JP4844714B2 - 多層配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、多層配線基板におけるＢＶＨ（Blind Via Hole, Buried Via Hole）の断線をチェックする方法に関し、特に、リチウムイオン電池等の充電可能な電池（二次電池）を保護するための保護回路を備えた二次電池保護モジュールに使用されるプリント基板におけるＢＶＨの断線をチェックする方法に関する。

二次電池の内、特にリチウムイオン電池は、過放電、過充電に弱いため、過放電状態、過充電状態を検出して、過放電状態及び過充電状態から二次電池を保護するための保護回路が不可欠である。従って、この二次電池保護回路は、過放電防止機構と過充電防止機構とを備えている。このような二次電池保護回路は、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。通常、二次電池保護回路として、ＩＣチップ（保護ＩＣ）が用いられている。

このような二次電池保護回路（保護ＩＣ）はプリント基板（回路基板）上に搭載される（例えば、特許文献３参照）。プリント基板上には、また、放電制御スイッチおよび充電制御スイッチとして動作するパワーＭＯＳＦＥＴ（パワーＩＣ）や、抵抗器及びコンデンサなどの複数の電子部品が搭載される。プリント基板、二次電池保護回路、パワーＭＯＳＦＥＴ、及び複数の電子部品の組み合わせは、二次電池保護モジュールと呼ばれる。

このような二次電池保護モジュールに使用されるプリント基板としては、ＩＶＨ（Interstitial Via Hole）や上記ＢＶＨが形成された多層配線基板が使用される。尚、多層配線基板としては、１個の二次電池保護モジュール用に１つのプリント基板だけ製造するのではなく、多数の二次電池保護モジュール用に多数のプリント基板を一度に製造するのが一般的である。

周知のように、多層配線基板は、複数枚の絶縁材（基材）を積層した構造を有し、基材を間に挟んで層が形成される。このような多層配線基板は、各層に形成された複数の導体パターンと、これら導体パターン間を電気的に接続するための複数のＢＶＨとを持つ。多層配線基板は、多数のプリント基板が搭載された中央部にある使用部分と、基板外枠にある未使用部分とに分けられる。従来の多層配線基板では、未使用部分が全面銅箔で覆われている。尚、各層間に挟まれる絶縁材（基材）は、その厚さが非常に薄いので透視可能であり、所謂、透けて見える。

特許第２８７２３６５号公報 特開２００１−１６９４７７号公報 特開２００１−２６８８０８号公報

上述したように、多層配線基板は、複数枚の絶縁材（基材）を積層した構造を有する。そのため、複数枚の基材を積層する際に、各層に形成された導体パターンと層間を貫通するＢＶＨとの間の位置関係が正常状態からズレてしまう場合がある。このようなズレが発生すると、ＢＶＨに断線が起こってしまう場合がある。

したがって、本発明の課題は、多層配線基板におけるＢＶＨの断線を目視により容易にチェックすることが可能な多層配線基板を提供することにある。

したがって、本発明の課題は、多層配線基板におけるＢＶＨの断線を容易にチェックすることが可能な多層配線基板およびＢＶＨ断線チェック方法を提供することにある。

本発明の第１の態様によれば、複数枚の基材（６１〜６３）を積層した多層配線基板（５０）であって、前記多層配線基板は、各層に形成された複数の導体パターンと、該複数の導体パターン間を電気的に接続するために層間を貫通する複数のＢＶＨとを持ち、該多層配線基板は使用部分（５２）と未使用部分（５４）とに分けられ、前記多層配線基板は、互いに隣接する２つの内層に挟まれた肉眼で透視可能な特定の基材（６２）を持ち、前記未使用部分には特殊なパターンが形成された多層配線基板が得られる。前記特殊なパターンは、一対の表層の一方から前記特定の基材に到るまで貫通しかつ第１の直径（Ｄ１）を持つ特定のＢＶＨ（７１）と、該特定のＢＶＨに同心で前記一対の表層の一方から前記特定の基材に到るまでの各内層に形成され、前記第１の直径より大きい内径（Ｄ２）と外径（Ｄ３）とを持つ環状導体箔（７２）と、前記特定のＢＶＨが形成された位置と対応する位置で、前記一対の表層の他方から前記特定の基材に到るまで貫通し、かつ前記環状導体箔の外径よりも大きい第２の直径（Ｄ４）を持つ貫通穴（７３）とから成る。

上記本発明の第１の態様による多層配線基板において、前記環状導体箔（７２）の内径（Ｄ２）は、前記第１の直径（Ｄ１）に対して公差を考慮に入れた大きさに設定されていることが好ましい。また、前記導体箔は、例えば、銅箔から構成されて良い。更に、前記特殊なパターンは、前記未使用部分（５４）の対角線上で向き合う２箇所に形成されていることが望ましい。

本発明の第２の態様によれば、複数枚の基材（６１〜６３）を積層した多層配線基板（５０）であって、前記多層配線基板は、各層に形成された複数の導体パターンと、該複数の導体パターン間を電気的に接続するために層間を貫通する複数のＢＶＨとを持ち、該多層配線基板は使用部分（５２）と未使用部分（５４）とに分けられ、複数の層は、前記多層配線基板の内部に形成された複数の内層（５０−２，５０−３）と、前記多層配線基板の両表面に形成された第１及び第２の表層（５０−４，５０−１）とに分けられ、前記多層配線基板は、互いに隣接する２つの前記内層に挟まれた肉眼で透視可能な特定の基材（６２）を持ち、前記未使用部分には互いに異なる第１及び第２の特殊なパターンが形成されている多層配線基板が得られる。前記第１の特殊なパターンは、前記第１の表層（５０−４）から前記特定の基材に到るまで貫通しかつ第１の直径（Ｄ１）を持つ第１の特定のＢＶＨ（７１）と、該第１の特定のＢＶＨに同心で前記第１の表層（５０−４）から前記特定の基材に到るまでの各内層に形成され、前記第１の直径より大きい内径（Ｄ２）と外径（Ｄ３）とを持つ第１の環状導体箔（７２）と、前記第１の特定のＢＶＨが形成された位置と対応する位置で、前記第２の表層（５０−１）から前記特定の基材に到るまで貫通し、かつ前記第１の環状導体箔の外径よりも大きい第２の直径（Ｄ４）を持つ第１の貫通穴（７３）とから成る。前記第２の特殊なパターンは、前記第２の表層（５０−１）から前記特定の基材に到るまで貫通しかつ前記第１の直径（Ｄ１）を持つ第２の特定のＢＶＨ（７１）と、該第２の特定のＢＶＨに同心で前記第２の表層（５０−１）から前記特定の基材に到るまでの各内層に形成され、前記内径（Ｄ２）と前記外径（Ｄ３）とを持つ第２の環状導体箔（７２）と、前記第２の特定のＢＶＨが形成された位置と対応する位置で、前記第１の表層（５０−４）から前記特定の基材に到るまで貫通し、かつ前記第２の直径（Ｄ４）を持つ第２の貫通穴（７３）とから成る。

上記本発明の第２の態様による多層配線基板において、前記第１及び第２の環状導体箔の内径（Ｄ２）は、前記第１の直径（Ｄ１）に対して公差を考慮に入れた大きさに設定されていることが好ましい。また、前記導体箔は、例えば、銅箔から構成されて良い。さらに、前記第１の特殊なパターンは、前記未使用部分の一方の対角線上で向き合う２箇所に形成され、第２の特殊なパターンは、前記未使用部分の他方の対角線上で向き合う２箇所に形成されていることが望ましい。

尚、上記括弧内の符号は、本発明の理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、これらに限定されないのは勿論である。

本発明の第１及び第２の態様では、多層配線基板の未使用部分に特殊なパターン（第１及び第２の特殊なパターン）を形成しているので、目視によりＢＶＨの断線をチェックすることができる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１を参照して、本発明の一実施の形態に係るＢＶＨ断線チェック方法が適用されるプリント基板を使用する二次電池保護モジュール１０について説明する。図１において、（Ａ）は二次電池保護モジュール１０の平面図、（Ｂ）は二次電池保護モジュール１０の裏面図、（Ｃ）は二次電池保護モジュール１０の正面図、（Ｄ）は二次電池保護モジュール１０の側面図である。

二次電池保護モジュール１０は、後述するように、リチウムイオン電池等の二次電池（図示せず）と電気的に接続される。二次電池は陽極端子と陰極端子とを持つ。二次電池保護モジュール１０と二次電池との組み合わせは、電池パックと呼ばれる。

二次電池保護モジュール１０は、プリント基板１１を備えている。プリント基板１１は、互いに対向する主面１１ａ及び裏面１１ｂを持つ。図示のプリント基板１１の厚さは、約０．７ｍｍである。

プリント基板１１の主面１１ａ上には、二次電池保護回路（保護ＩＣ）１２、放電制御スイッチおよび充電制御スイッチとして動作するパワーＭＯＳＦＥＴ（パワーＩＣ）１３や、抵抗器及びコンデンサなどの複数の電子部品１４が搭載されている。

二次電池保護回路１２は、二次電池の過放電状態、過充電状態を検出して、過放電状態及び過充電状態から二次電池を保護するための回路である。パワーＭＯＳＦＥＴ１３は、二次電池保護回路１２の制御により二次電池の放電及び充電をオン／オフするスイッチング手段として働く。

二次電池の陽極端子及び陰極端子と電気的に接続するために、二次電池保護モジュール１０は、プリント基板１１の主面１１ａ上に一対のリード２１、２２を備えている。各リード２１、２２は、例えば、ニッケル成分が９９％含有するニッケルリードから成る。一対のリードにおいて、二次電池の陽極端子と接続されるリード２１は陽極リードと呼ばれ、二次電池の陰極端子と接続されるリード２２は陰極リードと呼ばれる。

一方、図１（Ｂ）に示されるように、負荷又は充電器と接続するために、二次電池保護モジュール１０は、プリント基板１１の裏面１１ｂ上に一対の外部接続端子３１、３２を備えている。一対の外部接続端子において、一方は正極端子３１で、他方は負極端子３２である。これら正極端子３１及び負極端子３２には金メッキが施されている。正極端子３１及び負極端子３２の厚さは、０．５μｍより厚い。

陽極リード２１と陰極リード２２との間に、プリント基板１１の内部配線（導体パターン）を介して、二次電池保護回路（保護ＩＣ）１２が接続される。陰極リード２２と負極端子３２との間に、プリント基板１１の内部配線（導体パターン）を介して、パワーＭＯＳＦＥＴ（パワーＩＣ）１３が接続される。

図１（Ｄ）に示されるように、二次電池の陽極端子及び陰極端子と接続される一対のリード２１、２２の各々は、Ｌ字形の形状をしている。すなわち、Ｌ字形リード２１、２２は、それぞれ、プリント基板１１の主面１１ａ上に実装（搭載）される搭載部分２１ａ、２２ａと、二次電池の端子（陽極端子又は陰極端子）と接続される接続部分２１ｂ、２２ｂとから成る。

プリント基板１１の主面１１ａ上に搭載された回路部品、すなわち、二次電池保護回路１２、パワーＭＯＳＦＥＴ１３、電子部品１４は、樹脂４０によって封入される。

図２に上記プリント基板１１を多数搭載した多層配線基板５０を示す。周知のように、多層配線基板５０は、複数枚の絶縁材（基材）を積層した構造を有し、基材を間に挟んで複数の層の各々が形成される。各層間に挟まれる絶縁材（基材）は、その厚さが非常に薄いので透視可能であり、所謂、透けて見える。

図示はしないが、この技術分野において周知のように、多層配線基板５０は、各層に形成された複数の導体パターンと、これら導体パターン間を電気的に接続するために層間を貫通する複数のＢＶＨとを持つ。

図２に示されるように、多層配線基板５０は、多数のプリント基板１１が搭載された中央部にある使用部分５２と、基板外枠（図２では左右の両縁）にある未使用部分５４とに分けられる。尚、未使用部分５４は、最終的にはプリント基板として使用されずに捨てられる部分なので、捨て基板部とも呼ばれる。

前述したように、従来の多層配線基板では、未使用部分が全面銅箔で覆われていた。その為、各プリント基板１１におけるＢＶＨの断線を目視等で容易にチェックすることができなかった。

図３に多層配線基板５０の未使用部分５４の一部断面を示す。図３において、（Ａ）は多層配線基板５０の未使用部分５４に形成される第１の特殊なパターンを示し、（Ｂ）は多層配線基板５０の未使用部分５４に形成される第２の特殊なパターンを示す。図示の例では、多層配線基板５０は４層の場合を示している。

図示の多層配線基板５０は、第１乃至第３の絶縁材（基材）６１、６２、および６３から構成されている。したがって、多層配線基板５０は、第１層５０−１、第２層５０−２、第３層５０−３、及び第４層５０−４から構成されている。第１層５０−１は、第１の基材６１の表面（多層配線基板５０の主面５０ａ）に形成されている。第２層５０−２は、第１の基材６１と第２の基材６２との間に形成されている。第３層５０−３は、第２の基材６２と第３の基材６３との間に形成されている。第４層５０−４は、第３の基材６３の表面（多層配線基板５０の裏面５０ｂ）に形成されている。

第２層５０−２と第３層５０−３とは、多層配線基板５０の内部に形成されているので、内層と呼ばれる。一方、第１層５０−１と第４層５０−４は、多層配線基板５０の両表面に形成されているので、外層又は表層と呼ばれる。尚、ここでは、第４層５０−４を第１の表層と呼び、第１層５０−１を第２の表層と呼ぶことにする。また、互いに隣接する第２層５０−２と第３層５０−３とに挟まれた第２の基材６２を、特定の基材と呼ぶことにする。また、本例では、多層配線基板５０の公差は、±０．１ｍｍであるとする。

図４は多層配線基板５０の未使用部分５４の一部（要部）を拡大して示す拡大平面図である。

図３（Ａ）、図４に加えて図５をも参照して、本発明の第１の実施の形態に係る、多層配線基板５０の未使用部分５４に形成される第１の特殊なパターンについて説明する。

図５（Ａ）に示されるように、第４層５０−４および第３層５０−３に第３の基材６３を貫通する直径Ｄ１＝０．３５ｍｍの第１の特定のＢＶＨ７１が形成されている。換言すれば、第１の特定のＢＶＨ７１は、第１の表層５０−４から特定の基材６２に到るまで貫通している。第３層５０−３と第４層５０−４に、上記第１のＢＶＨ７１と同心で、内径Ｄ２＝０．６５ｍｍで外径Ｄ３＝０．９５ｍｍの第１の円環状銅箔７２が形成されている。換言すれば、第１の円環状銅箔７２は、第１の特定のＢＶＨ７１と同心で、第１の表層５０−４から特定の基材６２に到るまでの各内層に形成されている。ここで、第１の円環状銅箔７２の内径Ｄ２は、直径Ｄ１に対して交差を考慮に入れた大きさに設定されている。すなわち、公差が±０．１ｍｍであるので、第１の円環状銅箔７２の内側の半径Ｄ２／２が第１のＢＶＨ７１の半径Ｄ１／２に０．１ｍｍを加えた大きさより大きくなるように設定されている（Ｄ２／２＞Ｄ１／２＋０．１）。第１の円環状銅箔７２は、内周縁７２ａと外周縁７２ｂとを持つ。

図５（Ｂ）に示されるように、第１のＢＶＨ７１が設けられている位置と対応する位置で、第１層５０−１および第２層５０−２に第１の基材６１を貫通する直径Ｄ４＝１．２５ｍｍの第１の貫通穴７３が形成されている。第１の貫通孔７３の直径Ｄ４は、第１の円環状銅箔７２の外径Ｄ３より大きければ良い。

これにより、図５（Ｃ）に示されるように、第１の貫通穴７３から、第３層５０−３及び第４層５０−４に形成した第１の円環状銅箔７２を、第２の基材（特定の基材）６２を通して透視することが可能となる。

尚、第１の円環状銅箔７２および第１の貫通孔７３は円形をしているが、多角形をしていても良い。

上述した多層配線基板５０の未使用部分５４に形成される第１の特殊なパターンでは、第１層５０−１と第２層５０−２とに第１の貫通穴７３を空け、第３層５０−３と第４層５０−４とに第１の円環状銅箔７２と第１のＢＶＨ７１とを形成している。

これに対して、多層配線基板５０の未使用部分５４に形成される第２の特殊なパターンでは、図３（Ｂ）に示されるように、第３層５０−３と第４層５０−４とに第２の貫通穴７３を空け、第１層５０−１と第２層５０−２とに第２の円環状銅箔７２と第２のＢＶＨ７１とを形成している。

次に、図３（Ｂ）と図４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る、多層配線基板５０の未使用部分５４に形成される第２の特殊なパターンについて説明する。

第１層５０−１および第２層５０−２に第１の基材６１を貫通する直径Ｄ１＝０．３５ｍｍの第２の特定のＢＶＨ７１が形成されている。換言すれば、第２の特定のＢＶＨ７１は、第２の表層５０−１から特定の基材６２に到るまで貫通している。第２層５０−２と第１層５０−１に、上記第２のＢＶＨ７１と同心で、内径Ｄ２＝０．６５ｍｍで外径Ｄ３＝０．９５ｍｍの第２の円環状銅箔７２が形成されている。換言すれば、第２の円環状銅箔７２は、第２の特定のＢＶＨ７１と同心で、第２の表層５０−１から特定の基材６２に到るまでの各内層に形成されている。ここで、第２の円環状銅箔７２の内径Ｄ２は、直径Ｄ１に対して交差を考慮に入れた大きさに設定されている。すなわち、公差が±０．１ｍｍであるので、第２の円環状銅箔７２の内側の半径Ｄ２／２が第２のＢＶＨ７１の半径Ｄ１／２に０．１ｍｍを加えた大きさより大きくなるように設定されている（Ｄ２／２＞Ｄ１／２＋０．１）。第２の円環状銅箔７２は、内周縁７２ａと外周縁７２ｂとを持つ。

第２のＢＶＨ７１が設けられている位置と対応する位置で、第４層５０−４および第３層５０−３に第３の基材６３を貫通する直径Ｄ４＝１．２５ｍｍの第２の貫通穴７３が形成されている。第２の貫通孔７３の直径Ｄ４は、第２の円環状銅箔７２の外径Ｄ３より大きければ良い。

これにより、第２の貫通穴７３から、第１層５０−１及び第２層５０−２に形成した第２の円環状銅箔７２を、第２の基材（特定の基材）６２を通して透視することが可能となる。

尚、第２の円環状銅箔７２および第２の貫通孔７３は円形をしているが、多角形をしていても良い。

図２から明らかなように、第１の特殊なパターンは、多層配線基板５０の未使用部分５４の一方の対角線上で向き合う２箇所に形成され、第２の特殊なパターンは、多層配線基板５０の未使用部分５４の他方の対角線上で向き合う２箇所に形成されている。

尚、上述した実施の形態では、第１の特殊なパターンと第２の特殊なパターンとの２種類の特殊なパターンを用いているが、どちらか一方の特殊なパターンだけを用いても良い。また、上述した特殊なパターンは、多層配線基板５０の未使用部分５４に少なくとも１箇所だけ形成されても良い。

図６に貫通穴７３から観察したＢＶＨ７１の状態を示す。図６において、（Ａ）はＢＶＨ７１が正しく形成された状態（正常状態）を示し、（Ｂ）はＢＶＨ７１がズレて形成された状態（ズレた状態）を示している。

図６（Ａ）に示される正常状態では、ＢＶＨ７１の中心は、円環状銅箔７２の中心と実質的に一致しているので、ＢＶＨ７１は円環状銅箔７２の内周縁７２ａの範囲に収まっていることが分かる。これに対して、図６（Ｂ）に示されるズレた状態においては、ＢＶＨ７１の中心と円環状銅箔７２の中心とがズレているので、ＢＶＨ７１の一部が円環状の銅箔７２の内周縁７２ａと重なっていることが分かる。

したがって、図６（Ｂ）に示されたズレた状態を目視で観察した場合、プリント基板１１におけるＢＶＨが断線していると判定することができる。

従来の多層配線基板では、ＢＶＨの内層のズレを目視で確認することができなかった。これに対して、本実施の形態に係る多層配線基板５０では、一対の表層の一方から特定の基材に到るまでの各層にＢＶＨ７１と同心に円環状銅箔７２を形成し、一対の表層の他方から特定の基材に到るまで貫通する、円環状銅箔７２の外径より大きい直径を持つ貫通穴７３を空けることによって、各プリント基板１１における内層とＢＶＨとの間のズレを外観で目視確認することが可能となる。

前述した本発明の第１の実施の形態では、目視によりＢＶＨの断線をチェックしているが、次に述べる本発明の第２の実施の形態では、オープン／ショートチェッカーを使用して電気的にＢＶＨの断線をチェックする。

図７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る、ＢＶＨの断線チェック方法について説明する。本第２の実施の形態においては、多層配線基板５０の使用部分５２と未使用部分５４とに跨って、後述するような特殊なパターンを形成することによって、電気的にＢＶＨの断線をチェックする。

図７において、（Ａ）は多層配線基板５０の使用部分５２と未使用部分５４との境界部分の第３層（内層）５０−３に形成されたパターンを示し（Ｂ）は多層配線基板５０の使用部分５２と未使用部分５４と境界部分の第４層（表層、外層）５０−４に形成されたパターンを示している。尚、本例でも、多層配線基板５０の公差は、±０．１ｍｍであるとする。

図７（Ａ）に示されるように、使用部分５２と未使用部分５４との間の境界に近接した使用部分５２側には、第４層（第１の表層）５０−４から第３層（内層）５０−３まで貫通する直径Ｄ１＝０．３５ｍｍの第１の特定のＢＶＨ７１−１が形成されている。この第３層（内層）５０−３には、第１の特定のＢＶＨ７１と同心に、直径Ｄ５＝０．６５ｍｍの第１の内層銅箔７５が形成されている。ここで、第１の内層銅箔７５の直径Ｄ５は、第１の特定のＢＶＨ７１−１の直径Ｄ１より大きければ良い。また、図示の例では、第１の内層銅箔７５は円形をしているが、円形に限定されない。

また、使用部分５２と未使用部分５４との間の境界に近接した未使用部分５４側には、第４層（第１の表層）５０−４から第３層（内層）５０−３まで貫通する直径Ｄ１＝０．３５ｍｍの第２の特定のＢＶＨ７１−２が形成されている。この第３層（内層）５０−３には、第２の特定のＢＶＨ７１−２と同心に、内径Ｄ２＝０．６５ｍｍで外径Ｄ３＝０．９５ｍｍの第２の内層銅箔７２が形成さている。すなわち、第２の特定のＢＶＨ７１−２に対して０．１５ｍｍの距離だけ離した第２の内層銅箔７２が捨て基板部５４に形成されている。前述した第１の実施の形態の場合と同様に、第２の内層銅箔７２の内径Ｄ２は、第２の特定のＢＶＨ７１−２の直径Ｄ１に対して公差を考慮に入れた大きさに設定されている。すなわち、公差が±０．１ｍｍであるので、第２の内層銅箔７２の内側の半径Ｄ２／２が第２の特定のＢＶＨ７１−２の半径Ｄ１／２に０．１ｍｍを加えた大きさより大きくなるように設定されている（Ｄ２／２＞Ｄ１／２＋０．１）。第２の内層銅箔７２は、内周縁７２ａと外周縁７２ｂとを持つ。第３層（内層）５０−３において、第１の内層銅箔７５と第２の内層銅箔７２とは、それらの間に延在する第３の内層銅箔７６で電気的に接続されている。

図７（Ｂ）に示されるように、上記第１の内層銅箔７５と対応した位置で、使用部分５２の第４層（表層）５０−４に、第１の特定のＢＶＨ７１−１と同心に、直径Ｄ５＝０．６５ｍｍの第１の表層銅箔７７−１が形成されている。ここで、第１の表層銅箔７７−１の直径Ｄ５は、第１の特定のＢＶＨ７１−１の直径Ｄ１より大きければ良い。図示の例では、第１の表層銅箔７７−１は円形をしているが、円形に限定されない。第１の表層銅箔７７−１から使用部分５２の内側へ離れた位置で、使用部分５２の第４層（表層）５０−４に、直径Ｄ６＝２．００ｍｍの第１の表層銅箔テストポイント７８−１が形成されている。図示の例では、第１の表層銅箔テストポイント７８−１は円形をしているが、円形に限定されない。第１の表層銅箔７７−１と第１の表層銅箔テストポイント７８−１とは、それらの間に延在する第２の表層銅箔パターン７９−１で接続されている。

更に、図７（Ｂ）に示されるように、上記第２の内層銅箔７２と対応した位置で、未使用部分５４の第４層（表層）５０−４に、第２のＢＶＨ７１−２と同心に、直径Ｄ５＝０．６５ｍｍの第３の表層銅箔７７−２が形成されている。第３の表層銅箔７７−２の直径Ｄ５は、第２の特定のＢＶＨ７１−２の直径Ｄ１より大きければ良い。図示の例では、第３の表層銅箔７７−２は円形をしているが、円形に限定されない。第３の表層銅箔パターン７７−２から未使用部分５２の外側へ離れた位置で、未使用部分５４の第４層（表層）５０−４に、直径Ｄ６＝２．００ｍｍの第２の表層銅箔テストポイント７８−２が形成されている。図示の例では、第２の表層銅箔テストポイント７８−２は円形をしているが、円形に限定されない。第３の表層銅箔パターン７７−２と第２の表層銅箔テストポイント７８−２とは、それらの間に延在する第４の表層銅箔７９−２で接続されている。

このような構成の特殊なパターンを形成することによって、以下に述べるように、各プリント基板１１におけるＢＶＨの断線の有無を、オープン／ショートチェッカー（図示せず）を使用して電気的にチェックすることができる。

各プリント基板１１に形成されたＢＶＨにズレが無いとする。この場合、図６（Ａ）に示されるように、捨て基板部５４に形成された第２の特定のＢＶＨ７１−２の中心は、第２の内層銅箔７２の中心と実質的に一致する。その為、第２の特定のＢＶＨ７１−２は第２の内層銅箔７２の内周縁７２ａの範囲内に収まり、第２の特定のＢＶＨ７１−２と第２の内層銅箔７２との間はオープン状態となる。このような状態において、オープン／ショートチェッカーの一対のプローブを第１及び第２の表層銅箔テストポイント７８−１、７８−２に接触させることにより、第２の特定のＢＶＨ７１−２と第２の内層銅箔７２との間がオープンであることを電気的にチェックすることができる。すなわち、各プリント基板１１におけるＢＶＨには断線が無いと判定することができる。

一方、各プリント基板１１に形成されたＢＶＨにズレが有るとする。この場合、図６（Ｂ）に示されるように、捨て基板部５４に形成された第２の特定のＢＶＨ７１−２の中心と第２の内層銅箔７２の中心とがズレてしまう。その結果、第２の特定のＢＶＨ７１−２の一部が第２の内層銅箔７２の内周縁７２ａと重なってしまい、第２の特定のＢＶＨ７１−２と第２の内層銅箔７２との間はショート状態となる。このような状態において、オープン／ショートチェッカーの一対のプローブを第１及び第２の表層円形銅箔テストポイント７８−１、７８−２に接触させることにより、第２の特定のＢＶＨ７１−２と第２の内層銅箔７２との間がショートしていることを電気的にチェックすることができる。すなわち、各プリント基板１１におけるＢＶＨには断線が有ると判定することができる。

尚、上述した第２の実施の形態では、図７（Ａ）に示されるパターンを、特定の内層として第３層５０−３に形成しているが、特定の内層として第２層５０−２に形成しても良いのは勿論である。また、図７（Ｂ）に示されるパターンを、第４層（第１の表層）５０−４に形成しているが、第１層（第２の表層）５０−１に形成しても良いのは勿論である。

以上、本発明をその好ましい実施の形態によって説明してきたが、本発明は上述した実施の形態に限定しないのは勿論である。例えば、上述した実施の形態では、導体箔として銅箔を用いているが、他の導体箔を使用しても良いのは勿論である。また、上述した実施の形態では、多層配線基板が４層の例についてのみ説明したが、５層以上の多層配線基板にも同様に適用可能であるのは勿論である。

本発明の一実施の形態に係るＢＶＨ断線チェック方法が適用されるプリント基板を使用する二次電池保護モジュールを示す図で、（Ａ）は二次電池保護モジュールの平面図、（Ｂ）は二次電池保護モジュールの裏面図、（Ｃ）は二次電池保護モジュールの正面図、（Ｄ）は二次電池保護モジュールの側面図である。 図１に示したプリント基板を多数搭載した多層配線基板を示す平面図である。 図２に示した多層配線基板の未使用部分の一部断面を示す図で、（Ａ）は多層配線基板の未使用部分に形成される第１の特殊なパターンを示し、（Ｂ）は多層配線基板の未使用部分に形成される第２の特殊なパターンを示す。 図１に示した多層配線基板の未使用部分の一部（要部）を拡大して示す拡大平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る、多層配線基板の未使用部分に形成される第１の特殊なパターンを説明するための部分平面図である。 貫通穴から観察したＢＶＨの状態を示す図で、（Ａ）はＢＶＨが正しく形成された状態（正常状態）を示し、（Ｂ）はＢＶＨがズレて形成された状態（ズレた状態）を示す。 本発明の第２の実施の形態に係る、ＢＶＨの断線チェック方法を説明するための図で、（Ａ）は多層配線基板の使用部分と未使用部分との境界部分の内層に形成されたパターンを示し、（Ｂ）は多層配線基板の使用部分と未使用部分と境界部分の表層に形成されたパターンを示す。

符号の説明

１１ プリント基板
５０ 多層配線基板
５０−１ 第１層（第２の表層）
５０−２ 第２層（内層）
５０−３ 第３層（内層）
５０−４ 第４層（第１の表層）
５０ａ 主面
５０ｂ 裏面
５２ 使用部分
５４ 未使用部分
６１ 第１の基材
６２ 第２の基材（特定の基材）
６３ 第３の基材
７１ 特定のＢＶＨ
７１−１ 第１の特定のＢＶＨ
７１−２ 第２の特定のＢＶＨ
７２ 円環状銅箔（第２の内層銅箔）
７３ 貫通穴
７５ 第１の内層銅箔
７６ 第３の内層銅箔
７７−１ 第１の表層銅箔
７７−２ 第３の表層銅箔
７８−１ 第１の表層銅箔テストポイント
７８−２ 第２の表層銅箔テストポイント
７９−１ 第２の表層銅箔
７９−２ 第４の表層銅箔

Claims (8)

1. 複数枚の基材を積層した多層配線基板であって、前記多層配線基板は、各層に形成された複数の導体パターンと、該複数の導体パターン間を電気的に接続するために層間を貫通する複数のＢＶＨとを持ち、該多層配線基板は使用部分と未使用部分とに分けられ、前記多層配線基板は、互いに隣接する２つの内層に挟まれた肉眼で透視可能な特定の基材を持ち、前記未使用部分には特殊なパターンが形成されており、前記特殊なパターンは、
   一対の表層の一方から前記特定の基材に到るまで貫通しかつ第１の直径を持つ特定のＢＶＨと、
   該特定のＢＶＨに同心で前記一対の表層の一方から前記特定の基材に到るまでの各内層に形成され、前記第１の直径より大きい内径と外径とを持つ環状導体箔と、
   前記特定のＢＶＨが形成された位置と対応する位置で、前記一対の表層の他方から前記特定の基材に到るまで貫通し、かつ前記環状導体箔の外径よりも大きい第２の直径を持つ貫通穴と
   から成ることを特徴とする多層配線基板。
2. 前記環状導体箔の内径は、前記第１の直径に対して公差を考慮に入れた大きさに設定されていることを特徴とする、請求項１に記載の多層配線基板。
3. 前記導体箔が銅箔である、請求項１又は２に記載の多層配線基板。
4. 前記特殊なパターンは、前記未使用部分の対角線上で向き合う２箇所に形成されている、請求項１乃至３のいずれか１つに記載の多層配線基板。
5. 複数枚の基材を積層した多層配線基板であって、前記多層配線基板は、各層に形成された複数の導体パターンと、該複数の導体パターン間を電気的に接続するために層間を貫通する複数のＢＶＨとを持ち、該多層配線基板は使用部分と未使用部分とに分けられ、複数の層は、前記多層配線基板の内部に形成された複数の内層と、前記多層配線基板の両表面に形成された第１及び第２の表層とに分けられ、前記多層配線基板は、互いに隣接する２つの前記内層に挟まれた肉眼で透視可能な特定の基材を持ち、前記未使用部分には互いに異なる第１及び第２の特殊なパターンが形成されており、
   前記第１の特殊なパターンは、
   前記第１の表層から前記特定の基材に到るまで貫通しかつ第１の直径を持つ第１の特定のＢＶＨと、
   該第１の特定のＢＶＨに同心で前記第１の表層から前記特定の基材に到るまでの各内層に形成され、前記第１の直径より大きい内径と外径とを持つ第１の環状導体箔と、
   前記第１の特定のＢＶＨが形成された位置と対応する位置で、前記第２の表層から前記特定の基材に到るまで貫通し、かつ前記第１の環状導体箔の外径よりも大きい第２の直径を持つ第１の貫通穴とから成り、
   前記第２の特殊なパターンは、
   前記第２の表層から前記特定の基材に到るまで貫通しかつ前記第１の直径を持つ第２の特定のＢＶＨと、
   該第２の特定のＢＶＨに同心で前記第２の表層から前記特定の基材に到るまでの各内層に形成され、前記内径と前記外径とを持つ第２の環状導体箔と、
   前記第２の特定のＢＶＨが形成された位置と対応する位置で、前記第１の表層から前記特定の基材に到るまで貫通し、かつ前記第２の直径を持つ第２の貫通穴とから成る、
   ことを特徴とする多層配線基板。
6. 前記第１及び第２の環状導体箔の内径は、前記第１の直径に対して公差を考慮に入れた大きさに設定されていることを特徴とする、請求項５に記載の多層配線基板。
7. 前記導体箔が銅箔である、請求項５又は６に記載の多層配線基板。
8. 前記第１の特殊なパターンは、前記未使用部分の一方の対角線上で向き合う２箇所に形成され、第２の特殊なパターンは、前記未使用部分の他方の対角線上で向き合う２箇所に形成されている、請求項５乃至７のいずれか１つに記載の多層配線基板。

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