JP4842164B2 - フォトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図3は、本発明の第1の実施形態に係るフォトマスクを示す平面図である。このフォトマスク20は、ガラス板の表面にCr(クロム)等の遮光膜を付着し、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により遮光膜をパターニングして形成される。図中に網掛けを施した部分は遮光膜を有する遮光部を示し、白抜きの部分は光が透過する透過部を示している。また、図中破線21は半導体基板を切断する際のスクライブラインに対応する仮想線である。ここでは、スクライブラインに対応する破線21の内側をチップ領域、外側を遮光領域という。
図13は本発明の第2の実施形態に係るフォトマスクを示す平面図である。第1の実施形態では1つのフォトマスクに1チップ分のパターンが形成されている場合について説明したが、第2の実施形態では1つのフォトマスク90に4チップ分のパターンが形成されている。なお、図中の破線91はスクライブラインに対応する仮想線である。
半導体基板切断時のスクライブラインの内側に対応するチップ領域と、
前記スクライブラインの外側に対応する遮光領域と、
リングの一部が欠落した形状であり、前記チップ領域内に配置されて光を透過する第1のパターンと、
前記第1のパターンの欠落部に対応する形状であり、前記遮光領域に配置されて光を透過する第2のパターンと
を有することを特徴とするフォトマスク。
前記フォトマスクは、スクライブラインの内側に対応し前記回路パターンが配置されたチップ領域と、前記スクライブラインの外側に対応する遮光領域と、リング状の一部が欠落した形状であり、前記チップ領域内に前記回路パターンを囲むように配置されて光を透過する第1のパターンと、前記第1のパターンの欠落部に対応するパターンであり、前記遮光領域に配置されて光を透過する第2のパターンとを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
11,21,91…スクライブラインに対応する仮想線、
12,22…回路パターン、
13,23,93…耐湿リングパターン、
14…開口パターン、
24,94,94a.94b,94c,94d…補完パターン、
25,95…欠落部、
50…半導体基板、
51…素子分離膜、
54a,54b…ウェル、
57a,57b…ゲート電極、
62…側壁絶縁膜、
64…n型高濃度不純物領域、
66…p型高濃度不純物領域、
67,73,76…層間絶縁膜、
68,73…フォトレジスト膜、
71a,74a,77a…W(タングステン)プラグ、
71b,72b,74b,75b,77b,78b…耐湿リング、
72…導電体膜、
72a,75a,78a…配線、
79…シリコン酸化膜、
80…シリコン窒化膜、
81…保護膜、
92a,92b,92c,92d…チップ領域。
Claims (10)
- 透明基板上に遮光膜を有するフォトマスクにおいて、
半導体基板切断時のスクライブラインの内側に対応するチップ領域と、
前記スクライブラインの外側に対応する遮光領域と、
リングの一部が欠落した形状であり、前記チップ領域内に配置されて光を透過する第1のパターンと、
前記第1のパターンの欠落部に対応する形状であり、前記遮光領域に配置されて光を透過する第2のパターンと
を有することを特徴とするフォトマスク。 - 前記第1のパターンの前記欠落部と前記第2のパターンとの間隔がステップアンドリピート露光時のピッチに応じて決定され、前記ステップアンドリピート露光時に前記半導体基板上に転写された前記第1のパターンの前記欠陥部に対応する位置に前記第2のパターンが転写されることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記第2のパターンの長さが前記第1のパターンの前記欠落部の長さよりも長いことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスク。
- 前記第1のパターン及び前記第2のパターンが、いずれも耐湿リングを形成するためのパターンであることを特徴とする請求項2に記載のフォトマスク。
- 前記透明基板の表面が複数のチップ領域に区画され、各チップ領域にそれぞれ前記第1のパターンが設けられていることを特徴とする請求項2に記載のフォトマスク。
- フォトマスクに形成された回路パターンを半導体基板上のフォトレジスト膜の第1の領域に転写する第1の工程と、前記フォトマスクに形成された回路パターンを前記半導体基板上の前記フォトレジスト膜の第1の領域に隣接する第2の領域に転写する第2の工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記フォトマスクは、スクライブラインの内側に対応し前記回路パターンが配置されたチップ領域と、前記スクライブラインの外側に対応する遮光領域と、リング状の一部が欠落した形状であり、前記チップ領域内に前記回路パターンを囲むように配置されて光を透過する第1のパターンと、前記第1のパターンの欠落部に対応するパターンであり、前記遮光領域に配置されて光を透過する第2のパターンとを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、前記第1の工程で前記フォトレジスト膜に転写された前記第1のパターンの前記欠陥部に対応する位置に前記第2のパターンを転写することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のパターン及び前記第2のパターンが、いずれも耐湿リングを形成するためのパターンであることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のパターンの長さが、前記第1のパターンの前記欠落部の長さよりも長いことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のパターン及び前記第2のパターンの少なくとも一方の端部の幅が、他の部分の幅よりも狭いことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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