JP4861396B2 - バランスされたセル電流を有する変換システム - Google Patents

バランスされたセル電流を有する変換システム Download PDF

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Description

関連出願
本願は、2008年2月1日に提出された米国仮出願第61/063,205号に対する優先権を主張し、それは参照によりその全体においてここに組み込まれるものとする。
技術分野
本発明は、変換システムに関し、特に、バランスされた(balanced)セル電流を有する変換システムに関するものである。
幾つかの従来の電圧比較回路は、電圧トリミングを必要とする。例えば、第1の端子における電圧がVであるならば、第2の端子における電圧はVであり、第1の端子及び第2の端子間の電圧V12は、V12=V−Vによって与えられ得る。電圧V12を1つまたは2つ以上の基準電圧と比較して過電圧または不足電圧のようなセル状態をチェックするために、基準電圧は、V2(またはV1)に等しい基準レベルに関していることが必要であり得る。おまけに、基準レベルは、異なった要件に従って調節されることが必要であり得、このことは、多くの基準電圧トリミング・プロセスを必要とし得る。直列における多数の(multiples)セルのための幾つかの従来のバッテリ保護制御器においては、セル電圧のすべては、1つまたは2つ以上のトリミングされた(trimmed)基準電圧と比較されることが必要であり得る。このようなバッテリ保護制御器は、多くのトリミング・プロセスを必要とし得、このことは、価格を高め得る。従って、接地に対してセル電圧をシフトさせるために、かつ次に、セル電圧を1つまたは2つ以上の所定の接地ベースの基準電圧と比較するために、電圧変換回路が用いられ得る。
図1は、従来の電圧対電圧変換回路100のブロック図を示す。図1に示されるように、変換回路100は、それぞれ複数のセル電圧V102_1、V102_2、V102_3及びV102_4を有する複数のセル102_1−102_4と、セル102_1−102_4に結合された複数のスイッチ104_1−104_4と、セル102_1−102_4に結合された複数のスイッチ106_1−106_4と、スイッチ104_1−104_4及びスイッチ106_1−106_4間に結合された電圧レベル・シフタ140とを含む。電圧レベル・シフタ(shifter)140は、複数のスイッチ104_1−104_4の各スイッチ及び複数のスイッチ106_1−106_4の各スイッチを順次にターン・オンすることにより、各セル102_1−102_4のセル電圧V102_1、V102_2、V102_3及びV102_4を表す電圧130を出力することができる。例えば、スイッチ104_4及び106_4がターン・オンされるとき、電圧レベル・シフタ140は、演算増幅器120及び抵抗112、114、116及び118の適用により、セル102_4のセル電圧に比例している電圧130を出力し得る。
スイッチ104_4及び106_4がオンであるとき、l102_3がセル102_1−102_3を通って流れる電流であり、l106_4がスイッチ106_4を通って流れる電流であるならば、セル102_4を通って流れる電流l102_4は、
102_4=l102_3−l106_4
によって与えられ得る。結果として、セル102_4を通って流れる電流l102_4は、セル102_1−102_3を通って流れる電流l102_3とアンバランスにされる。同様に、セル102_1−102_3のセル電圧をサンプリングするとき、セル102_1−102_4を通って流れる電流もアンバランスされる。
さらに、従来の回路100は、セル102_1−102_4の各セルのセル電圧を順次にサンプリングすることだけができ、このことは、多くの応用において、すべてのセル電圧を同時にサンプリングするという要件を叶え得ない。
図2は、従来の電圧対電流変換回路200のブロック図を示す。図2に示されるように、変換回路200は、複数のセル202_1−202_4と、複数のセル202_1−202_4にそれぞれ並列に結合された複数の電圧対電流変換器212_1−212_4とを含む。図2に示されるように、変換器212_2−212_4の各々は、対応の演算増幅器(204_2、204_3、または204_4)と、対応のPMOSFET(206_2、206_3、または206_4)と、対応の抵抗(208_2、208_3、または208_4)とをそれぞれ含む。変換器212_1は、抵抗208_1を含む。変換器212_1−212_4は、セル202_1−202_4のセル電圧をそれぞれ電流I208_1、I208_2、I208_3、及びI208_4に変換する。例えば、抵抗208_iを通して流れる電流I208_iは、
208_i=V202_i/R208_i
によって与えられ、ここに、V202_iは、セル202_iのセル電圧であり、R208_iは、抵抗208_iの抵抗である(i=1、2、3、4)。
図2に示されるように、I204_2、I204_3、及びI204_4は、それぞれ演算増幅器204_2−204_4の動作電流であり、I208_1、I208_2、I208_3、及びI208_4は、それぞれ抵抗208_1−208_4を通して流れる電流である。もし、電圧V202_1、V202_2、V202_3、及びV202_4が同じ電圧V202に等しく、かつ抵抗R208_1、R208_2、R208_3、及びR208_4が同じ抵抗R208を有するならば、次に、電流I208_1、I208_2、I208_3、及びI208_4は、同じ電流I208(I208=V202/R208)に等しい。さらに、電流I204_2、I204_3、及びI204_4は、同じ電流I204に等しいことができる。このようなものとして、セル202_1−202_4を通してそれぞれ流れる電流I202_1、I202_2、I202_3、及びI202_4は、
Figure 0004861396
によって与えられ得る。結果として、セル202_1−202_4を通してそれぞれ流れる電流I202_1、I202_2、I202_3、及びI202_4は、互いにバランスされない。
一実施形態においては、変換システムは、複数のセルに結合されて、それぞれセルのセル電圧を示す複数のサンプリング信号を発生する変換回路を含む。各サンプリング信号は、同じ基準レベルに関している。さらに、変換システムは、一実施形態においては、セルを通してそれぞれ流れる電流をバランスさせるために変換回路を介して複数のセルの少なくとも1つのセルを通して流れる補償電流を発生するために、変換回路に結合された補償回路を含む。
本明細書に組み込まれて本明細書の部分を形成する添付図面は本発明の実施形態を示し、かつ本明細書と共に本発明の原理を説明するよう働く。
さて、本発明の実施形態を詳細に参照する。本発明を、これらの実施形態と共に説明するけれども、それらは、本発明をこれらの実施形態に制限するよう意図するものではないことを理解されたい。反対に、本発明は、特許請求の範囲によって限定される本発明の精神並びに範囲内に含まれ得る代替物、変更物及び等価物を包摂するよう意図されている。
さらに、本発明の以下の詳細な説明においては、本発明の全体的理解を提供するよう、多くの特定の詳細が述べられる。しかしながら、本発明は、これらの特定の詳細が無くても実効され得るということが当業者には認識されるであろう。他の場合においては、良く知られた方法、手順、構成要素、及び回路は、本発明の態様を不必要に分かり難くしないように詳細には説明しなかった。
一実施形態においては、本発明は、多数のセルのセル電圧を同時にサンプリングするために用いられる変換システムを提供する。セルを通してそれぞれ流れる電流は、セル電圧がサンプリングされているときに互いにバランスされ得る。一層詳細には、複数の変換器(例えば、電圧対電流変換器、電圧対電圧変換器、電圧対周波数変換器、電圧対温度変換器)が、複数のセルにそれぞれ並列に結合され得、それにより、複数の変換器は、複数のセルのセル電圧を、それぞれ複数のサンプリング信号(例えば、サンプリング電圧、サンプリング電流、サンプリング周波数、サンプリング温度)に同時に変換することができる。一実施形態においては、複数のサンプリング信号は、それぞれ複数のセルのセル電圧を示すことができる。さらに、補償回路が、複数のセルを通してそれぞれ流れる電流をバランスさせるために変換システムにおいて履行され得る。
図3Aは、本発明の一実施形態による変換システム300の例示的なブロック図を示す。変換システム300は、複数のセル302_1−302_4の複数のセル電圧をそれぞれ示す複数のサンプリング信号322_1−322_4を発生するために複数のセル302_1−302_4に結合される変換回路320を含み得る。一実施形態においては、各サンプリング信号322_1−322_4のレベルは、同じ基準レベルVrefに対している。図3Aの例においては、4つのセル302_1−302_4が示されている。しかしながら、任意の数のセルが変換システム300内に含まれ得る。
図3Aに示されるように、変換回路320は、複数のセル302_1−302_4に並列にそれぞれ結合される複数の変換器320_1−320_4を含み得る。各変換器320_1−320_4は、複数のサンプリング信号322_1−322_4の対応のサンプリング信号を発生することができる。
一実施形態においては、複数のサンプリング信号322_1−322_4は、複数のサンプリング電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4であり得る。一層詳細には、一実施形態においては、各変換器320_1−320_4は、複数のセル302_1−302_4の対応のセルのセル電圧を、電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4に変換することができる。変換器320_1−320_4によって発生される複数の電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4は、それぞれ、複数のセル302_1−302_4のセル電圧を示すことができる(に比例していることができる)。もう1つの実施形態においては、複数のサンプリング信号322_1−322_4は、複数のサンプリング電圧であることができる。例えば、変換された電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4の各々は、一実施形態においては、対応の抵抗(図3Aには示されない)によって対応の電圧に変換され得る。
変換された電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4は、サンプリング回路/モニタ(図3Aには示されない)によってサンプリングされ/モニタされ得る。このようなものとして、変換システム300は、一実施形態においては、複数のセル302_1−302_4のセル電圧を同時にサンプリングする/モニタするために用いられ得る。
変換された電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4は、また、複数のセル302_1−302_4の望ましくないセル状態(例えば、過充電状態、過放電状態)を検出するために比較器(または競争式[a winner-take-all]ネットワーク)に供給され得る。一実施形態においては、変換された電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4は、また、対応の抵抗によって電圧に変換され得、そして電圧の各々は、次に、望ましくないセル状態(例えば、過充電(over-charging)状態、過放電(over-discharging)状態)を検出するために基準電圧と比較される。従って、変換システム300は、複数のセル302_1−302_4のためのバッテリ保護応用において用いられ得る。さらに、変換システム300は、セル・バランシング・システムにおいて用いられ得る。
さらに、変換システム300は、セル302_1−302_4を通してそれぞれ流れる複数の電流(I302_1、I302_2、I302_3、及びI302_4)をバランスさせるための変換回路320を介して複数のセル302_1−302_4の少なくとも1つのセルを通して流れる補償電流IMP1を発生させるために変換回路320に結合される補償回路330を含み得る。一実施形態においては、補償電流IMP1は、変換回路320を介して複数のセル302_1−302_4の少なくとも最上部のセル302_4を通して流れ得る。本開示の一実施形態においては、最上部のセルは、バッテリ・パックの正の端子に最も近いセルである。長所的には、変換システム300は、複数のセル302_1−302_4のためのセル電圧を同時にサンプリングすることができ、そして複数のセル302_1−302_4を通して流れる電流は、バランスされることができる。
図3Bは、本発明の一実施形態による変換システム300’の例示的な詳細回路図を示す。図3Aにおけるのと同じ符号を付された要素は、同じ機能を有するものであり、ここでは繰返し説明しない。図3Bに示されるように、変換器320_2−320_4の各変換器は、対応のセル(302_2、302_3、または302_4)に並列に結合された対応の演算増幅器(304_2、304_3、または304_4)と、対応の演算増幅器(304_2、304_3、または304_4)及び対応のセル(302_2、302_3、または302_4)間に結合された対応の抵抗(308_2、308_3、または308_4)と、対応の演算増幅器(304_2、304_3、または304_4)及び対応の抵抗(308_2、308_3、または308_4)間に結合された対応のスイッチ(例えば、MOSFET306_2、306_3、または306_4)とを含み得る。一実施形態においては、変換器320_1は、抵抗308_1及び抵抗314を含む。
一実施形態においては、演算増幅器304_4の正の端子における電圧は、演算増幅器304_4の負の端子における電圧に等しく仕向けられるので、抵抗308_4の電圧は、セル302_4のセル電圧V302_4に等しい。抵抗308_4の抵抗値がR308であると仮定すると、次に、抵抗308_4を通して流れるサンプリング電流I322_4は、
322_4=V302_4/R308 (1a)
である。同様に、抵抗308_3及び308_2は、同じ抵抗値R308を有することができ、そして以下の式
322_3=V302_3/R308、及び (1b)
322_2=V302_2/R308 (1c)
を得ることができ、ここに、V302_3は、セル302_3のセル電圧であり、V302_2は、セル302_2のセル電圧である。一実施形態においては、抵抗308_1の抵抗値R308_1と抵抗314の抵抗値R314との合計は、R308に等しいことができ、それ故、
322_1=V302_1/R308 (1d)
であり、ここに、V302_1は、セル302_1のセル電圧である。このようなものとして、サンプリング電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4は、それぞれセル302_1−302_4のセル電圧V302_1、V302_2、V302_3、及びV302_4を示す(に比例している)ことができる。
一実施形態においては、各サンプリング電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4は、対応の抵抗(例えば、抵抗314と一緒に抵抗380_1、抵抗315、316、または316)によって対応の電圧(V、V、V、またはV)に変換され得る。従って、図3Aに示される各サンプリング信号322_1−322_4は、また、対応のセル302_1−302_4の対応のセル電圧(V302_1、V302_2、V302_3、またはV302_4)に比例するサンプリング電圧(例えば、V、V、V、またはV)でもあり得る。
一実施形態においては、各サンプリング電圧V、V、V、またはVは、同じ基準レベルVrefに関している。従って、各サンプリング電圧V、V、V、またはVは、バッテリの保護/管理目的のために同じ基準レベルVrefに関してもいる基準電圧と比較され得る。結果として、多数のトリミングされた基準及びトリミングのための価格が避けられ得る。一実施形態においては、基準レベルVrefは、接地であることができ、それ故、基準電圧Vrefのための1つのトリミング・プロセスだけが用いられ得る。
図3Bに示されるように、補償回路330は、少なくとも1つのサンプリング信号、例えば、サンプリング信号322_1を受信しそして該受信されたサンプリング信号に従って基準電流IMP0を発生するために変換回路320に結合された変換器338を含み得る。さらに、補償回路330は、基準電流IMP0を受信しそして該基準電流IMP0に従って補償電流IMP1を発生するために変換器338に結合された電流源340(例えば、基準電流源、電流ミラー)を含み得る。一実施形態においては、図3Bに示されるように、MOSFET342/344のゲートにおける電圧VBPは、演算増幅器304_2−304_4に対するバイアス電圧として使用され得る。
一層詳細には、変換器338は、変換器320_1に結合された演算増幅器332と、演算増幅器332及び変換器320_1間に結合された抵抗334と、抵抗334及び演算増幅器332間に結合されたスイッチ336(例えば、MOSFET)とを含み得る。図3Bの例においては、演算増幅器332の正の端子における電圧は、演算増幅器332の負の端子における電圧と等しいように仕向けられ、それ故、以下の式
Figure 0004861396
が得られ得、ここに、R334は、抵抗334の抵抗値である。従って、電流IMP0は、
Figure 0004861396
によって与えられる。一実施形態においては、電流源340は、電流ミラーであり得る。このようなものとして、補償電流IMP1は、
Figure 0004861396
によって与えられる。
一実施形態においては、I304_2、I304_3、及びI304_4は、それぞれ演算増幅器304_2−304_4の動作電流であり、I332は、演算増幅器332の動作電流である。演算増幅器の動作電流は、一実施形態においては、演算増幅器の電源端子から演算増幅器の浮遊接地に流れる電流である。一実施形態においては、変換器320_4は、上部セル302_4に並列に結合された演算増幅器304_4を含み得、そして演算増幅器304_4の動作電流I304_4は、下部セル302_2の正の端子に流れることができる。同様に、変換器320_3は、上部セル302_3に並列に結合された演算増幅器304_3を含み得、そして演算増幅器304_3の動作電流I304_3は、下部セル302_1の正の端子に流れることができる。さらに、図3Bの例においては、補償電流IMP1は、一実施形態においては、変換回路320を介して複数のセル302_1−302_4の上部セル302_4を通して流れる。
従って、セル302_1−302_4を通してそれぞれ流れる電流は、
Figure 0004861396
のように得られ得る。
一実施形態においては、電流I304_3は、電流I322_1に等しいように設計され得、電流I304_4は、電流I322_2に等しいように設計され得る。式(4)によれば、R314=R334であるとき、電流IMP1は、電流I322_1に等しいことができる。一実施形態においては、セル電圧V302_1、V302_2、V302_3、及びV302_4が、同じ電圧V302に等しいならば、サンプリング電流I322_1、I322_2、I322_3、及びI322_4は、同じ電流I322(I322=V302/R308)に等しいことができる。式(5a)、(5b)、(5c)、及び(5d)によれば、
Figure 0004861396
が得られ得る。結果として、セル302_1−302_4を通してそれぞれ流れる電流I302_1、I302_2、I302_3、及びI302_4は、互いにバランスされ得る。長所的には、補償電流IMP1は、少なくとも1つのサンプリング信号(例えば、サンプリング電流I322_1)に比例することができる。動作電流I304_4は、セル302_2のセル電圧V302_2に比例することができる。動作電流I304_3は、セル302_1のセル電圧V302_1に比例することができる。一実施形態においては、動作電流I304_2は、電流I322に等しいように設計され得るが、それに制限されるものではない。
図3Bの例においては、補償回路330は、上部のセル302_4を通して流れる1つの補償電流IMP1を発生することができる。しかしながら、セルの数及び異なった適用に依存して、複数の補償電流も、また、複数のセルを通してそれぞれ流れる電流をバランスさせるために補償回路330によって発生され得る。例えば、補償回路330は、一実施形態においては、上部の2つのセルを通して流れる補償電流を発生することができる。
一実施形態においては、電流源340は、幅/長さ比W/Lを有するMOSFET342と、幅/長さ比W/Lを有するMOSFET344と、を含む基準電流源であることができる。基準電流源340は、KMP0に等しい補償電流IMP1(IMP1=KMP0)を出力することができる。パラメータKは、W/L及びW/Lによって定義され得る。このようなものとして、式(4)によれば、以下の式
Figure 0004861396
が得られ得る。従って、K314/R334=1のとき、補償電流IMP1は、また、一実施形態においては、基準電流源340のパラメータを調節することによって、I322_1に等しくあることもできる。
図4は、本発明の一実施形態による、変換システム300’によって行われる動作の例示的なフローチャート400を示す。図4は、図3A及び図3Bと組み合わせて説明される。
ブロック402において、複数のセル302_1−302_4の複数のセル電圧(V302_1、V302_2、V302_3、及びV302_4)を示す複数のサンプリング信号322_1−322_4がそれぞれ発生され得る。一実施形態においては、各サンプリング信号322_1−322_4は、同じ基準レベルVrefに関している。例えば、基準レベルVrefは、接地であることができる。
一層詳細には、サンプリング信号322_1−322_4は、セル302_1−302_4にそれぞれ並列に結合された複数の変換器320_1−320_4によって発生され得る。一実施形態においては、各サンプリング信号322_1−322_4は、複数のセル電圧(V302_1、V302_2、V302_3、及びV302_4)の対応のセル電圧に比例するサンプリング電圧(例えば、V、V、V、またはV)を含む。各サンプリング電圧(例えば、V、V、V、またはV)は、基準レベルVrefにも関している少なくとも1つの基準電圧と比較され得る。
ブロック404においては、複数のセル302_1−302_4の少なくとも1つのセル(例えば、上部のセル302_4)を通して流れる補償電流IMP1は、少なくとも1つのサンプリング信号に従って発生され得る。例えば、基準電流IMP0は、サンプリング信号322_1に従って発生され得、そして補償電流IMP1は、一実施形態においては、基準電流IMP0に従って複数のセル302_1−302_4に結合される電流源340によって発生され得る。
一実施形態においては、複数の変換器320_1−320_4の1つの変換器は、複数のセル302_1−302_4の上部のセルに並列に結合された演算増幅器を含み得、そして演算増幅器の動作電流は、複数のセル302_1−302_4の下部のセルの正の端子に流れることができる。上述の動作電流は、上述の下部のセルのセル電圧に比例することができる。さらに、上述の補償電流IMP1は、補償回路330によって受信されるサンプリング信号(例えば、サンプリング信号322_1)に比例することができる。それ故、ブロック406において説明するように、複数のセルを通してそれぞれ流れる複数の電流は、一実施形態においては、補償電流IMP1によってバランスされることができる。
図5は、本発明の一実施形態によるバッテリ管理システム500の例示的なブロック図を示す。図3A及び図3Bにおけるのと同じラベルが付された要素は、同様の機能を有し、ここでは繰返し説明しないであろう。
図5に示されるように、バッテリ管理システム500は、変換回路320、補償回路330及びプロセッサ508を含む。一実施形態においては、プロセッサ508は、複数のサンプリング信号322_1−322_4を受信し、そしてセル302_1−302_4を制御するためにサンプリング信号322_1−322_4に従って制御信号(例えば、518、522、524、等)を発生することができる。電源502(例えば、アダプタ)は、複数のセル302_1−302_4を充電するために、及び/または、負荷504(例えば、システム負荷)を付勢するために用いられ得る。負荷504は、また、セル302_1−302_4によっても付勢され得る。
一実施形態においては、もし電源502(例えば、アダプタ)が利用可能であるならば、電源502は、複数のセル302_1−302_4を充電するために、及び/または、システム負荷504を付勢するために用いられ得る。電源502が複数のセル302_1−302_4を充電しているとき、プロセッサ508は、サンプリング信号322_1−322_4を受信することによって、セル302_1−302_4の状況を監視することができる。もし、望ましくない状態(例えば、バッテリの過充電状態)が監視されたならば、プロセッサ508は、バッテリ保護の目的で充電スイッチ512をターン・オフするよう制御信号522を発生することができる。
もう1つの実施形態においては、もし電源502が利用可能でないならば、システム負荷504は、セル302_1−302_4によって付勢され得る。一実施形態においては、複数のセル302_1−302_4がシステム負荷504を付勢するために用いられるとき、プロセッサ508は、サンプリング信号322_1−322_4を受信することによって複数のセル302_1−302_4の状況を監視することができる。もし、望ましくない状態(例えば、バッテリの過充電状態)が監視されたならば、プロセッサ508は、バッテリ保護の目的で充電スイッチ514をターン・オフするよう制御信号524を発生することができる。
さらに、もし、セル302_1−302_4の中にセル電圧のアンバランスの状態がプロセッサ508によって監視されるならば、プロセッサ508は、一実施形態においては、セル302_1−302_4のセル電圧のバランスを制御するために制御信号518を発生することができる。一実施形態においては、もし、すべてのセル302_1−302_4が充分に充電されたならば、制御信号518は、また、バッテリ充電を終了させるために用いられることもできる。
従って、本発明は、複数のセルの複数のセル電圧を複数のサンプリング信号に同時に変換することができる変換システムを提供する。長所的には、セルを通してそれぞれ流れる電流は、互いにバランスされることができる。一実施形態においては、変換システムは、多くの応用において、例えば、バッテリ管理システム、セル電圧サンプリング/モニタリング・システム、バッテリ充電/放電システム、及びバッテリ保護システム、において用いられることができる。
上述の説明及び図面は、本発明の実施形態を表しているけれども、それにおいて、種々の追加、変更及び置き換えが、添付図面に限定された本発明の原理の精神及び範囲から逸脱することなく行われ得る。当業者は、本発明の原理から逸脱することなく、本発明が、形態、構造、配列、比例、材料、素子、及び構成要素の多くの変更と共に用いられ得、そうでなければ、特定の環境及び動作要件に特に適合された本発明の履行において用いられ得るということを理解するであろう。現在開示した実施形態は、従って、あらゆる観点において、説明のためのものとして考慮されるべきであり、制限するためのものとしては考慮されるべきではなく、本発明の範囲は、特許請求の範囲並びにそれらの合法的等価物によって示されるものであり、前述の説明に制限されるものではない。
従来技術による電圧対電圧変換回路を示すブロック図である。 従来技術による電圧対電流変換回路を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による変換システムを示す例示的なブロック図である。 本発明の一実施形態による変換システムを示す例示的な詳細回路図である。 本発明の一実施形態による、変換システムによって行われる動作を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態によるバッテリ管理システムを示す例示的なブロック図である。
符号の説明
300 変換システム
302_1−302_4 複数のセル
304_2、304_3、304_4 演算増幅器
306_2、306_3、306_4 スイッチ(MOSFET)
308_1−308_4 抵抗
314 抵抗
320 変換回路
320_1−320_4 複数の変換器
330 補償回路

Claims (27)

  1. 複数のセルの複数のセル電圧をそれぞれ示す複数のサンプリング信号を発生するために複数のセルに結合された変換回路であって、前記複数のサンプリング信号の各サンプリング信号のレベルは、同じ基準レベルに関している、前記変換回路と、
    前記複数のセルを通してそれぞれ流れる複数の電流をバランスさせるために前記変換回路を介して前記複数のセルの少なくとも1つのセルを通して流れる補償電流を発生するために前記変換回路に結合される補償回路と、
    を備えた変換システム。
  2. 前記補償電流は、前記変換回路を介して前記複数のセルの少なくとも上部のセルを通して流れる請求項1に記載の変換システム。
  3. 前記補償回路は、
    前記複数のサンプリング信号の少なくとも1つのサンプリング信号を受信するために、かつ、前記少なくとも1つのサンプリング信号に従って基準電流を発生するために、前記変換回路に結合された変換器と、
    前記基準電流を受信するために、かつ、前記基準電流に従って前記補償電流を発生するために、前記変換器に結合された電流源と、
    を備える請求項1に記載の変換システム。
  4. 前記補償電流は、前記少なくとも1つのサンプリング信号に比例する請求項3に記載の変換システム。
  5. 前記変換回路は、前記複数のセルにそれぞれ並列に結合された複数の変換器を備え、前記複数の変換器の各変換器は、前記複数のサンプリング信号の対応のサンプリング信号を発生する請求項1に記載の変換システム。
  6. 前記複数の変換器の1つの変換器は、前記複数のセルの上部のセルに並列に結合された演算増幅器を備え、前記演算増幅器の動作電流は、前記複数のセルの下部のセルの正の端子に流れる請求項5に記載の変換システム。
  7. 前記動作電流は、前記下部のセルのセル電圧に比例する請求項6に記載の変換システム。
  8. 前記複数のサンプリング信号の各サンプリング信号は、前記複数のセル電圧の対応のセル電圧に比例するサンプリング電圧を含む請求項1に記載の変換システム。
  9. 前記サンプリング電圧は、前記同じ基準レベルに関している基準電圧と比較される請求項8に記載の変換システム。
  10. 前記同じ基準レベルは、接地である請求項1に記載の変換システム。
  11. 複数のセルの複数のセル電圧をサンプリングするための方法であって、
    それぞれ前記複数のセル電圧を表わす複数のサンプリング信号を発生するステップであって、前記複数のサンプリング信号の各サンプリング信号のレベルは、同じ基準レベルに関しているものである、ステップと、
    前記複数のサンプリング信号の少なくとも1つのサンプリング信号に従って前記複数のセルの少なくとも1つのセルを通して流れる補償電流を発生するステップと、
    前記補償電流によって前記複数のセルを通してそれぞれ流れる複数の電流をバランスさせるステップと、
    を含む方法。
  12. 前記少なくとも1つのサンプリング信号に従って基準電流を発生するステップと、
    前記基準電流に従って前記複数のセルに結合された電流源によって前記補償電流を発生するステップと、
    をさらに含む請求項11に記載の方法。
  13. 前記補償電流は、前記少なくとも1つのサンプリング信号に比例する請求項11に記載の方法。
  14. 前記複数のセルに並列にそれぞれ結合された複数の変換器によって前記複数のサンプリング信号を発生するステップをさらに含む請求項11に記載の方法。
  15. 前記複数の変換器の1つの変換器は、前記複数のセルの上部のセルに並列に結合された演算増幅器を備え、前記演算増幅器の動作電流は、前記複数のセルの下部のセルの正の端子に流れる請求項14に記載の方法。
  16. 前記動作電流は、前記下部のセルのセル電圧に比例する請求項15に記載の方法。
  17. 前記複数のサンプリング信号の各サンプリング信号は、前記複数のセル電圧の対応のセル電圧に比例するサンプリング電圧を含む請求項11に記載の方法。
  18. 前記サンプリング電圧を、前記同じ基準レベルに関している基準電圧と比較するステップをさらに含む請求項17に記載の方法。
  19. 前記同じ基準レベルは、接地である請求項11に記載の方法。
  20. バッテリ管理システムであって、
    複数のセルの複数のセル電圧をそれぞれ示す複数のサンプリング信号を発生するために複数のセルに結合された変換回路であって、前記複数のサンプリング信号の各サンプリング信号のレベルは、同じ基準レベルに関している、前記変換回路と、
    前記複数のセルを通してそれぞれ流れる複数の電流をバランスさせるために前記変換回路を介して前記複数のセルの少なくとも1つのセルを通して流れる補償電流を発生するために前記変換回路に結合される補償回路と、
    前記複数のサンプリング信号を受信するための、かつ、前記複数のセルを制御するために前記複数のサンプリング信号に従って制御信号を発生するためのプロセッサと、
    を備えたバッテリ管理システム。
  21. 前記補償電流は、前記変換回路を介して前記複数のセルの少なくとも上部のセルを通して流れる請求項20に記載のバッテリ管理システム。
  22. 前記補償回路は、
    前記複数のサンプリング信号の少なくとも1つのサンプリング信号を受信するために、かつ、前記少なくとも1つのサンプリング信号に従って基準電流を発生するために、前記変換回路に結合された変換器と、
    前記基準電流を受信するために、かつ、前記基準電流に従って前記補償電流を発生するために、前記変換器に結合された電流源と、
    を備える請求項20に記載のバッテリ管理システム。
  23. 前記変換回路は、前記複数のセルにそれぞれ並列に結合された複数の変換器を備え、前記複数の変換器の各変換器は、前記複数のサンプリング信号の対応のサンプリング信号を発生する請求項20に記載のバッテリ管理システム。
  24. 前記複数の変換器の1つの変換器は、前記複数のセルの上部のセルに並列に結合された演算増幅器を備え、前記演算増幅器の動作電流は、前記複数のセルの下部のセルの正の端子に流れる請求項23に記載のバッテリ管理システム。
  25. 前記動作電流は、前記下部のセルのセル電圧に比例する請求項24に記載のバッテリ管理システム。
  26. 前記複数のサンプリング信号の各サンプリング信号は、前記複数のセル電圧の対応のセル電圧に比例するサンプリング電圧を含む請求項20に記載のバッテリ管理システム。
  27. 前記サンプリング電圧は、前記同じ基準レベルに関している基準電圧と比較される請求項26に記載のバッテリ管理システム。
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