JP4851535B2 - 研磨選択度調節補助剤及びこれを含有するcmpスラリー - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、研磨選択度調節補助剤及びこれを含有するCMP(化学機械研磨)スラリーに関する。
【背景技術】
【0002】
超小型電子素子(microelectronic devices)の集積度が増加し続けるにつれて、これら電子素子の製造に利用される平坦化工程がさらに重要になっている。高集積された電子素子を得るための努力の一環として、半導体ウェハー上に多重の連結配線及び別の層を施す工程が一般に行われている。しかしながら、このような工程後に発生するウェハー表面の非平坦性は、多くの問題点を惹起している。そのため、ウェハー表面における非均一性を極力抑制するために平坦化技術が種々の製造工程において採用されている。
【0003】
このような平坦化技術の一つとして、化学機械研磨(CMP)がある。CMP途中のウェハー表面は、相対的に回転している研磨パッドに突き合わせて押されて、研磨中、CMPスラリーとして知られる化学的な反応溶液は、研磨パッドに流れ込むようになる。このようなCMP技術では、化学的及び物理的な作用でウェハーの表面を平坦化する。換言すれば、このようなCMP技術では、相対的に回転している研磨パッドの表面をウェハー表面に突き合わせて押しながら、同時に化学的反応スラリーをパターン形成されたウェハーの表面に供給することで、ウェハー表面の平坦化が行われるようになる。
【0004】
CMP工程を適用する一例として、浅溝分離(Shallow Trench isolation、以下「STI」と略する)がある。STI工程は、最小線幅が0.13μm以下と厳しくなるにつれて、既存のLOCOS工程におけるバーズビーク現象の問題を解決することでチップ間の絶縁を図るために、最近新しく提案された工程である。前記STI技術では、相対的に浅い素子分離トレンチ(浅溝)が形成され、このトレンチ(溝)は、ウェハー上で活性領域を分離させるフィールド領域の形成に利用される。
【0005】
STI工程は、図1に示されたように、パッドシリコン酸化膜(SiO2)101及びシリコン窒化膜(SiN)層102が半導体基板上に順次積層された後、フォトレジストパターンがSiN層102上に形成される。次に、フォトレジストパターンをマスクとしてSiN層102、パッドシリコン酸化膜101及び半導体基板100が部分的にエッチングされて多数のトレンチ103が形成される。
【0006】
次に、フィールド領域を形成するため、トレンチ103を詰めながらSiN層102の表面を覆うように、絶縁用シリコン酸化膜104が減圧CVD(LPCVD)法、プラズマ強化CVD(PECVD)法または高密度プラズマCVD(HDPCVD)法で蒸着される。
【0007】
次に、前記SiN層102が露出するまで絶縁用シリコン酸化膜104が研磨され、また、活性領域間のSiN層102とパッドシリコン酸化膜101とは、エッチング工程で除去され、最後にゲートシリコン酸化膜105が半導体基板の表面上に形成される。
【0008】
なお、前記絶縁用シリコン酸化膜104を除去するCMP工程において、前記絶縁用シリコン酸化膜104とSiN層102との化学的及び物理的特性の違いによって、前記層が互いに異なった除去速度を示すようになる。
【0009】
このような絶縁用シリコン酸化膜とシリコン窒化膜SiN層との除去速度の比は、CMPスラリーの除去選択度として示されるようになる。
【0010】
前記CMPスラリー除去選択度が低くなるほどSiN層の除去量は多くなる。好ましくは、SiN層は、除去されてはならない。即ち、絶縁用シリコン酸化膜のSiN層に対する除去選択度は、30:1以上であることが好ましい。それにもかかわらず、現在使用されているCMPスラリーの絶縁酸化膜のSiN層に対する除去選択度は、およそ4:1程度と低いため、実際工程において、SiN層は、エッチング許容範囲を超過して研磨されている。
【0011】
結果的に、SiN層のパターンは、CMP工程中にウェハーの部位別に均一に除去できなくなることがあり、そのため、ウェハーの全般にわたってSiN層の厚さ変化の幅が非常に大きくなり、これは、半導体基板の表面が、密度の大きなパターンと密度の小さなパターンとを同時に持っている場合、特に問題になる。
【0012】
前述のような問題で、フィールド領域が形成された最終構造は、活性領域とフィールド領域との間の段差を誘発するようになり、これは、後続の素子製造工程のマージンを減少させると共に、トランジスタ及び素子の特性を劣化させる結果をもたらす。従って、SiN層パターンは、CMP工程で酸化膜を除去した後でも、均一な厚さのSiNパターンを得ることが困難であるという問題点がある。
【0013】
従って、最近、前記SiN層の研磨速度に比べて前記絶縁用シリコン酸化膜の研磨速度が速く調節されるスラリー組成物に関する研究が盛んに行われており、その研究の例としては、米国特許第5,614,444号、日本特開平10−106988号、日本特開平10−154672号、日本特開平10−270401号、日本特開2001−37951号、日本特開2001−35820号、日本特開第2001−319900号、韓国公開特許第2001−108048号、韓国公開特許第2002−15697号、韓国公開特許第2003−39999号、韓国公開特許第2004−57653号、韓国公開特許第2004−13299号、韓国公開特許第2003−39999号などがある。
【0014】
しかし、上記の技術は、発明の範囲が広すぎて不明瞭に記載され、基本的な研磨速度と選択度のみが明示されているため、その実現が不可能であるという問題点がある。
【0015】
また、韓国半導体メーカー及びスラリーメーカーで発明した技術であって、韓国公開特許第2003−39999号、韓国公開特許第2004−98671号、韓国公開特許第2004−95118号及び韓国公開特許第2005−4051号には、酸化セリウムスラリー組成物の研磨選択度を増加させるための添加剤として、リニア型の高分子物質を単独で又は低分子量の物質と混合して使用する方法について記載されている。
【0016】
前述のようなスラリー組成物を通じてSiN層の研磨速度に対する絶縁用シリコン酸化膜層の研磨速度比で表われる除去選択度の改善に対する努力が持続的に行われており、今後さらに研究すべき課題である。
【特許文献1】
米国特許第5,614,444号
【特許文献2】
日本特開平10−106988号
【特許文献3】
日本特開平10−154672号
【特許文献4】
日本特開平10−270401号
【特許文献5】
日本特開2001−37951号
【特許文献6】
日本特開2001−35820号
【特許文献7】
日本特開第2001−319900号
【特許文献8】
韓国公開特許第2001−108048号
【特許文献9】
韓国公開特許第2002−15697号
【特許文献10】
韓国公開特許第2003−39999号
【特許文献11】
韓国公開特許第2004−57653号
【特許文献12】
韓国公開特許第2004−13299号
【特許文献13】
韓国公開特許第2003−39999号
【特許文献14】
韓国公開特許第2003−39999号
【特許文献15】
韓国公開特許第2004−98671号
【特許文献16】
韓国公開特許第2004−95118号
【特許文献17】
韓国公開特許第2005−4051号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0017】
本発明の目的は、窒化膜のように陽電荷を帯びた材料の構造物と酸化膜のように陰電荷を帯びた材料の構造物とを同時に研磨する際に、陽電荷を帯びた材料の構造物に吸着して陰電荷を帯びた材料の構造物に対する研磨選択度を高める補助剤であって、重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質(polyelectrolyte、ionic polymer又はmacroion)と共に重量平均分子量が1,000〜20,000に調節されたグラフト型高分子電解質とを併用することで、前記リニア型高分子電解質を単独で使用する場合に比べて研磨選択度を高めることができると共に、前記リニア型高分子電解質とグラフト型高分子電解質との使用比率を調節することで、希望の範囲内の研磨選択度を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本発明は、a)重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質と重量平均分子量が1,000〜20,000であり主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質との混合物、及びb)塩基性物質、を含む高分子電解質の塩を含有し、陽電荷を帯びた材料と陰電荷を帯びた材料とを同時に研磨する時に陽電荷を帯びた材料に吸着して陰電荷を帯びた材料に対する研磨選択度を高める補助剤、並びに前記補助剤と研磨粒子を含有するCMPスラリーを提供する。
【0019】
また、本発明は、a)重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質と重量平均分子量が1,000〜20,000であり主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質との混合物、及びb)塩基性物質、を含む高分子電解質の塩を含有する、CMPスラリー用補助剤、並びに前記補助剤と研磨粒子を含有するCMPスラリーを提供する。
【0020】
また、本発明は、前記CMPスラリーを使用する浅溝素子分離(STI)方法を提供する。
【0021】
さらに、本発明は、研磨時に重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質と重量平均分子量が1,000〜20,000であり主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質との混合物を使用して、陽電荷を帯びた材料に対する陰電荷を帯びた材料の研磨選択度を調節する方法を提供する。
【0022】
以下、本発明の詳細を説明する。
【0023】
本発明は、研磨時、重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質と共に、重量平均分子量が1,000〜20,000であり陰電荷を帯びたグラフト型高分子電解質を併用することで、陽電荷を帯びた材料の構造物が研磨されることを効果的に抑制しながら、研磨粒子によるマイクロスクラッチの発生率を減少させることを特徴とする。
【0024】
一般に、シリコン窒化物は、表面電荷が陽電荷を帯び、シリコン酸化物は、表面電荷が陰電荷を帯びている。従って、シリコン窒化物よりシリコン酸化物に対する研磨選択度を高めるため、陰電荷を帯びた高分子、例えば高分子電解質を陽電荷を帯びたシリコン窒化物に静電気力で吸着させて前記陽電荷を帯びたシリコン窒化物を研磨から保護することで、研磨時、陰電荷を帯びたシリコン酸化物に対する研磨選択度を高めることができる。
【0025】
なお、陰電荷を帯びた高分子の分子量が少ない場合は、陽電荷を帯びた材料の構造物にまばらに吸着したり、厚さの薄い被覆層として吸着されてしまい、陽電荷を帯びた材料の構造物を研磨から十分に保護することができない。研磨から完璧に保護するために、陰電荷を帯びた高分子は、分子量が多ければ多いほど良いが、分子量が多くなると、ファンデルワールス力で研磨粒子にも一部吸着して前記粒子の凝集が発生し、この凝集した粒子は、研磨時にスクラッチ傷のような問題を惹起する。
【0026】
従って、陰電荷を帯びた高分子において、静電気力による、陽電荷を帯びた材料の構造物への吸着を最大化しながらファンデルワールス力による吸着を最小化するため、本発明では、分子量が調節されたリニア型高分子電解質に加えて、主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質を使用することを特徴とする。同じ分子量の範囲内にあるリニア型高分子電解質とグラフト型高分子電解質とを比較すると、グラフト型高分子電解質は、主鎖の長さが、リニア型高分子電解質の鎖の長さより短いため、凝集現象を最小化することが可能である。また、グラフト型高分子電解質は、主鎖にグラフトされた側鎖によって、陽電荷を帯びた材料の構造物に吸着する際、リニア型高分子電解質より側鎖の長さに比例して単位(体)(unit)面積当たりの重合体の密度が大きく、より厚く被覆層を形成することが可能となる(図2参照)。
【0027】
要するに、本発明では、リニア型高分子電解質の他に、グラフト型高分子電解質を使用することで、分子量を大きくすることなく、グラフト型高分子電解質が選択的に陽電荷を帯びた材料の構造物に厚く吸着されるようになる。従って、静電気力によって選択的に吸着された陽イオンを帯びた材料の構造物を研磨から保護できるため、陽イオンを帯びた材料の構造物(例えば、シリコン窒化物)に対する陰イオンを帯びた材料の構造物(例えば、シリコン酸化物)の研磨選択度を高めることができる。
【0028】
また、リニア型高分子電解質を単独で使用した場合に比べて、グラフト型高分子電解質を混合して使用する場合は、ウェハー表面保護力が増大することで、研磨粒子によるマイクロスクラッチの発生率を減少させることができる。
【0029】
なお、本発明に係る補助剤によれば、前記陰電荷を帯びる材料だけでなく、電荷を帯びない材料の研磨選択度を高めることができるため、電荷を帯びない材料をも本発明において陰電荷を帯びる材料の等価物とみなされる。
【0030】
本発明に係る「重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質」そのものだけを使用する場合、陽イオンを帯びた材料の構造物(例えばシリコン窒化物)に対する陰イオンを帯びた材料の構造物(例えば、シリコン酸化物)の研磨選択度の範囲は、30:1以上である。
【0031】
なお、本発明に係る「重量平均分子量が1,000〜20,000であり主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質」そのものだけを使用する場合、陽イオンを帯びる材料の構造物(例えば、シリコン窒化物)に対する陰イオンを帯びる材料の構造物(例えば、シリコン酸化物)の研磨選択度の範囲は、前記リニア型高分子電解質を使用する場合に比べて大きい。
【0032】
従って、「重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質」及び「重量平均分子量が1,000〜20,000であり主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質」を適切に混合して使用すれば、研磨選択度の範囲を50:1〜100:1の範囲内で調節することが可能である。
【0033】
本発明において使用されるリニア型高分子電解質は、カルボキシル基を含む化合物が好ましく、具体的には、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸又はマレイン酸などを使用することができる。
【0034】
前記リニア型高分子電解質は、重量平均分子量が2,000〜50,000であることが好ましく、重量平均分子量が2,000を下回る場合は、シリコン窒化膜の研磨率が増加して選択度が低下するという問題点があり、また、50,000を上回る場合は、シリコン酸化膜の研磨率が低下するという問題点がある。
【0035】
本発明において使用されるグラフト型高分子電解質は、図2に示されたように、主鎖部200及び側鎖部201から構成されることができる。
【0036】
本発明においてグラフト型高分子電解質は、重量平均分子量が、好ましくは、1,000〜20,000、より好ましくは、3,000〜15,000である。前記グラフト型高分子電解質の重量平均分子量が1,000を下回るか20,000を上回る場合は、安定したスラリー組成物を得ることが困難である。また、20,000を上回る場合は、研磨作用をすべき粒子を凝集させてしまい、陽イオンを帯びる材料の構造物(例えば、シリコン窒化物)だけでなく、陰イオンを帯びる材料の構造物(例えば、シリコン酸化物)にも高分子電解質が吸着され、研磨作用に対して保護層として作用するため、陽イオンを帯びる材料の構造物と陰イオンを帯びる材料の構造物とのいずれにおいても研磨率及び研磨選択度が低下するようになる。
【0037】
本発明に係るグラフト型高分子電解質において、側鎖の長さは、分子量が500〜2,000であることが好ましく、主鎖の長さは、分子量が500〜15,000であることが好ましい。側鎖の長さが短すぎると、吸着時に被覆厚さが薄くなって保護機能を十分に果たすことができず、長すぎると、凝集現象が起こることがあり得る。主鎖の長さが短すぎると、吸着がうまく行われないことがあり、長すぎると、粒子の凝集現象を起こすことがあり得る。
【0038】
高分子電解質の主鎖は、静電気力による吸着を主に提供しているものであるため、陽電荷を帯びる材料の構造物への吸着がうまく行われるように、陰イオンを帯びる単位体が多く含まれていることが好ましい。例えば、陰イオンを帯びる単位体は、カルボン酸のような作用基を有するものである。
【0039】
側鎖は、静電気力による吸着面において、主鎖に比べてその影響力が小さいため、必ずしも陰イオンを帯びる必要がないが、陽イオンを帯びてはならず、主に吸着膜を厚く形成する働きをする。
【0040】
前記グラフト型高分子電解質の側鎖は、水酸基、カルボキシル基及び/又はスルホン酸基を含有するエチレン性不飽和モノマーの重合又は共重合由来のマクロ単位(体)(macro−unit)を含むことが好ましく、前記グラフト型高分子電解質の主鎖は、カルボキシル基を含有するエチレン性不飽和モノマー由来の単位体を含むことが好ましい。
【0041】
研磨用スラリーは、分散媒として主に水を使用しているため、グラフト型高分子電解質は、水に可溶のものが好ましく、グラフト型高分子電解質において側鎖を形成するマクロ単位体も親水性のものであることが好ましく、水への親和性が高いもの、例えば、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基が含有されたエチレン性不飽和モノマー由来の単位体を含むことが好ましい。マクロ単位体は、短鎖のポリマーであって、サブモノマーが8〜16個程度重合され、末端に作用する作用基を有するマクロモノマー由来のものである。マクロ単位体を含む側鎖が長すぎる場合は、凝集現象が起こり、小さすぎる場合は、保護機能を果たすことができない。
【0042】
本発明において使用されるグラフト型高分子電解質の製造方法については、韓国特許出願第2005−113758号を参照されたい。同号明細書に記載の内容は、本発明の範疇に入る。
【0043】
なお、前記グラフト型高分子電解質の製造に使用される主モノマーは、アクリル酸のようなカルボン酸であって、通常水を使用して重合する場合、高分子の生成時、粘度が高くて攪拌ができなくなり、粘度を低めるため固形分量を減らすと、経済性が落ちるという問題点がある。従って、本発明は、グラフト型高分子電解質の製造時に技術的に困難であった固形分量を40%程度に維持しながら、希望の分子量が得られるように水とイソプロピルアルコールとを適切に混合して使用し、重合温度をイソプロピルアルコールの沸点にして重合を行う。また、前記イソプロピルアルコールは、連鎖移動剤としての役割を果たし、希望の分子量を有するグラフト型の高分子電解質を得るために効果がある。
【0044】
このようなグラフト型高分子電解質は、下記の式1で表わされるアルコキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリル酸エステルモノマーを側鎖に含有することが好ましい。
【化1】
式中、R1は、水素原子又はメチルを示し、
R2Oは、炭素数2〜4のオキシアルキレンの1種又は2種以上の混合物を示し(但し、2種以上の混合物である場合はブロック状又はランダムに付加されることができる)、
R3は、炭素数1〜4のアルキルを示し、
mは、オキシアルキレン基の平均付加モル数で、1〜50の整数である。
【0045】
特に、高分子電解質内のアルコキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリル酸エステルモノマーは、10〜50重量%含有されることが好ましい。その含量が10重量%を下回る場合は、グラフト型によって可能になる高選択度の特性を得ることが困難であるという問題点があり、50重量%を上回る場合は、高選択度の添加剤として使用する時、最終スラリー組成物において気泡発生を増加させるおそれがあるという問題点がある。
【0046】
本発明に係るリニア型高分子電解質、グラフト型重合体又はこれらの混合物は、それぞれ塩基性物質を利用して水相から高分子電解質塩に変化させることができる。なお、高分子電解質が塩でなく他の形態として使用される場合も、同じく本発明の範囲に含まれる。
【0047】
本発明の高分子電解質塩のpHは、好ましくは、4.5〜8.8、より好ましくは、6.0〜8.0の範囲である。前記pHが4.5を下回るか、8.8を上回る場合は、研磨選択度に悪影響を与える問題点があり得る。
【0048】
本発明の補助剤がCMPスラリーに使用される場合、塩基性物質としては、水酸化アンモニウム(NH4OH)又は塩基性アミン(例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム又は水酸化テトラブチルアンモニウムなど)などを単独又は2種以上を混合して使用することができる。
【0049】
また、本発明は、前述のa)重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質と重量平均分子量が1,000〜20,000であり主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質との混合物及び塩基性物質を含む補助剤、b)研磨粒子、及びc)水を含むCMPスラリーを提供する。
【0050】
前記補助剤は、CMPスラリーに0.1〜10重量%で含まれることが好ましい。その含量が0.1重量%を下回る場合は、シリコン窒化膜の研磨率が増大して研磨選択度が低下し、パターン研磨時にディッシングが発生し、また、10重量%を上回る場合は、シリコン酸化膜の研磨率が減少して工程時間が長くなり、選択度が低下するおそれがある。
【0051】
前記研磨粒子は、CMPスラリーに0.1〜10重量%で含まれることが好ましく、その含量が0.1重量%を下回る場合は、酸化物層の除去速度が十分でなく、10重量%を上回る場合は、スラリーの安定性が低下する。
【0052】
研磨粒子としては、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化セリウムなどのナノサイズのセラミック研磨粒子を使用でき、酸化セリウムが好ましい。
【0053】
CMPスラリーは、溶媒(例えば、水)に溶解された高分子電解質塩と分散媒(例えば、水)に分散された研磨粒子とを投与して製造することができる。この時、高分子電解質塩水溶液の濃度は、3〜3.5重量%であることが好ましく、研磨粒子水分散液の濃度は、4重量%〜6重量%であることが好ましい。
【0054】
従って、CMPスラリー内の水は、高分子電解質塩又は研磨粒子組成物そのものに含有されている形態で含まれることができる。CMPスラリー内水の含量は、スラリー組成物全体が100重量%になるように調節することができ、94〜99.8重量%で含まれることが好ましい。その含量が94重量%を下回る場合は、スラリーの安定性が低下し、99.8%を上回る場合は、研磨率が低下する。
【0055】
また、本発明は、前記CMPスラリーが適用される浅溝素子分離(STI)方法を提供する。
【0056】
本発明に係るCMPスラリーによれば、シリコン窒化膜に対するシリコン酸化膜の除去選択度が高いため、CMP工程中にウェハー部位別にSiN層を均一に除去して厚さ変化幅を極力抑制することができる。これによって、活性領域とフィールド領域との間の段差がなくなるため、トランジスタのような超小型電子素子の特性に影響を与えないことができる。また、研磨中に発生するマイクロスクラッチを極力抑制して微細パターンが求められる超高集積半導体の製造工程における信頼性及び生産性を向上させることができる。
【0057】
本発明は、また、研磨時、重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質と重量平均分子量が1,000〜20,000であり主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質との混合物を使用し、陽電荷を帯びる材料に対する陰電荷を帯びる材料の研磨選択度を調節する方法を提供する。
【0058】
例えば、本発明は、「重量平均分子量が2,000〜50,000であるリニア型高分子電解質」及び「重量平均分子量が1,000〜20,000であり主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質」を適切に混合して使用することで、研磨選択度の範囲を50:1〜100:1の範囲内で調節することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0059】
次に、本発明の理解を助けるために好適な実施例を提示するが、これらは、本発明を例示するものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
【実施例】
【0060】
[製造例1](リニア型高分子電解質の製造)
【0061】
温度計、攪拌器、滴下漏斗、窒素導入管及び還流冷却器を備えた2Lのガラス反応器に蒸留水160重量部及びイソプロピルアルコール240重量部を注入した後、攪拌下、反応器の内部を窒素に置換し、窒素雰囲気下で80℃まで加熱した。
【0062】
前記反応器にアクリル酸300重量部と蒸留水250重量部とを混合したモノマー水溶液と、開始剤として9.7重量%の過酸化アンモニウム水溶液90重量部を3時間滴下した。滴下終了後、2時間の間80℃の温度を維持しながら熟成して重合反応を完了した。
【0063】
重合完了後、常圧からゆっくり100torrまで圧力を上昇させながら2〜3時間イソプロピルアルコール及び蒸留水を抽出した。次に、室温で冷却し、1時間の間29重量%のアンモニア水溶液で中和させてリニア型の高分子電解質を製造した。
【0064】
前述のように得られたリニア型高分子電解質塩をゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)法で重量平均分子量を測定した結果、15,239であった。
[製造例2](グラフト型高分子電解質の製造)
【0065】
前記製造例1によるリニア型高分子電解質の製造時、モノマー水溶液としてアクリル酸300重量部の代わりに、アクリル酸210重量部及びメトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート(エチレンオキサイドの平均付加モル数:6モル)90重量部を使用したことを除いては、製造例1と同様にアクリル酸−メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレートのグラフト型高分子電解質を製造した。
【0066】
前述のように製造したグラフト型高分子電解質の重量平均分子量は、17,896であった。
[実施例2〜5]
【0067】
前記製造例1で製造したリニア型高分子電解質と製造例2で製造したグラフト型高分子電解質を表1の組成比で混合した混合物に水を加えて3重量%になるように希釈した。前記高分子電解質塩溶液のpHが7.0〜8.0になるように、塩基性物質として水酸化アンモニウムを添加して、CMPスラリー用補助剤を製造した。
【0068】
前述のように製造したCMPスラリー用補助剤:研磨粒子組成物:水を、1:3:3の体積比になるように混合してCMPスラリーを製造した。なお、スラリーのpHは、7.5〜8.0程度に調節した。
【0069】
【表1】
[比較例1]
【0070】
前記実施例2〜5において、CMPスラリー用補助剤を使用しないことを除いては、前記実施例2〜5と同様にCMPスラリーを製造した。
[比較例2]
【0071】
HS8005−GP(リニア型高分子電解質、PAA系列(PAA−based linear polyelectrolyte))(日本日立社製)と製造例2で製造したグラフト型高分子電解質0重量部とを混合し、前記実施例2〜5と同様にCMPスラリー用補助剤及びCMPスラリーを製造した。
[実験例]
【0072】
前記実施例2〜5及び比較例1、2で製造したCMPスラリーを用いて、CMPスラリーの研磨性能試験を行った。CMP研磨装置は、GnP Technology社製のPOLI−400を使用し、対象ウェハーは、7,000Åの厚さで蒸着したオキシドウェハー(oxide wafer)と、LPCVDで1,500Åの厚さで蒸着したナイトライドウェハー(nitride wafer)を使用した。なお、研磨性能試験の基準は、次表2の通りである。
【表2】
【0073】
このような条件で前記実施例2〜5及び比較例1、2で製造したCMPスラリーを1分間研磨した後、研磨により除去された厚さの変化から研磨速度と除去選択度を測定し、その結果を表3に示した。
【表3】
【0074】
表3から、リニア型高分子電解質とグラフト型高分子電解質との混合物を含有するCMPスラリー用補助剤を用いて製造した実施例2〜5のCMPスラリーは、比較例1と比較して酸化膜研磨率が増加し、窒化膜研磨率が減少し、除去選択度が増加することが確認された。
【0075】
なお、表3において実施例2〜5の結果からわかるように、リニア型高分子電解質とグラフト型高分子電解質との使用比率を調節することで研磨選択度を調整することができる。
【産業上の利用可能性】
【0076】
本発明によってリニア型高分子電解質と共にグラフト型高分子電解質を併用することで、研磨粒子によるマイクロスクラッチの発生率を減少させることができると共に、前記リニア型高分子電解質を単独で使用する場合に比べて研磨選択度を高めることができるだけでなく、前記リニア型高分子電解質とグラフト型高分子電解質との使用比率を調節することで、希望の範囲内の選択度を得ることができる。
【0077】
以上、本発明の具体例について詳細に説明してきたが、本発明の技術思想範囲内で様々な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明らかであり、その変形及び修正が本願特許請求の範囲に属することは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【0078】
【図1】一般のSTI工程を示す図である。
【図2】本発明の一実施例によるグラフト型高分子電解質の構造を示す模式図である。
【符号の説明】
【0079】
100 半導体基板、101 パッドシリコン酸化膜(SiO2)、102 シリコン窒化膜(SiN)、103 トレンチ(溝)、104 絶縁用シリコン酸化膜、105 ゲートシリコン酸化膜、200 主鎖部、201 側鎖部
Claims (9)
- a)重量平均分子量が2,000〜50,000であり、カルボキシル基を含むリニア型高分子電解質、及び重量平均分子量が1,000〜20,000であり、主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質の混合物、及び塩基性物質を含むCMP(化学機械研磨)スラリー用補助剤0.1〜10重量%と、
b)研磨粒子0.1〜10重量%と、c)残部の水とを含み、
前記グラフト型高分子電解質において、側鎖の長さは分子量が500〜2,000であり、主鎖の長さは分子量が500〜15,000であり、
前記補助剤はpHが4.5〜8.8の浅いトレンチ素子分離用CMP(化学機械研磨)スラリー。 - a)重量平均分子量が2,000〜50,000であり、カルボキシル基を含むリニア型高分子電解質、及び重量平均分子量が1,000〜20,000であり、主鎖及び側鎖からなるグラフト型高分子電解質の混合物、及び塩基性物質、を含むCMP(化学機械研磨)スラリー用補助剤0.1〜10重量%と、
b)研磨粒子0.1〜10重量%と、c)残部の水とを含み、
前記グラフト型高分子電解質において、側鎖の長さは分子量が500〜2,000であり、主鎖の長さは分子量が500〜15,000であり、
前記補助剤はpHが4.5〜8.8の浅いトレンチ素子分離用CMP(化学機械研磨)スラリーを使用して、陽電荷を帯びた材料に対する陰電荷を帯びた材料の研磨選択度を調節する方法。 - 前記カルボキシル基は、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸及びマレイン酸からなる群から選択される少なくとも1種が選択されることを特徴とする請求項1に記載の浅いトレンチ素子分離用CMPスラリー。
- 前記グラフト型高分子電解質は、側鎖として、水酸基、カルボキシル基及びスルホン酸基からなる群から少なくとも1種選択される作用基を含有するエチレン性不飽和モノマーの重合又は共重合由来のマクロ単位体、及び主鎖として、カルボキシル基を含有するエチレン性不飽和モノマー由来の単位体を含むことを特徴とする請求項1または3に記載の浅いトレンチ素子分離用CMPスラリー。
- 前記アルコキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリル酸エステルモノマーが、グラフト型高分子電解質内において10〜50重量%で含有されることを特徴とする請求項5に記載の浅いトレンチ素子分離用CMPスラリー。
- 前記グラフト型高分子電解質の主鎖に存在するカルボキシル基を含有するエチレン性不飽和モノマー由来の単位体は、メタクリル酸またはアクリル酸由来であることを特徴とする請求項4に記載の浅いトレンチ素子分離用CMPスラリー。
- 前記グラフト型高分子電解質の主鎖に存在するカルボキシル基を含有するエチレン性不飽和モノマー由来の単位体は、主鎖成分全体に対して65重量部以上100重量部以下で含まれていることを特徴とする請求項7に記載の浅いトレンチ素子分離用CMPスラリー。
- 前記b)の塩基性物質は、水酸化アンモニウム又は塩基性アミンであることを特徴とする請求項1又は3から8のいずれか一項に記載の浅いトレンチ素子分離用CMPスラリー。
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