JP4842564B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
一般に、液晶は、直流電圧を印加すると寿命が劣化するので、交流で駆動する必要があり、この交流駆動方式の一つとして、コモン反転駆動法が知られている。
このコモン反転駆動法では、液晶層内の電界方向が、画素電極から対向電極(共通電極、または、コモン電極ともいう)に向かう方向(以下、正極性の書き込みという)、あるいは、対向電極から画素電極に向かう方向(以下、負極性の書き込みという)に、1画面(フレーム)毎(以下、フレーム反転駆動法という)、あるいは、1水平走査期間毎(1ライン反転駆動法という)に交互に切り換えられる。
例えば、全面に黒を書き込む場合、正極性の書き込みの時には、画素電極に印加する映像電圧の電位が5V、対向電極に印加する共通電圧(コモン電圧ともいう)(Vcom)の電位が1Vとされ、負極性の書き込みの時には、画素電極に印加する映像電圧の電位が1V、対向電極に印加する共通電圧(Vcom)の電位が5Vとされる。
コモン反転駆動法に用いられる従来の共通電圧生成回路の一例の基本回路を、図6(a)、図7(a)に示す。
この図6(a)、図7(a)に示す回路は、カップリングコンデンサ(容量素子)(C)と抵抗素子(R)とを有し、カップリングコンデンサ(C)の一方の端子に、第1の電圧(Vcom Swing)が印加され、また、抵抗素子(R)の他方の端子に、第2の電圧(Vcom Center)が印加される。第2の電圧(Vcom Center)は、共通電圧(Vcom)の中心電圧である。
そして、カップリングコンデンサ(C)の他方の端子と抵抗素子(R)の一方の端子との接続点から、対向電極に印加される、振幅(VcomW)、中心電圧(Vcom Center)の共通電圧(Vcom)が出力される。
また、図7(b)は、1フレーム反転駆動法の場合の第1の電圧(Vcom Swing)の電圧波形を、図7(c)は、1フレーム反転駆動法の場合の第2の電圧(Vcom Center)の電圧波形を、図7(d)は、1フレーム反転駆動法の場合の共通電圧(Vcom)を示す。なお、図6(b)〜図6(d)、および図7(b)〜図7(d)において、Vは電圧、Tは時間を示す。
今、カップリングコンデンサ(C)の容量値をCa、抵抗素子(R)の抵抗値をRaとするとき、図6(a)、図7(a)に示す回路において、共通電圧(Vcom)の平均電圧は、第2の電圧(Vcom Center)に、時定数(Ra×Ca)で収束する。
また、図6(d)の拡大図(図中の丸で囲った部分)に示すように、共通電圧(Vcom)のHighレベル、およびLowレベルは、傾き(VcomW/(2×Ra×Ca))で、第2の電圧(Vcom Center)に向かって減衰する。
1ライン反転駆動法の場合は、反転周期が早いので、図6(d)のAに示すように、第2の電圧(Vcom Center)に早く収束するので問題はない。
しかしながら、図7に示す1フレーム反転駆動法の場合には、反転周期が遅いので、共通電圧(Vcom)の減衰(図7(d)のB)が大きくなり、液晶表示パネルにフリッカが生じる虞がある。
減衰を小さくするためには、時定数(Ra×Ca)を大きくする必要があるが、(Ra×Ca)を大きくすると、第2の電圧(Vcom Center)に収束するのが遅くなってしまう。
例えば、共通電圧(Vcom)の安定度を振幅(VcomW)の0.1%とした場合、下記(1)式を満足する必要があるが、仮に、fFLM(フレームリフレッシュレート)が60Hz(fFLM=60Hz)の時は、Ra×Ca>8.33秒となり、表示の開始が滑らかでなくなる。
[数1]
VcomW/(2×Ra×Ca×fFLM)<VcomW×0.1%
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ (1)
この特許文献1に開示されている方法によれば、前述図7に示す場合よりも改善はされているものの、依然として、第2の電圧(Vcom Center)への収束が遅いという問題がある。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置において、コモン反転駆動法として、フレーム反転駆動法を採用した場合に、動作が安定するまでの時間を短くすることが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
(1)、画素電極と前記画素電極に対向する対向電極とを有する複数の画素と、
前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備えた表示装置であって、
前記駆動回路は、前記対向電極に共通電圧を供給する共通電圧生成回路を有し、
前記共通電圧生成回路は、非表示期間には第1の周期で前記共通電圧の電圧レベルを切り換え、表示期間には前記第1の周期よりも長い第2の周期で前記共通電圧の電圧レベルを切り換えることを特徴とする。
(2)、(1)において、前記共通電圧生成回路は、前記非表示期間には第1の傾きで前記共通電圧の電圧レベルを減衰させ、前記表示期間には前記第1の傾きよりも小さい第2の傾きで前記共通電圧の電圧レベルを減衰させることを特徴とする。
(3)、(1)または(2)において、前記第1の周期は、1水平走査期間周期であることを特徴とする。
(4)、(1)から(3)のいずれかにおいて、前記共通電圧生成回路は、1フレーム期間内の前記表示期間の間は前記共通電圧の電圧レベルの切り換えを行わないことを特徴とする。
(5)、(1)から(3)のいずれかにおいて、前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の表示装置。
(6)、画素電極と前記画素電極に対向する対向電極とを有する複数の画素と、
前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備えた表示装置であって、
前記駆動回路は、前記対向電極に共通電圧を供給する共通電圧生成回路を有し、
前記共通電圧生成回路は、一方の端子に第1の電圧が印加され、他方の端子が前記共通電圧の出力となる容量素子と、
一方の端子が前記容量素子の前記他方の端子に接続され、他方の端子に第2の電圧が印加される抵抗素子とを有し、
前記第1の電圧は、第1電圧レベルから前記第1電圧レベルよりも低電位の第2電圧レベルへ、あるいは、前記第2電圧レベルから前記第1電圧レベルへ、電圧レベルが交互に変化する電圧であり、
1フレーム期間内に、第1期間と、前記第1期間に連続する前記第1期間よりも長い第2期間とを有し、
前記第1期間では、前記第1の電圧は、前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルへの変化の回数と、前記第2電圧レベルから前記第1電圧レベルへの変化の回数との合計が2回以上であり、
前記第2期間では、前記第1の電圧は、電圧レベルが、前記第1電圧レベル、あるいは、前記第2電圧レベルのうちのいずれか一方のままであることを特徴とする。
(7)、(6)において、前記1フレーム期間の前記第2期間内における前記抵抗素子の抵抗値が、前記1フレーム期間の前記第1期間内における前記抵抗素子の抵抗値よりも高抵抗であることを特徴とする。
(8)、(6)において、前記抵抗素子の前記他方の端子に接続されるスイッチング素子を有し、
前記抵抗素子は、前記スイッチング素子を介して前記抵抗素子の前記他方の端子に前記第2の電圧が印加され、
前記スイッチング素子は、前記1フレーム期間の前記第1期間内にオンとされ、前記1フレーム期間の前記第2期間内にオフとされることを特徴とする。
(9)、(6)から(8)のいずれかにおいて、前記1フレーム期間の前記第1期間は、垂直ブランキング期間であることを特徴とする。
(10)、(6)から(9)のいずれかにおいて、前記1フレーム期間の前記第1期間は、非表示期間であり、前記1フレーム期間の前記第2期間は、表示期間であることを特徴とする。
(11)、(6)から(10)のいずれかにおいて、前記1フレーム期間の前記第1期間では、前記第1の電圧は、1水平走査期間周期で、前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルへ、あるいは、前記第2電圧レベルから前記第1電圧レベルへ、電圧レベルが変化することを特徴とする。
(12)、(6)から(11)のいずれかにおいて、前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする。
本発明の表示装置によれば、コモン反転駆動法として、フレーム反転駆動法を採用した場合に、動作が安定するまでの時間を短くすることが可能となる。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[本発明が採用される液晶表示モジュール]
図1は、本発明が採用される液晶表示モジュールの概略構成を示すブロック図である。
液晶パネル(PNL)には、複数の走査線(またはゲート線)(G1〜G320)と、映像線(ソース線またはドレイン線とも呼ばれる)(S1〜S720)とが各々並列して設けられる。
走査線(G)と映像線(S)との交差する部分に対応して画素部が設けられる。複数の画素部はマトリックス状に配置され、各画素部には、画素電極(ITO1)と薄膜トランジスタ(TFT)が設けられる。図1では、液晶パネル(PNL)のサブピクセル数は、240×320×3である。
液晶を挟み、各画素電極(ITO1)に対向するように、対向電極(共通電極、または、コモン電極ともいう)(ITO2)が設けられる。そのため、各画素電極(ITO1)と対向電極(ITO2)との間には液晶容量(LC)が形成される。
液晶パネル(PNL)は、画素電極(ITO1)、薄膜トランジスタ(TFT)等が設けられたガラス基板(第1の基板)(GLASS)と、カラーフィルタ等が形成されるガラス基板(第2の基板)(図示せず)とを、所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周縁部近傍に枠状に設けたシール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶を封入、封止し、さらに、両基板の外側に偏光板を貼り付けて構成される。
なお、本発明は、液晶パネルの内部構造とは関係がないので、液晶パネルの内部構造の詳細な説明は省略する。さらに、本発明は、どのような構造の液晶パネルであっても適用可能である。例えば、縦電界方式の場合、対向電極は第2の基板に形成される。横電界方式の場合、対向電極は第1の基板に形成される。また、カラーフィルタを第1の基板に設けても良い。
駆動回路(DRV)は、コントローラ回路100と、液晶パネル(PNL)の映像線(S)を駆動するソースドライバ(ドレインドライバ)130と、液晶パネル(PNL)の走査線(G)を駆動するゲートドライバ140と、液晶パネル(PNL)に画像を表示するために必要な電源電圧(例えば、液晶パネル(PNL)の対向電極(ITO2)に供給する共通電圧(Vcom))などを生成する液晶駆動電源発生回路120と、メモリ回路(以下、RAMという)150とを有する。また、図1において、FPCはフレキシブル配線基板である。
なお、図1では、駆動回路(DRV)は、1個の半導体チップで構成される場合を図示しているが、駆動回路(DRV)を、例えば、半導体層に低温ポリシリコンを使用する薄膜トランジスタを用いて、ガラス基板(GLASS)上に直接形成するようにしてもよい。
同様に、駆動回路(DRV)の一部の回路を分割し、駆動回路(DRV)を複数個の半導体チップで構成してもよく、駆動回路(DRV)の一部の回路を、例えば、半導体層に低温ポリシリコンを使用する薄膜トランジスタを用いて、ガラス基板(GLASS)上に直接形成するようにしてもよい。
さらに、駆動回路(DRV)あるいは駆動回路(DRV)の一部の回路を、ガラス基板(GLASS)上に搭載する代わりに、フレキシブル配線基板上に形成するようにしてもよい。
図1において、SIは、システムインターフェースのことであり、MCU等から各種コントロール信号および画像データが入力される系である。
DIは、表示データインターフェース(RGBインターフェース)のことであり、外部のグラフィックコントローラで形成された画像データと、データ取り込み用のクロックが連続的に入力される系(外部データ)である。
この表示データインターフェース(DI)では、従来のパーソナルコンピュータに使用されるドレインドライバと同様に取り込み用クロックに合わせて画像データを順次取り込む。
コントローラ回路100は、システムインターフェース(SI)、および表示データインターフェース(DI)から受け取った画像データを、ソースドライバ130、RAM150に送り表示を制御する。
図2は、本発明の実施例1の共通電圧生成回路の回路構成を示す回路図である。本実施例の共通電圧生成回路は、図1に示す液晶駆動電源発生回路120内に設けられる。
本実施例の共通電圧生成回路は、カップリングコンデンサ(C)と可変抵抗素子(VR)とを有し、カップリングコンデンサ(C)の一方の端子に、第1の電圧(Vcom Swing)が印加され、カップリングコンデンサ(C)の他方の端子と可変抵抗素子(VR)との接続点から、対向電極に印加される振幅がVcomWの共通電圧(Vcom)が出力される。
また、可変抵抗素子(VR)の他方の端子には、第2の電圧(Vcom Center)が印加される。ここで、第2の電圧(Vcom Center)は、オペアンプ(OP)を使用するボルテージホロワ回路を介して、可変抵抗素子(VR)の他方の端子に印加される。
第2の電圧(Vcom Center)は、共通電圧(Vcom)の中心電圧であり、この第2の電圧(Vcom Center)は、基準電圧(Vci)を、可変抵抗素子(R1)と抵抗素子(R2)からなる分圧回路で分圧して生成される。ここで、可変抵抗素子(R1)は、共通電圧(Vcom)の中心電圧である第2の電圧(Vcom Center)を調整するためのものである。
カップリングコンデンサ(C)の一方の端子に、第1の電圧(Vcom Swing)が印加されるが、この第1の電圧(Vcom Swing)は、インバータ(INV)から出力される。
インバータ(INV)には、大きさがVcomWの電源電圧が供給され、インバータ(INV)の入力端には、コントローラ回路100から供給される極性反転信号(交流化信号)(M)が入力される。したがって、インバータ(INV)からは、第1の電圧(Vcom Swing)として、極性反転信号(M)の反転出力が、極性反転信号(M)の周期で、かつ、VcomWの振幅で出力される。
本実施例のコモン反転駆動法は、基本的には、フレーム反転駆動法である。本実施例では、1フレーム期間の第1の期間(n)(非表示期間で、垂直ブランキング期間)では、可変抵抗素子(VR)の抵抗値をRs(小さい値)とし、さらに、通常のフレーム反転駆動法とは異なり、所定の周期(例えば、1水平走査期間毎)で、第1の電圧(Vcom Swing)をスイングさせる。
即ち、第1の期間(n)に、第1の電圧(Vcom Swing)を、第1電圧レベル(VcomWの電位)および第2電圧レベル(GND)のうち一方の電圧レベルから他方の電圧レベルへ変化した後、他方の電圧レベルから一方の電圧レベルへ1回以上変化させる。別の言い方をすれば、第1の期間(n)に、第1の電圧は、第1電圧レベルから第2電圧レベルへの変化の回数と、第2電圧レベルから第1電圧レベルへの変化の回数との合計が2回以上である。この合計の回数は3回以上であることが好ましい。図3(b)に示した実施例では、この合計の回数が5回である場合を示している。尚、通常のフレーム反転であれば、図7(b)に示すように、この合計の回数は1回のみであるため、本実施例は従来技術とは大きく異なっている。
これによって、本実施例では、図3(d)のAに示すように、共通電圧(Vcom)の平均電圧を、第2の電圧(Vcom Center)にいち早く収束させることが可能となる。
即ち、第2の期間(a)に、第1の電圧(Vcom Swing)の電圧レベルの切り換えを行わず、第1電圧レベル(VcomWの電位)、あるいは、第2電圧レベル(GND)のままとする。
これによって、本実施例では、共通電圧(Vcom)の減衰を抑えることが可能となり、液晶表示パネルにフリッカが生じるのを防止することが可能となる。
尚、第2の期間(a)は、第1の期間(n)よりも長い期間となっている。
本実施例における第1の電圧(Vcom Swing)は、例えば、図4に示す方法により生成することが可能である。
図4において、POLaは、図3(b)の第1の期間(n)における、第1の電圧(Vcom Swing)の電圧波形の極性反転信号1、POLbは、図3(b)の第2の期間(a)における、第1の電圧(Vcom Swing)の電圧波形の極性反転信号2であり、DISPTMGは、表示データが有効となる範囲(表示期間)を示す信号である。
また、n型MOSトランジスタ(TR1)のゲートには、DISPTMG信号の反転信号が入力され、n型MOSトランジスタ(TR2)のゲートには、DISPTMG信号が入力される。
図4に示す回路では、図3(b)の第1の期間(n)に、n型MOSトランジスタ(TR1)をオン、n型MOSトランジスタ(TR2)をオフとし、図3(b)の第2の期間(a)に、n型MOSトランジスタ(TR1)をオフ、n型MOSトランジスタ(TR2)をオンとして、図3(b)に示す第1の電圧(Vcom Swing)を生成する。
図5は、本発明の実施例2の共通電圧生成回路の回路構成を示す回路図である。
本実施例の共通電圧生成回路は、可変抵抗素子(VR)に代えて、抵抗素子(R)を使用する点と、抵抗素子(R)の他方の端子に、スイッチング素子(SW)を介して第2の電圧(Vcom Center)が印加される点で、前述の実施例1の共通電圧生成回路と相違する。
尚、本実施例における電圧波形は、前述の実施例1の図3(b)、図3(c)、図3(d)と同じである。
本実施例では、1フレーム期間の第1の期間(n)(非表示期間で、垂直ブランキング期間)において、スイッチング素子(SW)がオンとされる。これは、前述の実施例1において可変抵抗素子(VR)の抵抗値をRs(小さい値)にした場合に相当する。さらに、実施例1の場合と同様に、通常のフレーム反転駆動法とは異なり、所定の周期(例えば、1水平走査期間毎)で、第1の電圧(Vcom Swing)をスイングさせる。
即ち、第1の期間(n)に、第1の電圧(Vcom Swing)を、第1電圧レベル(VcomWの電位)および第2電圧レベル(GND)のうち一方の電圧レベルから他方の電圧レベルへ変化した後、他方の電圧レベルから一方の電圧レベルへ1回以上変化させる。
これによって、本実施例でも、共通電圧(Vcom)の平均電圧を、第2の電圧(Vcom Center)にいち早く収束させることが可能となる。
さらに、第2の期間(a)では、第1の電圧(Vcom Swing)を、通常のフレーム反転駆動法と同様にスイングさせない。
これによって、本実施例でも、共通電圧(Vcom)の減衰を抑えることが可能となり、液晶表示パネルにフリッカが生じるのを防止することが可能となり、さらに、本実施例は、前述の実施例1よりも構成が簡単になるという利点がある。
本実施例は、図3(d)の拡大図(図中の丸で囲った部分)に示した波形図に着目した実施例である。
本実施例では、共通電圧(Vcom)の生成の際に、第1の期間(n)(非表示期間)には第1の周期で共通電圧(Vcom)の電圧レベルを切り換え、第2の期間(a)(表示期間)には第1の周期よりも長い第2の周期で共通電圧(Vcom)の電圧レベルを切り換える。
これによって、本実施例でも、共通電圧(Vcom)の平均電圧を、第2の電圧(Vcom Center)にいち早く収束させることが可能となる。
尚、第1の周期は、1水平走査期間周期であることが望ましい。ただし、これに限定されるものではなく、2水平走査期間周期や、それ以外の周期であっても良い。
また、1フレーム期間内の表示期間の間は共通電圧の電圧レベルの切り換えを行わないことが望ましい。例えば、第2の周期は、表示期間の周期であることが望ましい。これによって、フレーム反転駆動が可能となる。ただし、これに限定されるものではなく、表示期間の途中で切り換えを行うものに対して適用することも可能である。その場合でも、第2の周期は第1の周期よりも長い周期に設定する。
本実施例は、非表示期間には第1の傾きθ1で共通電圧(Vcom)の電圧レベルを減衰させ、表示期間には第1の傾きθ1よりも小さい第2の傾きθ2で共通電圧(Vcom)の電圧レベルを減衰させることで、さらに高い効果を得ることができる。これによって、共通電圧(Vcom)の平均電圧を、第2の電圧(Vcom Center)に収束させる早さが向上するだけでなく、表示期間における共通電圧(Vcom)の電圧レベルの減衰を低減できる。なお、このような電圧波形の減衰の傾きの制御は、例えば実施例1や実施例2で説明した方法で減衰の時定数を制御することにより実現できる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
また、本発明は、液晶表示装置に限られず、周期的に電圧レベルを切り換える表示装置に対して適用が可能である。
120 液晶駆動電源発生回路
130 ソースドライバ
140 ゲートドライバ
150 メモリ回路
PNL 液晶パネル
S 映像線(ソース線またはドレイン線)
G 走査線(またはゲート線)
TFT 薄膜トランジスタ
ITO1 画素電極
ITO2 対向電極(共通電極、または、コモン電極)
LC 液晶容量
GLASS ガラス基板
DRV 駆動回路
TR1,TR2 n型MOSトランジスタ
OP オペアンプ
C カップリングコンデンサ
R,R2 抵抗素子
VR,R1 可変抵抗素子
INV インバータ
SW スイッチング素子
Claims (9)
- 画素電極と前記画素電極に対向する対向電極とを有する複数の画素と、
前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、前記対向電極に共通電圧を供給する共通電圧生成回路を有し、
前記共通電圧生成回路は、非表示期間には第1の周期で前記共通電圧の電圧レベルを切り換え、表示期間には前記第1の周期よりも長い第2の周期で前記共通電圧の電圧レベルを切り換える表示装置であって、
前記共通電圧生成回路は、前記非表示期間には第1の傾きで前記共通電圧の電圧レベルを減衰させ、前記表示期間には前記第1の傾きよりも小さい第2の傾きで前記共通電圧の電圧レベルを減衰させることを特徴とする表示装置。 - 前記第1の周期は、1水平走査期間周期であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記共通電圧生成回路は、1フレーム期間内の前記表示期間の周期で、前記共通電圧の電圧レベルを切り換えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示装置。
- 画素電極と前記画素電極に対向する対向電極とを有する複数の画素と、
前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、前記対向電極に共通電圧を供給する共通電圧生成回路を有し、
前記共通電圧生成回路は、非表示期間には第1の周期で前記共通電圧の電圧レベルを切り換え、表示期間には前記第1の周期よりも長い第2の周期で前記共通電圧の電圧レベルを切り換える表示装置であって、
前記共通電圧生成回路は、一方の端子に第1の電圧が印加され、他方の端子が前記共通電圧の出力となる容量素子と、
一方の端子が前記容量素子の前記他方の端子に接続され、他方の端子に第2の電圧が印加される抵抗素子とを有し、
前記第1の電圧は、第1電圧レベルから前記第1電圧レベルよりも低電位の第2電圧レベルへ、あるいは、前記第2電圧レベルから前記第1電圧レベルへ、電圧レベルが交互に変化する電圧であり、
前記非表示期間では、前記第1の電圧は、前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルへの変化の回数と、前記第2電圧レベルから前記第1電圧レベルへの変化の回数との合計が2回以上であり、
前記表示期間では、前記第1の電圧は、電圧レベルが、前記第1電圧レベル、あるいは、前記第2電圧レベルのうちのいずれか一方のままであることを特徴とする表示装置。 - 前記1フレーム期間の前記表示期間内における前記抵抗素子の抵抗値が、前記1フレーム期間の前記非表示期間内における前記抵抗素子の抵抗値よりも高抵抗であることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 前記抵抗素子の前記他方の端子に接続されるスイッチング素子を有し、
前記抵抗素子は、前記スイッチング素子を介して前記抵抗素子の前記他方の端子に前記第2の電圧が印加され、
前記スイッチング素子は、前記1フレーム期間の前記非表示期間内にオンとされ、前記1フレーム期間の前記表示期間内にオフとされることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。 - 前記1フレーム期間の前記非表示期間は、垂直ブランキング期間であることを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記1フレーム期間の前記非表示期間では、前記第1の電圧は、1水平走査期間周期で、前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルへ、あるいは、前記第2電圧レベルから前記第1電圧レベルへ、電圧レベルが変化することを特徴とする請求項4から請求項7のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の表示装置。
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