JP4880205B2 - 基材処理表面の金属酸化物除去方法 - Google Patents
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Description
実験室規模の炉を使って最初の実験を行った。使用した試料は、炉内に入れてN2中に5%のH2のガス流動下に最高250℃まで加熱した、接地した銅板(陽極)上のフラックスレスのスズ−鉛はんだプレフォーム(融点183℃)であった。試料温度が平衡になったならば、負の電極(陰極)と接地した試料(陽極)との間にDC電圧を印加して、0.3mAの電流で約−2kVまで徐々に増大させた。2つの電極間の距離は約1cmであった。圧力は周囲大気圧であった。はんだは銅表面上で全く非常によく濡れることが分かった。電圧を印加しなければ、純粋なH2中でも、銅表面上のフラックスレスはんだの良好な濡れはそのような低温では決して達成することができない。そのわけは、スズ系はんだ上のスズ酸化物を純粋H2が除去するための有効温度は350℃より高いからである。従って、この結果は、この電子付着法がH2フラックスレスはんだ付けを促進するのに有効であることを確認するものである。
例1と同じ設備を使用し電界放出メカニズムを使用する電子の付着に支援される水素フラックスレスはんだ付けについて、いくつかの陰極材料を調べた。調べた結果を表1に提示する。
この例は、熱−電界放出法が電子を発生するのに有効であるのを調べるために行った。表面から突き出した長さ1mmの機械加工した先端を多数有し、陰極として働く直径3mmのグラファイト棒は、図2(i)に示したのと同様の幾何学形状であった。機械加工した突き出す先端のおのおのの先端角度は25度であった。グラファイト棒を、AC電源を使用する抵抗加熱により5%H2及び95%N2のガス混合物中で約400〜500℃に加熱した。グラファイトの陰極と、それとの間に1.5cmの空隙を有する陽極として働く銅板との間に、5kVのDC電圧源を印加した。グラファイト棒の全部の先端が明るくなり、それによりグラファイト棒上の分散した先端から電子を均一に発生させることができることが示された。グラファイト棒を加熱しなければ、陰極から電子が放出されることはなく、あるいは先端の一つと陽極プレートとの間にアークが生じたであろう。これは、多数の先端を持つ陰極を使用するのと高温との組み合わせ、すなわち熱−電界放出法が、統合された放出系から電子を均一に放出するのに有効であることを実証するものである。
この例は、図4に例示した電極のような、機械加工した2つのAl2O3耐熱プレートの間に水平に把持した直径0.04インチ(1.0mm)のニッケル−クロム合金の加熱ワイヤを使って行った。ニッケル−クロム加熱ワイヤから直角に突き出した鋭い先端(12.5度)をワイヤの一方の端部におのおの備えた一組の5本のニッケル−クロム合金の放出ワイヤを、2枚の耐熱プレートの間に垂直に配置した。ニッケル−クロムの加熱ワイヤと先端を、AC電源を使用して5%H2及び95%N2のガス混合物中で約870℃に加熱した。陰極と、陽極として働き2つの電極間に6mmの空隙を有する銅板との間に、2.6kVのDC電圧を印加した。5つの先端の全部が明るくなり、全放出電流は2.4mAに達した。ワイヤを加熱しなければ、陰極から電子が放出されることはなく、あるいは先端の一つと陽極プレートとの間にアークが生じたであろう。例3と同じように、例4は熱に支援される電界放出が均一な電子の放出をもたらすことを実証するものである。更に、放出電極の温度がより高いために、それは所定の電位における電子の放出量も増大させる。
この例は、2つの電極間の電圧パルスが陰極の放出に及ぼす効果を実証するために行った。単一先端のニッケル−クロム合金ワイヤを放出電極として使用し、接地した銅プレートをベース電極として働かせた。銅プレートを放出電極の先端の下方3mmのとことに位置させた。銅プレートの上にスズ/鉛はんだプレフォームを配置した。ニッケル−クロムワイヤ、プレフォーム、及び銅プレートを、周囲温度の炉内で4%のH2及び残りがN2のガス混合物中に保持した。種々の周波数及び大きさの単一方向のパルス状電圧を2つの電極間に印加した。これについては、放出電極の電位を接地したベース電極に関し負からゼロに至るまで変化させ、それにより先端電極から電子を発生させた。結果を表2に提示する。
この例は、例5と同じ設備を使って2つの電極の極性を変えることによる表面放電を実証するために行った。
この例は、追加の電極を使用することによる遠隔表面放電を実証するために行った。融点が305℃の90Pb/10Snはんだプレフォームを、電気的に絶縁したウエハ上に配置した銅基材の小片上に配置した。接地した銅プレートをウエハの下に配置し、ベース電極として働かせた。一方は負の電圧、そして一方は正の電圧の、単一先端の2本のニッケル−クロムワイヤを、はんだプレフォームを備えたベース電極の上方1cmのところに取り付けた。2本の単一先端電極間の距離は1.5cmであった。この装置を、N2中に4%のH2を含有するガス混合物中で、室温からはんだの融点より高い所定のリフロー温度まで加熱した。リフロー温度が平衡に達したなら、2本の単一先端電極に正と負の電圧を印加して電子の付着を開始させ、はんだプレフォームが球状のボールを形成するのに要する時間を記録した。球状の半田ボールの形成は酸化物のないはんだ表面を示すものであった。表4に示したように、表面の脱酸素は、はんだの融点より5〜15℃だけ高い、310〜330℃の温度範囲で完全に効果的である。
2…ワイヤ
3…先端
20…ウエハ
22…第1の電極
24…第2の電極
25…パルス状電圧
26…ガス混合物
28…電子
30…水素イオン
100、102…電極
101…鋭い先端
103…ウエハ
104…AC電源
105…パルス状DC電源
Claims (49)
- 基材の処理表面から金属酸化物を除去する方法であって、
第1の電極に近接した基材を用意すること、
第1の電極及び当該基材に近接した第2の電極を用意し、その際、当該処理表面のうちの少なくとも一部分が第2の電極に暴露され且つ第1及び第2の電極と当該基材とがターゲット領域内にあるようにすること、
還元ガスを含むガス混合物を当該ターゲット領域を通過させること、
第1及び第2の電極の間にエネルギーを供給して当該ターゲット領域内で電子を発生させ、その際、電子のうちの少なくとも一部分が当該還元ガスの少なくとも一部分に付着してそれにより負に帯電した還元ガスを生じるようにし、上記エネルギーはパルス状の直流電圧を含むものであること、及び
当該処理表面をこの負に帯電した還元ガスと接触させて当該基材の処理表面の金属酸化物を還元すること、
当該基材の処理表面に蓄積した電子のうちの少なくとも一部分を、第1及び第2の電極の極性を変更して当該基材の処理表面から除去して、当該電子を第2の電極へ戻すこと、
を含み、当該方法を真空を用いずに実施する、基材処理表面の金属酸化物除去方法。 - 前記還元ガスがH2である、請求項1記載の方法。
- 前記ガス混合物がキャリヤガスを更に含む、請求項1記載の方法。
- 前記キャリヤガスが、窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン、ラドン、及びそれらの混合物からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを含む、請求項3記載の方法。
- 前記キャリヤガスが前記還元ガスの電子親和力より小さい電子親和力を持つ、請求項3記載の方法。
- 前記基材が0〜450℃の温度範囲にある、請求項1記載の方法。
- 前記基材が100〜350℃の温度範囲にある、請求項6記載の方法。
- 前記処理表面と第2の電極との距離が0.1〜30cmの範囲である、請求項1記載の方法。
- 前記処理表面と第2の電極との距離が0.5〜5cmの範囲である、請求項8記載の方法。
- 第1の電極を接地する、請求項1記載の方法。
- 第2の電極を接地する、請求項1記載の方法。
- カソード放出、ガス放電、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも1つの追加の方法により前記供給工程において電子を発生させる、請求項1記載の方法。
- 複数のはんだバンプを含む基材の表面から金属酸化物を除去する方法であって、
ターゲットアセンブリとして第1の電極に接続される基材を用意すること、
当該ターゲットアセンブリに隣接した第2の電極を用意し、その際に、複数のはんだバンプを含む表面のうちの少なくとも一部分を第2の電極に暴露するようにすること、
還元ガスとキャリヤガスとを含むガス混合物を第1及び第2の電極の間に供給すること、
第1及び第2の電極の間にパルス状の直流電圧を供給して電子を発生させ、その際に、電子のうちの少なくとも一部分が上記還元ガスの少なくとも一部分に付着してそれにより負に帯電した還元ガスを生じさせるようにすること、
上記ターゲットアセンブリをこの負に帯電した還元ガスと接触させ、その際、負に帯電した還元ガスが上記基材の表面の金属酸化物を還元するようにすること、及び
当該基材の表面に蓄積された電子のうちの少なくとも一部分を、当該基材の表面から電子が放出されて第1及び第2の電極のうちの少なくとも一方へ戻されるように第1及び第2の電極の極性を変更することにより除去すること、
を含む、複数のはんだバンプを含む基材表面の金属酸化物除去方法。 - 極性変更の周波数が0〜100kHzの範囲である、請求項1又は13記載の方法。
- 第2の電極の温度が25〜3500℃の範囲である、請求項13記載の方法。
- 第2の電極の温度が150〜1500℃の範囲である、請求項15記載の方法。
- 第2の電極を移動させる、請求項13記載の方法。
- 前記ターゲットアセンブリを移動させる、請求項13又は17記載の方法。
- 前記電圧が0.01〜50kVの範囲である、請求項13記載の方法。
- 前記電圧が0.1〜30kVの範囲である、請求項19記載の方法。
- 前記基材と第2の電極との距離が0.1〜30cmの範囲である、請求項13記載の方法。
- 前記基材と第2の電極との距離が0.5〜5cmの範囲である、請求項21記載の方法。
- 複数のはんだバンプを含む基材の表面から金属酸化物を除去する方法であって、
第1の電極に接続される基材を用意すること、
第1の電極及び当該基材に近接した第2の電極を用意し、その際、第2の電極が第1の電極に関し電位的に負のバイアスを持ち、且つ複数のはんだバンプを含む表面の少なくとも一部分が第2の電極に暴露されるようにすること、
水素と窒素とを含むガス混合物を第1及び第2の電極の間に送ること、
第1及び第2の電極の間にパルス状の直流電圧を供給して第2の電極から電子を発生させ、その際に、電子のうちの少なくとも一部分が水素に付着して負に帯電した水素イオンを生じさせ、第2の電極の温度が100〜1500℃の範囲にあるようにすること、
当該基材を当該負に帯電した水素イオンと接触させて当該基材の表面の金属酸化物を還元すること、及び
第2の電極の極性を電位的に正のバイアスに変更して当該基材の表面から電子のうちの少なくとも一部分を除去しそして当該電子を第2の電極へ戻すこと、
を含む、複数のはんだバンプを含む基材表面の金属酸化物除去方法。 - 前記複数のはんだバンプを、当該はんだバンプが前記基材の表面のうちの少なくとも一部分を濡らすのに十分な温度に加熱することを更に含む、請求項23記載の方法。
- 前記供給工程における電圧の少なくとも一部分を前記加熱工程のために使用する、請求項24記載の方法。
- 前記電圧のパルスが単一方向性である、請求項13又は23記載の方法。
- 前記電圧のパルスが双方向性である、請求項13又は23記載の方法。
- 前記ガス混合物が0.1〜4体積%の水素を含む、請求項23記載の方法。
- 第2の電極がセグメント化したアセンブリである、請求項23記載の方法。
- 前記ガス混合物の圧力が10〜20psia(69.0〜137.9kPa(絶対圧))の範囲である、請求項23記載の方法。
- 複数のはんだバンプを含む基材の表面から金属酸化物を除去する方法であって、
加熱チャンバ内の第1の電極に接続される基材を用意すること、
第1の電極及び当該基材に近接した第2の電極を用意し、その際に、第2の電極が第1の電極に関し電位的に負のバイアスを持ち、複数のはんだバンプを含む表面のうちの少なくとも一部分を第2の電極に暴露するようにすること、
0.1〜4体積%の水素と1〜99.9体積%の窒素を含むガス混合物を第1及び第2の電極の間に送り、その際に、当該ガス混合物の圧力が10〜20psia(69.0〜137.9kPa(絶対圧))の範囲にあるようにすること、
第1及び第2の電極の間に電圧を供給して第2の電極から電子を発生させ、その際に当該電子のうちの少なくとも一部分が当該水素に付着して負に帯電した水素イオンを生じるようにすること、
当該基材を当該負に帯電した水素イオンと接触させて当該基材の表面の金属酸化物を還元すること、及び
第2の電極の極性を電位的に正のバイアスに変更して当該基材の表面から電子のうちの少なくとも一部分を除去しそして当該電子を第2の電極へ戻すこと、
を含む、複数のはんだバンプを含む基材表面の金属酸化物除去方法。 - 第2の電極が半導体から構成される、請求項23記載の方法。
- 第1の電極が半導体から構成される、請求項23記載の方法。
- ウエハバンピングを含む少なくとも1つのプロセスで当該方法を使用する、請求項1記載の方法。
- 熱−電界放出を含む陰極放出法により前記電子を発生させる、請求項12記載の方法。
- 第2の電極の幾何学形状が表面から突き出した鋭い先端を持つ棒を含む、請求項23記載の方法。
- 第2の電極のための材料がニッケルクロムを含む、請求項23記載の方法。
- 第2の電極を直接加熱を含む少なくとも1つの方法により加熱する、請求項23記載の方法。
- 前記電子をアバランシェ放電を含むガス放電法により発生させる、請求項12記載の方法。
- 基材の処理表面から酸化銅を除去する方法であって、
第1の電極に近接した基材を用意し、この基材は酸化銅を含む処理表面を含むこと、
第1の電極及び当該基材に近接した第2の電極を用意し、その際、この第2の電極は第1の電極に関し電位的に負のバイアスを有し、また第1の電極と第2の電極及び当該基材はターゲット領域内にあるようにし、当該処理表面のうちの少なくとも一部分は第2の電極に暴露され且つ第2の電極は突き出した先端を有するプレートによって形成される形状を有するようにすること、
還元ガスを含むガス混合物を当該ターゲット領域を通過させること、
第1の電極と第2の電極の間にパルス状の直流電圧を供給して当該ターゲット領域内で電子を発生させ、その際、電子のうちの少なくとも一部分が当該還元ガスの少なくとも一部分に付着してそれにより負に帯電した還元ガスを生じるようにすること、
当該処理表面をこの負に帯電した還元ガスと接触させて当該基材の処理表面の金属酸化物を還元すること、及び
第2の電極の極性を電位的に正のバイアスに変更して当該基材の表面から電子のうちの少なくとも一部分を除去しそして当該電子を第2の電極へ戻すこと、
を含む、基材処理表面の酸化銅の除去方法。 - 前記還元ガスがH2を含む、請求項41記載の方法。
- 前記第2の電極がニッケルクロム合金を含む、請求項41記載の方法。
- 前記ガス混合物の圧力が10〜100psia(69.0〜690kPa(絶対圧))の範囲である、請求項41記載の方法。
- 前記電圧が0.1〜30kVの範囲である、請求項41記載の方法。
- 前記基材が100〜350℃の範囲の温度である、請求項41記載の方法。
- 前記電圧を、アークを防ぐため0kVと20kVの間の周波数でパルス状にする、請求項41記載の方法。
- 当該方法が薄膜の脱酸素方法である、請求項41記載の方法。
- 基材の処理表面から酸化銅の薄膜を除去する方法であって、
第1の電極に近接した基材を用意し、この基材は酸化銅の薄膜を含む処理表面を含むこと、
第1の電極及び当該基材に近接した第2の電極を用意し、その際、この第2の電極は第1の電極に関し電位的に負のバイアスを有し、また第1の電極と第2の電極及び当該基材はターゲット領域内にあるようにし、当該処理表面のうちの少なくとも一部分は第2の電極に暴露され、且つ、第2の電極は突き出した先端を有するプレートによって形成される形状を有するようにすること、
圧力が10〜100psia(69.0〜690kPa(絶対圧))のガス混合物を当該ターゲット領域を通過させ、このガス混合物は還元ガスを含み、この還元ガスはH2N2の混合物を含み、この混合物は0.1〜100体積%がH2であること、
第1の電極と第2の電極の間にパルス状の直流電圧を供給して当該ターゲット領域内で電子を発生させ、その際、当該電圧を0.1〜30kVの範囲で供給し、0kHzと20kHzの間の周波数でパルス状にし、そして電子のうちの少なくとも一部分が当該還元ガスの少なくとも一部分に付着してそれにより負に帯電した還元ガスを生じるようにすること、
当該処理表面をこの負に帯電した還元ガスと接触させて当該基材の処理表面の金属酸化物を還元すること、及び
第2の電極の極性を電位的に正のバイアスに変更して当該基材の表面から電子のうちの少なくとも一部分を除去しそして当該電子を第2の電極へ戻すこと、
を含み、当該基材が100〜350℃の範囲の温度である、基材処理表面の酸化銅薄膜の除去方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009280914A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-12-03 | Air Products & Chemicals Inc | 電子付着による表面酸化物の除去 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7157704B2 (en) * | 2003-12-02 | 2007-01-02 | Kronos Advanced Technologies, Inc. | Corona discharge electrode and method of operating the same |
KR100499134B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 압축 접합 방법 |
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US7897029B2 (en) * | 2008-03-04 | 2011-03-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment |
US7387738B2 (en) | 2003-04-28 | 2008-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications |
US20050008550A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-13 | Yixiang Duan | Low-power atmospheric pressure mini-plasma and array for surface and material treatment |
US20050241671A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Dong Chun C | Method for removing a substance from a substrate using electron attachment |
US7923424B2 (en) * | 2005-02-14 | 2011-04-12 | Advanced Process Technologies, Llc | Semiconductor cleaning using superacids |
US7410532B2 (en) | 2005-04-04 | 2008-08-12 | Krichtafovitch Igor A | Method of controlling a fluid flow |
US7434719B2 (en) * | 2005-12-09 | 2008-10-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Addition of D2 to H2 to detect and calibrate atomic hydrogen formed by dissociative electron attachment |
US20070193026A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Chun Christine Dong | Electron attachment assisted formation of electrical conductors |
US20070299239A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Curing Dielectric Films Under A Reducing Atmosphere |
JP2009158145A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Canon Inc | 基板処理装置、基板処理方法、高電圧デバイスの製造方法 |
US8454850B2 (en) * | 2009-09-02 | 2013-06-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for the removal of surface oxides by electron attachment |
US8844793B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-09-30 | Raytheon Company | Reducing formation of oxide on solder |
US9053894B2 (en) * | 2011-02-09 | 2015-06-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment |
US9006975B2 (en) * | 2011-02-09 | 2015-04-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment |
US8496159B2 (en) * | 2011-06-06 | 2013-07-30 | International Business Machines Corporation | Injection molded solder process for forming solder bumps on substrates |
JP2013143542A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 半導体デバイス製造システム及び半導体デバイス製造方法 |
JP2013182961A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5984044B2 (ja) * | 2012-04-16 | 2016-09-06 | 須賀 唯知 | 金属触媒下及び不活性ガス雰囲気下で有機酸ガスを用いた表面酸化物除去方法及び接合装置 |
CN102658443B (zh) * | 2012-05-22 | 2014-01-15 | 江苏科技大学 | 一种钨铜合金与不锈钢钎焊用钎料及钎焊工艺 |
US20160056020A1 (en) * | 2013-03-27 | 2016-02-25 | Washington State University | Systems and methods for treating material surfaces |
CN104425289B (zh) * | 2013-09-11 | 2017-12-15 | 先进科技新加坡有限公司 | 利用激发的混合气体的晶粒安装装置和方法 |
CN103537825A (zh) * | 2013-11-04 | 2014-01-29 | 力诺瑞特(上海)新能源有限公司 | 一种中温集热器铜管焊接保护气体及应用 |
CN105149716A (zh) * | 2015-09-14 | 2015-12-16 | 中山市佑崴自动化科技有限公司 | 一种具有自动对位功能的单双面焊接机 |
JP7419343B2 (ja) * | 2018-08-15 | 2024-01-22 | エヴァテック・アーゲー | 低粒子プラズマエッチング用の方法および装置 |
US10403492B1 (en) * | 2018-12-11 | 2019-09-03 | Mattson Technology, Inc. | Integration of materials removal and surface treatment in semiconductor device fabrication |
US10914521B2 (en) * | 2019-01-24 | 2021-02-09 | Versum Materials Us, Llc | System and method for drying and analytical testing of containers |
KR102213033B1 (ko) * | 2019-05-23 | 2021-02-05 | (주)화인솔루션 | 이온빔 스퍼터링 장치 |
KR20210003620A (ko) * | 2019-07-02 | 2021-01-12 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
US11443936B2 (en) | 2020-06-19 | 2022-09-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for aluminum oxide surface recovery |
KR20220104955A (ko) * | 2021-01-19 | 2022-07-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 중간 전극을 가진 기판 처리 장치 |
CN116160153A (zh) * | 2022-07-23 | 2023-05-26 | 深圳市同方电子新材料有限公司 | 低固含量免清洗助焊剂 |
CN117904593B (zh) * | 2024-03-15 | 2024-05-17 | 上海谱俊科技有限公司 | 金属工件、金属表面复合涂层及其制备方法 |
Family Cites Families (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3742213A (en) * | 1971-01-28 | 1973-06-26 | Franklin Gno Corp | Apparatus and methods for detecting, separating, concentrating and measuring electronegative trace vapors |
JPH01205085A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Mazda Motor Corp | 金属の清浄化方法 |
FR2653633B1 (fr) * | 1989-10-19 | 1991-12-20 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de traitement chimique assiste par un plasma de diffusion. |
DE4032328A1 (de) | 1989-11-06 | 1991-09-19 | Wls Karl Heinz Grasmann Weichl | Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von zu verloetenden fuegepartnern |
DE4025396A1 (de) * | 1990-08-10 | 1992-02-13 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die herstellung eines plasmas |
US5493177A (en) * | 1990-12-03 | 1996-02-20 | The Regents Of The University Of California | Sealed micromachined vacuum and gas filled devices |
US5481084A (en) * | 1991-03-18 | 1996-01-02 | Aluminum Company Of America | Method for treating a surface such as a metal surface and producing products embodying such including lithoplate |
US5345056A (en) * | 1991-12-12 | 1994-09-06 | Motorola, Inc. | Plasma based soldering by indirect heating |
JPH05259124A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 半導体装置の製造法 |
FR2697456B1 (fr) * | 1992-10-30 | 1994-12-23 | Air Liquide | Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche. |
US5409543A (en) * | 1992-12-22 | 1995-04-25 | Sandia Corporation | Dry soldering with hot filament produced atomic hydrogen |
US5735451A (en) * | 1993-04-05 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
US6007637A (en) * | 1993-06-11 | 1999-12-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process and apparatus for the dry treatment of metal surfaces |
FR2713667B1 (fr) * | 1993-12-15 | 1996-01-12 | Air Liquide | Procédé et dispositif de dépôt à basse température d'un film contenant du silicium sur un substrat non métallique. |
FR2713666B1 (fr) * | 1993-12-15 | 1996-01-12 | Air Liquide | Procédé et dispositif de dépôt à basse température d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique. |
FR2713528B1 (fr) * | 1993-12-15 | 1996-01-12 | Air Liquide | Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche de surfaces métalliques avant brasage ou étamage. |
US6021940A (en) * | 1993-12-15 | 2000-02-08 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method and apparatus for reflow soldering metallic surfaces |
US5459632A (en) * | 1994-03-07 | 1995-10-17 | Applied Materials, Inc. | Releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
JP3521587B2 (ja) * | 1995-02-07 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法 |
FR2735053B1 (fr) * | 1995-06-09 | 1997-07-25 | Air Liquide | Procede et dispositif de brasage a la vague integrant une operation de fluxage par voie seche |
US5827158A (en) | 1996-02-08 | 1998-10-27 | Drecksel; Jeremy | Glider resistance apparatus |
CH692446A5 (de) * | 1996-04-15 | 2002-06-28 | Esec Sa | Verfahren zur Herstellung von Werkstücken und von Teilen hierfür |
US5928527A (en) * | 1996-04-15 | 1999-07-27 | The Boeing Company | Surface modification using an atmospheric pressure glow discharge plasma source |
US5941448A (en) * | 1996-06-07 | 1999-08-24 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method for dry fluxing of metallic surfaces, before soldering or tinning, using an atmosphere which includes water vapor |
WO1998000576A1 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for high density plasma chemical vapor deposition |
FR2750622B1 (fr) | 1996-07-02 | 1998-09-25 | Air Liquide | Procede de traitement de surface par voie seche et dispositif pour la mise en oeuvre d'un tel procede |
FR2750620B1 (fr) * | 1996-07-02 | 1998-09-25 | Air Liquide | Dispositif d'excitation de gaz |
US5790365A (en) * | 1996-07-31 | 1998-08-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck |
DE19643865C2 (de) * | 1996-10-30 | 1999-04-08 | Schott Glas | Plasmaunterstütztes chemisches Abscheidungsverfahren (CVD) mit entfernter Anregung eines Anregungsgases (Remote-Plasma-CVD-Verfahren) zur Beschichtung oder zur Behandlung großflächiger Substrate und Vorrichtung zur Durchführung desselben |
DE19717698A1 (de) * | 1997-04-26 | 1998-10-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Aktivierung von elektrischen Leiterbahnen und Platinenoberflächen |
DE19727857C1 (de) | 1997-06-30 | 1999-04-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Plasmarektor mit Prallströmung zur Oberflächenbehandlung |
JPH11163036A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-06-18 | Tamura Seisakusho Co Ltd | バンプ形成方法、はんだ接合用前処理方法、はんだ接合方法、バンプ形成装置、はんだ接合用前処理装置およびはんだ接合装置 |
US6194036B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-02-27 | The Regents Of The University Of California | Deposition of coatings using an atmospheric pressure plasma jet |
US6080283A (en) * | 1997-11-25 | 2000-06-27 | Eveready Battery Company, Inc. | Plasma treatment for metal oxide electrodes |
JPH11214320A (ja) | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体層への不純物領域形成方法及び半導体層への不純物導入装置 |
US6037241A (en) * | 1998-02-19 | 2000-03-14 | First Solar, Llc | Apparatus and method for depositing a semiconductor material |
US6174500B1 (en) * | 1998-06-02 | 2001-01-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Negative ion generating apparatus |
US6250540B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Fluxless joining process for enriched solders |
DE69929271T2 (de) | 1998-10-26 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma | Apparat und Verfahren zur Plasmabehandlung |
JP2000311868A (ja) | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Canon Inc | 負イオンを用いた表面処理装置及び表面処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2000311940A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Canon Inc | 処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US6355571B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device |
US20010049181A1 (en) * | 1998-11-17 | 2001-12-06 | Sudha Rathi | Plasma treatment for cooper oxide reduction |
DE19860474A1 (de) * | 1998-12-28 | 2000-07-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Beschichten von Substraten mittels bipolarer Puls-Magnetron-Zerstäubung |
US6605175B1 (en) * | 1999-02-19 | 2003-08-12 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Process for manufacturing component parts, use of same, with air bearing supported workpieces and vacuum processing chamber |
SE516336C2 (sv) | 1999-04-28 | 2001-12-17 | Hana Barankova | Apparat för plasmabehandling av ytor |
US6570172B2 (en) * | 1999-05-12 | 2003-05-27 | Plasmion Corporation | Magnetron negative ion sputter source |
US6196446B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-03-06 | Lucent Technologies Inc. | Automated fluxless soldering using inert gas |
US6193135B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-02-27 | Lucent Technologies Inc. | System for providing back-lighting of components during fluxless soldering |
WO2001041963A2 (en) | 1999-12-01 | 2001-06-14 | L'Air Liquide Societe Anonyme à Directoire et Conseil de Surveillance pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude | Systems and methods for application of atmospheric plasma surface treatment to various electronic component packaging and assembly methods |
JP2001267729A (ja) | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Nec Corp | 電子部品の実装方法及び電子部品用実装装置 |
WO2001073159A1 (fr) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Procede et appareil permettant de former un film metallique |
US6468833B2 (en) * | 2000-03-31 | 2002-10-22 | American Air Liquide, Inc. | Systems and methods for application of substantially dry atmospheric plasma surface treatment to various electronic component packaging and assembly methods |
JP2001311868A (ja) | 2000-05-02 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 撮像機能付き双眼鏡及びその焦点調節方法 |
US6797639B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-09-28 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
JP2002289584A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Ebara Corp | 表面処理方法 |
JP4112821B2 (ja) | 2001-06-01 | 2008-07-02 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP4580590B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2010-11-17 | パナソニック株式会社 | フラックス除去方法及び装置 |
US6776330B2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-08-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Hydrogen fluxless soldering by electron attachment |
US6902774B2 (en) * | 2002-07-25 | 2005-06-07 | Inficon Gmbh | Method of manufacturing a device |
TWI274622B (en) * | 2003-04-28 | 2007-03-01 | Air Prod & Chem | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment and remote ion generation |
US8361340B2 (en) | 2003-04-28 | 2013-01-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment |
US7897029B2 (en) | 2008-03-04 | 2011-03-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment |
CA2465195C (en) | 2003-04-28 | 2012-06-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Electrode assembly for the removal of surface oxides by electron attachment |
US7079370B2 (en) * | 2003-04-28 | 2006-07-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique electron attachment and remote ion generation |
US7387738B2 (en) | 2003-04-28 | 2008-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications |
JP4707959B2 (ja) | 2004-02-20 | 2011-06-22 | 日本エー・エス・エム株式会社 | シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20050241670A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Dong Chun C | Method for cleaning a reactor using electron attachment |
US7434719B2 (en) | 2005-12-09 | 2008-10-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Addition of D2 to H2 to detect and calibrate atomic hydrogen formed by dissociative electron attachment |
US20070193026A1 (en) | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Chun Christine Dong | Electron attachment assisted formation of electrical conductors |
-
2003
- 2003-04-28 US US10/425,405 patent/US7387738B2/en not_active Expired - Lifetime
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-
2010
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009280914A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-12-03 | Air Products & Chemicals Inc | 電子付着による表面酸化物の除去 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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