JP4887977B2 - 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電圧モニタ方法および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、いわゆる領域走査駆動における表示品位の改善する技術に関する。

近年では、液晶などの電気光学特性を用いて画像を形成するとともに、この画像を光学系によって拡大投射するプロジェクタが普及しつつある。このような画像を形成する小型の表示パネルでは、画素間が非常に狭いので、いわゆるディスクリネーション（配向不良）が問題となる。このディスクリネーションについては、隣接画素同士を同一極性とする面反転（フレーム反転ともいう）方式を採用することで回避できるが、面反転方式では、表示画面の例えば上部と下部とで表示の均一性が失われる、という問題がある。
この表示の均一性を図るために、フレームの期間を例えば第１および第２期間に分割するとともに、表示領域を上領域（第１領域）と下領域（第２領域）とに分割する一方、上領域と下領域とを交互に選択し、かつ、選択した各領域において走査線を上から下方向に向かって選択し、第１期間においては、上領域を正極性とし、下領域を負極性とする一方、第２期間においては、上領域を負極性とし、下領域を正極性とする、いわゆる領域走査駆動が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００４−１７７９３０号公報

ところで、上記プロジェクタは、それ自体で画像を作成する機能はなく、パソコンやテレビチューナなどの上位装置から画像データ（または画像信号）の供給を受ける。この画像データは、画素の階調（明るさ）を画素毎に指定するものであって、マトリクス状に配列する画素を垂直および水平走査した形式で供給される。
しかしながら、領域走査駆動では、上および下領域が交互に選択され続けるので、表示パネルの垂直走査においてブランキング期間というものが存在しない。このため、領域走査駆動では、ブランキング期間を用いた処理、例えば表示品位を改善するための処理を実現するのが困難である、という問題があった。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、いわゆる領域走査駆動においてブランキング期間に相当する期間を創り出して、当該期間において、必要な処理を実行することが可能な電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電圧モニタ方法および電子機器を提供することにある。

上記目的を達成するために、画素領域に、複数行の走査線と複数列のデータ線と、前記複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素を有し、一部の走査線に対応して非表示のダミー画素が設けられた電気光学装置であって、転送開始パルスを順次シフトするシフトレジスタを備え、前記画素領域を前記走査線に沿って少なくとも第１領域および第２領域に仮想的に分割し、前記第１領域または第２領域の一方に含まれる走査線を選択した後には、前記第１領域または第２領域の他方に含まれる走査線を選択し、かつ、前記第１領域および第２領域のそれぞれにおいて前記複数の走査線に対して順番に走査線を選択する、走査線駆動回路と、前記走査線が選択されたとき、ｍ（ｍは、データ線列数よりも少ない２以上の整数）列のデータ線からなるブロックを順次選択するブロック選択回路と、選択された走査線と選択されたブロックに属するｍ列のデータ線とに対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、ｍ本の画像信号線にそれぞれ供給するデータ信号供給回路と、前記データ線の各々に設けられ、前記ｍ本の画像信号線に供給された前記データ信号を、前記ブロック選択回路により選択されたブロックに属するｍ列のデータ線にサンプリングするサンプリングスイッチと、前記転送開始パルスが立ち上がってから、前記一部の走査線が選択されている期間に、前記ｍ本の画像信号線のうち、少なくとも１本に供給されたデータ信号の電圧を測定する電圧測定回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、非表示のダミー画素が設けられた一部の走査線が選択されている期間を、領域走査駆動におけるブランキング期間に相当する期間として、必要な処理、具体的にはデータ信号の電圧を測定する処理を実行することが可能となる。

ここで、本発明において、前記電圧測定回路により前記データ信号の電圧が測定される画像信号線に設けられ、設定された電圧増幅率で前記データ信号供給回路によるデータ信号の電圧を増幅して当該画像信号線に供給する電圧増幅回路を備え、前記電圧測定回路は、前記電圧増幅回路により増幅された前記データ信号の電圧を測定し、測定した電圧に基づいて当該電圧増幅回路の前記電圧増幅率を変更しても良い。
また、本発明において、前記電圧測定回路は、測定したデータ信号の電圧が予め定められた目標値となるように、前記データ信号供給回路によるデータ信号の電圧を調整しても良い。
また、本発明において、前記走査線駆動回路は、所定の転送開始パルスＤＸを所定のクロック信号ＣＬＸで順次シフトするシフトレジスタと、前記複数の走査線の各々に対応して設けられるとともに、所定の第１または第２イネーブル信号のいずれかが供給されて、前記シフトレジスタに基づくシフト信号のパルス幅を、供給された第１または第２イネーブル信号のいずれかのパルス幅に狭めて、前記走査線に走査信号として供給する論理回路と、を有し、前記第１および第２イネーブル信号は、前記複数の走査線に対応する論理回路に交互に供給されるとともに、各論理回路に供給される前記第１および第２イネーブル信号が、前記第１領域に属する走査線に対応する論理回路と、前記第２領域に属する走査線に対応する論理回路とで対称の関係にあり、前記ブロック選択回路は、所定の転送開始パルスＤＹを所定のクロック信号ＣＬＹで順次シフトするシフトレジスタを有し、前記転送開始パルスＤＹと、前記第１または第２イネーブル信号のいずれかと、前記転送開始パルスＤＸとが所定の条件を満たしたことを検出して、前記電圧測定回路に対して前記電圧の測定を許可する検出回路を、さらに有する構成としても良い。
この構成において、前記検出回路は、前記転送開始パルスＤＹと、前記第１または第２イネーブル信号のいずれかを切替可能として、前記所定の条件を検出しても良い。
また、本発明は、画素領域に複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線が選択されたときに、前記データ線に供給されたデータ信号の電圧に応じた階調となる画素を複数有し、前記画素領域を前記走査線に沿って、少なくとも第１領域および第２領域に分類した電気光学装置であって、前記複数の走査線を所定の方向に向かうように一定の間隔をおいて排他的に選択し、前記第１領域または第２領域の一方の走査線を選択した後には、前記第１領域または第２領域の他方の走査線を選択する第１の場合と、前記第１領域または第２領域の一方の走査線を選択した後には、選択した走査線に対し上記所定の方向で隣接する走査線を選択する第２の場合とに分けて、前記複数の走査線を選択する走査線駆動回路と、前記走査線が選択されたとき、ｍ（ｍは、データ線列数よりも少ない２以上の整数）列のデータ線からなるブロックを順次選択するブロック選択回路と、選択された走査線と選択されたブロックに属するｍ列のデータ線とに対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、ｍ本の画像信号線にそれぞれ供給するデータ信号供給回路と、前記データ線の各々に設けられ、前記ｍ本の画像信号線に供給された前記データ信号を、前記ブロック選択回路により選択されたブロックに属するｍ列のデータ線にサンプリングするサンプリングスイッチと、前記第２の場合で、前記複数の走査線がいずれも選択されないときに、前記ｍ本の画像信号線のうち、少なくとも１本に供給されたデータ信号の電圧を測定する電圧測定回路と、を具備することを特徴とする。
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、当該電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置におけるデータ信号の電圧モニタ方法、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。
図１に示されるように、この電気光学装置１０は、処理回路５０と表示パネル１００とに大別される。このうち、処理回路５０は、プリント基板に形成された回路モジュールであり、表示パネル１００とは、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板等によって接続されている。

処理回路５０は、メモリ３００、Ｓ／Ｐ変換回路３１０、Ｄ／Ａ変換回路群３２０、反転回路３３０、増幅回路群３４０、走査制御回路５２、検出回路６０および電圧測定回路群７０を有する。
メモリ３００は、図示省略された上位装置から供給される画像データＶinを、走査制御回路５２による制御にしたがって、一旦蓄積（書込）した後、画像データＶoutとして読み出すものである。ここで、画像データＶinおよびＶoutは、画素の階調（明るさ）を画素毎に指定するデータである。

本実施形態において、画像データＶinで階調が指定される画素は、図２に示されるように、縦２０行×横２４列のマトリクス状に配列する。
これらの画素の各々に対応する画像データＶinが、垂直走査信号Ｖsおよび水平走査信号Ｈsおよびドットクロック信号Ｄclkに同期して、図３（ａ）に示されるように供給される。詳細には、画像データＶinは、フレーム期間にわたって１行１列〜１行２４列、２行１列〜２行２４列、３行１列〜３行２４列、…、２０行１列〜２０行２４列という順番で供給される。
このような順番で供給される画像データＶinは、図３（ｂ）に示されるように、１行分の半分だけメモリ３００に蓄積された時点で、蓄積動作と並行しつつ、蓄積速度の２倍の速度で読み出され画像データＶoutとして出力される。したがって、１行分の画像データＶinは、当該１行分の画像データＶinが供給される期間の後半において、２倍の速度に変換されて画像データＶoutとして出力される。さらに、同図に示されるように、２倍の速度で読み出された画像データＶoutと同じ画素に対応するものが、１０行後の画像データＶinの１行分が供給される期間の前半において、２倍の速度で再度読み出される。
このため例えば、２行目の画像データＶoutは、当該２行目の画像データＶinが供給される期間の後半と、１２行目の画像データＶoutが供給される期間の前半とにおいて、それぞれ２倍速で出力されることになる。

なお、本実施形態において、フレーム期間のうち、１行目から１０行目までの画像データＶinが供給される期間を第１期間とし、１１行目から２０行目までの画像データＶinが供給される期間を第２期間とする。
また、画像データＶin（Ｖout）は、１行目から２０行目まで供給されるが、実際に表示されるのは、図２において太線の領域１００ａで示される５行目から１６行目までであり、それ以外は非表示のダミー画素である。このため、１行目から４行目まで、および、１７行目から２０行目までの画像データＶin（Ｖout）は、画素の最低階調である黒色を指定するダミーデータとなる。
さらに、本実施形態では、便宜的に、画素の配列をＸ方向に沿って２分割して、１（５）行目から１０行目までの領域を上領域（第１領域）とし、１１行目から２０（１５）行目までの領域を下領域（第２領域）としている。

図１において、Ｓ／Ｐ変換回路３１０は、メモリ３００から読み出された画像データＶoutを６チャネルに分配するとともに、それぞれ時間軸に６倍に伸長して（相展開またはシリアル−パラレル変換ともいう）、画像データＶd1d〜Ｖd6dとして出力するものである。ここで、説明の便宜上、画像データＶd1d〜Ｖd6dをそれぞれチャネル１〜６と称している。
Ｄ／Ａ変換回路群３２０は、チャネル毎に設けられたＤ／Ａ変換器の集合体であって、画像データＶd1d〜Ｖd6dを、それぞれ階調値に応じた電圧のアナログ信号に変換するものである。
反転回路３３０は、アナログ変換された信号を、後述する電圧Ｖcを基準にして正転または反転して、データ信号Ｖid1a〜Ｖid6aとして出力するものである。ここで、電圧Ｖcは、後述する図１０に示されるようにデータ信号の振幅基準（中心）である。本実施形態では、便宜上、データ信号Ｖid1〜Ｖi d6については、電圧Ｖcよりも高位側を正極性と、低位側を負極性と、それぞれ称している。
増幅回路群３４０は、チャネル毎に設けられた電圧増幅回路３４２の集合体であって、正転または反転したデータ信号Ｖid1a〜Ｖid6aの電圧を、Ｖcを基準にして正負両極性のそれぞれについて、設定された電圧増幅率でそれぞれ増幅し、データ信号Ｖid1〜Ｖid6として表示パネル１００の画像信号線に供給するものである。

次に便宜上、電気光学変化によって画像を形成する表示パネル１００の構成について説明する。表示パネル１００は、データ線や、走査線、ＴＦＴ、画素電極などが形成された素子基板と、共通電極が形成された対向基板とを一定の間隙をもって、電極形成面が互いに対向するように貼り合わせるとともに、この間隙に液晶を封止した構成となっている。図４は、この表示パネル１００の電気的な構成を示すブロック図であり、図５は、表示パネル１００における画素の構成を示す図である。

図４に示されるように、表示パネル１００では、実際に表示される領域１００ａに相当する５行目から１６行目までの１２行の走査線１１２が図においてＸ（水平）方向に延在する一方、２４（＝６×４）列のデータ線１１４が図においてＹ（垂直）方向に延在している。そして、これらの走査線１１２とデータ線１１４との交差部分の各々に対応するように画素１１０が設けられている。
なお、上述したように、画素の配列が２分割されているので、領域１００ａにおいて５〜１０行目に相当する走査線１１２（図４において上から数えると１〜６行目の走査線１１２）は、上領域に属し、領域１００ａにおいて１１〜１６行目に相当する走査線１１２（図４において上から数えると７〜１２行目の走査線１１２）は、下領域に属することになる。
また、本実施形態において、２４列のデータ線１１４は、６列毎にブロック化されている。このため説明の便宜上、左から数えて１、２、３、４番目のブロックを、それぞれＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４と表記する。

画素１１０の詳細な構成については、図５に示されるように、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６のソースがデータ線１１４に接続されるとともに、ドレインが画素電極１１８に接続される一方、ゲートが走査線１１２に接続されている。
また、画素電極１１８に対向するように共通電極１０８が全画素に対して共通に設けられて、時間的に一定の電圧ＬＣcomに維持される。そして、これらの画素電極１１８と共通電極１０８との間に液晶層１０５が挟持されている。このため、画素毎に、画素電極１１８、共通電極１０８および液晶層１０５からなる液晶容量が構成されることになる。
なお、本実施形態において、共通電極１０８に印加される電圧ＬＣcomは、データ信号の振幅基準電圧Ｖcと同一であるが、後述する理由により両者電圧が異なる場合がある。

特に図示はしないが、両基板の各対向面には、液晶分子の長軸方向が両基板間で例えば約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜がそれぞれ設けられる一方、両基板の各背面側には配向方向に応じた偏光子がそれぞれ設けられる。
画素電極１１８と共通電極１０８との間を通過する光は、液晶容量に印加される電圧実効値がゼロであれば、液晶分子の捻れに沿って約９０度旋光する一方、当該電圧実効値が大きくなるにつれて、液晶分子が電界方向に傾く結果、その旋光性が消失する。このため、例えば透過型において、入射側と背面側とに、配向方向に合わせて偏光軸が互いに直交する偏光子をそれぞれ配置させると、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小である黒色表示になる（ノーマリーホワイトモード）。
また、ＴＦＴ１１６を介した液晶容量からの電荷リークの影響を少なくするために、蓄積容量１０９が画素毎に形成されている。この蓄積容量１０９の一端は、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン）に接続される一方、その他端は、全画素にわたって容量線１０７に共通接続されて、例えば電源の低位側であって電圧基準の電位Ｇndに共通接地されている。

続いて、画素領域１００ａの周辺には、走査線駆動回路１３０や、ブロック選択回路１４０などの周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路１３０は、詳細には後述するが、５、６、７、８、…、１６行目の走査線１１２に、それぞれ走査信号Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７、Ｇ８、…、Ｇ１６を供給するものである。次に、ブロック選択回路１４０は、ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４を順次選択するためのサンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４をそれぞれ出力するものである。

サンプリングスイッチとして機能するＴＦＴ１５１は、データ線１１４の各々に対応して設けられ、そのドレインが、対応するデータ線の一端に接続される。ここで、同一ブロックに属するデータ線１１４に対応する６個のＴＦＴ１５１のゲートには、ブロックに対応するサンプリング信号が共通に供給される。例えば、ブロックＢ２に属する７〜１２列目のデータ線１１４に対応する６個のＴＦＴ１５１のゲートには、当該ブロックＢ２に対応するサンプリング信号Ｓ２が共通に供給される。

一方、表示パネル１００では、処理回路５０によるデータ信号Ｖid1〜Ｖid6が６本の画像信号線１７１に供給される。そして、これら６本の画像信号線１７１には、ＴＦＴ１５１のソースが、次に説明するように接続されている。
すなわち、図４において左から数えてｊ列目のデータ線１１４の一端にドレインが接続されたＴＦＴ１５１は、ｊを６で割った余りが「１」であるならば、そのソースが、データ信号Ｖid1が供給される画像信号線１７１に接続され、同様に、ｊを６で割った余りが「２」、「３」、「４」、「５」、「０」であるデータ線１１４にドレインが接続されたＴＦＴ１５１は、そのソースが、データ信号Ｖid2〜Ｖid6が供給される画像信号線１７１にそれぞれ接続されている。
例えば、図４において１１列目のデータ線１１４にドレインが接続されたＴＦＴ１５１のソースは、「１１」を６で割った余りが「５」であるから、データ信号Ｖid5が供給される画像信号線１７１に接続される。なお、ｊは、データ線１１４について、列番目を特定しないで一般的に説明する場合の記号であり、本実施形態では１≦ｊ≦２４を満たす整数のいずれかである。

再び説明を図１に戻すと、走査制御回路５２は、主に次のような制御を行うものである。すなわち、走査制御回路５２は、第１に、上位装置から供給されるドットクロック信号Ｄclk、垂直走査信号Ｖsおよび水平走査信号Ｈs（いずれも波形については図示省略）に基づいて、メモリ３００における蓄積（書込）および読出を制御し、第２に、メモリ３００に対する読出に同期して、上述したＳ／Ｐ変換回路３１０における相展開を制御し、第３に、上記読出に同期して、転送開始パルスＤＸおよびクロック信号ＣＬＸを生成してブロック選択回路１４０による水平走査を制御する一方、転送開始パルスＤＹ、クロック信号ＣＬＹ、イネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2を生成して、走査線駆動回路１３０による垂直走査を制御し、第４に、反転回路３３０に対し、第１期間において１１〜２０行目の画像データＶoutを読み出す場合には、負極性書込を指定し、１〜１０行目の画像データＶoutを読み出す場合には、正極性書込を指定する一方、第２期間において１〜１０行目の画像データＶoutを読み出す場合には、負極性書込を指定し、１１〜２０行目の画像データＶoutを読み出す場合には、正極性書込を指定する。

一方、検出回路（ｄｅｔ）６０は、後述する転送開始パルスＤＸ、ＤＹおよびイネーブル信号Ｅnb1が所定の条件を満たしたときに、電圧モニタ動作の許可を示す信号ＭeをＨレベルとして出力するものである。
電圧測定回路群７０は、チャネル毎に設けられた電圧測定回路（ｍｏｎ）７２の集合体である。各電圧測定回路７２は、信号ＭeがＨレベルとなったときに、データ信号Ｖid1〜Ｖid6のうち、対応するチャネルのデータ信号の電圧を測定するとともに、測定した電圧が、目標とする電圧となるように、対応するチャネルの電圧増幅回路３４２の電圧増幅率を設定変更するものである。
なお、検出回路６０および電圧測定回路群７０の詳細動作については後述する。

次に、走査線駆動回路１３０の構成について図６を参照して説明する。
図６において、シフトレジスタ１３２は、クロック信号ＣＬＹの論理レベルが遷移する（立ち上がり、および、立ち下がる）毎に転送開始パルスＤＹを順次シフトして、そのシフト信号Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７、…、Ｙ１６を出力するものである。
ＡＮＤ回路１３４は、隣接するシフト信号同士の論理積信号を出力するものである。ＡＮＤ回路１３６は、ＡＮＤ回路１３４による出力信号（論理積信号）とイネーブル信号Ｅnb1またはＥnb2のいずれかとの論理積信号を出力するものである。
ここで、シフトレジスタ１３２によるシフト信号（Ｙ４およびＹ５）の論理積信号を入力するＡＮＤ回路１３６の出力が走査信号Ｇ５となり、以下同様に、（Ｙ５およびＹ６）、（Ｙ６およびＹ７）、…、（Ｙ１４およびＹ１５）、（Ｙ１５およびＹ１６）の論理積信号に基づくＡＮＤ回路１３６の出力が、それぞれ走査信号Ｇ６、Ｇ７、…、Ｇ１５、Ｇ１６となって、それぞれ５、６、７、…、１５、１６行目の走査線１１２にそれぞれ供給される。

また、ＡＮＤ回路１３６と、イネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2との関係については、次の通りである。詳細には、上領域のうち、奇数の５、７、９行目の走査線１１２に走査信号を供給するＡＮＤ回路１３６にはイネーブル信号Ｅnb2が供給され、偶数の６、８、１０行目の走査線１１２に走査信号を供給するＡＮＤ回路１３６にはイネーブル信号Ｅnb1が供給される一方、下領域のうち、奇数の１１、１３、１５行目の走査線１１２に走査信号を供給するＡＮＤ回路１３６にはイネーブル信号Ｅnb1が供給され、偶数の１２、１４、１６行目の走査線１１２に走査信号を供給するＡＮＤ回路１３６にはイネーブル信号Ｅnb2が供給される。すなわち、ＡＮＤ回路１３６に対するイネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2の供給関係については、上領域と下領域とにおいて互いに対称の関係にある。

一方、ブロック選択回路１４０の構成については、図８に示されるように、走査線駆動回路１３０と基本的に同様であり、シフトレジスタ１４２とＡＮＤ回路１４４とを有する。ただし、ブロック選択回路１４０は、走査制御回路５２から供給される制御信号が異なる点およびシフトレジスタ１４２の段数において、走査線駆動回路１３０におけるシフトレジスタ１３２およびＡＮＤ回路１３４と相違する。
詳細には、ブロック選択回路１４０では、シフトレジスタ１４２に、走査線駆動回路１３０に供給される転送開始パルスＤＹ、クロック信号ＣＬＹに替えて、転送開始パルスＤＸ、クロック信号ＣＬＸが供給されるとともに、シフトレジスタ１４２の段数が５段となり、隣接するシフト信号同士の論理積信号がサンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４として出力される構成となっている。

次に、電気光学装置の動作について説明する。
まず、画像データＶinが、図３（ａ）に示されるように、フレーム期間にわたって、１行１列〜１行２４列、２行１列〜２行２４列、３行１列〜３行２４列、…、２０行１列〜２０行２４列、という画素の順番で供給される。
この画像データＶinは、メモリ３００の書込・読出によって、上述した図３（ｂ）に示されるように、画像データＶoutとして出力される。このため、画像データＶoutは、同図または図１１に示されるように、フレーム期間の第１期間では、下領域が先で上領域が後であり、１１、１、１２、２、１３、３、１４、４、…、２０、１０行目という順番で供給され、第２期間では、反対に上領域が先で下領域が後となり、１、１１、２、１２、３、１３、４、１４、…、１０、２０行目という順番で読み出されて出力される。

ここで、走査制御回路５２は、図１１に示されるように、クロック信号ＣＬＹの論理レベルを、第１期間において１１および１行目の画像データＶoutを読み出す期間でＬレベ
ルとし、以後、２行分の画像データＶoutを読み出す毎に反転させる。さらに、走査制御
回路５２は、同図に示されるように、転送開始パルスＤＹのパルス幅（Ｈレベル）をクロック信号ＣＬＹの１周期とするとともに、その供給開始タイミングを、第１期間では１４行目の画像データＶoutを読み出すタイミングとし、第２期間では４行目の画像データＶoutを読み出すタイミングとする。
このため、転送開始パルスＤＹは、第１期間において、１４、４、１５、５行目の画像データＶoutが読み出される期間においてＨレベルとなり、第２期間において、４、１４
、５、１５行目の画像データＶoutが読み出される期間においてＨレベルとなる。また、
転送開始パルスＤＹは、クロック信号ＣＬＹの５周期分毎に出力されることになる。

このような転送開始パルスＤＹおよびクロック信号ＣＬＹが、走査線駆動回路１３０に供給されると、シフトレジスタ１３２によるシフト信号Ｙ４は、図７に示されるように、転送開始パルスＤＹとほぼ同波形となり、以後、シフト信号Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７、…、Ｙ１６は、転送開始パルスＤＹ（シフト信号Ｙ４）をクロック信号ＣＬＹの半周期ずつシフトしたものとなる。このため、ＡＮＤ回路１３４によって求められる、隣接するシフト信号同士の論理積信号は、図７において、シフト信号のハッチング領域で示されるようなものとなり、対応する段の前段と、対応する段との重複部分となる。
なお、転送開始パルスＤＹは、上述したようにクロック信号ＣＬＹの５周期毎に出力されるので、シフト信号Ｙ４およびＹ１４は、同時にＨレベルとなる。同様にシフト信号Ｙ５およびＹ１５と、Ｙ６およびＹ１６とは、同時にＨレベルとなる。

一方、走査制御回路５２は、メモリ３００に対する書込・読出に同期して、次のようなイネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2を出力する。詳細には、走査制御回路５２は、図７または図１１に示されるように、クロック信号ＣＬＹに同期し、かつ、クロック信号ＣＬＹの周波数を２倍化した信号ＦＲＰとした場合に、イネーブル信号Ｅnb1として、第１期間では、クロック信号ＣＬＹの１周期の１／４（信号ＦＲＰの１周期の１／２）よりやや狭い幅のパルスを、クロック信号ＣＬＹの立ち下がりタイミングを挟んで連続して２ショット出力する一方、第２期間では、同パルスの２ショットを、クロック信号ＣＬＹの立ち上がりタイミングを挟んで連続して出力する。この際、走査制御回路５２は、１ショットのパルスを、信号ＦＲＰの論理レベルが一定である期間に出力する。
また、走査制御回路５２は、第１期間では、イネーブル信号Ｅnb1の位相を１８０度遅延させたものを、イネーブル信号Ｅnb2とする。さらに、走査制御回路５２は、第２期間では、第１期間におけるイネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2を入れ替える。すなわち、走査制御回路５２は、第１期間におけるイネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2を、第２期間におけるイネーブル信号Ｅnb2、Ｅnb1とする。

なお、クロック信号ＣＬＹの論理レベルは、２行分の画像データＶoutが読み出される毎に反転するので、当該クロック信号ＣＬＹの２倍の周波数である信号ＦＲＰの論理レベルは、１行分の画像データＶoutが読み出される毎に反転することになる。
第１および第２期間の最初では信号ＦＲＰはＨレベルである。このため、信号ＦＲＰは、１行分の画像データＶinが供給される期間の前半期間においてＨレベルとなり、当該期間の後半期間においてＬレベルとなる。

イネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2が、走査線駆動回路１３０におけるＡＮＤ回路１３６に供給されると、図７に示されるように、ＡＮＤ回路１３４によって求められた論理積信号のパルス幅が、当該イネーブル信号Ｅnb1またはＥnb2によって狭められて、走査信号として出力される。

ここで、各走査信号について、図７および図１１に示されるイネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2や、図３（ａ）における画像データＶin、図３（ｂ）における画像データＶoutの関係において説明すると、外部装置から５行目の画像データＶinが供給される期間の前半および後半期間において、それぞれ走査信号Ｇ１５、Ｇ５がＨレベルとなり、６行目の画像データＶi nが供給される期間の前半および後半期間において、それぞれ走査信号Ｇ１６、Ｇ６がＨレベルとなる。１７行目以降では走査線１１２が存在しないので、７行目の画像データＶinが供給される期間では、その後半期間においてのみ走査信号Ｇ７がＨレベルとなる。同様に８〜１４行目の画像データＶinが供給される期間では、その後半期間においてのみ走査信号Ｇ８〜Ｇ１４がそれぞれＨレベルとなる。
さらに、１５行目の画像データＶinが供給される期間の前半および後半期間において、それぞれ走査信号Ｇ５、Ｇ１５がＨレベルとなり、１６行目の画像データＶinが供給される期間の前半および後半期間において走査信号Ｇ６、Ｇ１６がそれぞれＨレベルとなる。上述したように１７行目以降では走査線１１２が存在しないので、１７〜２０行目の画像データＶinが供給される期間では、その前半期間においてのみ走査信号Ｇ７〜Ｇ１０がそれぞれＨレベルとなる。
１〜４行目の走査線１１２は存在しないので、１〜４行目の画像データＶinが供給される期間では、その前半期間においてのみ走査信号Ｇ１１〜Ｇ１４だけがそれぞれＨレベルとなる。

このような走査信号の供給を言い換えると、走査信号Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７、…、Ｇ１６は、走査線１１２を上から下に向かうように、一定の間隔をおいて順番にＨレベルとなる。この際、第１期間において下領域の走査信号Ｇ１５（Ｇ１６）がＨレベルとなった直後では、それぞれ上領域の走査信号Ｇ５（Ｇ６）がＨレベルとなり、第２期間において上領域の走査信号Ｇ５（Ｇ６）がＨレベルとなった直後では、それぞれ下領域の走査信号Ｇ１５（Ｇ１６）がＨレベルとなる（第１の場合）。
一方、第１期間において、走査信号Ｇ６（Ｇ７〜Ｇ１３）がＨレベルとなった後の次には、下方向に隣接する走査信号Ｇ７（Ｇ８〜Ｇ１４）がＨレベルとなり、第２期間において、走査信号Ｇ７（Ｇ８〜Ｇ１３）がＨレベルとなった後の次には、下方向に隣接する走査信号Ｇ８（Ｇ９〜Ｇ１５）がＨレベルとなる（第２の場合）。

ここで、外部装置から５行目の画像データＶinが供給される期間の前半期間では、メモリ３００から１５行目の画像データＶoutが読み出されるとともに、走査信号Ｇ１５がＨレベルとなる。
１５行目の画像データＶoutは、詳細には、１５行１列から１５行２４列までの画像データＶo utは、第１に、図９に示されるように、Ｓ／Ｐ変換回路３１０によって６チャネルに分配されるとともに、時間軸に対して６倍に伸長され、第２に、Ｄ／Ａ変換回路群３２０によってそれぞれアナログ信号に変換され、第３に、さらに、第１期間において１行分の画像データＶinが供給される期間の前半期間であるので、負極性書込が指定される結果、反転回路３３０によって電圧Ｖcを基準に反転した負極性のデータ信号Ｖid1a〜Ｖid6aとして出力され、第４に、電圧Ｖcを基準にした電圧増幅されて、データ信号Ｖid1〜Ｖid6として出力される。

一方、上述したように、ブロック選択回路１４０は、走査線駆動回路１３０におけるシフトレジスタ１３２とＡＮＤ回路１３４と同様な構成である（図８参照）。このため、論理積信号に相当するサンプリング信号Ｓ１は、転送開始パルスＤＸの供給から、クロック信号ＣＬＸの半周期だけ遅延したタイミングで出力されるとともに、このサンプリング信号をクロック信号ＣＬＸの半周期だけ順次シフトさせたものが、サンプリング信号Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４となる。
このタイミングに合わせるため、走査制御回路５２は、図９に示されるように、クロック信号ＣＬＸの半周期を６画素分の画像データＶoutが供給される期間となるように、相展開処理をＳ／Ｐ変換回路３１０に実行させるとともに、１〜６列目のデータ信号Ｖid1〜Ｖid6を出力するタイミングよりも６画素分先行させたタイミングで、転送開始パルスＤＸをＨレベルにするとともに、１２列目の画像データＶoutを読み出す直前にＬレベルとする。
これにより、１〜６列目のデータ信号Ｖid1〜Ｖid6が出力される期間で、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなり、７〜１２列目、１３〜１８列目および１９〜２４列目のデータ信号Ｖid1〜Ｖid6が出力される期間で、サンプリング信号Ｓ２、Ｓ３およびＳ４がそれぞれＨレベルとなる。

いま、走査信号Ｇ１５がＨレベルになる期間において、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルになると、図４において左から１番目のブロックＢ１に属する１〜６列目のデータ線１１４には、データ信号Ｖid1〜Ｖid6がそれぞれサンプリングされる。走査信号Ｇ１５がＨレベルであると、１５行目の画素１１０の１行分におけるＴＦＴ１１６がすべてオン状態となるので、当該６列のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖid1〜Ｖid6の電圧は、図４において１５行目の走査線１１２と、１〜６列目のデータ線１１４と交差する画素１１０の画素電極１１８にそれぞれ印加されることになる。
この後、サンプリング信号Ｓ２がＨレベルになると、今度は、２番目のブロックＢ２に属する７〜１１列目のデータ線１１４に、それぞれデータ信号Ｖid1〜Ｖid6の電圧がサンプリングされて、これらのデータ信号Ｖid1〜Ｖid6の電圧が、ｉ行目の走査線１１２と当該６列のデータ線１１４と交差する画素の画素電極１１８にそれぞれ印加されることになる。

サンプリング信号Ｓ３、Ｓ４が順番にＨレベルになると、ブロックＢ３、Ｂ４に属する６列のデータ線１１４にデータ信号Ｖid1〜Ｖid6の電圧がそれぞれサンプリングされ、これらのデータ信号Ｖid1〜Ｖid6が、１５行目の走査線１１２と選択された６列のデータ線１１４と交差する画素の画素電極１１８にそれぞれ印加されることになる。
これにより、１５行１列から１５行２４列までの画素に対する負極性の電圧書き込みが実行されることになる。なお、走査信号Ｇ１５がＬレベルになってＴＦＴ１１６がオフしても、書き込まれた電圧は、液晶容量や蓄積容量１０９によって保持される。

次に、外部装置から５行目の画像データＶinが供給される期間の後半期間では、メモリ３００から５行目の画像データＶoutが読み出されるとともに、走査信号Ｇ５がＨレベルとなる。
基本的な動作は、画像データＶoutが５行目である点、および、第１期間において１行分の画像データＶinが供給される期間の後半期間であるので、正極性書込が指定される点を除けば、走査信号Ｇ５がＨレベルとなる前半期間と同様である。
したがって、外部装置から５行目の画像データＶi nが供給される期間の後半期間では、走査信号Ｇ５がＨレベルとなり、５行１列から５行２４列までの画素に対する正極性の電圧書き込みが実行されることになる。

ここで、５行目の画像データＶinが供給される期間では、その前半期間において１５行目の画像データＶoutが読み出され、その後半期間において５行目の画像データＶoutが読み出される。このときのデータ信号Ｖid1の電圧波形は、例えば図１０に示される通りとなる。
上述したように、信号ＦＲＰは、１行分の画像データＶinが供給される期間の前半期間においてＨレベルとなり、当該期間の後半期間においてＬレベルとなる。また、書込極性は、第１期間において１１〜２０行目の画像データＶoutが読み出される場合には負極性であり、１〜１０行目の画像データＶoutが読み出される場合には正極性である一方、第２期間において１〜１０行目の画像データＶoutが読み出される場合には負極性であり、１１〜２０行目の画像データＶoutが読み出される場合には正極性である。このため、第１および第２期間のいずれにおいても、データ信号Ｖid1は、信号ＦＲＰがＨレベルであれば負極性となって、電圧Ｖcに対し、画像データＶoutで指定された電圧（図１０において↓で示される）だけ低位側電圧となる一方、信号ＦＲＰがＬレベルであれば、正極性となって、電圧Ｖcに対し、画像データＶoutで指定された電圧（図１０において↑で示される）だけ高位側電圧となる。

ここで、画像データＶoutに対応しない期間では、データ信号Ｖid1の電圧は、正極性であれば黒色に相当する電圧Ｖb(+)となり、負極性であれば黒色に相当する電圧Ｖb(-)となる。
また、図１０において、電圧Ｖw(+)、Ｖw(-)は、それぞれ正極性、負極性の白色に相当する電圧である。すなわち、データ信号Ｖid1は、正極性であれば電圧Ｖw(+)以上電圧Ｖb(+)以下の範囲で、負極性であれば電圧Ｖb(-)以上電圧Ｖw(-)以下の範囲で、それぞれ階調に応じた値となる。
電圧Ｖcはデータ信号の振幅基準であるので、電圧Ｖb(+)、Ｖw(+)と、電圧Ｖb(-)、Ｖw(+)とは、電圧Ｖcを基準に対称な関係となる。また、ここではデータ信号Ｖid1を例示しているが、他のチャネルのデータ信号Ｖid2〜Ｖid6についても同様に画像データＶoutで指定された電圧であって、正または負極性の電圧となる。
なお、接地電位Ｇndは、サンプリング信号や走査信号などの論理信号のＬレベルに相当し、電圧Ｖddは、論理信号のＨレベルに相当する。

さて、外部装置から６行目の画像データＶinが供給される期間の動作についても、５行目の画像データＶinが供給される期間の動作と同様であり、当該期間の前半期間では、メモリ３００から１６行目の画像データＶoutが読み出されるとともに、走査信号Ｇ１６がＨレベルとなって、１６行目の画素に対する負極性の電圧書き込みが実行され、後半期間では、メモリ３００から６行目の画像データＶoutが読み出されるとともに、走査信号Ｇ６がＨレベルとなって、６行目の画素に対する正極性の電圧書き込みが実行される。
７〜１４行目の画像データＶinが供給される期間では、その後半期間においてのみ走査信号Ｇ７〜Ｇ１４がそれぞれＨレベルとなって、７〜１４行目の画素に対する正極性の電圧書き込みが実行される。
１５、１６行目の画像データＶinが供給される期間のうち、前半期間では、メモリ３００から５、６行目の画像データＶoutが読み出されるとともに、走査信号Ｇ５、Ｇ６がＨレベルとなって、５、６行目の画素に対する負極性の電圧書き込みが実行される一方、後半期間では、１５、１６行目の画像データＶoutが読み出されるとともに、走査信号Ｇ１５、Ｇ１６がＨレベルとなって、１５、１６行目の画素に対する正極性の電圧書き込みが実行される。
１７〜２０行目の画像データＶinが供給される期間では、その前半期間において走査信号Ｇ７〜Ｇ１０がそれぞれＨレベルとなって、７〜１０行目の画素に対する負極性の電圧書き込みが実行される。
１〜５行目の画像データＶinが供給される期間では、その後半期間において走査信号Ｇ１〜Ｇ５がそれぞれＨレベルとなって、１〜５行目の画素に対する正極性の電圧書き込みが実行される。

このような駆動によれば、ある画素に着目したとき、当該着目画素に対応する走査線が選択されてから次回選択されるまでの期間において、データ線１１４には、正極性と負極性との電圧が交互に印加されるので、データ線の電圧が当該画素の液晶容量の保持電圧に与える影響（特にＴＦＴ１１６のオフリーク量）が、表示領域の上と下とで差が生じることがない。
また、本実施形態では、ある行が選択されたタイミングでは、当該行に位置する画素と、当該行と１つ上の行に位置する画素とで書込極性が相反するが、それ以外の画素同士は、書込極性が同一となる。このため、ディスクリネーション（配向不良）による表示品位の低下も防止することができる。

ところで、上述したように本実施形態では、データ信号Ｖoutを、６チャネルに分配するとともに、時間軸に６倍に伸長する相展開処理を実行している。相展開処理しない構成では、データ信号を１画素毎にデータ線にサンプリングするために、データ線にデータ信号を供給する時間を充分に確保できなくなって、画素への書き込みが不十分となる可能性があるためである。
しかしながら、この相展開処理を実行する構成では、データ信号Ｖid1〜Ｖid6において、なんらかの理由によりチャネル間の特性に差が発生すると、例えばすべての画素を同じ階調とするような表示をするときであっても、データ線１１４にサンプリングされる電圧に差が生じてしまう。このため、表示される階調が微妙に異なって、これが表示品位を低下させてしまう。
この差をなくす方向の処理を実行することができれば良いが、このような処理を実行するタイミングが問題となる。すなわち、領域走査駆動では、絶えずデータ信号Ｖoutが読み出されるので、表示パネルの垂直走査において単純なブランキング期間が存在しないのである。

そこでまず、本実施形態では、１〜４行目および１７〜２０行目をダミー画素としている。これにより、１〜４行目および１７〜２０行目の画像データＶoutを読み出すものの、対応する走査線が存在しない。このため、ダミー画素がなければ、いずれの走査信号がＨレベルとなる期間に、ダミー画素を設けることによって、いずれの走査信号がＬレベルとなる期間を設けることができる。本実施形態では、この期間を、擬似的なブランキング期間として用いることにしている。
ただし、１〜４行目および１７〜２０行目の画像データＶinが供給される期間の前半または後半期間の一方の期間では、同一の１〜４行目および１７〜２０行目の画像データＶoutが読み出されるが、他方の期間では、１０行離れた画像データＶoutが読み出されて、電圧の書き込みが実行される。さらに、１〜４行目および１７〜２０行目の画像データＶinが供給される期間のうち、１〜４行目および１７〜２０行目の画像データＶoutが読み出される期間における前半または後半の関係は、第１期間および第２期間において入れ替わる。
ここで、垂直走査信号や水平走査信号等をカウントして、１〜４行目および１７〜２０行目の画像データＶinが供給される期間を検出するとともに、第１および第２期間のいずれかであるかを判別して、これらの検出結果に応じて、１〜４行目および１７〜２０行目の画像データＶoutが読み出される期間を特定する構成も考えられるが、回路構成が複雑化する懸念がある。

そこで、本実施形態では、１〜４行目および１７〜２０行目の画像データＶoutが読み出される期間のうち、走査制御回路５２によって出力される転送開始パルスＤＸ、ＤＹおよびイネーブル信号Ｅnb1が所定の条件を満たしたときに、上記チャネルの差をなくす方向の処理を実行することとしたのである。
詳細には、検出回路６０は、転送開始パルスＤＸ、ＤＹおよびイネーブル信号Ｅnb1を入力して、次の期間において信号ＭeをＨレベルとする。すなわち、検出回路６０は、転送開始パルスＤＹが出力されている（Ｈレベルとなっている）期間において、イネーブル信号Ｅnb1がＨレベルとなる期間の１ショット目であって、転送開始パルスＤＸの立ち下がるタイミングから、信号ＦＲＰの論理レベルが遷移するまでのタイミングまでの期間にわたって、信号ＭeをＨレベルとして、電圧測定回路群７０に対して電圧モニタ動作を許可する。

なお、検出回路６０は、転送開始パルスＤＹが出力されている期間において、イネーブル信号Ｅnb1が最初にＨレベルとなる期間直後の転送開始パルスＤＸ（の立ち下がり）だけに着目する必要があるが、このような構成としては、着目する転送開始パルスＤＸの立ち下がりで、転送開始パルスＤＸをマスクすることによって、以降の転送開始パルスＤＸを無視するとともに、転送開始パルスＤＹがＨレベルからＬレベルに立ち下がったことにより、当該マスクを解除する構成が考えられる。

上述したように、第１期間において、転送開始パルスＤＹがＨレベルとなるのは、１４、４、１５、５行目の画像データＶoutを読み出す期間であり、このうち、イネーブル信号Ｅnb1がＨレベルとなる期間は、４行目の画像データＶoutを読み出す期間である。さらに、転送開始パルスＤＸが立ち下がるタイミングは、１２列目の画像データＶoutが読み出された直前である。
一方、第２期間において、転送開始パルスＤＹがＨレベルとなるのは、４、１４、５、１５行目の画像データＶoutを読み出す期間であり、このうち、イネーブル信号Ｅnb1がＨレベルとなる期間は、４行目の画像データＶoutを読み出す期間である。さらに、転送開始パルスＤＸが立ち下がるタイミングは、１１列目の画像データＶoutが読み出された直後である。
したがって、第１および第２期間のいずれにおいても、信号Ｍeは、詳細には、領域１００ａに属する行の直前に位置するダミーの４行目の画像データＶoutが読み出される途中から、領域１００ａに属する行の画像データＶoutが読み出される直前までにおいてＨレベルとなる。

検出回路６０によって信号ＭeがＨレベルになると、電圧測定回路群７０における各チャネルの電圧測定回路７２は、それぞれ対応するチャネルのデータ信号の電圧を測定するとともに、測定した電圧が、目標とする電圧となるように、対応するチャネルの電圧増幅回路３４２の電圧増幅率を設定変更する。
ここで、４行目の画像データＶoutはダミーであるので、この画像データＶoutに対応する電圧は、第１期間では正極性書込が指定される関係上、黒色の正極性に相当する電圧Ｖb(+)となるはずである。このため、第１期間においてチャネル１〜６の目標電圧はＶb(+)である。

このため、例えばチャネル１に対応する電圧測定回路７２は、図１２に示されるように、測定したデータ信号Ｖid1の電圧が、目標電圧であるＶb(+)からズレていれば、チャネル１に対応するデータ信号Ｖid1が電圧Ｖb(+)となるように、電圧増幅回路３４２の電圧増幅率を変更する。なお、測定したデータ信号Ｖid1の電圧が、目標電圧であるＶb(+)に一致すれば、電圧増幅回路３４２における電圧増幅率の変更を終了する。他のチャネル２〜６についても、同様な動作が実行される。
また、第２期間では負極性書込が指定される関係上、４行目の画像データＶoutに対応する電圧は、黒色の負極性に相当する電圧Ｖb(-)となる。すなわち、第２期間において、チャネル１〜６の目標電圧はＶb(-)となり、信号ＭeがＨレベルとなったときに同様な動作が実行される。
なお、このような電圧測定から電圧増幅率の変更までの動作は、図１１においてハッチングで示されるように、信号ＭeがＨレベルとなる期間よりも十分に短い期間で完了する。このため、信号Ｍeは、そのＨレベルとなるタイミングが重要であり、Ｌレベルとなるタイミングは、それほど重要ではない。

本実施形態では、領域走査駆動において相展開処理する場合であっても、擬似的にブランキング期間を創り出して、この期間において、各チャネルの特性差をなくす方向の処理を実行している。この際、擬似的なブランキング期間の開始タイミングは、領域走査駆動に用いる転送開始パルスＤＸ、ＤＹおよびイネーブル信号Ｅnb1の論理レベルが所定の条件を満たしたときとしているので、カウンタや、そのカウント結果を判断する構成が不要となり、構成の簡易化を図ることが可能となる。

なお、上述した実施形態では、説明の便宜上、領域１００ａにおける画素の配列を縦１２行×横２４列のマトリクス配列とするとともに、上下４行ずつダミーとしたが、これに限られないことは言うまでもない。
このようにマトリクス配列、特にダミーにかかる配列を変更すると、ダミー行の画像データＶoutが読み出される期間が、イネーブル信号Ｅnb2がＨレベルとなる期間に対応する場合もある。このため、検出回路６０は、イネーブル信号Ｅnb1またはＥnb2のいずれかを適宜切り替えて入力する構成が望ましい。

さらに、上述した実施形態では、４行目の画像データＶoutが読み出される期間の一部において、信号ＭeをＨレベルとしたが、この構成は、おもに転送開始パルスＤＹが供給されるタイミングと、転送開始パルスＤＹが供給されてから、最初に走査信号がＨレベルとなる行との関係（すなわち、走査線駆動回路１３０の構成）に依存する。このため、走査制御回路５２が出力する信号を用いて特定可能であれば、４行目以外のいずれかの行のダミーの画像データＶoutが読み出される期間において、信号ＭeをＨレベルとしても良い。
また、信号ＭeがＨレベルとなったときに、電圧測定から電圧増幅率の変更までの動作を６チャネル分同時並行的に開始したが、実行タイミングをチャネル毎にシフトさせながら、順番に実行する構成としても良い。

一方、上述した実施形態では、Ｓ／Ｐ変換回路３１０における相展開数ｍを「６」として、画像信号線１７１の本数も「６」としたが、この相展開数および画像信号線の本数を示すｍについては、２以上の整数であれば良い。
また、処理回路５０は、ディジタルの画像データＶinを入力して相展開したが、アナログの画像信号を入力して相展開処理する構成としても良い。さらに、上述した実施形態にあっては、共通電極１０８と画素電極１１８との電圧実効値が小さい場合に白色表示を行うノーマリーホワイトモードとして説明したが、黒色表示を行うノーマリーブラックモードとしても良い。
ブロック選択回路１４０では、互いに隣接するシフト信号同士の論理積信号をサンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４としたが、走査線駆動回路１３０にようにイネーブル信号を用いて当該論理積信号のパルス幅をさらに狭める構成としても良い。

なお、実施形態では、共通電極１０８に印加される電圧ＬＣcomを、図１０に示されるように、データ信号の振幅基準と同一の電圧Ｖcとした。
しかしながら、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オンからオフ時にドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する場合がある。液晶層１０５の劣化を防止するため、液晶容量に対しては交流駆動が原則であるが、電圧ＬＣcomと極性反転の基準電圧Ｖcとを同一として交流駆動すると、プッシュダウンのために、液晶容量の電圧実効値は、負極性書込の方が正極性書込よりも若干大きくなってしまう。そこで、プッシュダウンの影響が無視できない場合には、同一階調で正極性・負極性書込をしても液晶容量の電圧実効値が互いに等しくなるように、共通電極１０８の電圧ＬＣcomを、極性反転の基準電圧Ｖcよりも若干低位とする構成が好ましい。

上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nematic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型などの液晶を用いても良い。
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このように、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。

次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例として、上述した表示パネル１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１３は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ２１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態における表示パネル１００と同様であり、処理回路（図１３では省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像信号でそれぞれ駆動されるものである。すなわち、このプロジェクタ２１００では、表示パネル１００を含む電気光学装置が、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応して３組設けられた構成となっている。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４によってカラー画像が投射されることとなる。

なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックミラー２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構成となっている。

電子機器としては、図１３を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。

本発明の実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。 同電気光学装置における表示パネルの構成を示す図である。 同電気光学装置への画像データと表示領域との関係を示す図である。 同表示パネルの画素の構成を示す図である。 同電気光学装置におけるメモリで入出力される画像データを示す図である。 同電気光学装置における走査線駆動回路の構成を示す図である。 同走査線駆動回路の動作を示す図である。 同電気光学装置におけるブロック選択回路の構成を示す図である。 同電気光学装置における水平走査を示す図である。 同電気光学装置におけるデータ信号の電圧波形を示す図である。 同電気光学装置における電圧モニタのタイミングを示す図である。 同電気光学装置における電圧調整を示す図である。 同電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す図である。

符号の説明

１０…電気光学装置、５０…処理回路、５２…走査制御回路、６０…検出回路、７０…電圧測定回路群、１００…表示パネル、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１３０…走査線駆回路、１４０…ブロック選択回路、１５１…ＴＦＴ、１７１…画像信号線、３１０…Ｓ／Ｐ変換回路、３４０…増幅回路群、２１００…プロジェクタ

Claims (9)

1. 画素領域に、複数行の走査線と複数列のデータ線と、前記複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素を有し、一部の走査線に対応して非表示のダミー画素が設けられた電気光学装置であって、
   転送開始パルスを順次シフトするシフトレジスタを備え、前記画素領域を前記走査線に沿って少なくとも第１領域および第２領域に仮想的に分割し、前記第１領域または第２領域の一方に含まれる走査線を選択した後には、前記第１領域または第２領域の他方に含まれる走査線を選択し、かつ、前記第１領域および第２領域のそれぞれにおいて前記複数の走査線に対して順番に走査線を選択する、走査線駆動回路と、
   前記走査線が選択されたとき、ｍ（ｍは、データ線列数よりも少ない２以上の整数）列のデータ線からなるブロックを順次選択するブロック選択回路と、
   選択された走査線と選択されたブロックに属するｍ列のデータ線とに対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、ｍ本の画像信号線にそれぞれ供給するデータ信号供給回路と、
   前記データ線の各々に設けられ、前記ｍ本の画像信号線に供給された前記データ信号を、前記ブロック選択回路により選択されたブロックに属するｍ列のデータ線にサンプリングするサンプリングスイッチと、
   前記転送開始パルスが立ち上がってから、前記一部の走査線が選択されている期間に、前記ｍ本の画像信号線のうち、少なくとも１本に供給されたデータ信号の電圧を測定する電圧測定回路と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置。
2. 前記電圧測定回路により前記データ信号の電圧が測定される画像信号線に設けられ、設定された電圧増幅率で前記データ信号供給回路によるデータ信号の電圧を増幅して当該画像信号線に供給する電圧増幅回路を備え、
   前記電圧測定回路は、前記電圧増幅回路により増幅された前記データ信号の電圧を測定し、測定した電圧に基づいて当該電圧増幅回路の前記電圧増幅率を変更する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記電圧測定回路は、測定したデータ信号の電圧が予め定められた目標値となるように、前記データ信号供給回路によるデータ信号の電圧を調整する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記走査線駆動回路は、
   転送開始パルスＤＹをクロック信号ＣＬＹで順次シフトするシフトレジスタと、
   前記複数の走査線の各々に対応して設けられるとともに、第１または第２イネーブル信号のいずれかが供給されて、前記シフトレジスタから出力されたシフト信号のパルス幅を、前記第１または第２イネーブル信号のいずれかのパルス幅に狭めて、前記走査線に走査信号として供給する論理回路と、
   を有し、
   前記第１イネーブル信号が供給される論理回路と、前記第２イネーブル信号が供給される論理回路とは交互に配列され、
   前記ブロック選択回路は、転送開始パルスＤＸをクロック信号ＣＬＸで順次シフトするシフトレジスタを有し、
   前記転送開始パルスＤＹと、前記第１または第２イネーブル信号のいずれかと、前記転送開始パルスＤＸとが所定の条件を満たしたことを検出して、前記電圧測定回路に対して前記電圧の測定を許可する検出回路を、さらに有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記検出回路は、
   前記転送開始パルスＤＹと、前記第１または第２イネーブル信号のいずれかを切替可能として、前記所定の条件を検出する
   ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 画素領域に複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線が選択されたときに、前記データ線に供給されたデータ信号の電圧に応じた階調となる画素を複数有し、
   前記画素領域を前記走査線に沿って、少なくとも第１領域および第２領域に仮想的に分
   割した電気光学装置であって、
   前記複数の走査線を所定の方向に向かうように一定の間隔をおいて排他的に選択し、
   前記第１領域または第２領域の一方の走査線を選択した後には、前記第１領域または第２領域の他方の走査線を選択する第１の場合と、前記第１領域または第２領域の一方の走査線を選択した後には、選択した走査線に対し上記所定の方向で隣接する走査線を選択する第２の場合とに分けて、前記複数の走査線を選択する走査線駆動回路と、
   前記走査線が選択されたとき、ｍ（ｍは、データ線列数よりも少ない２以上の整数）列のデータ線からなるブロックを順次選択するブロック選択回路と、
   選択された走査線と選択されたブロックに属するｍ列のデータ線とに対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、ｍ本の画像信号線にそれぞれ供給するデータ信号供給回路と、
   前記データ線の各々に設けられ、前記ｍ本の画像信号線に供給された前記データ信号を、前記ブロック選択回路により選択されたブロックに属するｍ列のデータ線にサンプリングするサンプリングスイッチと、
   前記第２の場合で、前記複数の走査線がいずれも選択されないときに、前記ｍ本の画像信号線のうち、少なくとも１本に供給されたデータ信号の電圧を測定する電圧測定回路と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置。
7. 画素領域に複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線が選択されたときに、前記データ線に供給されたデータ信号の電圧に応じた階調となる画素を複数有し、一部の走査線に対応して非表示のダミー画素が設けられ、
   前記画素領域を前記走査線に沿って、少なくとも第１領域および第２領域に仮想的に分割した電気光学装置におけるデータ信号の電圧モニタ方法であって、
   転送開始パルスを順次シフトすることによって、前記第１領域または第２領域の一方の走査線を選択した後には、前記第１領域または第２領域の他方の走査線を選択し、かつ、前記第１領域および第２領域のそれぞれにおいて前記複数の走査線に対して順番に走査線を選択し、
   前記走査線を選択したとき、ｍ（ｍは、データ線列数よりも少ない２以上の整数）列のデータ線からなるブロックを順次選択し、
   選択した走査線と選択したブロックに属するｍ列のデータ線とに対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、ｍ本の画像信号線にそれぞれ供給し、
   前記ｍ本の画像信号線に供給した前記データ信号を、選択したブロックに属するｍ列のデータ線にサンプリングし、
   前記転送開始パルスが立ち上がってから、前記一部の走査線が選択されている期間に、前記ｍ本の画像信号線のうち、少なくとも１本に供給されたデータ信号の電圧を測定する
   ことを特徴とする電気光学装置におけるデータ信号の電圧モニタ方法。
8. 画素領域に複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線が選択されたときに、前記データ線に供給されたデータ信号の電圧に応じた階調となる画素を複数有し、一部の走査線に対応して非表示のダミー画素が設けられ、
   前記画素領域を前記走査線に沿って、少なくとも第１領域および第２領域に仮想的に分割した電気光学装置の駆動方法であって、
   転送開始パルスを順次シフトすることによって、前記第１領域または第２領域の一方の走査線を選択した後には、前記第１領域または第２領域の他方の走査線を選択し、かつ、前記第１領域および第２領域のそれぞれにおいて前記複数の走査線に対して順番に走査線を選択し、
   前記走査線を選択したとき、ｍ（ｍは、データ線列数よりも少ない２以上の整数）列のデータ線からなるブロックを順次選択し、
   選択した走査線と選択したブロックに属するｍ列のデータ線とに対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、ｍ本の画像信号線にそれぞれ供給し、
   前記ｍ本の画像信号線に供給した前記データ信号を、選択したブロックに属するｍ列のデータ線にサンプリングし、
   前記転送開始パルスが立ち上がってから、前記一部の走査線が選択されている期間に、前記ｍ本の画像信号線のうち、少なくとも１本に供給されたデータ信号の電圧を測定し、
   測定したデータ信号の電圧が予め定められた目標値となるように、測定した画像信号線に供給されるデータ信号の電圧を調整する
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
9. 請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を有する
   ことを特徴とする電子機器。

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