JP4843034B2 - 温度センサ用リングオシレータ、温度センサ回路及びこれを備える半導体装置 - Google Patents
温度センサ用リングオシレータ、温度センサ回路及びこれを備える半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4843034B2 JP4843034B2 JP2008520105A JP2008520105A JP4843034B2 JP 4843034 B2 JP4843034 B2 JP 4843034B2 JP 2008520105 A JP2008520105 A JP 2008520105A JP 2008520105 A JP2008520105 A JP 2008520105A JP 4843034 B2 JP4843034 B2 JP 4843034B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- temperature sensor
- ring oscillator
- output
- inverter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/32—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using change of resonant frequency of a crystal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/03—Astable circuits
- H03K3/0315—Ring oscillators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
- H03K5/133—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices
Description
2、2’ 単位回路
3 NANDゲート
4 転送回路
5 分周回路
6 同期化回路
7 カウンタ
8 カウンタ値保持ラッチ
9 上限設定値保持ラッチ
10 下限設定値保持ラッチ
11、12 コンパレータ
13、14 ORゲート
15、16 シフトレジスタ
17、18 多数決回路
100 温度センサ回路
Q11、Q12 インバータを構成するMOSFET
Q13〜Q24 温度センサを構成するMOSFET
Claims (14)
- 各々がインバータを含み、直列に接続された奇数個の単位回路からなるリングオシレータであって、
前記単位回路が、前記インバータと、温度センサであって定常的にオフとされた状態におけるドレイン−ソース間のリーク電流を用いる1又は複数のFETとからなる
ことを特徴とする温度センサ用リングオシレータ。 - 前記温度センサである1又は複数のFETが、前記インバータに直列に挿入される
ことを特徴とする請求項1に記載の温度センサ用リングオシレータ。 - 前記温度センサである1又は複数のFETが、前記インバータの出力に接続され、転送回路を構成する
ことを特徴とする請求項1に記載の温度センサ用リングオシレータ。 - 各々がインバータを含み、直列に接続された奇数個の単位回路からなるリングオシレータであって、前記単位回路が、前記インバータと、温度センサであって定常的にオフとされた状態におけるドレイン−ソース間のリーク電流を用いる1又は複数のFETとからなるリングオシレータと、
前記リングオシレータの発振出力と所定のクロックの一方を分周する分周回路と、
前記分周回路の出力の1周期において、前記リングオシレータの発振出力と所定のクロックの他方をカウントするカウント回路と、
基板温度の上限値に対応する上限設定値を保持する第1の保持回路と、
前記カウント回路のカウント出力と前記第1の保持回路の上限設定値とを比較して、前者が後者を越えた場合に、第1の検出信号を出力する比較回路と、
前記第1の検出信号に基づいて、回路の動作を停止させる停止信号を生成する生成回路とを備える
ことを特徴とする温度センサ回路。 - 直列に接続された奇数個の単位回路を備えたリングオシレータであって、
前記単位回路が、
インバータ回路と、
前記インバータ回路に接続され、定常的にオフ状態とされた第1のFETとを備え、
前記リングオシレータが、前記第1のFETのドレイン−ソース間リーク電流により動作する
ことを特徴とするリングオシレータ。 - 前記インバータが第2のFETを備え、
前記第1のFETのゲート幅が、前記第2のFETのゲート幅よりも広く形成されている
ことを特徴とする請求項5に記載のリングオシレータ。 - 直列に接続された奇数個の単位回路を有するリングオシレータであって、
前記単位回路が、
インバータと、
前記インバータに直列に接続され、定常的にオフ状態とされた1又は複数のFETとを有し、
前記リングオシレータが、前記単位回路の定常的にオフ状態とされた前記1又は複数のFETのドレイン−ソース間リーク電流により駆動される
ことを特徴とするリングオシレータ。 - 直列に接続された奇数個の単位回路を有し、前記単位回路が、インバータと、定常的にオフ状態とされた第1のFETとを備え、前記第1のFETのドレイン−ソース間リーク電流により駆動されるリングオシレータと、
前記リングオシレータの発振出力と、外部から供給されるクロックの一方を分周する分周回路と、
前記分周回路の出力の1周期において、前記リングオシレータの発振出力と前記クロックの他方をカウントするカウント回路と、
温度の上限値に対応する上限設定値を保持する第1の保持回路と、
前記カウント回路のカウント出力と前記第1の保持回路の上限設定値とを比較して、前者が後者を越えた場合に、第1の検出信号を出力する比較回路とを備える
ことを特徴とする温度センサ回路。 - 前記温度センサ回路において、
前記上限値よりも小さい値である温度の下限値に対応する下限設定値を保持する第2の保持回路を更に備え、
前記比較回路が、前記カウント回路のカウント出力と前記第2の保持回路の下限設定値とを比較して、前者が後者を越えた場合に、第2の検出信号を出力するように構成された
ことを特徴とする請求項8に記載の温度センサ回路。 - 前記温度センサ回路において、
前記比較回路の出力する第1の検出信号を複数保持するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタに保持された第1の検出信号の多数決をとり、その結果に応じて前記第1の検出信号を出力する多数決回路とを更に備える
ことを特徴とする請求項8に記載の温度センサ回路。 - 基板の温度を検出する温度センサ回路において、
奇数個のインバータ回路が直列に接続され、前記インバータ回路を構成し定常的にオフ状態とされたFETのドレイン−ソース間リーク電流により駆動されるリングオシレータと、
前記リングオシレータの発振周波数に基づいて、前記基板の温度を判別する判別部とを備えた
ことを特徴とする温度センサ回路。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた回路ブロックと、
前記回路ブロックに設けられた温度センサ回路とを有し、
前記温度センサ回路が、更に、
直列に接続された奇数個の単位回路を有し、前記単位回路が、インバータと、定常的にオフ状態とされたFETとを備え、前記FETのドレイン−ソース間リーク電流により駆動されるリングオシレータと、
前記リングオシレータの発振出力と所定のクロックの一方を分周する分周回路と、
前記分周回路の出力の1周期において、前記リングオシレータの発振出力と所定のクロックの他方をカウントするカウント回路と、
温度の上限値に対応する上限設定値を保持する第1の保持回路と、
前記カウント回路のカウント出力と前記第1の保持回路の上限設定値とを比較して、前者が後者を越えた場合に、第1の検出信号を出力する比較回路と、
前記第1の検出信号に基づいて、前記回路ブロックの動作を停止させる停止信号を生成する生成回路とを備える
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた回路ブロックと、
前記半導体基板上に設けられた温度センサ回路とを有し、
前記温度センサ回路が、更に、
直列に接続された奇数個の単位回路を有し、前記単位回路が、インバータと、定常的にオフ状態とされたFETとを備え、前記FETのドレイン−ソース間リーク電流により駆動されるリングオシレータと、
前記リングオシレータの発振出力をカウントするカウント回路と、
第1の温度に対応する上限設定値を保持する第1の保持回路と、
前記カウント回路のカウント出力と前記上限設定値とを比較して、前記カウント出力が前記上限設定値を越えた場合に、第1の検出信号を出力する第1の比較回路と、
前記第1の温度より低い第2の温度に対応する下限設定値を保持する第2の保持回路と、
前記カウント出力と前記下限設定値とを比較して、前記カウント出力が前記下限設定値を越えた場合に、第2の検出信号を出力する第2の比較回路と、
前記第1の検出信号および前記第2の検出信号に基づいて、前記回路ブロックの動作を停止させる停止信号を生成する生成回路とを備える
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体装置において、
前記温度センサ回路は前記回路ブロック内に設けられ、
前記停止信号に基づいて、当該温度センサ回路が設けられた回路ブロックの動作が停止させられる
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2006/311580 WO2007141870A1 (ja) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | 温度センサ用リングオシレータ、温度センサ回路及びこれを備える半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007141870A1 JPWO2007141870A1 (ja) | 2009-10-15 |
JP4843034B2 true JP4843034B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=38801141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008520105A Expired - Fee Related JP4843034B2 (ja) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | 温度センサ用リングオシレータ、温度センサ回路及びこれを備える半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7804372B2 (ja) |
JP (1) | JP4843034B2 (ja) |
WO (1) | WO2007141870A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101774656B1 (ko) * | 2014-12-01 | 2017-09-04 | 미디어텍 인크. | 감온성 높은 인버터 및 링 발진기 |
KR20190081487A (ko) | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 온도 센서 회로 및 이를 구비하는 반도체 장치 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8397013B1 (en) | 2006-10-05 | 2013-03-12 | Google Inc. | Hybrid memory module |
US9043795B2 (en) * | 2008-12-11 | 2015-05-26 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and methods for adaptive thread scheduling on asymmetric multiprocessor |
US8330478B2 (en) * | 2009-11-03 | 2012-12-11 | Arm Limited | Operating parameter monitoring circuit and method |
US8154353B2 (en) * | 2009-11-03 | 2012-04-10 | Arm Limited | Operating parameter monitor for an integrated circuit |
TWI422847B (zh) * | 2010-09-01 | 2014-01-11 | Univ Nat Chiao Tung | 全晶片上寬工作電壓溫度製程電壓的感測系統 |
US8373482B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-02-12 | Texas Instruments Incorporated | Temperature sensor programmable ring oscillator, processor, and pulse width modulator |
WO2013016305A2 (en) | 2011-07-22 | 2013-01-31 | Nvidia Corporation | Component analysis systems and methods |
US9425772B2 (en) | 2011-07-27 | 2016-08-23 | Nvidia Corporation | Coupling resistance and capacitance analysis systems and methods |
US8952705B2 (en) | 2011-11-01 | 2015-02-10 | Nvidia Corporation | System and method for examining asymetric operations |
US9448125B2 (en) * | 2011-11-01 | 2016-09-20 | Nvidia Corporation | Determining on-chip voltage and temperature |
KR20130070953A (ko) | 2011-12-20 | 2013-06-28 | 한국전자통신연구원 | 공정변화에 둔감한 오실레이터 기반 디지털 온도센서 |
JP5921913B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-05-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 発振回路、集積回路、及び異常検出方法 |
DE102012208460A1 (de) * | 2012-05-21 | 2013-11-21 | Robert Bosch Gmbh | Umrichter für eine elektrische Maschine |
KR101951844B1 (ko) | 2012-06-21 | 2019-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 온도감지장치 및 그 구동 방법 |
CN103983809A (zh) | 2013-02-08 | 2014-08-13 | 辉达公司 | Pcb板及其在线测试结构以及该在线测试结构的制造方法 |
TWI517565B (zh) * | 2013-03-11 | 2016-01-11 | 聯詠科技股份有限公司 | 驅動能力與晶片終端電阻値自我調校方法及其裝置 |
US9209795B2 (en) * | 2013-05-17 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device and measuring method |
JP6063827B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-01-18 | 株式会社東芝 | 遅延回路および半導体記憶装置 |
US10145896B2 (en) * | 2013-08-06 | 2018-12-04 | Global Unichip Corporation | Electronic device, performance binning system and method, voltage automatic calibration system |
US9710650B2 (en) | 2014-06-10 | 2017-07-18 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Protection of data stored in a volatile memory |
FR3022056B1 (fr) * | 2014-06-10 | 2017-09-01 | Stmicroelectronics Rousset | Protection de donnees stockees dans un circuit integre |
US9692397B2 (en) * | 2015-06-29 | 2017-06-27 | International Business Machines Corporation | Carbon based CMOS sensor ring oscillator |
US10234336B2 (en) | 2015-08-06 | 2019-03-19 | Sandisk Technologies Llc | Ring oscillators for temperature detection in wideband supply noise environments |
WO2017023418A1 (en) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Sandisk Technologies Llc | Ring oscillators for temperature detection in wideband supply noise environments |
CN105628243B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-04-20 | 清华大学深圳研究生院 | 一种电阻型温度传感芯片 |
KR102558044B1 (ko) * | 2016-06-14 | 2023-07-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비교회로 및 반도체장치 |
CN106023890B (zh) * | 2016-07-25 | 2018-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 温度检测电路和方法、温度补偿装置和方法、及显示装置 |
US11644834B2 (en) * | 2017-11-10 | 2023-05-09 | Nvidia Corporation | Systems and methods for safe and reliable autonomous vehicles |
KR20230020571A (ko) | 2017-11-15 | 2023-02-10 | 프로틴텍스 엘티디. | 집적 회로 마진 측정 및 고장 예측 장치 |
TWI802615B (zh) | 2017-11-23 | 2023-05-21 | 以色列商普騰泰克斯有限公司 | 積體電路板失效檢測 |
US11408932B2 (en) | 2018-01-08 | 2022-08-09 | Proteantecs Ltd. | Integrated circuit workload, temperature and/or subthreshold leakage sensor |
US11740281B2 (en) | 2018-01-08 | 2023-08-29 | Proteantecs Ltd. | Integrated circuit degradation estimation and time-of-failure prediction using workload and margin sensing |
TWI828676B (zh) | 2018-04-16 | 2024-01-11 | 以色列商普騰泰克斯有限公司 | 用於積體電路剖析及異常檢測之方法和相關的電腦程式產品 |
US10964649B2 (en) * | 2018-08-03 | 2021-03-30 | Arm Limited | Tamper detection in integrated circuits |
FR3089628A1 (fr) * | 2018-12-11 | 2020-06-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur de température |
CN111366259B (zh) * | 2018-12-26 | 2022-02-18 | 杭州广立微电子股份有限公司 | 一种可重构的全数字温度传感器及测温方法 |
CN113474668A (zh) | 2018-12-30 | 2021-10-01 | 普罗泰克斯公司 | 集成电路i/o完整性和退化监测 |
WO2021111444A1 (en) | 2019-12-04 | 2021-06-10 | Proteantecs Ltd. | Memory device degradation monitoring |
JP7188400B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2022-12-13 | 株式会社豊田中央研究所 | A/d変換回路 |
KR20230003545A (ko) | 2020-04-20 | 2023-01-06 | 프로틴텍스 엘티디. | 다이-대-다이 접속성 모니터링 |
US11619551B1 (en) | 2022-01-27 | 2023-04-04 | Proteantecs Ltd. | Thermal sensor for integrated circuit |
US11815551B1 (en) | 2022-06-07 | 2023-11-14 | Proteantecs Ltd. | Die-to-die connectivity monitoring using a clocked receiver |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175793A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-13 | Sharp Corp | リングオシレータ |
JPH10239097A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Aisin Seiki Co Ltd | 物理量測定装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5473580A (en) | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Hitachi Ltd | Temperature measuring of mis semiconductor unit |
JPS5570128A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-27 | Nec Corp | Oscillator circuit |
JPS6352491A (ja) | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | パツケ−ジ部品およびこれを用いた光電子装置 |
JPH02147828A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Citizen Watch Co Ltd | 温度検出回路 |
GB9206058D0 (en) | 1992-03-20 | 1992-05-06 | Philips Electronics Uk Ltd | A semiconductor switch and a temperature sensing circuit for such a switch |
JP2003132676A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP4276812B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2009-06-10 | 株式会社リコー | 温度検出回路 |
JP4086613B2 (ja) | 2002-10-09 | 2008-05-14 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および内部温度測定方法 |
KR100657171B1 (ko) * | 2005-04-29 | 2006-12-20 | 삼성전자주식회사 | 리프레쉬 제어회로 및 리프레쉬 제어방법 |
JP4768339B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-09-07 | 株式会社リコー | 温度検出回路およびそれを用いた発振周波数補正装置 |
KR100800470B1 (ko) * | 2006-01-11 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 링 오실레이터로 구현된 온도 센서 및 이를 이용한 온도검출 방법 |
US7411436B2 (en) * | 2006-02-28 | 2008-08-12 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-timed thermally-aware circuits and methods of use thereof |
-
2006
- 2006-06-09 JP JP2008520105A patent/JP4843034B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-09 WO PCT/JP2006/311580 patent/WO2007141870A1/ja active Application Filing
-
2008
- 2008-12-09 US US12/314,388 patent/US7804372B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175793A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-13 | Sharp Corp | リングオシレータ |
JPH10239097A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Aisin Seiki Co Ltd | 物理量測定装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101774656B1 (ko) * | 2014-12-01 | 2017-09-04 | 미디어텍 인크. | 감온성 높은 인버터 및 링 발진기 |
US10067000B2 (en) | 2014-12-01 | 2018-09-04 | Mediatek Inc. | Inverter and ring oscillator with high temperature sensitivity |
KR20190081487A (ko) | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 온도 센서 회로 및 이를 구비하는 반도체 장치 |
US10594303B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-03-17 | SK Hynix Inc. | Temperature sensor circuit and semiconductor device including the same |
KR102338628B1 (ko) | 2017-12-29 | 2021-12-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 온도 센서 회로 및 이를 구비하는 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2007141870A1 (ja) | 2009-10-15 |
US20090096495A1 (en) | 2009-04-16 |
WO2007141870A1 (ja) | 2007-12-13 |
US7804372B2 (en) | 2010-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4843034B2 (ja) | 温度センサ用リングオシレータ、温度センサ回路及びこれを備える半導体装置 | |
CN102075184B (zh) | 运行参数监控电路和方法 | |
US9448125B2 (en) | Determining on-chip voltage and temperature | |
EP3152538B1 (en) | Low power low cost temperature sensor | |
US6937074B2 (en) | Power-up signal generator in semiconductor device | |
US8419274B2 (en) | Fully-on-chip temperature, process, and voltage sensor system | |
KR100998452B1 (ko) | 멀티플렉서의 선택-대-출력 지연을 결정하기 위한 링발진기 | |
US20170219649A1 (en) | Process Corner Detection Circuit Based on Self-Timing Oscillation Ring | |
JP2007024865A (ja) | 半導体装置 | |
Wang et al. | Silicon odometers: Compact in situ aging sensors for robust system design | |
US8310297B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2009058438A (ja) | 温度検出回路 | |
KR20180036520A (ko) | 반도체 장치, 반도체 시스템, 및, 반도체 장치의 제어 방법 | |
An et al. | All-digital on-chip process sensor using ratioed inverter-based ring oscillator | |
JP2016105590A5 (ja) | 論理回路、半導体装置、電子部品 | |
EP2965427A1 (en) | Circuit and method for detection and compensation of transistor mismatch | |
Datta et al. | Low-power and robust on-chip thermal sensing using differential ring oscillators | |
KR19980058192A (ko) | 반도체 메모리 소자의 기판 전압 발생 회로 | |
KR19990086718A (ko) | 클럭 모니터 회로 및 이를 이용한 동기식 반도체 메모리 장치 | |
JP5857562B2 (ja) | 温度検出回路 | |
KR950022093A (ko) | 비교기 회로 | |
KR20080021393A (ko) | 반도체 장치의 오실레이터 | |
TWI583137B (zh) | 同步器正反器 | |
US20040263200A1 (en) | A method and apparatus for measuring leakage current and/or temperature variation | |
JP2005064701A (ja) | クロック入出力装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |