。

しかし、ヘッド素子の最大深さＲｍａｘを大きくしていくと、保護膜の中心線平均粗さＲａもそれに応じて増加していく。中心線平均粗さＲａが増加していくと、ヘッド素子と記録媒体との距離を短縮しにくくなるだけでなく、前述のように保護膜が均一に形成されにくくなり、保護膜にピンホールが発生しやすくなる。これは、保護膜に覆われている書込素子や読込素子の損傷につながるため、できるだけ避ける必要がある。

このように、スライダと記録媒体との固着を防止するためにヘッド素子の最大深さＲｍａｘを増加すると、保護膜の中心線平均粗さＲａも増加し、保護膜にピンホールが発生しやすくなる。そこで、本発明では、保護膜をなるべく均一に形成するとともに、スライダと記録媒体との固着を防止することが容易なスライダ、およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明のスライダの製造方法は、金属層を有する薄膜磁気ヘッド部と当該金属層より高硬度の基板とを備えたヘッド素子の、記録媒体と対向するべき面をラッピングして、第１の面を形成するラッピングステップと、ラッピングステップに続いて、イオンビームを第１の面に照射して、第１の面の最大高さを、１．５ｎｍ以上、３．５ｎｍ以下に形成するイオンビーム照射ステップと、イオンビーム照射ステップに続いて、ガスクラスターイオンビームを第１の面に照射し、さらに、媒体対向面を形成する保護膜を、表面の中心線平均粗さが０．５ｎｍ以上、１．５ｎｍ以下となるように、第１の面に堆積させる保護膜形成ステップと、を有している。

以上説明したように、本発明によれば、保護膜をなるべく均一に形成するとともに、スライダと記録媒体との固着を防止することが容易なスライダ、およびその製造方法を提供することができる。

まず、本発明のスライダについて、図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るスライダの斜視図である。図面上では、スライダ２１の上方に、回転駆動される円盤状の記録媒体（図示せず）が位置している。スライダ２１は、基板２７と薄膜磁気ヘッド部２８とを有している。スライダ２１はほぼ六面体形状をなし、六面のうちの一面が記録媒体と対向するようにされている。この面は媒体対向面ＡＢＳと呼ばれる。スライダ２１の媒体対向面ＡＢＳには凹凸部が形成され、凸部は薄膜磁気ヘッド部２８の読込素子および書込素子が設けられたリードライト部２４と、段差を有するレール部２５ａ、２５ｂとからなり、その他の部分は凹部２６となっている。

記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダ２１との間を通過する空気流によって、スライダ２１に、ｙ方向下向きの揚力が生じる。スライダ２１は、この揚力によって記録媒体の表面から浮上する。ｘ方向は、記録媒体のトラック横断方向、ｚ方向は記録媒体の円周方向である。レール部２５ａは全体として、ｚ方向に沿って形成され、薄膜磁気ヘッド部２８は、スライダ２１の空気流出側の端部（図中、左下の端部）側に形成されている。空気は、レール部２５ｂと記録媒体との間のわずかな隙間から入って、両側のレール部２５ａで整流されながらリードライト部２４に当たり、リードライト部２４と記録媒体との間の隙間から抜けるように流れ、これによってスライダ２１は、記録媒体の表面から浮上する。このようにして、スライダ２１は、薄膜磁気ヘッド素子部２８が記録媒体に読込みまたは書込みをおこなう際に、媒体対向面ＡＢＳの凹凸部によって、記録媒体に対して浮上することが可能となる。

図２には、図１に示すスライダの、同図中２−２線に沿った断面図を示す。図２において、記録媒体は、図面において媒体対向面ＡＢＳの上側を、図面と垂直な方向に広がっている（図示せず）。薄膜磁気ヘッド部２８は、記録媒体から磁気記録を読出す磁気抵抗効果素子と、記録媒体に磁気記録を書込む誘導型磁気変換素子とを有しているが、いずれか一方だけを有していてもかまわない。誘導型磁気変換素子は、記録媒体の面内方向に記録をおこなう水平記録方式と、記録媒体の面外方向に記録をおこなう垂直記録方式のいずれでもよい。

薄膜磁気ヘッド部２８は、図中右側のアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板２７の上に、左に向けて各層が順次積層されて構成されている。基板２７の上（図中では左側。以下同じ。）には、絶縁層を介して、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなるシールド層３１が形成されている。シールド層３１の上には読込素子であるＭＲ素子３２が、媒体対向面ＡＢＳに面して設けられている。ＭＲ素子３２としては、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、またはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＭＲ素子３２には、センス電流を供給する一対のリード層（図示せず）が接続されている。

ＭＲ素子３２の上には、例えばパーマロイやＣｏＮｉＦｅ等の、磁性材料からなる下部磁極層３３が形成されている。下部磁極層３３は、記録ヘッドの下部磁極層としての機能と、再生ヘッド（ＭＲ素子３２）の上部シールド層としての機能を兼ねている。

下部磁極層３３の上には、絶縁のための記録ギャップ３４を介して、上部磁極層３５が設けられている。記録ギャップ３４の材料としては、例えばＮｉＰ等の、非磁性金属材料が用いられる。上部磁極層３５の材料としては、例えばパーマロイやＣｏＮｉＦｅ等の、磁性材料が用いられる。下部磁極層３３と上部磁極層３５は接続部３６によって接続され、全体で１個のＵ字型磁性体を形成している。

上部磁極層３５と下部磁極層３３との間には、銅等の導電性材料からなる２段積みのコイル３７ａ、３７ｂが設けられている。コイル３７ａ、３７ｂは接続部３６を中心に巻回して設けられ、上部磁極層３５と下部磁極層３３とに磁束を供給する。コイル３７ａは絶縁層３８に、コイル３７ｂは絶縁層３９、４０に取り囲まれて周囲から絶縁されている。２段積み構成は一つの例示であって、１段積みまたは３段以上の多層積みでもよい。コイル３７ｂには外部からの電流信号を受けるリード層（図示せず）が接続している。最後に、上部磁極層３５とリード層とを覆うように、オーバーコート層４１が形成されている。オーバーコート層４１の材料には、例えばアルミナ等の絶縁材料が用いられる。

図１を併せて参照すると、媒体対向面ＡＢＳは、レール部２５ａが記録媒体に対して最も突出し、リードライト部２４は、レール部２５ａよりも１〜３ｎｍほど記録媒体に対して後退している。レール部２５ａ、２５ｂの段差は必ずしも必要ではない。リードライト部２４と凹部２６との段差は１〜５μｍである。なお、スライダ２１の媒体対向面ＡＢＳの裏面４３はスライダ２１を支持するフレクシャ（図示せず）との接触面となる。

図３は、図２のＡ部における保護膜の部分断面図である。本明細書では、保護膜４２を除くスライダ２１の部分をヘッド素子４４という。ヘッド素子４４の記録媒体と対向する第１の面４５には、ＤＬＣからなる保護膜４２が形成され、媒体対向面ＡＢＳを形成している。保護膜４２は炭素と水素とを主成分とする非晶質材料からなる。保護膜４２の厚さは、ヘッド素子４４と記録媒体との距離をより縮小する観点から３ｎｍ以下が望ましい。ここで、膜厚は膜面と直交する方向で定義する。保護膜４２を基板２７に接着させるため、保護膜４２と基板２７との間に中間層（接着層）を設けてもよい。

第１の面４５の最大高さＲｍａｘは、１．５ｎｍ以上、３．５ｎｍ以下であり、保護膜４２の表面の中心線平均粗さＲａは、０．５ｎｍ以上、１．５ｎｍ以下である。最大高さＲｍａｘは、２ｎｍ以上、３ｎｍ以下とすることがより好ましい。ここで、最大高さＲｍａｘは、図４（ａ）に示すように、所定の測定長さＬの範囲における最大高さと最小高さの差分として定義される。中心線平均粗さＲａは、図４（ｂ）に示すように、表面の粗さ曲線を中心線（平均線）Ｃで折り返し（図中、太字線）、折り返した線と中心線Ｃとで囲まれる面積を測定長さＬで割った値として定義される。

次に、以上説明したスライダの製造方法、特に保護膜の形成方法について、図５のフロー図を用いて説明する。

（ステップＳ１）まず、図６（ａ）のように、アルティックからなるウエハ７１上に多数個の薄膜磁気ヘッド部２８を薄膜工程によって積層し、図６（ｂ）のように、ウエハ７１を、ヘッド素子４４が一列に配列した、短冊状のバー７２に切断する。ウエハ７１はいったん５０本前後のバーのブロックに切り分け、その後ラッピングのために数本のさらに小さいサイズのブロックに切断してもよい。ウエハ７１および切断されたバー７２には、研磨量を管理するため、たとえば複数の薄膜磁気ヘッド部２８ごとに１つの測定素子７３が設けておくことができる。次に、図６（ｃ）のように、ヘッド素子４４の、記録媒体と対向するべき面をラッピングして、第１の面４５を形成する。図６（ｃ）は、図６（ｂ）を図中矢印の方向に９０度回転させた斜視図である。

（ステップＳ２）次に、スパッタエッチングまたはＩＢＥ（イオンビームエッチング）によって、ヘッド素子４４の表面清浄およびＰＴＲ(Pole Tip Recession)コントロールをおこなう。スパッタエッチングの場合、スパッタ室の中でＡｒのグロープラズマを発生させ、ヘッド素子４４の第１の面４５に対してプラズマクリーニングをおこなう。ＩＢＥの場合、Ａｒのイオンビームをヘッド素子４４の第１の面４５に照射し、同様にクリーニングとＰＴＲコントロールをおこなう。なお、本ステップからステップＳ５までの一連の工程は、大気に晒すことなく、１つのチャンバー内で行うか、真空中で搬送しながらおこなうことが望ましい。大気中に出すと、コンタミ付着や酸化が起こり、成膜がきちんと行われず、ハードディスク装置の中で不具合を起すためである。

（ステップＳ３）次に、第１の面４５の最大高さＲｍａｘが所定の範囲内となるよう、イオンビームを第１の面４５に照射する（ＩＢＥによるイオンビーム照射ステップ）。最大高さＲｍａｘが大きくなると、スライダ２１が記録媒体と接触したときの接触面積が減るため、接触による不具合が発生しにくくなる。しかし、最大高さＲｍａｘが極端に大きいとプロセス時間が長くなり、また、薄膜磁気ヘッド部２８との間に段差がついてしまい、効果が半減する。一方、最大高さＲｍａｘが小さいと第１の面４５の上に形成される保護膜４５の凹凸も小さくなり、記録媒体の表面に形成された潤滑剤が保護膜４５の凹凸を埋めてしまい、効果が減少する。最大高さＲｍａｘは１．５〜３．５ｎｍが望ましく、２〜３ｎｍが最適である。詳細は、後述の実施例にて改めて述べる。

最大高さＲｍａｘは、アルティックからなる基板２７のエリアで形成される。すなわち、ＩＢＥでは、異種成分間でそのエッチングレートが異なるため、基板２７を構成するＴｉＣ成分とＡｌ₂Ｏ₃成分のうち、Ａｌ₂Ｏ₃成分が選択的にエッチングされて凹み、ＴｉＣ部分が突出する。後述するように適切な時間エッチングをおこなうことによって、上述の範囲の最大高さＲｍａｘを形成することができる。ＩＢＥは、Ａｒ、Ｘｅ，Ｋｒ、Ｎｅ、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₄、Ｏ₂、Ｎ₂、またはこれらの混合ガスを用いることが好ましい。イオンビームは、Ａｌ₂Ｏ₃成分がＴｉＣ成分と比べて選択的にミリングされるように、第１の面４５の法線との相対角度が４５°以上、９０°未満となる入射角で照射することが望ましい。加速電圧は、１２０Ｖ〜５００Ｖの範囲で選択される。電圧による選択性はないため、ＥＳＤ(Electro-Static Discharge)が発生しなければ、この範囲の電圧であれば特に制約はない。

（ステップＳ４）次に、ガスクラスターイオンビームを第１の面４５に照射する（ガスクラスターイオンビーム照射ステップ（ＧＣＩＢステップ））。ステップＳ２の後では、基板２７だけでなく、薄膜磁気ヘッド部２８もＩＢＥの影響を受け、表面粗さが増加し、段差も生じている。そこで、ガスクラスターイオンビームを用いて、これらの表面の平滑化をおこなう。ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）法は、ノズルによってガスを千から数千のクラスターにし、それをイオン化して、第１の面４５に照射する方法である。クラスター化しなかったガスはフィルターで除去される。ガスの種類は特に限定されないが、希ガスが使いやすく、通常はＡｒが用いられる。質量が大きいガスを用いる場合、ヒットしたときのエネルギーが大きいので、ＥＳＤへの注意が必要である。クラスターが第１の面４５にヒットすると、全ガスが拡散し、第１の面４５を均していく。ＧＣＩＢ法では、第１の面４５のごく表層部分だけがエッチングされ、また、ガスは拡散するときに横に移動していくため、表面がむらなく平滑化できる。この手法により、一旦荒らされた表面も、ごく表層のみを均すことが可能となる。このような効果をさらに高めるためには、ガスクラスターイオンビームを、第１の面４５の法線との相対角度が４５°以上、９０°未満となる入射角で照射することが望ましい。

ＧＣＩＢ法は本質的にはイオンビーム法なので、硬い成分はエッチングしにくく、柔らかい成分はエッチングしやすい。したがって、アルティックのような高硬度な物質はエッチングしにくく、金属層は平滑化しやすい。このため、薄膜磁気ヘッド部２８は十分に平坦な面が得られ、また、基板２７も、ステップＳ３で形成された凹凸の基本的な形状は保ったまま、細かい凹凸が均される。加速電圧は、ＥＳＤの観点から６００Ｖ以上を避け、５００Ｖ程度以下とすることが望ましが、基板２７への影響を少なくするためには、３００Ｖ以下が望ましい。そうすることにより、保護膜４５による保護効果を得たい薄膜磁気ヘッド部２８は平滑に、粗さを残したい基板２７は粗さを確保できる。

（ステップＳ５）次に、ＤＬＣからなる保護膜４２を、表面の中心線平均粗さが０．５ｎｍ以上、１．５ｎｍ以下となるように、第１の面４５に堆積させる（保護膜形成ステップ）。このとき下地となるヘッド素子４４と保護膜４２の接着力を確保するため、前述のように、第１の面４５にまずＳｉからなる中間層（接着層）を設けてもよい。中間層は通常はスパッタ法により成膜されるが、ＩＢＤ(Ion Beam Deposition)やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等で成膜してもよい。中間層は、保護膜４２の接着力が確保できれば省略してもよい。中間層の膜厚は、０．５〜２ｎｍの範囲が好ましい。

保護膜４２の成膜には、ＣＶＤ法、ＩＢＤ法、ＦＣＶＡ（Filtered Cathodic Vacuum Arc）法等が用いられる。ＣＶＤ法は、ＥＣＲ等の高周波を導入して、プラズマを発生して、有機ガスを分解成膜する方法である。基板には、高硬度の膜を成膜するために、バイアスを印加してもよい。有機ガスにはメタン、エタン、プロパン、ブタンエチレン、アセチレン等の定圧でガス状のものが便利である。ＦＣＶＡ法は、グラファイトロッドにアーク放電を発生させ、その熱にてカーボンを蒸発させ、そのイオンを成膜する方法である。水素を含まない炭素膜が成膜できるため、高硬度の薄膜を形成する方法として、近年用いられている。

（ステップＳ６）その後、バーを切断し、洗浄、検査等の従来と同様の工程を経てスライダが完成する。

（実施例）
実施例では、ステップＳ３におけるＩＢＥのエッチング継続時間、およびステップＳ４のガスクラスターイオンビーム照射ステップの有無をパラメータとして、最大高さＲｍａｘおよび保護膜の中心線平均粗さＲａを変動させながら、スライダの浮上気圧の測定と腐食試験をおこなった。最大高さＲｍａｘおよび中心線平均粗さＲａは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて、走査線２５６本、４０μｍ×４０μｍの測定範囲で求めた。スライダの浮上気圧は、記録媒体とスライダとが取り付けられたフライングハイトテスターを、アコースティックセンサーを備えた真空チャンバーに入れて測定した。記録媒体を７２００ｒｐｍで回転し、真空チャンバー内を徐々に減圧していくと、スライダが浮上状態を維持できなくなり、記録媒体に接触する。これをアコースティックセンサーによって検出した。次に、真空チャンバー内の圧力を、接触が生じた時の圧力から増加していき、ヘッドが浮上を始める圧力（浮上気圧）を測定した。腐食試験は、シュウ酸０．０５Ｎの溶液の中にバーを１０分間浸漬し、酸により腐食した箇所を２００倍の光学顕微鏡にて観察した。

バーとしてはＧＭＲ素子が多数形成されたものを用い、ラッピングは最終仕上げ（Final kiss lapping）までおこなった。クリーニングは通常の大量生産ベースの方法で実施し、保護膜はＦＣＶＡ法にて１．５ｎｍ厚で成膜し、中間層をスパッタ法にて１．５ｎｍ厚で成膜した。

表１に結果を示す。浮上気圧（耐スティクション性）の基準値は、前述のとおり標高３０００ｍ程度での使用を想定し、約７１０ｈＰａ（０．７ａｔｍ）とした。浮上気圧は低ければ低いほどよいため、約７１０ｈＰａ以下であれば基準を満たす。腐食試験は、腐食が発生したスライダ数の総スライダ数に対する比率で評価した。１０％未満が◎、１０以上６０％未満が○、６０以上８０％未満が△、８０％以上を×とした。

耐スティクション性については、最大高さＲｍａｘが１．５ｎｍ以上であれば、ＧＣＩＢステップの有無にかかわらず約７１０ｈＰａ以下で浮上する。このとき、対応する中心線平均表面粗さＲａは、０．５ｎｍ以上となっている。浮上気圧をさらに低くするためには２ｎｍ以上が望ましい。しかし、３ｎｍ以上で効果は飽和する。

一方、腐食試験は、主に中心線平均表面粗さＲａに依存すると考えられるが、○または◎を合格レベルとすると、Ｒａ１．５ｎｍ以下が望ましい。これは最大高さＲｍａｘでは３．５ｎｍ以下となる。

耐スティクションおよび耐腐食性の双方から判断基準を満たすサンプルは実施例とし表中太枠で表示している。また、それ以外のサンプルは比較例として表示している。これらの結果より、耐スティクションおよび耐腐食性の双方から望ましい最大高さＲｍａｘの範囲は１．５ｎｍ以上、３．５ｎｍ以下であり、２ｎｍ以上、３ｎｍ以下がさらに望ましい。また、中心線平均表面粗さＲａは０．５ｎｍ以上、１．５ｎｍ以下が望ましい。さらに、ＧＣＩＢステップを実施すると耐腐食性が改善される傾向が見られ、本ステップの有効性が確認された。

本発明の一実施形態に係るスライダの斜視図である。図１に示すスライダの、同図中２−２線に沿った断面図である。図２のＡ部における保護膜の部分断面図である。最大高さＲｍａｘと中心線平均粗さＲａの説明図である。本発明のスライダの製造方法を示すフロー図である。ウエハの切断およびバーのラッピング方法を示す概念図である。

符号の説明

２１スライダ
２４リードライト部
２５ａ、２５ｂレール部
２６凹部
２７基板
２８薄膜磁気ヘッド部
４２保護膜
４４ヘッド素子
４５第１の面
ＡＢＳ媒体対向面

Claims

金属層を有する薄膜磁気ヘッド部と前記金属層より高硬度の基板とを備えたヘッド素子の、記録媒体と対向するべき面をラッピングして、第１の面を形成するラッピングステップと、
前記ラッピングステップに続いて、イオンビームを前記第１の面に照射して、該第１の面の最大高さを、１．５ｎｍ以上、３．５ｎｍ以下に形成するイオンビーム照射ステップと、
前記イオンビーム照射ステップに続いて、ガスクラスターイオンビームを前記第１の面に照射し、さらに、媒体対向面を形成する保護膜を、表面の中心線平均粗さが０．５ｎｍ以上、１．５ｎｍ以下となるように、前記第１の面に堆積させる保護膜形成ステップと、
を有する、スライダの製造方法。
前記イオンビーム照射ステップは、前記第１の面の最大高さを、２ｎｍ以上、３ｎｍ以下に形成することを含む、請求項１に記載のスライダの製造方法。
前記イオンビーム照射ステップは、前記イオンビームとして、Ａｒ、Ｘｅ，Ｋｒ、Ｎｅ、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_４、Ｏ_２、Ｎ_２、またはこれらの混合ガスを用いることを含む、請求項１または２に記載のスライダの製造方法。
前記ヘッド素子は、前記第１の面の一部を構成する、Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣを含む前記基板を備えている、請求項１から３のいずれか１項に記載のスライダの製造方法。
前記ガスクラスターイオンビームは、前記第１の面の法線との相対角度が４５°以上、９０°未満となる入射角で照射される、請求項１から４のいずれか１項に記載のスライダの製造方法。