JP4855398B2 - 成膜装置、薄膜の製造装置、及び成膜方法 - Google Patents
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Description
本発明は成膜装置であって、前記窓部は前記ターンテーブルの回転中心を中心とした同一円周上に一列に等間隔を空けて並べられ、一の成膜場所に前記窓部を静止させた時に、他の成膜場所にも前記窓部が静止するように構成された成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記移動室には搬入室が接続され、前記搬入室内には搬送ロボットが配置され、前記窓部が移動する移動経路上には、前記搬送ロボットによって前記搬入室から搬入された前記処理対象物が前記載置プレート上に載置される搬入場所が設けられ、前記窓部の個数は成膜場所の個数よりも多く、前記各成膜場所に前記窓部をそれぞれ静止させたときには、前記搬入場所にも前記窓部が静止するように構成された成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記移動室には搬出室が接続され、前記搬出室内には搬送ロボットが配置され、前記移動経路上には、前記搬送ロボットによって前記処理対象物が前記窓部上の前記載置プレートから前記搬出室へ搬出される搬出場所が設けられ、前記搬入場所に前記窓部を静止させたときには、前記搬出場所にも前記窓部が静止するように構成された成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記成膜場所は、前記搬入場所と前記搬出場所の間に並べられ、前記搬入場所と前記搬入場所に隣接する前記成膜場所との間の間隔と、前記搬出場所と前記搬出場所に隣接する前記成膜場所との間の間隔と、前記成膜場所と前記成膜場所との間の間隔は、互いに略等しくされた成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記搬出場所と前記搬入場所との間の間隔は、前記成膜場所と前記成膜場所との間の間隔と同じにされた成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記載置プレートを保持可能な保持部を有し、前記載置プレートは前記保持部に保持された状態で、前記保持部と一緒に前記窓部を通過可能に構成された成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記保持部は、前記保持部に保持された前記載置プレートと一緒に、水平面内で回転可能に構成された成膜装置である。
本発明は、複数の成膜源上に基板を順番に送り、前記各成膜源上で前記基板表面に前記成膜源から放出される成膜材料をそれぞれ到達させ、前記基板表面上に複数層の前記成膜材料の膜形成する成膜装置であって、複数の前記成膜源上に配置されたターンテーブルを有し、前記ターンテーブルに形成された窓部に前記基板を載置し、前記ターンテーブルを水平面内で回転させると、前記成膜源上に前記基板が順番に送られ、前記ターンテーブルに設けられた窓部を前記成膜源上にそれぞれ静止させて、前記成膜源上の前記各窓部を通して前記基板をそれぞれ下降させると、前記各成膜源に1枚の前記基板がそれぞれ近づけられ、前記基板が近づけられた状態で、前記各成膜源上で前記基板表面への成膜を行えるように構成された成膜装置である。
本発明は複数の成膜装置を有する製造装置であって、前記各成膜装置は、移動室と、前記移動室内に配置されたターンテーブルと、前記移動室にそれぞれ接続された複数の成膜室とを有し、前記各成膜室は前記ターンテーブルの下方に配置された成膜源を有し、前記成膜源は成膜材料粒子を放出するように構成され、前記ターンテーブルには複数の窓部が形成され、前記各窓部上には、処理対象物が載置可能な載置プレートが配置され、前記ターンテーブルを水平面内で回転させたときに、前記各窓部は前記成膜源の上方の成膜場所を移動できるように構成され、前記ターンテーブルに設けられた窓部が前記成膜源上にそれぞれ静止され、前記成膜源上の前記各窓部を通して前記基板がそれぞれ下降され、前記各成膜源に1枚の前記基板がそれぞれ近づけられて、前記各成膜源上で前記基板表面への成膜が行われ、前記各移動室には搬入室と搬出室がそれぞれ接続され、前記搬入室の内部と前記搬出室の内部には搬送ロボットがそれぞれ配置され、前記窓部が移動する移動径路上には、前記搬送ロボットによって前記搬入室から搬入された前記処理対象物が前記載置プレート上に載置される搬入場所と、前記搬送ロボットによって前記処理対象物が前記窓部上の前記載置プレートから前記搬出室へ搬出される搬出場所がそれぞれ設けられ、前記窓部の個数は、成膜場所の個数よりも多く、前記各成膜場所に前記窓部をそれぞれ静止させたときには、前記搬入場所と前記搬出場所にも前記窓部がそれぞれ静止するように構成され、一の前記成膜室の前記搬入室は、他の前記成膜室の前記搬出室に接続された製造装置である。
本発明は、複数の成膜源上に基板を順番に送り、前記各成膜源上で前記基板表面に前記成膜源から放出される成膜材料をそれぞれ到達させ、前記基板表面上に複数層の前記成膜材料の膜形成する成膜方法であって、複数の前記成膜源上に配置されたターンテーブルの窓部に前記基板を載置し、前記ターンテーブルを水平面内で回転させて、前記成膜源上に前記基板を順番に送り、前記ターンテーブルに設けられた窓部を前記成膜源上にそれぞれ静止させ、前記成膜源上の前記各窓部を通して前記基板をそれぞれ下降させて前記各成膜源に1枚の前記基板をそれぞれ近づけ、前記各成膜源上で前記基板表面への成膜を行う成膜方法である。
また、次の真空槽31には電子注入性の物質が配置されており、最後尾の真空槽31には、電極材料が配置されている。
図9(a)の符号9は上記製造装置に搬入して有機EL素子10を形成する基板を示しており、ここでは基板9は支持板11と、支持板11の表面にそれぞれ形成された下部電極膜13と、隔壁29とを有している。
Claims (11)
- 移動室と、
前記移動室内に配置されたターンテーブルと、
前記移動室にそれぞれ接続された複数の成膜室とを有し、
前記各成膜室は前記ターンテーブルの下方に配置された成膜源を有し、
前記成膜源は成膜材料粒子を放出するように構成され、
前記ターンテーブルには複数の窓部が形成され、
前記各窓部上には、処理対象物が載置可能な載置プレートが配置され、
前記ターンテーブルを水平面内で回転させたときに、前記各窓部は前記成膜源の上方の成膜場所を移動できるように構成され、
前記載置プレートは前記窓部よりも小さな載置部と、前記載置部の周囲に設けられた爪部とを有し、
該載置プレートは、該爪部が前記窓部の縁上に乗せられて前記窓部上に配置され、
前記窓部は周囲に切れ込みを有し、前記ターンテーブルの上方に位置する前記載置プレートを回転させ、前記爪部を前記切れ込みの位置に一致させた状態で、前記爪部が、前記成膜室上に位置する前記窓部の前記切れ込みを通過させられると、前記載置プレートは前記ターンテーブルの下方に移動されるように構成された成膜装置。 - 前記窓部は前記ターンテーブルの回転中心を中心とした同一円周上に一列に等間隔を空けて並べられ、
一の成膜場所に前記窓部を静止させた時に、他の成膜場所にも前記窓部が静止するように構成された請求項1記載の成膜装置。 - 前記移動室には搬入室が接続され、
前記搬入室内には搬送ロボットが配置され、
前記窓部が移動する移動経路上には、前記搬送ロボットによって前記搬入室から搬入された前記処理対象物が前記載置プレート上に載置される搬入場所が設けられ、
前記窓部の個数は成膜場所の個数よりも多く、前記各成膜場所に前記窓部をそれぞれ静止させたときには、前記搬入場所にも前記窓部が静止するように構成された請求項1記載の成膜装置。 - 前記移動室には搬出室が接続され、前記搬出室内には搬送ロボットが配置され、
前記移動経路上には、前記搬送ロボットによって前記処理対象物が前記窓部上の前記載置プレートから前記搬出室へ搬出される搬出場所が設けられ、
前記搬入場所に前記窓部を静止させたときには、前記搬出場所にも前記窓部が静止するように構成された請求項3記載の成膜装置。 - 前記成膜場所は、前記搬入場所と前記搬出場所の間に並べられ、
前記搬入場所と前記搬入場所に隣接する前記成膜場所との間の間隔と、前記搬出場所と前記搬出場所に隣接する前記成膜場所との間の間隔と、前記成膜場所と前記成膜場所との間の間隔は、互いに略等しくされた請求項4記載の成膜装置。 - 前記搬出場所と前記搬入場所との間の間隔は、前記成膜場所と前記成膜場所との間の間隔と同じにされた請求項5記載の成膜装置。
- 前記載置プレートを保持可能な保持部を有し、
前記載置プレートは前記保持部に保持された状態で、前記保持部と一緒に前記窓部を通過可能に構成された請求項1記載の成膜装置。 - 前記保持部は、前記保持部に保持された前記載置プレートと一緒に、水平面内で回転可能に構成された請求項7記載の成膜装置。
- 複数の成膜源上に基板を順番に送り、前記各成膜源上で前記基板表面に前記成膜源から放出される成膜材料をそれぞれ到達させ、前記基板表面上に複数層の前記成膜材料の膜形成する成膜装置であって、
複数の前記成膜源上に配置されたターンテーブルを有し、
前記ターンテーブルに形成された窓部に前記基板を載置し、前記ターンテーブルを水平面内で回転させると、前記成膜源上に前記基板が順番に送られ、
前記ターンテーブルに設けられた窓部を前記成膜源上にそれぞれ静止させて、前記成膜源上の前記各窓部を通して前記基板をそれぞれ下降させると、前記各成膜源に1枚の前記基板がそれぞれ近づけられ、前記基板が近づけられた状態で、前記各成膜源上で前記基板表面への成膜を行えるように構成された成膜装置。 - 複数の成膜装置を有する製造装置であって、
前記各成膜装置は、移動室と、
前記移動室内に配置されたターンテーブルと、
前記移動室にそれぞれ接続された複数の成膜室とを有し、
前記各成膜室は前記ターンテーブルの下方に配置された成膜源を有し、
前記成膜源は成膜材料粒子を放出するように構成され、
前記ターンテーブルには複数の窓部が形成され、
前記各窓部上には、処理対象物が載置可能な載置プレートが配置され、
前記ターンテーブルを水平面内で回転させたときに、前記各窓部は前記成膜源の上方の成膜場所を移動できるように構成され、
前記ターンテーブルに設けられた窓部が前記成膜源上にそれぞれ静止され、
前記成膜源上の前記各窓部を通して前記基板がそれぞれ下降され、前記各成膜源に1枚の前記基板がそれぞれ近づけられて、前記各成膜源上で前記基板表面への成膜が行われ、
前記各移動室には搬入室と搬出室がそれぞれ接続され、
前記搬入室の内部と前記搬出室の内部には搬送ロボットがそれぞれ配置され、
前記窓部が移動する移動径路上には、前記搬送ロボットによって前記搬入室から搬入された前記処理対象物が前記載置プレート上に載置される搬入場所と、前記搬送ロボットによって前記処理対象物が前記窓部上の前記載置プレートから前記搬出室へ搬出される搬出場所がそれぞれ設けられ、
前記窓部の個数は、成膜場所の個数よりも多く、前記各成膜場所に前記窓部をそれぞれ静止させたときには、前記搬入場所と前記搬出場所にも前記窓部がそれぞれ静止するように構成され、
一の前記成膜室の前記搬入室は、他の前記成膜室の前記搬出室に接続された製造装置。 - 複数の成膜源上に基板を順番に送り、前記各成膜源上で前記基板表面に前記成膜源から放出される成膜材料をそれぞれ到達させ、前記基板表面上に複数層の前記成膜材料の膜形成する成膜方法であって、
複数の前記成膜源上に配置されたターンテーブルの窓部に前記基板を載置し、前記ターンテーブルを水平面内で回転させて、前記成膜源上に前記基板を順番に送り、
前記ターンテーブルに設けられた窓部を前記成膜源上にそれぞれ静止させ、
前記成膜源上の前記各窓部を通して前記基板をそれぞれ下降させて前記各成膜源に1枚の前記基板をそれぞれ近づけ、前記各成膜源上で前記基板表面への成膜を行う成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007521256A JP4855398B2 (ja) | 2005-06-15 | 2006-06-08 | 成膜装置、薄膜の製造装置、及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005175491 | 2005-06-15 | ||
JP2005175491 | 2005-06-15 | ||
PCT/JP2006/311498 WO2006134818A1 (ja) | 2005-06-15 | 2006-06-08 | 成膜装置、薄膜の製造装置、及び成膜方法 |
JP2007521256A JP4855398B2 (ja) | 2005-06-15 | 2006-06-08 | 成膜装置、薄膜の製造装置、及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006134818A1 JPWO2006134818A1 (ja) | 2009-01-08 |
JP4855398B2 true JP4855398B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=37532181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007521256A Active JP4855398B2 (ja) | 2005-06-15 | 2006-06-08 | 成膜装置、薄膜の製造装置、及び成膜方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4855398B2 (ja) |
KR (1) | KR100893843B1 (ja) |
CN (1) | CN100591799C (ja) |
TW (1) | TWI393793B (ja) |
WO (1) | WO2006134818A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010055876A1 (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | 株式会社アルバック | 有機薄膜蒸着装置、有機el素子製造装置、及び有機薄膜蒸着方法 |
CN102947481A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-02-27 | 株式会社爱发科 | 基板反转装置、真空成膜装置以及基板反转方法 |
JP2017171946A (ja) * | 2015-03-13 | 2017-09-28 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
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JP4463440B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2010-05-19 | 新明和工業株式会社 | 多層膜の成膜方法、及び真空成膜装置 |
JP2003303451A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-24 | Tdk Corp | 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構およびマスク、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法 |
-
2006
- 2006-06-08 CN CN200680001338A patent/CN100591799C/zh active Active
- 2006-06-08 JP JP2007521256A patent/JP4855398B2/ja active Active
- 2006-06-08 WO PCT/JP2006/311498 patent/WO2006134818A1/ja active Application Filing
- 2006-06-08 KR KR1020077011432A patent/KR100893843B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-14 TW TW095121279A patent/TWI393793B/zh active
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JP2003031361A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Utec:Kk | 有機el素子の製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200712229A (en) | 2007-04-01 |
KR100893843B1 (ko) | 2009-04-17 |
CN101068949A (zh) | 2007-11-07 |
CN100591799C (zh) | 2010-02-24 |
KR20070070223A (ko) | 2007-07-03 |
JPWO2006134818A1 (ja) | 2009-01-08 |
TWI393793B (zh) | 2013-04-21 |
WO2006134818A1 (ja) | 2006-12-21 |
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Legal Events
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