JP4852548B2 - 消去可能/書換え可能メモリ用に設計されたホスト装置で一回又は数回プログラム可能なメモリを使用する方法および装置 - Google Patents
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Description
この出願は、2004年8月24日に申請の米国の仮出願番号60/604,353の特典を主張し、ここに参照することによって組み入れる。
この好ましい態様は、ここに添付した図面を参照して記述する。
(システム概観)
ここに記述された態様は一回又は数回プログラム可能なメモリを、ファームウェアのアップグレードを要しないで、既存の家庭用電子機器(フラッシュ、つまり消去可能な、不揮発性メモリで作動するような機器)との作動を可能にするように使用することができ、そのため、ユーザに対する影響を最小限に止める一方、下位互換性を提供する。それによって、これらの態様は既存のフラッシュカード・スロットを備えた家庭用電子機器と、一回又は数回プログラム可能なメモリとの橋渡しをする実行可能な方法である。これらの態様は、又、一回又は数回プログラム可能なメモリ用にカスタマイズしたファイル・システムを組み込むためにファームウェアを更新しなくても、将来の家庭用電子機器を設計できるようにする。
ファイル・システムを使用して、メモリ装置10がホスト装置と後方互換性をもつことができるようにする。そのため、時には、コントローラ20は「後方互換性があるコントローラ」(“backward−compatible
controller”)あるいは「BCC」とここで呼ぶことがある。
スマート・フィルタ・ロジック44は、コントローラ20がユーザが希望する行動に基き、スマートにホスト・オペレーションを修正することを可能にする。スマート・フィルタ・ロジック44の1つの形式は、アドレスに書き込みを要求されたデータをそのアドレスに以前書込まれたデータと比較するために書き込みの前の読み取り(read−before−write)オペレーションを実行する(つまり「新しい」データを「古い」データと比較する)。最も単純な場合では、以前に書込まれたデータの何らかの修正がある場合、スマート・フィルタ・ロジック44はリマップ・オペレーションを実行することができるが、これは好ましくないユーザ・モデルという結果になるかもしれない。複雑さを加え、スマートにデータの差異を判断することによって、コントローラ20は、ホスト装置5が何を行おうと試みているか推論することができ、次いで、次のオペレーションのうちの一つを選んで実行することができる:そのアドレスに新しいデータを書き込むか、データを「偽書き(fake write)」する(つまり、実際には何も書き込まれなかったのに、ホスト装置5に、書き込みオペレーションはうまく実行されたと伝えるか、書き込みを却下しカード・エラーを発生するか、あるいはリマップ・オペレーションを実行する。これは、図4のフローチャートに図示されている。図示のように、下位互換性をもつコントローラ(BCC)20は、書き込みオペレーションを受け取る(実行60)。データがブランクページにもたらされて書込まれるか、あるいは、データが付加される場合(実行65)、コントローラ20はホスト装置5によって要求されたままのデータを書込む(実行70)。「最後にアクセスした」フィールドが更新中か、あるいは、FATテーブルを「ゼロ」に設定しようと試みがなされている場合、コントローラ20は「偽書き」を実行する(実行80)。書込みがPBRになされる場合、あるいはリマップ・ゾーンとのコリジョンがある場合(実行85)、コントローラ20はカード・エラーを出す(実行90)。その他すべての書込みオペレーション(実行95)に対応する場合、コントローラ20はリマッピング・オペレーションを実行する。これらのブランチ(分岐)はより詳細に以下記述する。大切なことは、スマート・フィルタ・ロジック44は、フローチャートに示された全4個のブランチ、全4個のブランチ未満、或いは、示されていない追加のブランチをインプリメントできることに注目することである。
リマッピング・ロジック46は、特定のアドレスを消去したとホスト装置5に思わせることが出来る新しい論理アドレスに、データを移動させるのに使用することができる。リマッピングはメモリ・コントローラ20による、データおよびアドレスのインディレクション(間接化indirection)を記述するために使用される用語である。この用語は、ホスト5が供給した論理アドレスとは異なる物理位置にデータを書込む概念を指す。リマッピングはフラッシュ・メモリーを含む様々な技術が使用するが、その理由は、性能の向上からウエアレベリング・アルゴリズムによるデータ保全までと色々である。しかし、BCCで作動するOTPまたはFTPのメモリにとって、リマッピングが、消去性を模倣するために使用されるという点で独特である。例えば、ホストがデータセットAをアドレス0に書込むように要求する場合、コントローラ20はアドレス0にデータを書込むことを選ぶことができる。その後、前述のように消去オペレーションを実行するため、文字「E5」を書込むような時に、ホスト5はデータをAからBに変更したいと思うかもしれない。この時に、コントローラ20は、スマート・フィルタを使用し、ホスト5が適切にデータセットAを修正していたと断定し、アドレス1のような異なる物理位置にデータセットBを書込むことになる。さて、ホスト5がアドレス0を読み取る場合、コントローラ20は、代わりに、アドレス1にあるデータを返すことを必ず承知し、従って、ホスト5およびユーザにとってメモリが修正されたように見せるのである。
Read3コマンド: READ3として知られるより速い読み取りコマンドが使えるが、これは、コントローラ20がサイドバンドデータを読み取ることだけを出来るようにする。これは、最も最近のデータを見つける前にデータの多くの全ページを読み取るオーバーヘッドを減らすでしょう。
ポインタのテーブル: 最も最近の書き込みを見つけるために各ページを読む取るパフォーマンス・ヒット(performance hit)を減らすのに、各ページがリマップをすべてリストしたテーブルを持つようなポインタのテーブルが使用できる。ホスト5は概テーブルを読み取り、白紙(バージン)エントリー以前の最後のポインタを使用して、最も最近の更新版を決める。テーブルのアドレス自身は、ページのサイドバンドに保存することになっている。これは、先に参照した特許出願に記述されたハードウェア・リマッピングに使用されたテーブルに似ている。
システム・キャッシュ: コントローラ20は、サイドバンドに保存されたリマップ・テーブルあるいはポインタからのデータを保存するためにSRAMか同様のキャッシュを使用することができる。この付加的なSRAMがエリアを要し、したがって、コントローラ20をよりコスト高にする一方、このアーキテクチャーはリマップが非常に速く起こり、パフォーマンス・オーバーヘッドを最小限にすることが出来るでしょう。
リマップ・アルゴリズムの組み合わせ: コントローラ20は、単純なポインタ追跡か、あるいは、テーブル・スキームが使用中であるかを示すリマップ利用フラグを作成することができる。したがって、あるページが何度もリマップされたことをコントローラ20が知れば、コントローラは、将来のリマップの影響を減らすためのテーブルを作成するように選ぶことができる。しかし、ページがただ2、3回リマップされる簡単な場合には、ポインタ・スキームで十分でしょう。コントローラ20は、このフラグを動的にセットすることができるが、あるいは、静的に、リマップ位置に基づいてもよい。例えば、FATテーブルは何度もリマップされるだろうから、テーブルまたはSRAMMのスキームを常に使用することは意味をなすかもしれないが、データは頻繁にリマップされないので、ポインタ追跡スキームをここで使用することが好ましいかもしれない。このインプリメンテーションは、猶最適に近いシステム・パフォーマンスを提供する一方、SRAMのコストを減らせるかもしれない。
フィールドで起きるかもしれない信頼度エラーに対して保護するために、ECCを使用するのが好ましい。現在の好ましい態様では、BCC20が、上記のリマップ・ポインタもECCデータも保存するためにサイドバンドを使用する。ECCはサイドバンド利用可能性の点で8バイト、16バイトか、あるいは任意の適切なサイズであってよい。現在の好ましい態様では、128B ECCアルゴリズムが使用され、ここでは「スマートな大きいブロックECC」(”smart large block ECC”)と呼ぶ。大きいブロックECC (「LB ECC」)はECCワードにつき2個のクローズ(closes)を使用するが、これは、補遺Iで検討する。BCC 20がリマップおよびECC情報の両用にサイドバンドを利用するに当たり、サイドバンドは、正常な大きいブロックECCスキームに基づいて、ワード当たり2箇のクローズを保存するだけの十分なスペースを持たないかもしれない。従って、この大きいブロックECCスキームは、ワードの最終の2バイトが書込まれてしまうと、各ワードを1回クロ−ズするだけで「スマート」になる。FATテーブル中の各エントリーがサイズで2バイトであるので、2バイトの値が選ばれる。(LB ECCと組み合わせて動的リマッピングを実行する場合、コントローラ20は、フィールドでの製品の最高の信頼度を保証するために、ECCのクローズ・オペレーションを考慮するのが好ましい。言いかえれば、割付けは、好ましくは、FATテーブル中のECCワードをクローズしてはならず、続いて後日、同じワードを更新してはならない。) また、データ・エリアに依存するクローズ・オペレーションを持つこともできる。例えば、FATテーブルを更新する場合、上記のように2バイトのセグメントに基づいて更新するのが意味があるかもしれないが、データ・エリアを更新する場合には、これは意味をなさないかもしれない。データ・エリアを更新する場合、大抵のホストは、完全にデータをすべて書込んだ後にだけ、ファイル・エントリーの最終の6バイトを更新するので、クローズオペレーションは、ワードの最後の6バイトに基づいて実行することができる。最後に、BCC20は、以前にクローズしたECCワードが更新中であることを検知する場合、リマップ・オペレーションを実行することを決めてもよい。これは、フィールドでの最高の信頼度を維持するために、ECCと組み合わせてリマップ・オペレーションを利用することになる。
これらの好ましい態様と共に使用できる代案が多数ある。例えば、メモリ装置のコントローラにインプリメントする代わりに、スマートフィルタ・ロジック、リマッピング・ロジックおよびスマートECCのどれか、あるいはすべてを、全体的にあるいは部分的に、メモリ装置あるいはホスト装置中の別のコントローラのような別のコンポーネント中で実行することができる。さらに、用語「回路類」は、それに記述された機能をインプリメントすることができるすべてのコンポーネントを指す。回路類の例は、上記の例も、コンピューター実行可能な命令を実行するプロセッサー、アプリケイション専用集積回路、フィールドでプログラム可能なゲート・アレイ、アナログ回路、あるいは現在既知か将来開発されるその他すべてのハードウェア装置(ソフトウェアを実行するかまたは実行せず)も、さらにこれらの任意の組み合わせも含む。
大きなブロックECCのインプリメンテーション
概観
大きなブロックECCは下記を含むことが好ましい:
・ 128BのECCワードサイズ。
・ 単一のエラー修正、しかしダブルのエラー検知なし。
・ 高々2回のECCパリティー更新を許可するスマートECC更新。
ECCインプリメンテーションは、ECCパリティ・ビットがバイト当たり計算されることを可能にするインプリメンテーションに類似。サイドバンド中の記憶装置(ストレージ)が制限されているので、パリティ・ビットを縮小するために、DEDなしでSECのみを行うため次の修正を行った。図13は、どのようにパリティ・ビットが8ビットのデータの例に作動するかを示す:
・ P0はD1、D3、D5、D7をカバーする。
・ P1はD2、D3、D6、D7をカバーする。
・ P2はD4、D5、D6、D7をカバーする。
・ P3はD0、D1、D2、D3をカバーする。
・ P4はデータ・ビットをすべてカバーする。
下記は、1024ビット(すべての1のECCワードはすべての1のパリティ・ビットに帰着すべきである)のECCワードに好ましくは要求される12のパリティー方程式である:
・ P0=!XOR(D1,D3,D5,...,D1023)
・ P1=!XOR(D2-D3,D6-D7,...,D1022-D1023)
・ P2=!XOR(D4-D7,D12-D15,...,D1020-D1023)
・ P3=!XOR(D8-D15,D24-31,...,D1016-D1023)
・ P4=!XOR(D16-D31,D48-D63,...,D1008-D1023)
・ P5=!XOR(D32-D63,D96-127,...,D992-D1023)
・ P6=!XOR(D64-D127,D192-D255,...,D960-D1023)
・ P7=!XOR(D128-D255,D384-D511,...,D896-D1023)
・ P8=!XOR(D256-D511,D768-D1023)
・ P9=!XOR(D512-D1023)
・ P10=!XOR(D0-D511)
・ P11=!XOR(D0-D1023)
スマートECCの更新が、パリティ・ビットがECCワードにつき二度書込まれることを可能にするのが好ましい。この特性は、部分的なページ書き込みをECCによってカバーするのを可能にする。パリティ・ビットの第11セットは、新しいデータの第1書き込み中にECCワードに書込まれる。新しいデータを備えたどんな後の書き込みも、パリティ・ビットの第1セットを無効にするのが好ましい。ページが「クローズ」中の時、パリティ・ビットの第2セットが書込まれる。ページは、ECCワードの最後のオクトバイト中の任意のビットがプログラムされるとき、ページが「クローズ」されたと見なされる。このモデルは、部分的なページ書き込みを要するFAT構造とうまく作動する。
Unused[1:0]フラグおよびValid[1:0]フラグは、パリティ・ビット用に3つの異なる状態をエンコードするのに使用される。次のテーブルはこれらの状態を列記する。
TF_SECC_PAGE0_TB='1'の場合、メモリのPAGE0の取り扱いは、わずかに異なる。通常は、ワードの最後のオクトバイト中の任意のビットがプログラムされる場合に限り、Parity1ビットを書込むことができる。この特別の場合では、この制限が撤廃される。したがって、一旦parity0ビットが使用されれば、次の書き込みは常に使用されているParity1ビットに帰着する。
ECCロジックに影響するトリム・ヒューズ・ビットが3個ある:
TF_ECC_DISABLE_TB='1’の場合、ECCロジックは無効になり、ホストは各ページのサイドバンド中のバイト512−527へ完全な読み取りと書き込みアクセスを持つ。
TF_SMARTECC_DISABLE_TB='1’の場合、スマートECC更新ロジックは無効(ディセーブル)にする。TF_SMARTECC_DISABLE_TB='0’の場合、スマートECC更新ロジックが可能にする。(TF_ECC_DISABLE_TBも'0’にセットしければならない。)
TF_SECC_PAGE0_TB='0’の場合、すべてのページは同じスマートECロジックを使用する。TF_SECC_PAGE0_TB='1’の場合、page0の取り扱いは、スマートEC更新ロジックに関して、すべての他のページとは異なる。
すべてのECCのパリティ、 未使用、および有効ビットは、各ページのサイドバンド中のバイト512−527に存在する。
以下に4つのECCワードすべてのビットがどのように配列されるかを示す。
ECCロジックのテストはDAMモードを使用して行うことができる。DAMモードが書き込みか読み取りのどちらかのトランザクション用に可能になっている場合は、データはページ・レジスタとメモリ配列間で転送されない。ECCロジックをテストするのには、TF_ECC_DISABLE_TBビットをデアサート(deassert)しなければならない。次にこのテストをより詳細に記述する。
1. DAMモードを可能にし、ECCを可能にする。
2. 書き込みデータの512バイトおよびECCデータの16バイトでDATAINコマンドを出す。
3. READコマンドを出す。(データをリードバック出来る前に、ECCのスクラッビングがなされるので、チップは使用中になる。)
4. データの512バイトが予想通りであることを確認する。(シングル・ビット・エラーがPRに書き込まれた場合は、エラーが修正されたことを確認する。)
1. DAMモードを可能にし、ECCを可能にする
2. 書き込みデータの512バイトでDATAINコマンドを出す。
3. PROGコマンドを出す。(これによってECCの生成された16バイトが、PRに書込まれる。)
4. READコマンドを出す。(書き込みデータの以前の512バイトは、ECCデータの生成された16バイトと一緒にリードバックされる。)
5. 16ECCバイトが正確に生成されていることを確認する。
Claims (22)
- メモリ装置であって、
メモリ配列と、
該メモリ配列と連通しているコントローラとを備え、
該コントローラは、
(a)該メモリ配列の第1アドレスに、データを書込むことの要求を、該メモリ装置と連通しているホスト装置から受け取り、
(b)該第1アドレスに書込まれるよう要求された該データを該第1アドレスに格納されているデータと比較し、
(c)(b)における該比較に基づいて、
(c1)該第1アドレスに該データを書き込む、
(c2)該第1アドレスに該データを書込まずに、該ホスト装置に該データが該第1アドレスに書込まれたと通知する、および
(c3)該第1のアドレスの代わりに第2アドレスに該データを書き込む、のうちの一つを実行するように作動する
ことを特徴とするメモリ装置。 - 該コントローラが、一組のプログラムされていないメモリ・セルを含む該第1アドレスに応じて、(c1)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、該第1アドレスに書込むように要求された該データが該第1アドレスに格納されているデータに付加するものである場合には、(c1)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該第1アドレスに含まれている該データが、ファイル・システム構造を構成することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、以前に割り付けられたアドレスが空きであることを示すデータをファイル割付けテーブルに書込むよう試みている該ホスト装置に対応して、(c2)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、ファイル・リスティングに前もって定めたフィールドにのみデータを書込むよう試みている該ホスト装置に対応して、(c2)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、最後にアクセスされた日付フィールドにのみデータを書込もうとしている該ホスト装置に対応して、(c2)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、ディレクトリ・リスティングの前もって定めたフィールドにのみデータを書込もうとしている該ホスト装置に応じて、(c2)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、該第1アドレスに書込まれるよう要求された該データが該第1アドレスに格納されている該データとは異なる場合に、(c3)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、該第1アドレスに書込まれるよう要求された該データが該第1アドレスに格納されている該データとは異なり、該差分がファイル・リスティング中の前もって定めたフィールドだけに存在しない場合には、(c3)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、該第1アドレスに書込まれるよう要求された該データが該第1アドレスに格納されている該データとは異なり、該差分がディレクトリ・リスティングに前もって定めたフィールドだけに存在しない場合には、(c3)を実行するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置
- 該コントローラが、該メモリ装置をフォーマットしようとする試みに応じて、エラーを発生するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、ファイル割付けテーブルのアドレスに先行するアドレスにデータを書込もうとする試みに応じて、エラーを発生するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、該メモリ配列に前もって定めたアドレスにデータを書込もうとする試みに応じて、更にエラーを発生するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、該メモリ配列が一杯であることに応じて、エラーを発生するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、(c3)を実行する時に該第2アドレスがもはや空きでないことを示すために、更に該メモリ配列中のファイル割付けテーブルを更新するように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該メモリ配列が、部分的に書込みできる論理ユニットへ組織化され、それによって、該ロジック・ユニットが一杯になるまでは、複数の書込みオペレーションが個々の論理ユニットに実行することができ、最後の書き込みオペレーションが論理ユニットになされる場合に、該コントローラが、該論理ユニット用にECCデータを書込むように作動することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該コントローラが、
第1ページレジスタ、と
第2ページレジスタとを備え、
該第1アドレスに格納されている該データは、該第1ページレジスタに書込まれ、一方、該第1アドレスに書込まれるべき該データが該第2ページレジスタに書込まれる
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 該メモリ配列は、一回プログラム可能なメモリ配列を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該メモリ配列は数回プログラム可能なメモリ配列を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該メモリ配列が三次元のメモリ配列を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 該メモリ装置が、該ホスト装置上の対応する電気的コネクターと対をなすように設定された電気的なコネクターを有し、また、該ホスト装置が多数回書込みファイル・システムを含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60435304P | 2004-08-24 | 2004-08-24 | |
US60/604,353 | 2004-08-24 | ||
US10/956,463 US7398348B2 (en) | 2004-08-24 | 2004-09-30 | Method and apparatus for using a one-time or few-time programmable memory with a host device designed for erasable/rewritable memory |
US10/956,463 | 2004-09-30 | ||
PCT/US2005/026054 WO2006023196A2 (en) | 2004-08-24 | 2005-07-22 | Method and apparatus for using a one-time or few-time programmable memory with a host device designed for erasable/rewriteable memory |
Publications (3)
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