JP4876798B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、前記第1配線膜形成工程において、薄膜トランジスタのゲート電極を形成し、前記第2配線膜形成工程において、前記ゲート電極と電気的に接続されるように走査線を形成することを特徴とする。
図1は本発明の電気光学装置の一実施形態である液晶装置を各構成要素とともに対向基板側から見た平面図、図2は図1のH−H’断面図、図3は液晶装置における半導体層、ゲート電極、データ線、画素電極等が形成されたTFT基板の相隣接する複数の画素群を示す要部拡大平面図、図4は図3のA−A’断面に相当する液晶装置の断面図である。尚、以下においては、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例示して説明する。
次に、上述したような構成を有する液晶装置の、特に、TFT基板10上に形成する下層絶縁膜41a〜第1の層間絶縁膜41の製造プロセスについて、図6に示す工程断面図に従って説明する。図6には下地絶縁膜12から第1の層間絶縁膜41までの拡大断面が示されている。尚、図6に示す部位以外の製造プロセスは公知であるため説明を省略する。
次に、図7に示す投射型カラー表示装置の図式的断面図を参照して、上述した液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例である投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。
Claims (3)
- 基板上に第1配線膜を形成する第1配線膜形成工程と、
前記第1配線膜上に絶縁膜を成膜する絶縁膜成膜工程と、
前記絶縁膜上に第2配線膜を形成する第2配線膜形成工程とを備え、
前記絶縁膜成膜工程において、前記第1配線膜の上面及び側面の一部からなる稜部が露呈するように、該第1配線膜の上面及び側面の他部に、前記絶縁膜を前記第1配線膜の膜厚よりも薄く成膜し、
前記第2配線膜形成工程において、前記第1配線膜の稜部と接するように前記第2配線膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記第1配線膜形成工程において、薄膜トランジスタのゲート電極を形成し、
前記第2配線膜形成工程において、前記ゲート電極と電気的に接続されるように走査線を形成することを特徴とする請求項1記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記絶縁膜成膜工程では、前記絶縁膜をプラズマCVD装置を用いて成膜することを特徴とする請求項1記載の電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006235147A JP4876798B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | 電気光学装置の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006235147A JP4876798B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008058578A JP2008058578A (ja) | 2008-03-13 |
JP2008058578A5 JP2008058578A5 (ja) | 2009-09-10 |
JP4876798B2 true JP4876798B2 (ja) | 2012-02-15 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006235147A Expired - Fee Related JP4876798B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4876798B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010103140A (ja) | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Seiko Epson Corp | 容量素子及びその製造方法、並びに電気光学装置 |
JP2015194511A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ホヤ レンズ タイランド リミテッドHOYA Lens Thailand Ltd | 眼鏡レンズを製造するための装置、方法及びプログラム並びに眼鏡レンズの製造方法及びレンズ供給システム |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3473514B2 (ja) * | 1999-07-28 | 2003-12-08 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイの製造方法、トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2002333845A (ja) * | 2000-04-21 | 2002-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネル用基板、その製造方法およびそれに用いる薄膜形成装置 |
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2006
- 2006-08-31 JP JP2006235147A patent/JP4876798B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008058578A (ja) | 2008-03-13 |
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