JP2006293376A - 位相シフトマスク - Google Patents
位相シフトマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006293376A JP2006293376A JP2006118048A JP2006118048A JP2006293376A JP 2006293376 A JP2006293376 A JP 2006293376A JP 2006118048 A JP2006118048 A JP 2006118048A JP 2006118048 A JP2006118048 A JP 2006118048A JP 2006293376 A JP2006293376 A JP 2006293376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- wall portion
- film
- integrated circuit
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/06179—Corner adaptations, i.e. disposition of the bonding areas at the corners of the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 集積回路部1を取り囲むようにして主壁部2が設けられている。主壁部の各隅部と集積回路部との間に副壁部3が設けられている。副壁部の互いに直交する部位は、夫々主壁部の互いに直交する部位と平行に延びている。副壁部の中では、その屈曲部が主壁部の屈曲部に最も近く位置している。熱処理等により応力が集中したとしても、この応力が主壁部及び副壁部に分散されるため、層間の剥離及びクラックが生じにくくなる。また、例えクラック等が隅部に生じたとしても、主壁部及び副壁部が互いに連結されている場合には、外部からの水分は集積回路部には極めて到達しにくい。このため、極めて高い耐湿性を確保することができる。
【選択図】 図1
Description
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示すレイアウト図である。図2は、第1の実施形態における集積回路部の構造を示す断面図であり、図3は、図1のA−A線に沿った断面を示す断面図である。図4は、第1の実施形態における抵抗値測定部の構造を示すレイアウト図であり、図5は、図4のB−B線に沿った断面図である。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図7は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。図8は、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。図9は、本発明の第5の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第6の実施形態について説明する。図10は、本発明の第6の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第7の実施形態について説明する。図11は、本発明の第7の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第8の実施形態について説明する。図12は、本発明の第8の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第9の実施形態について説明する。図13は、本発明の第9の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第10の実施形態について説明する。図14は、本発明の第10の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第11の実施形態について説明する。図15は、本発明の第11の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
本実施形態においては、副壁部3jが第6の壁部片となっている。
次に、本発明の第12の実施形態について説明する。図16は、本発明の第12の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、本発明の第13の実施形態について説明する。図17は、本発明の第13の実施形態に係る半導体装置における壁部の構造を示すレイアウト図である。
次に、第1の実施形態に係る半導体装置を製造する方法について説明する。図18乃至図24は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を製造する方法を工程順に示す概略断面図である。なお、図18乃至図24には、主壁部2に相当する領域のみを図示する。
上述した半導体装置の製造方法において、フォトレジストをパターニングする際には、例えばハーフトーン型の位相シフトマスクが用いられる。
本発明の第15実施形態による位相シフトマスクを図31及び図32を用いて説明する。図31は、本実施形態による位相シフトマスクを示す平面図及び断面図である。図31(a)は平面図であり、図31(b)は図31(a)のA−A′線断面図であり、図31(c)は図31(a)のB−B′線断面図である。図32は、本実施形態による位相シフトマスクを示す拡大図である。図32では、図31において丸印で囲まれた部分が拡大して表されている。図32(a)は平面図であり、図32(b)は図32(a)のA−A′線断面図である。図31では、一部の壁部片パターン309b(図32参照)が省略されているが、図32では、図31において省略されていた壁部片パターン309bも示されている。また、図31では、一部のコンタクトホールパターン316(図32参照)が省略されているが、図32では、図31において省略されていたコンタクトホールパターン316も示されている。図1乃至図30に示す第1乃至第14実施形態による半導体装置及びその製造方法並びに位相シフトマスクと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第16実施形態による位相シフトマスクを図33を用いて説明する。図33は、本実施形態による位相シフトマスクを示す平面図及び断面図である。図1乃至図32に示す第1乃至第15実施形態による半導体装置及びその製造方法並びに位相シフトマスクと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第17実施形態による位相シフトマスクを図34を用いて説明する。図34は、本実施形態による位相シフトマスクを示す平面図及び断面図である。図34(a)は平面図であり、図34(b)は図34(a)のA−A′線断面図である。図1乃至図33に示す第1乃至第16実施形態による半導体装置及びその製造方法並びに位相シフトマスクと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第18実施形態による位相シフトマスクを図35を用いて説明する。図35は、本実施形態による位相シフトマスクを示す平面図及び断面図である。図35(a)は平面図であり、図35(b)はA−A′線断面図である。図1乃至図34に示す第1乃至第17実施形態による半導体装置及びその製造方法並びに位相シフトマスクと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記集積回路部を取り囲む金属膜を備える主壁部と、
前記集積回路部と前記主壁部との間に選択的に形成された金属膜を備える副壁部とを有し、
前記集積回路部、前記主壁部及び前記副壁部は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、選択的に開口部が形成された1又は2以上の層間絶縁膜とを共有し、
前記集積回路を構成する配線の一部並びに前記主壁部及び前記副壁部に夫々備えられた前記金属膜の一部が実質的に同一の層に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記配線並びに前記主壁部及び前記副壁部に夫々備えられた前記金属膜は、前記各層間絶縁膜上及び前記開口部内に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記主壁部及び前記副壁部に夫々備えられた前記金属膜は、その1つ下の金属膜又は前記半導体基板に結合されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記半導体基板の前記主壁部及び前記副壁部内の前記金属膜が接触する領域に形成された拡散層を有する
ことを特徴とする半導体装置。
平面形状が実質的に多角形であり、前記副壁部が多角形の頂点と前記集積回路部との間に配置されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部と前記集積回路部との間の領域に配置された1対の電極と、前記1対の電極の各々に外部から信号を供給するためのパッドとを備えた抵抗値測定部を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部を構成する前記層間絶縁膜及び前記金属膜の積層順序は、前記主壁部を構成する前記層間絶縁膜及び前記配線の積層順序と一致している
ことを特徴とする半導体装置。
前記抵抗値測定部は、積層順序が前記主壁部を構成する前記層間絶縁膜及び前記金属膜の積層順序と一致する層間絶縁膜及び金属膜を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部が1対の電極を構成し、前記1対の電極の各々に外部から信号を供給するためのパッドを有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部を構成する前記金属膜の幅は、前記半導体基板側が狭くなるようにして2段階に変化し、その前記半導体基板の部位が前記開口部内に存在する
ことを特徴とする半導体装置。
前記主壁部及び前記副壁部内の前記層間絶縁膜に夫々形成された各開口部の位置は、平面視で一致している
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部の一部が前記主壁部に連結されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部は、平面視で前記主壁部との間隔が実質的に一定の第1の壁部片を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記第1の壁部片が前記主壁部に連結されている
ことを特徴とする半導体装置。
複数の前記第1の壁部片が前記主壁部から等間隔で配置されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部は、前記第1の壁部片と前記集積回路部との間に形成され前記第1の壁部片との間隔が実質的に一定の第2の壁部片を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記第2の壁部片の長さが前記第1の壁部片の長さよりも短い
ことを特徴とする半導体装置。
前記の第1の壁部片及び前記第2の壁部片が互いに連結されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記主壁部の2箇所に連結され前記主壁部とにより前記第1の壁部片及び前記第2の壁部片を取り囲む第3の壁部片を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部は、前記集積回路部と前記主壁部との間の任意の領域を取り囲む第4の壁部片を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部は、前記第4の壁部片を取り囲む第5の壁部片を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記第4の壁部片及び前記第5の壁部片が互いに連結されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記副壁部は、前記主壁部の2箇所に連結され前記主壁部とにより前記主壁部と前記集積回路部との間の任意の領域を取り囲む第6の壁部片を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記第4の壁部片が前記主壁部及び前記第6の壁部片により取り囲まれている
ことを特徴とする半導体装置。
前記第5の壁部片が前記主壁部及び前記第6の壁部片により取り囲まれている
ことを特徴とする半導体装置。
前記集積回路部及び前記主壁部の形成と並行して、前記集積回路部と前記主壁部との間に金属膜を備える副壁部を選択的に形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記集積回路を構成する配線の一部並びに前記主壁部及び前記副壁部に夫々備えられる前記金属膜の一部を半導体基板上に同時に形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体基板上に層間絶縁膜を全面にわたって形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記集積回路部、前記主壁部及び前記副壁部となる領域内に少なくとも1つずつ開口部を形成する工程とを有し、
前記各層間絶縁膜上及び前記開口部内に前記配線及び前記金属膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体装置の平面形状が実質的に多角形であり、前記副壁部を多角形の頂点と前記集積回路部との間に形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記副壁部と前記集積回路部との間の領域に配置された1対の電極と、前記1対の電極の各々に外部から信号を供給するためのパッドとを備えた抵抗値測定部を、前記集積回路部、前記主壁部及び前記副壁部と並行して形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記副壁部の一部を前記主壁部に連結させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記スクライブライン領域に囲われた領域は、集積回路部を形成するための集積回路領域と、前記集積回路部の周縁の周縁部を形成するための周縁領域とから成り、
前記周縁領域と前記集積回路領域とのうちの少なくとも一部に、前記遮光膜が更に形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記周縁領域には、前記集積回路部を囲う主壁部を形成するための主壁部パターンが形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記主壁部パターンの近傍においてのみ、前記遮光膜が形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記周縁領域に、前記集積回路部と前記主壁部との間に形成される副壁部を形成するための副壁部パターンが形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記主壁部パターン及び前記副壁部パターンの近傍においてのみ、前記遮光膜が形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記遮光膜が形成されていない領域における前記位相シフタ膜に、コンタクトホールを形成するためのコンタクトホールパターンが更に形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記コンタクトホールパターンは、トランジスタのソース/ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成するためのパターンである
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記遮光膜が形成されている領域における前記位相シフタ膜に形成されているパターンのサイズは、前記遮光膜が形成されていない領域における前記位相シフタ膜に形成されているパターンのサイズより大きい
ことを特徴とする位相シフトマスク。
ことを特徴とする位相シフトマスク。
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記主壁部パターン及び前記副壁部パターンとが分離されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記副壁部パターンは、複数の線状の壁部片パターンより成る
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記副壁部パターンは、複数の点状の壁部片パターンより成る
ことを特徴とする位相シフトマスク。
2…主壁部
3、3a、3b、3c、3d、3e、3f、3g、3h、3i、3j、3k、3m…副壁部
3d1、3d2、3e1、3e2、3e3、3f1、3f2、3g1、3k1…壁部片
4…抵抗値測定部
5a、5b…櫛歯状電極
6a、6b…耐湿性確保チェック用モニタパッド
7…評価用パッド
8…有効チップ領域
9…切断線
101…半導体基板
102…素子分離絶縁膜
103…ゲート絶縁膜
104…ゲート電極
105…サイドウォール絶縁膜
106…ソース・ドレイン拡散層
106a…拡散層
107、115、122、128…シリコン窒化膜
108、112、116、118、123、127…シリコン酸化膜
109…TiN膜
110…W膜
111、117…有機絶縁膜
113、119…Ta膜
114、120…配線
114a、120a…金属膜
121…基本構造体
124、126…バリアメタル膜
125…Al又はAl合金膜
131、132、133、134、135、137…溝
136、138…コンタクトホール
201、202、204、205…フォトレジスト
203…金属膜
201a、202a、203a、204a、205a…パターン
300…透明基板
302…位相シフタ膜
304…集積回路領域
306…周縁領域
307…コンタクトホールパターン
308、308a…主壁部パターン
309a〜309f…壁部片パターン
310、310a〜310c…副壁部パターン
312…スクライブライン領域
314…遮光膜
316…コンタクトホールパターン
400…透明基板
402…位相シフタ膜
404…集積回路領域
406…周縁領域
407…コンタクトホールパターン
408…主壁部パターン
410…副壁部パターン
412…スクライブライン領域
414…遮光膜
Claims (10)
- 集積回路が形成された集積回路部と、
前記集積回路部を取り囲む金属膜を備える主壁部と、
前記集積回路部と前記主壁部との間に選択的に形成された金属膜を備える副壁部とを有し、
前記集積回路部、前記主壁部及び前記副壁部は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、選択的に開口部が形成された1又は2以上の層間絶縁膜とを共有し、
前記集積回路を構成する配線の一部並びに前記主壁部及び前記副壁部に夫々備えられた前記金属膜の一部が実質的に同一の層に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記配線並びに前記主壁部及び前記副壁部に夫々備えられた前記金属膜は、前記各層間絶縁膜上及び前記開口部内に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置において、
前記主壁部及び前記副壁部に夫々備えられた前記金属膜は、その1つ下の金属膜又は前記半導体基板に結合されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
平面形状が実質的に多角形であり、前記副壁部が多角形の頂点と前記集積回路部との間に配置されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記副壁部と前記集積回路部との間の領域に配置された1対の電極と、前記1対の電極の各々に外部から信号を供給するためのパッドとを備えた抵抗値測定部を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1、2又は4記載の半導体装置において、
前記副壁部が1対の電極を構成し、前記1対の電極の各々に外部から信号を供給するためのパッドを有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 集積回路が形成された集積回路部及び前記集積回路部を取り囲む金属膜を備える主壁部を有する半導体装置の製造方法であって、
前記集積回路部及び前記主壁部の形成と並行して、前記集積回路部と前記主壁部との間に金属膜を備える副壁部を選択的に形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 透明基板上に形成された位相シフタ膜と、前記透明基板上のスクライブライン領域に形成された遮光膜とを有する位相シフトマスクであって、
前記スクライブライン領域に囲われた領域は、集積回路部を形成するための集積回路領域と、前記集積回路部の周縁の周縁部を形成するための周縁領域とから成り、
前記周縁領域と前記集積回路領域とのうちの少なくとも一部に、前記遮光膜が更に形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。 - 請求項8記載の位相シフトマスクにおいて、
前記周縁領域には、前記集積回路部を囲う主壁部を形成するための主壁部パターンが形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。 - 請求項9記載の位相シフトマスクにおいて、
前記周縁領域に、前記集積回路部と前記主壁部との間に形成される副壁部を形成するための副壁部パターンが形成されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006118048A JP4357498B2 (ja) | 2002-03-15 | 2006-04-21 | 位相シフトマスク |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002072737 | 2002-03-15 | ||
JP2006118048A JP4357498B2 (ja) | 2002-03-15 | 2006-04-21 | 位相シフトマスク |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002286687A Division JP3813562B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-09-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006293376A true JP2006293376A (ja) | 2006-10-26 |
JP4357498B2 JP4357498B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=37413929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006118048A Expired - Lifetime JP4357498B2 (ja) | 2002-03-15 | 2006-04-21 | 位相シフトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4357498B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008135546A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造基材とこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2008111198A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Fujitsu Microelectronics Limited | フォトマスク |
JP2009042008A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Renesas Technology Corp | プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-04-21 JP JP2006118048A patent/JP4357498B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008135546A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造基材とこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2008111198A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Fujitsu Microelectronics Limited | フォトマスク |
JP2009042008A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Renesas Technology Corp | プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法 |
US8314624B2 (en) | 2007-08-07 | 2012-11-20 | Renesas Electronics Corporation | Probe card, semiconductor inspecting apparatus, and manufacturing method of semiconductor device |
TWI425215B (zh) * | 2007-08-07 | 2014-02-01 | Renesas Electronics Corp | A probe card, a semiconductor inspection apparatus, and a semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4357498B2 (ja) | 2009-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3813562B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4801296B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5061520B2 (ja) | 半導体装置及び半導体ウェーハ | |
KR101095828B1 (ko) | 반도체 소자의 형성 방법 | |
JP5326282B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法、及び露光用マスク | |
JP2011119469A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4357498B2 (ja) | 位相シフトマスク | |
US6448652B1 (en) | Interconnect structure with a dielectric layer conforming to the perimeter of a wiring layer | |
US20140008808A1 (en) | Method for fabricating a semiconductor device with formation of conductive lines | |
JP2005354046A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008198784A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006108571A (ja) | 半導体装置 | |
KR20100097989A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2008098448A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009076724A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090804 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090804 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4357498 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |