JP4837830B2 - 高電力外部空洞光学的ポンピング半導体レーザー - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
概して本発明は、表面放出、半導体多層(周期的)利得媒体を含む外部空洞式光学的にポンピングされるレーザー装置(以後OPSレーザー装置)に関する。特に本発明は、約2ワット(2.0W)又はそれ以上の基本レーザー出力パワーを与え得るようなレーザー装置の配列及び約百ミリワット(100mW)の調波レーザー出力パワーを与え得るようなレーザー装置の空洞内で周波数変換される配列に関する。
【0002】
【発明の背景】
ここで用いるOPSレーザー装置の用語は、垂直空洞・表面放出半導体レーザー装置を指し、そこでは光学利得が非常に薄い層、例えば、約150オングストローム単位(A)又はそれ未満の半導体材料の電気的キャリア(キャリアー)の再結合よって与えられる。概してこれらの層は量子谷(QW)層又は能動層と呼ばれる。
【0003】
OPSレーザー装置では、幾つかのQW層、例えば、約15層が、同じく半導体材料であるがQW層より高い伝導帯域エネルギーを有する分離層によって隔置される。能動層及び分離層のこの結合はOPSレーザーの利得構造体として定められ得る。利得構造体の層はエピタキシャルに成長される。利得構造体についてエピタキシャル成長される多層鏡構造体は、しばしばブラッグ(Bragg)鏡と呼ばれる。鏡構造体及び利得構造体の結合(化合物)は以後OPS構造体と呼ばれる。
【0004】
(外部空洞)OPSレーザー装置では、出力結合鏡として働く他の(従来型)鏡がOPS構造体から隔置され、それによってOPS構造体の鏡構造体を有する共振空洞を形成する。従って、共振空洞はOPS構造体の利得構造体を含む。鏡構造体及び利得構造体は、利得構造体のQW層が基本レーザー波長の半波長だけ隔置され、位置的に共振器基本レーザー放射の定在波の波腹に対応するように配列される。基本波長はQW層構成の特質である。
【0005】
光学的ポンプ放射(ポンプ光)は、OPS構造体の利得構造体内へ向けられ、利得構造体の分離層によって吸収され、それによって電気的キャリアを発生させる。電気的キャリアは、利得構造体のQW層内に捕捉されて再結合される。QW層での電気的キャリアの再結合は、基本波長の電磁放射を与える。この放射は共振器内で循環して増幅され、それによってレーザー放射を発生させる。
【0006】
OPSレーザー(装置)は、電気的にポンピングされる半導体レーザーにおいて用いるためにQW構造体を好都合に試験する一手段として先行技術ではしばしば用いられていた。より最近では、OPSレーザーはそれ自体の資質でレーザー放射源として研究されてきている。しかし、そのような研究の重視は、半導体レーザー及びそのパッケージアレイの概してコンパクトな特性維持に遅れないような小型で、実に単一結晶(半導体集積回路)を用いる装置を与えることにあると思われる。
【0007】
OPS構造体の利得構造体は、ダイオードレーザーにつき考えられるものと同一の広範な半導体材料/基板結合から形成され得る。これらは、それに限定されないが、InGaAsP/InP、InGaAs/GaAs、AlGaAs/GaAs、InGaAsP/GaAs及びInGaN/Al2O3を含み、それらは、それぞれ約960乃至1800nm、850乃至1100nm、700乃至850nm、620乃至700nm及び425乃至550nmの範囲において基本波長の比較的広いスペクトルを与える。勿論、範囲には何らかの重複がある。従って、これらの基本波長の周波数増大は、それが実用的である範囲まで、電磁スペクトルの黄緑部分から紫外線部分内へ十分達する範囲の比較的広い範囲のスペクトルを与え得るであろう。
【0008】
従来のソリッドステート(固体)レーザーでは基本波長、従って、その高調波(周波数倍増又は周波数混合によって生成される)は、特殊の結晶状又はガラス状の受容体(寄主)、例えば、周知の1064nm波長のネオジム添加されたイットリウムアルミニュームガーネット(Nd:YAG)の特殊な微量添加物の固定された波長特性に限定される。これらの特性波長の1つは、特定の用途につき十分であり得るが、その用途に対して最適波長ではないであろう。
【0009】
【発明が解決すべき課題】
OPSレーザーは、真のCW操作モード(方式)で波長を発生させる手段を提供し、それは医療、光学度量衡、光学リトグラフィ及び精密レーザー機械加工等の分野における多くのレーザー用途につき最適波長を厳密に適応させ得る。しかし、先行技術OPSレーザーはそのような用途に対して十分なパワーを与えるのには程遠い。現在までに報告されているOPSレーザー用の最高基本出力パワーは約1000nm(Kuzentsov 他、IEEE Photonics Tech. Lett 9、1063(1997))の波長で700mWであると考えられる。空洞内周波数倍増OPSレーザーに対しては、報告されている最高出力パワーは約488nm(Alford他、「高等レーザーソリッドステートレーザーに関するIEEE/OSA会議の技術的要約」、Boston MA、1999、pp182-187)の波長で6mWであると考えられる。直接又は周波数倍増のいずれかによってOPSレーザーで連続波(CW)紫外線(UV)放射の発生は現在まで報告されていないと考えられる。
【0010】
広範な波長選択を潜在的に提供する上でOPSレーザーがどんなに柔軟性があっても、ソリッドステート及び他のレーザーが現在用いられる用途で競争的であるためには、先行技術OPSレーザーによって提供されるものに対して少なくとも1桁及び望ましくは2桁のパワー増加が求められる。また、このパワー増加は出力パワーの安定性及び光線品質を犠牲にすることなく達成されなければならない。さらに、最も広い範囲の用途で用いられ得るためには、高パワー及び高光線品質で入手可能なOPSレーザー波長範囲は電磁スペクトルのUV領域内、望ましくは300nm未満の波長まで延ばさなければならない。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、紫外線放射を与える高パワーOPSレーザー等、即ち、約425nm未満の波長において高パワーOPSレーザーを与えることに向けられる。一特定面において本発明によるOPSレーザーは、鏡構造体に載っている利得構造体を有するOPS構造体を含む。前記利得構造体は、層間に能動ポンプ光吸収層を有する複数の層を含み、前記能動層は、光学ポンプ光が前記利得構造体に入射すると約425nm及び1800nm間の予め決められた基本波長において電磁放射を放出するために選択される組成を有し、前記鏡構造体は交番する高及び低屈折率の複数の層を含むと共に前記予め決められた波長の約四分の一の光学厚さを有する。
【0012】
該OPS構造体の鏡構造体及びそれから隔置される反射器間にレーザー共振体が形成される。ポンプ光を前記利得構造体に伝えるために光学装置が設けられ、それによって前記基本波形を有する基本レーザー放射が前記レーザー共振器内で発振するようにさせる。前記OPS構造体を冷却するためにヒートシンク装置が設けられる。光学的に非線形結晶が前記レーザー共振器に設けられて前記基本レーザー放射を周波数増大させるよう配列され、それによって前記基本波長の半分の波長を有する周波数増大された放射を与える。
【0013】
前記レーザー共振器、前記光学的非線形結晶、前記OPS構造体、前記ヒートシンク装置及び前記光学ポンプ光伝達装置は、前記レーザー共振器が、約100mWより大きい出力パワーで約212nm乃至900nmの波長を有するように選択かつ配置される。該レーザーは約5.0cmより長い共振器長を有するのが望ましい。
【0014】
本発明による高パワーOPSレーザーの一実施形態では、約25cmの長さを有する共振器内で三ホウ酸塩リチウム(LBO)の光学的に非線形結晶を用いて、単一OPS構造体からの空洞内周波数倍増976nm放射によって、488nm波長において約4.0Wの安定した単一軸モードCWレーザー出力パワーが達成される。OPS構造体は、In0.18Ga0.82As組成の能動層及びGaAs0.978P0.022組成のポンプ光吸収(分離器)層を有する。同レーザーは、2つのダイオードレーザーアレイから約34.0Wの808nm放射によってポンピングされる。数値モデルは、約120.0mWの325nmUV(周波数3倍増されるか又は第3高調波)放射を生成するために、基本及び周波数2倍増放射を混合する光学的に非線形結晶を含めることによって、同一共振器が修正され得ることを示す。この例の共振器の単純化された構成が、約10Wの基本出力パワーを伝達するために光学的に非線形結晶なしに用いられた。
【0015】
周波数倍増された4.0Wの出力パワーは、報告されたあらゆる先行技術OPSレーザーの周波数倍増出力パワーの中で最高と考えられるものに対して2桁の大きさを超える増加を表わす。先行技術OPSレーザーでは何らかのパワーを有する周波数3倍増出力は達成されていないと考えられる。
【0016】
上記例の共振器と同様な共振器では、750nmにおいて基本放射を与えるためにxが選択される、谷間にInyGa1−yP1−z分離層を有する利得構造体InxGa1−xP量子谷を有するOPS構造体は、375nmの周波数倍増波長において1Wを超える出力パワーを与えるために、周波数倍増用の長さ5mmのLBO結晶を用いて670nmにおいて12.0Wのポンプ光によってポンピングされ得ることを示す。
【0017】
OPSレーザー出力パワーのこの著しい増加及び周波数倍増又は周波数3倍増のいずれかによって高CW/UV出力パワーを発生させる能力は、光品質を犠牲にすることなく達成される。単一モード操作では、本発明によるOPSレーザーは回折限度の2.0倍未満でかつ1.2倍程度の光品質を有し得ることを規定する。この高光品質で、出力放射が有機又は無機材料に正確な切れ目を作るために非常に小さいスポットに収斂されるか若しくはそれが用いられるべき場所に搬送されるようにオプティカルファイバ(光学繊維)内に効率的に結合されなければならないような用途に対して本発明的OPSレーザーが理想的にされる。
【0018】
本発明によるOPSレーザーの他の面では、レーザーは、各々の共振器軸の一部分が共軸路上にあるように配列される第1及び第2共振器を含む。第1共振器は、選択されたレーザー放射の基本波長を与えるために共軸路外部に配列されるOPS構造体を含む。第1及び第2共振器の共軸上には、基本放射を周波数倍増するように配列される光学的に非線形結晶が設けられる。第1及び第2共振器は、光学的に非線形結晶の基本放射及び周波数倍増される放射間の最適位相整合を維持するために干渉計的に適合される。基本波長放射及び周波数倍増放射は共に共軸路に沿って循環する。光学的に非線形結晶は、周波数倍増された放射の周波数を倍増する共軸路外部の第2共振器に設けられる。数値モデルは、976nmOPS構造体及び上記第1実施形態のポンピング配列を用いることによって、この第2実施形態は、約2.0Wの周波数4倍増(244nm)された放射を与え得ることを示す。
【0019】
本発明によるOPSレーザーのさらに他の面では、レーザーは、共振器軸の一部分が共軸上にあるように配列される第1及び第2干渉計的に整合された共振器を含む。共軸路は、第2実施形態に関して既に述べた通り、周波数倍増のために配列される第1光学的非線形結晶を含む。基本波長放射及び周波数倍増された放射は共に共軸路に沿ってのみ循環する。第2光学的非線形結晶は、基本放射を周波数倍増された放射に混合し、それによって周波数3倍増された放射を与えるように第1及び第2共振器の共軸上に設けられる。数値モデルは、976nmOPS構造体及び上記第1実施形態のポンピング配列を用いることによって、この第3実施形態は、約4.0Wの周波数3倍増(325nm)された放射を与え得ることを示す。
【0020】
本発明によるOPSレーザーのより一般的な他の面には以下のもの等が含まれる。即ち、例示した上記高ポンプパワーがOPS構造体に向けられると同時にそのための安全な作動温度を維持することを可能にする、OPS構造体を冷却するヒートシンク構成及び結合方法の設計;より大きいポンピング領域を利用し、それによってレーザー出力パワーを増加させるために、OPS構造体において比較的大きい基本モードサイズを与える光学的に長い共振器の設計;周波数変換された放射出力を最適化し、周波数変換放射出力がOPS構造体内へ反射して戻され、そこで吸収されて失われることを防止するための折り重ねられた特殊共振器構成の設計;利得利用を最適化し、横方向共振モードの発生を防止するためにOPSにおけるモードサイズに対するポンピング領域の特殊比率の選択;光学的非線形結晶の受容スペクトル範囲外波長における基本放射の共振を防止する空洞内波長選択要素の利用;効率的かつ許容性のある光学的非線形結晶用の波長選択装置の利用を可能にするために最大スペクトルを許容する光学的非線形結晶の選択;さもなければ出力パワーを低減させる寄生的横共振を除去するOPS構造体の構成;高パワー作動下における最低正味ストレス(応力)及び信頼性のためのOPS構造体設計;ポンプ光の多重光学ファイバー放出を最適化するラジアル・インデックスグラジエントレンズの利用;それによってOPS構造体の冷却を容易にする、最大熱伝導度に対する発明的OPS構造体用鏡構造体の設計。
【0021】
以下に提示される本発明の詳細な記載から、上記の高パワーを達成するために本発明によるOPS共振器が、先行技術OPS共振器の「小型」哲学から根本的にはずれ、空洞内周波数倍増のために発明的に構成されることが特に明らかになるであろう。また、著しい出力パワーレベル及び発明的OPSレーザー装置の安定性を達成するために、OPS構造体の温度管理、OPS構造体それ自体の設計及び周波数倍増材料の選択には重大な考慮がなされることも明らかであろう。本発明の一定の発明的面は高及び低パワーOPSレーザーの双方又はOPSレーザー以外のレーザー型にさえも当てはまることがさらに明らかであろう。
【0022】
【実施形態】
図を参照すると、そこでは同一構成要素は同一参照番号で示される。図1は本発明によるOPSレーザー装置20を図式的に例示する。レーザー20は、折返し鏡26によって折り返された縦軸24を有する共振器22を含む。共振器22は平坦鏡又は反射器28によってその一方端で、また、OPS構造体32の鏡部分(鏡構造体)30によってその他方端で終結される。従って、OPS構造体32の利得部分(利得構造体)34は、共振鏡、即ち、構造体30と接触する共振器に設けられる。
【0023】
OPS構造体32の利得部分34は、ポンプ光吸収層(図1には示せず)によって隔置される複数の能動層(図1には示せず)を含む、エピタキシャル成長される単一結晶半導体(表面放出)多層構造体である。ここで、「ポンプ光吸収層によって隔置される」との用語は、本明細書及添付された請求の範囲の関係で、QW層間に他の層があることを排除しないことに注目すべきである。QW層の組成に依存して、ひずみ(応力変形)管理、キャリア拘束等のために1つ又はそれ以上の他の層が含まれ得る。そのような任意の配列が本発明の関係で適用され得る。
【0024】
先行技術のOPSレーザー装置では、OPS構造体の鏡構造体は、同様に概して一般的組成AlxGa(1−x)As(AlGaAsと略される)を有する、異なった材料の組成からエピタキシャル成長される多層構造体である。そこでは増加するxは材料のバンドギャップ(帯域間隙)を増加させかつ屈折率を低下させる。これは、鏡構造体30に用いられ得る鏡構造体の一形式であるが、それは考えられる唯一の形式でもなく考えられる望ましい形式でもない。本発明によるOPS構造体32の鏡構造体は、エピタキシャル成長されることを要せず、誘電又は金属層を含み得る。もしエピタキシャル成長されるならば、(3元の)AlGaAsシステムの材料から形成される必要は全くない。望ましい鏡構造体は以下でさらに詳説される。
【0025】
続けて図1を参照すると、OPS構造体32はヒートシンク36と熱接触結合される。ヒートシンク36は、マイクロチャンネル冷却器のような能動的に冷却されるヒートシンクであることが望ましい。ヒートシンク36の特に望ましい配列は以下でさらに詳説される。
【0026】
OPS構造体32は、1つ又はそれ以上のダイオードレーザー光線(図示せず)から放出されるポンプ光によって光学的にポンピングされるのが望ましい。図1では、ポンプ光は2つの光学繊維(又は繊維束)40を介した2つのダイオードレーザーアレイから放出される。ポンプ光42は、それが繊維40を出ると散開する。各場合において、散開するポンプ光は鏡44によって方向づけられ、収斂レンズ46及び48を通してOPS構造体32の利得構造体34上に収斂(軸光線のみが示される)される。図1では2つのポンプ光放出繊維40及び関連する収斂光学素子が示されているが、これは本発明を限定すると見なされるべきではないことに注目すべきである。1つのみ又は3つ以上のポンプ光放出繊維及び関連する収斂光学要素及び繊維放出の有無にかかわらず異なったポンプ光源さえも、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく用いられ得る。さらに、光学繊維及び繊維束は光源からポンプ光を運ぶのに望ましい一手段に過ぎないことに注目すべきである。概して「光案内(ライトガイド)」と呼ばれ得る他の形式のもの、例えば、無垢又は中空光導波管が、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく用いられ得る。
【0027】
鏡26及び28並びにOPS構造体32の鏡構造体30は、OPS構造体32の利得構造体34(の能動層)組成の基本(放出)波長特性において各々が最大反射率を有する。OPS構造体32の利得構造体34を活性化(電圧を印加する)ことで、基本波長を有するレーザー放射が共振器22内で循環するようにさせる。この基本放射は、図1では単一矢印Fで示される。
【0028】
共振器22の折返し部分22Aで、直ぐ近くであるが鏡28から隔置されて、共振器に含まれるのは、基本放射を周波数倍増(の波長を半分にする)するために配置される光学的に非線形結晶50である。これは、図1では2重矢印2Hによって示される、周波数倍増された放射又は第2高調波(2H)放射を発生させる。2H放射は、基本レーザー放射が通るその第1路及び基本レーザー放射が鏡28から反射されてからの戻り路上の双方に発生される。折返し鏡26は、2H放射に対して透明であり、従って、共振器22の中から2H放射を接続するのに役立つ。
【0029】
本発明によるOPSレーザー装置のこの折り返される共振器配列は、同装置の高パワー作動を考慮すると特に重要であることに注目すべきである。折り返される共振器配列は、OPS構造体32及び光学的に非線形結晶50において最適特性を有する共振器22内で共振する光線の形成を可能にする。一配列では、OPS構造体32のポンプ光スポットサイズが、望ましくは約230マイクロメーター(μm)の1/e2半径を有する、ガウス形状であるのが望ましい。基本横方向モードで重複を最大にすると共に最適パワーを引出すためには、OPS構造体32で共振する基本放射が同様な230μm(1/e2半径)を有するのが望ましい。実験的結果によって確証される、広範な数字的シミュレーションは、最適第2調波発生に関して光学的非線形結晶50の基本放射のスポットサイズが50μm(1/e2半径)程度であることが望ましいことを示す。図2は、図1レーザー20の共振器22内の軸位置の関数としてモードサイズ(半径)を描写するものである。折返し凸面鏡26(ここでは100mmの半径を有する)によって折り返される平面端鏡(鏡構造体30及び外部鏡28)の望ましい共振器配列では、OPS構造体32及び光学的非線形結晶50で上記の望ましいスポット又はモードサイズが与えられることが理解され得る。既に述べた折返し共振器配列は、光学的非線形結晶50を通した基本的放射の2つの通路を可能にし、それによって発生される2H放射の量を増加させる。折返し鏡36を介した2H放射の抽出で、OPS構造体32での吸収によって2H放射が失われるのが防止される。
【0030】
本発明による空洞内周波数倍増レーザーでは、光学的非線形結晶が周波数倍増するように配列される波長で正確に共振するように共振器を強制するために、複屈折フィルタ又は共振器のエタロンのような波長選択要素を含むのが望ましい。これは、光学的非線形結晶50用の望ましい材料を選択することに関して以下にさらに詳説される。レーザー20ではそのような波長選択要素が、共振器20軸24のブルースターの角(ここでは57.1°)で配列される複屈折フィルタ52の形で描写される。この波長選択要素の目的は軸モード選択ではないことがここでは強調される。これが共振器32のOPS構造体の位置と結合されるその独特の特性の組合せによって達成されるからである。むしろ、複屈折フィルタ52は、OPS構造体32の利得構造体34の利得帯域幅を、光学的非線形結晶50が効果的なスペクトル受容領域より狭い帯域幅に有効かつスペクトル的に減少させるのに用いられる。これで光学的非線形結晶が効果的でない波長においてレーザー20が共振するのが防止される。本発明によるOPSレーザーのこの面もまた以下にさらに詳説される。
【0031】
図1の本発明によるレーザー20の一例では、OPS構造体32(図3参照)は、15のQW又は約75.0オングストローム単位(A)の厚さを有し、976nmの公称基本(放出)波長を与えるIn0.18Ga0.82As組成を含む利得構造体34を有する。QW層間には、1272Aの厚さを有するGaAs0.978P0.022組成のポンプ光吸収(分離器)層がある。QW層及び分離器層間には、約50Aの厚さを有するGaSaの応力緩和層がある。鏡構造体30は、約3.51の屈折率を有するGaSa層と、約2.94の屈折率及び基本波長で4分の1波長の光学厚さを有するAlAs0.96P0.04との交番する層の27対又は周期を含む。利得構造体34もまた、1588Aの厚さを有する、最後の分離器層及び鏡構造体30間のGa0.51In0.49Pのキャリア拘束層を含む。利得構造体34の反対端にもまた、1588Aの厚さを有する、Ga0.51In0.49Pのキャリア拘束層がある。
【0032】
OPS構造体32は、n型GaSaウェーファー(基板)上にエピタキシャル成長され、キャリア拘束層から始まる利得構造体34が第1に成長される。鏡構造体30は利得構造体上にエピタキシャル成長される。OPS構造体が成長された後、ウェーファーがエッチングで除かれる。第1成長される拘束層は、エッチングで基板が除去されるときエッチング停止層として役立つ。ウェーファー及びその上に成長される構造体は、約2.0mmx2.0mmの正方形「チップ」の形で幾つかのOPS構造体32内に市松模様にされる。
【0033】
OPS構造体(チップ)は第1にマイクロチャンネルクーラー(クーラー36)に結合される。望ましい一マイクロチャンネルクーラーはモデルSA−2であり、カルフォルニア州ロスアラミトスのSaddleback Aerospace社から入手できる。OPS構造体をマイクロチャンネルクーラーに結合する前に、比較的薄い(厚さ約0.3mm)合成ダイヤモンド(CVDダイヤモンド)層がマイクロチャンネルクーラーに結合される。合成ダイヤモンド層は、さらに以下に詳説する特殊の熱管理機能を有する。
【0034】
ダイヤモンドに金を結合させる先行技術方法では、結合の前にオーバーコートを塗られたプラチナ金属処理が施される。結合に用いられるはんだはインジウムである。本発明により結合されるOPS構造体で考えられる作動状態下では、金オーバーコートはインジウム結合材料に溶解し、結果的にはOPS構造体の関連する変形を伴う、結合された継目の長期不安定性を惹き起こし得る。優れた長期安定性を与えると共に潜在的変形を回避し得ると考えられる、本発明による望ましい一結合方法は、単に金オーバーコートなしにプラチナ層によってオーバーコートを塗られたチタン層から成るダイヤモンド上に金属処理を行うことである。その後インジウムはんだを用いて結合される。このような結合は、本発明によりOPSレーザーで考えられる高パワー条件下のみならずあらゆるOPSレーザーに関して先行技術チップ結合方法に優ると考えられる。
【0035】
他の可能な結合方法は、インジウムはんだよりはむしろより安定な金スズ共融はんだを用いることである。しかし、ここではダイヤモンドとの熱膨張係数(CTE)の不適当な組合せがダイヤモンドヒートシンクとの併用を制限する可能性がある。CTEの不適当な組合せ問題は、銅タングステン(Cu−W)、立方ホウ素窒化物、シリコンダイヤモンド合成物等のような、より密接に金スズ共融はんだとCTE適合する代わりのヒートシンク材料を用いることによって回避され得る。しかし、ダイヤモンドと比べてこれらの材料のより低い熱伝導効率のために出力パワー性能上何らかの妥協が期待され得る。CTEの不適当な組合せ問題はチップが大きくなればなる程大きくなる。
【0036】
OPS構造体がダイヤモンド層/マイクロチャンネルクーラーに結合されてから、GaSa基板がエッチングで除去される。利得構造体34内へのポンプ光の入力を改良するために、このように露出される利得構造体上に反射防止コーティングを設けることが望ましい。
【0037】
OPS構造体32の光学ポンピングに関して、各繊維40は、カルフォルニア州サンタクララのCoherent Semiconductorグループから入手できる、FAP-30C-800-B ダイオードレーザーアレイパッケージからの795nm放射の約17.0Wを放出する。鏡44は、795nm及び入射角28°で99.9%を超える反射率を有する誘電被覆された鏡である。レンズ46は、焦点距離40.0mm及び直径18.0mmの接合された二重レンズである。レンズ48は、焦点距離21.0mm及び直径14mmの接合された二重レンズである。これらのレンズは、カルフォルニア州エルビンのMelles Griotから入手できる。ポンプ光は、鏡及びレンズによってOPS構造体の領域内に収斂される。ポンピングされる領域のポンプ光34Wのすべてが、1/e2点において実質的に約260μmの半径を有するガウス強度曲線を有する。いわゆる「壁差込み(プラグ)」パワー入力の各々に約50.0Wを要するポンプ光を与える、例示したダイオードレーザーアレイパッケージは、透明な繊維40内に結合される20.0Wのポンプ放射を発生させる。
【0038】
複屈折フィルタ52は厚さ3.08mmの水晶板であり、図1に示すように軸24に対して57.1度に方向づけられ、水晶光学軸は当該板の平面内にある。そのようなフィルタは、フロリダ州Port RicheyのVLOC社から部品番号第BF254-6T号として入手できる。複屈折フィルタ52のこの方位は、基本放射Fが矢印P1に例示されるように図1の面に対して垂直に偏向される。
【0039】
複屈折フィルタ52は約35nmだけ分離される、各々が約3nmの半最大透過(FWHM)で全幅を有する、狭い透過ピークを有する。最大選択度は、垂直面と当該板の面との交差によって定められる軸から約45度の角度に水晶光学軸を保つことによって達成される。透過ピークの波長は、当該板の面に垂直な軸の周りでそれを僅かに回転させることによって変化させることが可能であり、従ってフィルタが調整され得る。実験的に確認された調整率の計算値は、回転1度につき約5.6nmである。
【0040】
鏡28は平面鏡であり、折返し鏡26は100mmの曲率半径を有する凸面鏡である。鏡26及び30は、距離202mmだけ軸方向に分離される。鏡26及び28は、距離56mmだけ軸方向に分離される。従って、共振器22は258mm(25.8cm)の軸方向長さを有する。
【0041】
光学的に非線形結晶50は、断面3mmx3mmの三ホウ酸塩リチウム(LBO)の長さ5mmの結晶である。結晶は976nm放射に整合する1型位相に切断される。基本光線の伝播は結晶学上のX−Y平面内にある。伝播方向は、X軸から17.1度の角度をなす。基本放射はX−Y平面(Z軸に対するに対して平行)に対して垂直に偏光される。第2調波放射は、矢印P2で示されるようにX−Y平面で偏光される。
【0042】
上記例で特定されるOPSレーザーは、約300Wの基本放射(976nm)の空洞内パワーを発生させ、単一縦(軸方向)モード及び単一横モードにおいて5Wの出力パワーで周波数倍増された(488nm)放射を与えた。光線の放散は、回折制限(M2=1.2)の1.2倍で測定された。量M2は光線サイズの回折制限されたサイズに対する比を表わす計測数値である。高品質光線とは、約2.0又はそれ以下のM2を有する光線と考えられる。発明的OPSレーザーで入手し得る高品質光線は、無機又は有機材料に正確な切り口を作るためにレーザー出力放射は非常に小さいスポットに収斂されなければならないか又は、それが用いられるべき位置まで運ぶために光学繊維内に効率的に結合されるか若しくは関節で接合されたアームで案内されなければならない。
【0043】
パワーのみの観点から、本発明は先行技術IC周波数倍増OPSレーザーの上記6.0mW出力に対して約1千倍の増加を表わす。驚いたことには、基本放射及び従って周波数倍増された放射は単一軸方向(縦)モデルであった。出力放射の一時的安定性は、DC‐10MHzの帯域に亘って約0.05%未満の出力変動又は雑音によって評価される。以下に述べる本発明によるOPSレーザー他の実施形態では約0.1%未満の雑音を得ることができると考えられる。ポンプ光対第2調波効率は約10%である。電気対第2調波効率は約4%である。概して、本明細書に記載された発明的OPSレーザーの適切な実施形態では3.0%又はそれ以上のポンプ光対第2調波効率が得られるであろう。
【0044】
OPS構造体32の光線スポットサイズを減少させるために空洞を非調整(鏡28を折返し鏡36から軸方向に離れるように移動する)にすることで、多重横モードの作動が強制され、488nmで7.5Wまでの出力パワーを得ることを可能にし、それによって多重モード作動の理由による光線品質の低下を犠牲にして、実により高パワー及び高効率を得ることができた。単一軸方向モード作動を保証することと共にポンピング領域(ポンプスポットサイズ)対モードサイズの関係は、以下にさらに詳説される。
【0045】
ポンプ光供給ダイオードへの約100Wの合計入力パワーで、488nmにおいて発明的IC二重OPSレーザーの高出力パワーが得られる。先行技術レーザーでは、488nmにおける多重ワット、高光線品質放射はアルゴンイオン(ガス)レーザーの出力としてのみ得ることができた。概してこれらのレーザーは、数千ワット(30キロワットに及ぶ)のパワー入力を要する。従って、本発明による例示した上記レーザーでは、488nmレーザーに対し2桁の大きさの電気対光学効率改良が与えられる。
【0046】
本発明によるOPSレーザーの望ましい実施形態につき引き続き記載すると、OPSレーザーの上記例の重要な一面は、なかんずく、共振器の寸法を先行技術OPSレーザーのものより増加させることと組み合って強烈にポンピングされるOPS構造体の管理に注目することによって、そのような高基本パワーがOPS構造体から発生され得ることが発見されたことである。
【0047】
そのような高基本パワー及び2Hパワーが与えられ得ることが実験的に立証されたことで、レーザー20のものと同様に、同様な出力パワーで他の基本及び2H波長が発生される、同一又は異なったOPS構造体32及び「長い共振器」配列に基づいて他の発明的OPSレーザーのモデルを数値的に作ることが可能である。
【0048】
特に、例えば、約375nmにおける紫外線スペクトル領域での高電力CW放射は、量子谷(井戸)間にInyGa1−yAszP1−z分離層を有する、InxGa1−xP量子谷を有する利得構造体34を有するOPS構造体を用いることによって発生され得る。繊維結合されたダイオードレーザー(例えば、カルフォルニア州、San JoseのSDL, Inc.からのSDL部品番号7470 P-5)からの670nm放射でポンピングされる、そのような構造体は750nmにおいて利得を与える。図1の共振器22と類似の共振器は、適切に角度調整された同様な複屈折フィルタ52及び750nm放射を周波数倍増するように配列されたLBOの光学的非線形結晶と共に用いられ得る。これに関しては、LBO結晶は、X軸から37.5度の角度で、X-Y結晶面での伝播のために切断されるのが望ましい。基本及び2H放射の偏光は、例示した上記レーザー20に対するもの(976nm基本波長)と同一である。
【0049】
LBO結晶の750nm放射に対する変換効率は、光学的非線形結晶の等長の976nmに対する変換効率より僅かに高く(17%高く)なるように計算される。これは2つの対抗する要因を釣合わせることから結果的に生じる。750nmにおけるLBOの効果的非線形性(非線形係数)はより低く、異なった伝播角度のために、975nmにおいて1.2pm/Vの値と比べてボルト当たり(pm/V)約1.0ピコメートルになる。しかし、総合変換効率は非線形係数の二乗に比例するが、同様に波長の二乗の逆数にも比例する。従って、より短い波長(750nm)が総合変換効率の上記改良を与える手段となる。
【0050】
周波数倍増された、750nm基本波長レーザー20の数値的にシミュレートされた一例では、光学的非線形結晶20に対し長さ5mmのLBO結晶を用いて、繊維結合されたダイオードレーザーアレイ又はモジュールから得られた、670nmにおいて12.0Wのポンプ光が、375nmの2H波長において1Wを超える計算された出力パワーに帰着した。同一数のより強力なダイオードレーザーアレイの一層多くの量又は同一パワーのより多いアレイからより高いポンプパワーを用いることで、同一共振器につき上記例で示した488nm出力パワーに匹敵できる375nm出力パワーが与えられ得る。より多くのポンプ光アレイの使用は、以下にさらに詳説される代わりのポンプ光放出配列を用いて可能である。
【0051】
そのような高基本パワーが発生され得ることが実験的に立証されかつ数値的に確証されていることで、第3調波(3H)及び第4調波(4H)放射を発生させるために、同一OPS構造体に基づいて他の「長共振器」型の発明的OPSレーザーを構成すると共に電磁スペクトルのUV領域でそのような第3及び第4調波波長においてどんな出力パワーが発生され得るかを、確信をもって計算することが可能である。そのような共振器構成の記載が以下に詳しく説明される。そこでは750nm放射の第3調波及び976nm放射の第4調波の発生が例示される。
【0052】
図4を参照すると、共振器23を含むレーザー装置60が図式的に例示される。レーザー60は、以下の例外を除けば図1のレーザー20と大抵の面で同一である。鏡28は、基本及び第2調波波長において高反射率用にコーティングされる。鏡26は、基本波長において最高に反射性があり、2H及び3H波長では高度に透過性がある。光学的に非線形結晶62は、共振器23の折り返されるアーム23Aの、光学的に非線形結晶50及び鏡26間に設けられる。光学的に非線形結晶62は、基本及び2H波長(周波数)を混合するように配列され、それによって図4の三重矢印3Hで示される周波数3倍増放射を発生させる。2H及び3H放射の双方が折返し鏡26を介して共振器23を去る。2H及び3H放射はその後二色性ビームスプリッタ(分割器)64で分割される。
【0053】
さて、第3調波発生(基本及び2H周波数の混合)は基本及び第2調波パワーの積に比例すること(光学的に非線形結晶特性に依存して)が知られている。それ故に、この共振器でこれらのパワーに対して実験的に立証された数値及び各種の光学的非線形材料の3H発生効率に対して実証づけられた数値に基づいて、光学的に非線形結晶62用にβバリウム硼酸塩(BBO)を用いるレーザー60の上記例では、2H放射(375nm)の約5.0W(ワット)を発生する、750nmにおいて約300Wの空洞内基本パワーを仮定して、250nmの波長において、真のCW、単一モード、レーザー出力パワーを発生させ得ることが高度の確信をもって予測され得る。
【0054】
このプロセス(方法)に適したBBO結晶(結晶62)は、光軸(Z)を含むと共にX-Z結晶面と30度の角度をなす平面で光軸から48度の角度での伝播のために切断される。基本放射及び2H放射は、光軸(通常偏光)に垂直な偏光につれて伝播する。3H放射は、異常偏光(基本偏光に対して直角をなす)で発生される。
【0055】
結晶製造業者から発表されたデータに基づく計算では、750nm放射の300Wを光学的非線形結晶62の60μmの半径まで下方収斂させると共に同一結晶で2H放射(375nm)の5Wを50nmの半径まで同軸的に収斂させることによって、250nm(3H)放射の約150mWが発生されることが示される。上記BBO結晶は、1型位相整合を用いる。これは、基本及び2H放射が結晶内で同一偏光をもたなければならないことを意味する。
【0056】
しかし、第2調波発生LBO結晶(光学的非線形結晶50)は、基本放射の偏光に直角の偏光を有する2H放射を発生させる。従って、2H放射の偏光は、それが光学的非線形結晶62に入る前に90度回転されなければならない。これは、基本放射に対してπの偶数整数倍の遅延を有しかつ2H放射に対してπの奇数整数倍の遅延を有するような設計の複屈折水晶プレート(偏光回転装置)によって達成され得る。
【0057】
そんな偏光回転装置(図4では偏光回転装置65として幽霊画法で描写される)は、光学的非線形結晶50及び62間の基本及び2H放射の共通路(アーム20A)に挿入される。偏光回転装置65は、基本放射が無変化で放置されると共に2H放射の線形偏光が初期偏光と遅延プレートの光軸方向との間の角度の2倍に等しい量だけ回転されるようにする。
【0058】
その代わりに、2H放射の偏光を修正するために偏光回転装置65が不要になるようにBBO結晶がII型混合のために切断され得る。しかし、この場合には変換効果が低下することが予期される。
【0059】
本発明によるOPSレーザー共振器の任意の光学的非線形結晶上に共振器鏡又は反射器を設けることは妨げられない。しかし、共振器及び結晶に関して対立する整列要件を解決するためには結晶の温度制御のような追加手段が必要とされるであろう。
【0060】
図4の共振器23では、750nm基本放射につき既に述べた代替物を用いて、970nm基本放射からの第3調波発生も同様に可能である。数値シミュレーションでは、そんな第3調波発生は325nm放射の約150mWが発生され得る。上記例から当業者は、さらなる詳細な記載なしに適切な非線形結晶のパラメータを決定することができる。
【0061】
上記例示された第3調波放射の150mWは、第2調波発生のみにつき先行技術で報告されていると考えられる最大値に対して第3調波発生上のパワーで20倍を越える増加を表す。しかし、レーザー60によって表されるこの第3調波放射を発生させる配列は、おそらく第3調波放射のIC発生に対する幾分不十分な研究手法である。調波出力パワーの著しい改良は、図5を参照することから始まる、以下に記載される本発明によるOPSレーザー共振器の他の群で可能である。
【0062】
図5には、本発明によるOPSレーザー装置のさらに別の実施形態が図式的に描写される。レーザー70は2つの共振器25及び27を含み、それらの合計長さの一部分に亘って共通の軸路35(図5の太線で示される)を有する。共振器25は、「基本共振器」として定められ、その一方端は鏡28によって終結され、その他方端はOPS構造体32の鏡構造体30によって終結され得る。共振器25は折返し鏡26により折り返される。OPS構造体32は、既に述べたようにレーザー20及び60のために取り付けられかつポンピングされる。図5には、1つのポンプ光放出繊維及び関連する収斂光学素子のみが描写される。
【0063】
共振器27は「第2調波共振器」として限定され得る。それは、上記共振器22及び23の単一二重路配列で達成されるより遥かに高いレベルに達する2H放射を造るために用いられる。共振器27は、鏡28によってその一方端が終結され、鏡74によってその他方端が終結される。共振器27もまた折返し鏡26により折り返される。この実施形態の折返し鏡26は、基本及び2H波長における最大反射のためにかつ3H波長における最大透過のためにコーティング(被覆)される。本実施形態の鏡28は、基本、2H及び3H波長における最大反射のためにコーティングされる。共振器の軸は、2H波長における最大反射及び基本波長における最大透過のためにコーティングされた二色ビームスプリッタ72によって共に折り返される。従って、共振器25及び27の共通(ここでは折り返される)軸路はビームスプリッタ72及び鏡28間に延びる。ここでは、上記コーティングのすべてが、光学コーティングサービスの商用供給業者の利用能力以内にあると考えられることが指摘される。そんな一供給行者は、カルフォル二ア州、AuburnのCoherent Auburn Groupである。
【0064】
共振器25及び27の共通路のビームスプリッタ72に隣接して、基本波長を倍増するように配列される光学的非線形結晶50が設けられる。周波数倍増によって発生される2H放射は、共振器27で循環かつ形成され、それによって図1レーザー20の単一「二重路」配列と比較して空洞内2H放射の量が大幅に増加する。共振器25及び27の折り返された共通部分27A(勿論、そこでは基本及び2H放射の双方が循環している)には、3H放射を発生させるために基本及び2H放射を混合する光学的非線形結晶62が設けられる。そのように発生された3H放射は、折返し鏡26を介して共振器から出る。概して共振器については下記事項に注目すべきである。
【0065】
共振器25及び27は大体同一の長さを有すると共に光学的に同様に構成されるのが望ましい。これで、基本及び2H放射に対するモードサイズがほぼ同一になり、それによって混合効率が最大になるようにされる。光学的非線形結晶50の位置において基本及び2H放射間の最適位相関係を維持するために共振器が干渉計的に適合されることも同様に望ましい。これは、光学的非線形結晶50で発生された2H放射が、2H共振器で循環する2H放射に同位相で加えられることを保証するために必要とされる。これは、循環する2H放射が高レベルに成長し、それによってBBO混合結晶(光学的非線形結晶62)に高変換効率を与えることを保証する。これに関して、モード競合からのパワー損失を避けるために基本共振器25が単一軸方向モードで作動するのが望ましい。単一軸方向モード作動を与える条件は以下にさらに詳説される。
【0066】
共振器の干渉計的整合を与える一配列は、共振器27の鏡74にピエゾ電気(圧電気)ドライバ(励振器)のような軸方向ドライバ76を与えることである。鏡74が軸方向に駆動されるにつれて、循環する2H放射は、基本及び2H放射(定常波)に対して光学的非線形結晶50における最大同位相状態及び最大逆位相状態のそれぞれに対応する、最大レベル及び最小レベル(ゼロ又はゼロに近い)まで上昇及び下降する。3H出力パワーも同様に上昇及び下降するであろう。ビームスプリッタ78は、3H出力の小サンプル部分3HSを検波器(検出器)80へ方向づける。検波器80は、ピーク出力パワーを維持するためにドライバ76を調整する制御器(コントローラ)82と協同する。
【0067】
既に述べたように、第3調波発生は基本及び第2調波パワーの積に比例する。2Hパワー用の第2共振器を組入れることによってレーザー70は、何らの基本パワーの増加を要することなく、図4のレーザーの場合よりも遥かに大きい2Hパワーが混合用に利用可能であることを特定する。従って、この共振器の利用可能な基本パワーに対する上記数値及びLBOの2H発生効率に対して確証された数値に基づいて、循環する750nm放射の300Wでは共振器27の循環する375nm放射の約200Wが発生されることが数値的に決定され得る。βバリウムBBOの光学的に非線形結晶62におけるこれらの二重路結合では、250nm波長において真CW、単一モード、レーザー出力パワーの約4Wが発生され得る。325nm放射に対する同様な出力パワーレベルが976nm放射の3H変換に対して決定され得る。これは、先行技術OPSレーザーの第2調波発生のみに対して報告されていると考えられる最大値に対して第3調波発生上600倍を越えるパワー増加である。
【0068】
レーザー70に対して望ましい光学的非線形(混合)結晶はレーザー60に関して上記したものと同一である。しかし、レーザー70の共振器25の設計では、特に光学的非線形結晶50及び62以内のビームサイズに関して注意すべきである。
【0069】
基本及び2Hビームは、変換(混合)効率を最大化するために光学的に非線形結晶62にぴったり収斂されるのが望ましい。しかし、光学的に非線形(2倍増)結晶50の基本放射に対してはより大きいビームサイズの最適範囲が望ましい。結合される共振器25及び27の広範な数値モデル制作では、長さ15mmのLBOに対してはOPS構造体での基本ビーム及び倍増結晶のスポットサイズは、ほぼ同一であることが望ましい。この結果、共振器の設計が簡単化される。その理由は、光学的に非線形(倍増)結晶50が設けられるぴったり収斂されるウエスト(くびれ)を共振器25及び27の共通光(学)路に設けることを要せずに、倍増結晶がOPS構造体に隣接して(図5に例示されるように)設けられ得るようされるからである。共振器の望ましい一構成では、基本ビームはOPS構造体において約200μmのスポットサイズ、光学的に非線形結晶50の約200μmスポットサイズ及び光学的に非線形結晶62の約50μmスポットサイズを有する。2H共振器27は、光学的に非線形結晶50の2Hビームのスポットサイズが約150μmになると共に光学的に非線形結晶62ではそれが約40μmになるように設計される。
【0070】
ここで図6に言及して、さらにもう1つの本発明のOPSレーザーの実施形態90を本図に示す。レーザー90は2つの共振器29,31を含み、これらの共振器は全長の1部に渡って共通の軸路35(図6に太線で示す)を有する。共振器29を「基本共振器」と定義することができ、そしてそれは一端において鏡26によって集結され、他端においてOPS構造体32の鏡構造体30によって終結される。OPS構造体32は、レーザー20,60に関して上に記述されるように設けられポンピングされる。明瞭にするために、図6においてはただ1つのポンプ光送出し(放出)ファイバーと、関連する合焦(収束)光学機(素子)器のみを示す。
【0071】
共振器31を「第二高調波共振器」と定義することができる。共振器31は一端において鏡74によって終結され、他端において鏡92によって終結される。共振器31は折り返し鏡94によって折り返されている。この実施形態での鏡28は基本波長での最大反射のために覆われている。鏡74は2H波長での最大反射のために覆われている。鏡92は、基本波長、2H波長及び第四高調波(4H)波長での最大反射のために覆われている。鏡94は、2H波長での最大反射のため及び4H波長での最大伝搬のために覆われている。
【0072】
それぞれが、2H波長での最大反射のためと、基本波長での最大伝搬のために覆われたダイクロイック(二色性の)ビームスプリッター72,73によって両共振器の両軸は一緒に折り返される。したがって、共振器29,31の共通の軸路はビームスプリッター72と73の間のみに延伸する上記理由で、共振器29と31を干渉計的整合させるために鏡74が、検出器、即ち、検波器80によって検出されるパワーに応じて制御装置82によって制御される駆動装置〈ドライバ〉76に設けられる。光学的非線形結晶50は、共振器29と31の共通路37を循環する周波数倍増基本放射のために設けられる。そのように生成された周波数が2倍された放射が循環して共振器31で増加する。もう1つの光学的非線形結晶67は、共振器31の鏡92と94の間の、共振器31の折り返された部分31Aに位置している。光学的非線形結晶67は、周波数が2倍された放射2Hを循環して周波数倍増のために設けられ、それによって周波数4倍(4H)放射を生成する。4H放射は折り返し鏡94を通って共振器31から出る。
【0073】
このような共振器構成は、244nm放射の生成乃至976nmの第4高調波の生成に有利である。この応用のための望ましい光学的非線形(二倍)結晶50は、図1のレーザー20に関して上に記述した結晶軸とまったく同じ結晶軸の配向を持ち、約15.0mmの長さを持つLBO結晶である。光学的非線形(4倍)結晶67は好ましくは約8.0mmの長さを有するBBO結晶である。この結晶は、好ましくは、伝搬のために、光学(Z)軸を含む平面において光学軸から54度の角度で切断され、かつ、光学的非線形結晶のXZ結晶学的平面に対して30度の角をなす。
【0074】
2H放射は光学軸に直角な偏光で伝搬し(通常偏光)、4H放射は(2H偏光に垂直な)異常偏光で生成される。好ましくは、鏡26は30cmの曲率半径を持ち、鏡94は10cmの曲率半径を持ち、鏡74,92は平らな鏡である。
【0075】
図5の結晶50,63のために適用されるものと同様な考察が光学的非線形結晶50,67内のビームスポットサイズのために適用される。数値シミュレーションは、最適な、比較的大きい、ビームサイズが光学的非線形(ダブラー)結晶50の内部のビームのために存在することを示す。光学的非線形(ダブラー)結晶50での基本放射スポットサイズは、約15mmの結晶長さに対しては、OPS構造体32でのスポットサイズと利点的に同じである。「第二高調波共振器」31は、2の平方根(1.414)によって分割された基本ビームスポットサイズと等しい2Hスポットサイズを光学的非線形結晶67内に生成するような大きさとされるので、共振器31によって維持された光線は、光学的非線形結晶50によって生成されたビームと横方向の同じサイズを有する。2H放射は凹形の折り返し鏡94によって光学的非線形結晶67内に焦点を合わせられて、約5Oミクロン(1/e2半径)のスポットサイズになる。
【0076】
光学的非線形結晶67のためのもう1つの望ましい材料はセシウムリチウムボラート(CLBO)である。この材料は、この応用例及び他の応用例において、周波数2倍の488nm放射の代わりに有利にBBOを用いることができる。周波数2倍の488nm放射のためのCLBO結晶は好ましくは、ビームの伝搬のために、Z軸を含む平面においてZ軸から75.7度の角度で、そしてXZ平面から45度の角度で切断される。それで生成された244nm放射は伝搬の方向とZ軸によって定まる平面内で偏光され(異常偏光)、488nm放射は244nm放射に直角に偏光する。この応用のためのCLBOの非線形効率はBBOのものと同じである。CLBOは、しかしながら、BBOより5倍大きなアクセプタンス角であり、かつ、BBOより4倍小さいウォークオフ角であるという重要な利点を有する。より大きなアクセプタンス角とより小さいウォークオフ角は共に光学的非線形結晶の正味変換効率を増やすことに貢献する。アクセプタンス角とウォークオフ角の一次考察は、CLBOの変換効率がBBOの効率よりも潜在的に数倍高いかもしれないことを示す。これらの一次考察は、どのような共振器においても約425nmと525nmの間の波長を持つ周波数二倍放射に一般に適用できる。その波長範囲での放射は利得メディアの基本放射又は高調波放射でもあるかもしれない。
【0077】
本発明に従う強力なOPSレーザーの実施形態をキャビティ内周波数逓倍装置に関して上に記述するが、当業者であれば、プレゼンテーションのとおりの強力なOPSレーザーがキャビティ内光学的非線形結晶無しで、ただ強力な単一モード基本放射の効率的な源として操作されうることは明白である。本発明に従うOPSレーザーの基本共振器の実施形態において、少なくとも2ワット、そして5ワット以上の基本出力パワーが達成されるかもしれない。
【0078】
例として、976nmでの10ワット(W)の単一軸モードの基本放射が凹型出力結合鏡28FとOPS構造体32の鏡構造体30によって形成された単純な線形(折り曲がっていない)共振器22Fを含むOPSレーザー20F(図7参照)で生成された。鏡28Fは30cmの曲率半径を持ち、OPS構造体32から約15.0cmの距離離間される。複屈折フィルター52が好ましくは共振器22Fに含められる。これは、もしOPS構造体32の製造許容誤差が望ましい出力波長から僅かに外れたある波長においてピーク利得を供給するならば必要とされるかもしれない出力波長修正を与える。
【0079】
単一路光学的非線形結晶装置を用いるか、あるいは、光学的非線形材料を含む又は光学的非線形材料から形成された公知のキャビティ外リング共振器内に基本放射を向けることによって、このような独創的なOPSレーザーをキャビティ外周波数逓倍のための放射線源として用いることができる。本発明に従う強力なOPSレーザーはまた、共線形又は非共線形にポンピングされる光パラメトリック発振器(OPO)のための基本(ポンプ)放射源を提供することができる。このような装置は、同じ発明者による係属中の米国特許出願第09/179,022号に開示されており、この米国特許出願の全の開示は参照のためにここに組み入れられる。
【0080】
ここで本発明のモード制御と他の大きさ調整に関する記述に進むと、驚くべき発見は発明のレーザーの単一軸モード動作が例示の強力な動作のために必要とされる比較的長い共振器長においてさえも簡単に成し遂げられたということであった。長い共振器長は、とりわけ以下の理由のために必要とされる。
【0081】
OPSの利得構造体は、QW層から分かれる層にポンプ光を協力に吸収する必要性のために多少の固有限界を有する。これらのQW層は好ましくは基本放射の半波長だけ光学的に間隔をあけられる。このような構造の公知の事実調査は、関連技術の実務家の間に、そういったQW層の数は約15であることがほぼ最適であるという一般的な信念をもたらす結果となったように思われる。これは少なくとも、その構造体での吸収を介してポンプ光が半波長の15倍以上深く効率的に浸透しないかもしれないという考察の結果として生じる。本発明に従うOPSレーザーの例での15のQW層を持つ利得構造体の使用は、発明のOPSレーザーを限定するものと解釈されるべきではなく、また、このような利得構造体の深さとQWの量の最適化が限界に達したことを示していると解釈されるべきではないことにここで注意すべきである。発明のOPSレーザーの開発において、明白な成功とともに、OPS構造体の他の大きさ調整問題と他の構造的問題を扱うことに単に強調がなされた。このような他の問題の論議が下に明らかにされる。
【0082】
この説明の目的のために、OPS利得構造体の深さ又はQW層の量に対する多少の制限(それが何であるとしても)が存在することを考慮し、次に、利得構造体内の増大する利用可能な利得(従って、パワー)に対して別のアプローチを行うことが必要である。本発明に従う1つのそのような出力を増やすアプローチは、OPS構造体にポンピングされるエリアを増やすことである。
【0083】
しかし、より大きなポンピングされるエリアを利用するために、共振器のモードサイズがポンピングされるエリアで利用可能な利得のすべてを引き出すのに十分であるように共振器の長さを大きくしなければならない。共振器長さはモードサイズの増加の平方に比例して増やされる。したがって、増大数モードサイズから、とりわけ、パワー増大が得られ、発明のOPS共振器の寸法は、OPSレーザーの魅力的な特徴であるという従来技術の教示されるコンパクトさからは根本的に外れる。実に、発明のOPSレーザーの寸法は、同様な出力とビーム品質の公知のダイオードポンピングソリッドステート(DPSS)レーザー共振器の寸法に相当する。しかしながら、この説明から明白になるように、発明のこれらの共振器、特にIC周波数変換のために設けた共振器は利得メディアとしてOPS構造体の使用と特に関係がある、ある種の特定の特有のデザイン特性を有する。
【0084】
外部OPSレーザー共振器の長さを劇的に増やすことにおける1つの元来予期された問題はモード制御の問題、特に、単一軸モードでの作動である。とりわけ、出力の時間の変動を最大にし、そして減少させるために、単一軸モードでの作動が好ましい。上記の通り、「基本共振器」を単一軸モードで作動させることは本発明に従うOPSレーザーの倍数共振器IC周波数逓倍の実施形態において特に好ましい。
【0085】
前述の公知のDPSSレーザーにおいて、共振器長が増大するにつれて、の可能な軸(長軸方向の)モードの数は、発振を妨げるこいかなる措置をも行わずに、同じく増大される。明らかな考察により、この問題は、DPSSレーザーのソリッドステート(ドーパント:ホスト)利得メディアと比較して半導体利得メディアの利得帯域幅がより大きいため、OPSレーザーにおいて悪化するであろうことがまた予期される。
【0086】
典型的に、多数の軸モードは、これらのモードが利得メディアの利得のために無秩序に競争するので、波動する(ノイズの大きい)パワー出力となる。振動モードの数を制限し、そして出力ノイズを減らすためにDPSSレーザーにおいてとられた公知の処置は、隣接するモード間の位相関係がこのモード競合を限定する位置での共振器の利得メディアの選択的な配置を含む。このアプローチは公知のDPSSレーザーにおいて単に限定された成功を納めただけであった。実際に、従来技術のレーザーにおける本当の単一モード作動は、機械的に共振器を安定させ、かつ、高い波長選択ができる要素(これには共振器損、調律の維持管理等の問題が付随する)を共振器に含めることによってのみ可能であったと信じられる。
【0087】
驚くべきことに、本発明に従う強力OPSレーザーにおいて、共振器の物理的長さ、少なくとも上に例示される発明のレーザーの25cmまでの長さから独立して単一軸モード作動が可能であることが見いだされた。この長さはさらに、例えば、100cm又はそれ以上まで拡張され、しかもこのような作動を供給するための特別な準備を行うことなしに単一軸モード作動を維持し続けると信じられる。
【0088】
特定の理論に限定されることなく、この驚くべき発見が次のように説明できると信じられる。本発明の上述のすべての実施形態において、OPS構造体32の利得構造体34は、作動のすべての可能な軸モード(定在波)がノードを持つ位置、即ち、それらのモードが正確に同期している点である、「基本共振器」の端部に正確に位置している。
【0089】
本発明の1つのOPS利得構造体は約7倍波長「長さ」である。共振器それ自身は、波長の数万倍又は数十万倍の長さであるかもしれない。したがって、広く数値的に切り離されたモード(すなわち、N及びN±m、ここでmは整数)さえも利得メディアの中で位相が相当にずれることはない。
【0090】
ここで、半波長離間したQW層を備えるOPS利得構造体は、2分の1波長離れた狭い領域で利得を供給するだけである。したがって、隣接した可能なモードの実際の波長がほんの少し、せいぜい、波長の100万分の1の2−3倍又はQW層の厚さの100分の1の2−3倍だけ異なるので、すべての可能なモードは利用可能な利得を引き出すほぼ同等なチャンスを持っている。最初に振動し始めるそのモードは「モード競合」に勝って、そして他から振動するために必要な利得を奪い、それによって単一軸モード作動を強制する。
【0091】
本発明に従うOPSレーザーにおいて本当の単一モード(単一周波数又はTEM00)作動を保証するために、上に例示するように、OPS構造体32でのポンピングされるエリア(ポンプスポット)と基本スポットサイズがほぼ同じであり、すなわち、モードサイズに対するポンプスポットサイズの比がほぼ単位元(1.0)又はそれ以下であるように共振器を設計することが望ましい。これは、ポンピングされるエリアからいまだ最大利得を得る間に、異なった周波数の振動の他の横モードを支援するために有効な不十分な利得がTEM00スポットサイズの外にあることを教える。
【0092】
本発明に従う上に記述されたOPSレーザーは物理的に長い共振器を有することに関して記述されているが、ここで、共振器長さとして言及されるものは共振器端部鏡の間の軸の長さ又は距離であることが理解される。しかしながら、当業者であれば、物理的な共振器長さを増やすことがパワーを増大させるためにOPS構造体32の利得構造体34の大きなモードサイズを提供する唯一の方法ではないことを認識するであろう。共振器内に適当な光学系を含むことは、共振器の実際の(物理的な)長さが比較的短いときでさえ、共振器のために大きな「相当長さ」を生じさせることができる。これは、比較的短い物理的長さを有する共振器を持つ本発明に従うOPS構造体において大きいスポットサイズを与えるるために使うことができる。フラッシュランプでポンピングされた公知技術のNdYAGレーザーに使用され、共振器内に望遠鏡(入れ子式)式のレンズ装置を採用した共振器装置の例が光学量子エレクトロン(Opt.Quantum Electron)13、493(1981)のハンナ(Hanna)他の論文に記述されている。
【0093】
しかしながら、光線光学上の考察は、OPS構造体32の鏡構造体30が共振器の一端を形成するという複雑な共振器において、その複雑な共振器がOPS構造体32の鏡構造体30から特定の距離に置かれた1つの鏡(一般的に湾曲している)からなる単純な共振器に相当する(鏡構造体30からわかるように)。換言すれば、どのような任意に複雑な共振器でも常に、OPS構造体32の利得構造体34でのモードサイズを決定する目的のため、一端においてOPS構造体32の鏡構造体30を有し、他端において湾曲した鏡を有する相当単純共振器に縮小することができる。したがって、本発明に従う長い共振器タイプのOPSレーザーにおいて、OPS構造体32での望ましいモードサイズを供給するために必要な相当又は光学共振器長さを決定することができる。この光路長の決定は、上に記述した比較的単純な共振器構造であって、十分に大きい光路長を維持しながら物理的な長さを短くするためのいっそう複雑な装置と同様に光路長が物理的な長さに近いものをカバーする。本発明に従うOPSレーザーの共振器の望ましい光路長は少なくとも約5cm、そして好ましくは約10cmより大きい。
【0094】
本発明に従うOPSレーザーにおけるOPS構造体32でのモード又はスポットサイズを増やす最も簡単な方法は、共振器鏡の曲率半径を適切に選択して単に共振器の物理的な長さを増大させることによって共振器の光路長を増大することである。上に例示された図1のレーザー20における多ワット放射の生成のために必要とされるビームスポットサイズは25cmの共振器長を採用することによって得られた。この長さは、公知のOPSレーザーの共振器長さよりずっと大きいが、単一軸モードで作動させながら、レーザーを都合良く小さくまとめるためには十分小さい。
【0095】
次に熱管理問題に論点を変えて、上に手短に論じたように、本発明に従うOPSレーザーにおけるOPS構造体32の熱管理は特に重要である。したがって、熱管理の多少の重要な局面の論議が図8に言及して以下に明らかにされる。図8は、OPS構造体32と、それに接着されたヒートシンク36を詳細に示す。
【0096】
熱管理問題は次のように手短に決定されるかもしれない。ポンプ光42はOPS構造体32の利得構造体に取り込まれている。電気的キャリアを生成しない、即ち、レーザー放射を生成しない取り込まれたポンプ光の部分は利得構造体34内に熱を生成させる。この熱は、ヒートシンク36によって、利得構造体の温度を好ましくは約90℃以下の温度に維持するのに十分な割合で伝達され持ち去られなければならない。この温度は単にガイダンスとして与えられるものであり、そしてクリティカルなもの、あるいは限定されるものと解してはならないことに留意されたい。
【0097】
鏡構造体30は利得構造32からヒートシンク36に伝わる熱伝導を妨げる。上に論じられたように、望ましい、発明のヒートシンク装置において、OPS構造体32はろう層110によって、好ましくは約0.3mmの厚さを持つ合成ダイヤモンド層112に接着される。ダイヤモンド層112が順に、もう1つのろう層114によって銅製の微小溝型冷却器116に接着される。
【0098】
本発明に従うOPS構造体のためのヒートシンク構成を開発することにおいて、銅とダイヤモンドの大きな下地、即ち、基板のヒートシンク固有性に対して最初に考察がなされた。大きな(本質的に大きさが無限)銅ヒートシンクの表面に直接与えられた上記例の34Wのポンプパワーによって与えられたポンプパワー密度を考慮した計算から、このようなヒートシンクの表面温度は110℃であろうと推定した。実際は、34ワットのポンプパワーは表面に直接与えられないであろうが、鏡構造体30の材料によって妨げられるであろう。これらの材料は比較的低い熱伝導率を有する。したがって、利得構造体34の温度はヒートシンクの表面での最も高い温度より約15℃高いと期待できた。
【0099】
大きなCVDダイヤモンド(銅より2.5倍高い熱伝導率を有する)ヒートシンクの表面に直接与えられた上記例の34Wのポンピングによって得られるポンプパワー密度を考慮した計算から、このようなの表面温度は45℃であると推定された。これはOPS構造体32の利得構造体34にとって耐えられる温度であろう。しかしながら、無限大であることを考慮するほど十分に大きいダイヤモンド(合成ダイヤでさえ)は、もし入手可能であるなら、法外に高価であろう。
【0100】
マイクロチャンネル冷却器について考察すると、それに直接与えられる上記例の34ワット(W)のポンピングによって提供されるそういった冷却器の表面温度は約110℃であろうと決定された。もし同じマイクロチャンネル冷却器に比較的薄い層の合成ダイヤモンドが接着されたなら、(ダイヤモンド層の)表面温度はただ55℃になるであろうこと、即ち、その温度は上に論じられた仮説の大きなダイヤモンドヒートシンクのための計算された温度に相当することが次に決定された。この決定は本発明に従うOPSレーザーのために必要とされるポンプパワー密度をOPS構造体32に安全に与えられることができるようにすることにおいて重要であった。
【0101】
明らかな考察の上に、一定のポンプパワー密度において、OPS構造体32の上記例示温度は、そのポンピングされるエリアが増大されるので、同じままであると期待されるかもしれず、上記識別されたレベルを越えるパワーの大きさの調整を増加する共振器長さの問題とするように思われるかもしれない。しかしながら、より綿密な調査の上に、これは本当ではないことが分かる。ポンピングされるエリアについての大きさ調整問題を図示するために、図9と10はそれぞれ、比較的大きな(1.0mm厚)銅製ヒートシンクと、0.7mm厚の銅製ヒートシンク上に接着された0.3mm厚のCVDダイヤモンド層について計算された均一表面に対する反応を表す等温線曲線(放射状に対象であると仮定する)を示す。等温線曲線は、0.25mm半径の円H内で180ワット毎正方mm(W/mm2)の率Qで加熱する均一表面に対する反応を表す。(OPS構造体32の上記例示のポンプパワー密度に対応している)。等温線曲線は5℃間隔である。上に使われる専門用語「比較的大きな」はOPS構造体32の寸法に関してのものであることを意味する。
【0102】
図9と10の両方から、温度は加熱(ポンピング)されるエリアの縁から中心へと上昇することがわかる。同じポンプパワー密度でポンピングされるエリアを増やすことは、それ相応に、OPS構造体のピークの温度を増やすであろう。幸いに、しかしながら、この増加はエリアの増加の平方根に比例する。これはポンプパワー密度と増加するポンピングされるエリアの間に多少のトレードオフを許す。
【0103】
CVDダイヤモンドの有効性はもちろん、CVDダイヤモンド層がない約100℃のピークの温度(図9参照)と比較してダイヤモンド層で成し遂げられた45℃と50℃の間のより低いピーク温度(図10参照)によって同じく証拠づけられる。
【0104】
単一結晶形での合成ダイヤモンドはCVD形式の2倍の熱伝導率を有する。したがって、単結晶ダイヤモンド層をCVDダイヤモンド層の代わりに用いることによって、約20℃の更なる表面温度減少を期待することができた。CVDと単結晶形式での合成のダイヤモンドはニューヨーク州ニューヨークの住友電気工業(Sumiitomo Electric Industries)(USA)社から入手可能である。
【0105】
上に論じた発明のヒートシンク36装置の高い熱伝導率はOPS構造体32の利得構造体34での低い温度だけではなく、OPS構造32の平面での低い横切る温度こう配も保証する。横切る温度こう配は、OPS材料の屈折率の温度依存を通して、OPS構造体内での伝搬の基本放射によって見られる光路長の横切った変化を生じさせる。このようなこう配は、それ自体をリッドステートの利得メディアにおいて「熱レンジング(thermal-lensing)」(これは利得メディアが、一次近似で、正の球面レンズとして作用することを意味する)として表す。この現象は公知のDPSSレーザーでよく知られており、このようなレーザーのために共振器のデザインを複雑にする。なぜなら、これらの共振器デザインは、熱レンジングと、ポンプパワーレベルが変えられるときの熱レンジングの変化の両方を考慮に入れなくてはならないからである。例として、典型的なネオジムによって化学処理されたバナジン酸イットリウム(Nd:YVO4)利得メディア結晶が典型的なポンプ状態の下で7つのジオプターと同じぐらい高い熱レンジングを示すことができる。
【0106】
ヒートシンク36のデザイン考慮すると、注意深いデザインにより公知のDPSSレーザーで遭遇する値と比較して本発明に従うOPSレーザーにおいて熱レンジングのために例外的に低い値に導くことができたことが認識された。例として、ヒートシンクとしてマイクロチャンネル冷却器上にCVDダイヤモンド層を採用する上述のレーザー20の例(図1)において1つのジオプターより際立って少ない熱レンジングが測定された。CVDダイヤモンドに代えて、単一結晶合成ダイヤモンドを使用することは、このすでに小さい熱レンジングの係数を2減らすであろう。このような低い熱レンジングはレーザー共振器のデザインをかなり単純化する。一般に、本発明に従うOPSレーザーのために共振器を設計することにおいて、熱レンジングがないであろうということを想定することができる。
【0107】
ここでOPS構造体32の鏡構造体30の熱伝達妨害効果について議論を向けると、上に論じた発明のOPSレーザーの例において、OPS構造体32の鏡構造体30の全体厚さは約4.1μmである。この全体の層厚と、GaAsとAlAsPの本体熱伝導率値と、図6に示すように冷却された下地36の構造に基づく計算は、鏡構造体30の熱伝達妨害効果のために、利得構造体34の温度が本当であるであろう温度よりも約18℃乃至20℃高いことは冷却された下地36のダイヤモンド層112に直接接着された利得構造であったことを示した。したがって、接着されたダイヤモンド層によって提供された表面温度での電位減少の相当な部分が鏡構造体の犠牲にされる。発明のOPSレーザーの上記実施例の作動条件の下で、利得構造体34の蛍光スペクトルの移行の実験的な観察から、利得構造体34は約90℃の温度であることが決定された。
【0108】
OPS構造体32の鏡構造体30の熱伝導率の改良により利得構造体32により高いポンプパワーを与えることができたことは明白である。これは出力の更なる増加を与えるであろう。この熱伝導率を改善するいくつかののアプローチが下に明らかにされる。
【0109】
上に記述した方法で増大するOPS構造体32の利点は、鏡構造体32がエピタクシーに増大する必要もなく、また、まったく半導体材料から完全に形成される必要はないことである。この柔軟性が与えられるならば、高及び低屈折率層を形成するために広く選択できる材料を使って本発明に従うOPS構造体32の鏡構造体30を設計することは可能である。したがって、材料の絶対屈折率値と材料の熱伝導率の値は、鏡構造体(全体として)の軸方向における熱伝導率が最大となるように選択できる。明らかに、もちろん、選択された材料は、鏡構造体が基本波長に関して最大反射率を提供することができるように、基本波長に関して最小の吸収を有する(かなり透明である)ようでなければならない。この点に関して最大反射率を好ましくは約99.9パーセント以上の値に決定することができる。
【0110】
鏡構造体30の熱伝導率を増大させる1つの選択肢は、アルミニウム、銀、金、銅又はマグネシウムのような高反射率の金属層を透明な材料のいくつかの高屈折率層及低屈折率層の対の代わりに用い、その金属層で吸収を約0.1パーセントにすることである。光学スキャナー、コピー機等のために高価でない高効率反射鏡を提供するために、同様な構造の誘電体多層重ね被覆されたアルミニウム鏡は、しばしば光学コーティング技術において「強化(エンハンスト)金属鏡」と呼ばれる。
【0111】
本発明に従う鏡構造体30での金属層は最後に堆積された(鏡)層であろうし、利得構造体から最も遠いであろう。完成されたOPS構造体32でのこの金属層がヒートシンクと直接接するであろうから、少なくとも0.1パーセントの吸収が許容できるであろうと信じられる。
【0112】
例として、上に例示されるGaAsとAlAsP材料を、最終層としての1000オングストローム厚層の金と共に用い、GaAsとAlAsP層のたった9つの対を有する構造体によって99.9%の反射率を供給することができた。このような構造はたったの約1.47μmの合計厚、即ち、上述の例の鏡構造体の約3分の1の厚さを有するであろう。したがって、鏡構造体全体としての滅伝導率の3倍までの増加を予期することができる。
【0113】
AlAsPよりずっと低い屈折率を有する材料、例えば、約1.48の屈折率を有するフッ化バリウム(BaF2)を低屈折率材料として用いることによって厚さをさらに小さくすることが可能であると信じられる。1000オングストローム厚の金の層を最終層として用い、GaAsとBaF2層の2組程度を有する鏡構造体30によって99.9%の反射率が与えられた。このような鏡構造体はたったの約O.54μmの合計厚さ、すなわち、上記例のOPS構造体の厚さの約8分の1の厚さを有するであろう。しかしながら、合計厚を小さくすることによって熱伝導率で得られるものは、AlAsPと比較してBaF2のより低い熱伝導率と、基本波長での4分の1の波長光学的厚さを供給するために必要なBaF2のより大きな物理的な厚さによる少なくとも部分的相殺である。
【0114】
そういった「強化金属鏡」は、半導体材料があまりにも大きい吸収をして多層反射器において効率的に使用できないという約0.7μmより短い波長での基本放射を有するOPS構造体で特に有用であるかもしれない。これらの波長に関して、低屈折率層としての二酸化シリコン(SiO2)のような材料に組み合わせて高屈折率層を供給するために、酸化チタン(TiO2)とニオブ酸化物(Nb2O5)のような誘電材料を使用しなければならない。TiO2とSiO2の層だけの組み合わせを使った鏡であって、GaAsとAlAsP層だけから作ったと鏡と同じ反射率を有する鏡は、約50パーセント大きい合計厚を有するであろうことを指摘することは有用である。
【0115】
「強化された金属」タイプの鏡構造体のための高反射材料の選択及びOPS構造体をヒートシンク36へ接着するために選択された接着材料のタイプに依存して、好ましくは適切な金属の層を反射金属層の上に加えてその金属層が接着剤と反応、合金化又は溶解することを妨げることが必要であるかもしれないことに留意すべきである。この追加の層は、(入射レーザー放射に関する限り、)反射金属層の「背後に」存在するので、それが高反射であることは重要でない。
【0116】
上に論じたように、OPS構造体32のようなOPS構造体は半導体ウェハーの全エリア上に本質的に増やされるOPS構造体が増やされた後、ウェハーはOPS構造体チップにさいの目に切られる。公知のさいの目切断方法はチップを形成するためにウェハーに線刻みをつけて壊すことを伴う。切断は、ウェハーの結晶化された平面と、その上にエピタクシーに増やされたOPS構造体に沿って、きれいに、そして円滑に生じる。ここで図11に言及し、上に記述したように形成したOPS構造体チップ(矛盾しないように、ここで参照番号32によって指定する)は、利得構造体34上の放出面119として終結するものを有し、そして線刻み(スクライブ)破断方法から生じる滑らかな端面120を有する。各端面120は放出面119に直角であり、そして利得構造体の半導体材料の比較的高い屈折率に因る比較的高いフレーネル(Fresnel)反射率(約30%)を持つ。本発明に従うOPSレーザーのために使用される作動パワー(これを妨害する装置はない)において、レーザー動作は、端面120の平行な組によって形成された共振器内で(図11に矢印Bで示すように)横方向に生じる。
【0117】
作動の間に、このような寄生横振動は、意図する面放射方向(図11に矢印Cで示す)にレーザー作用を与えるために有効な利得をOPS構造体32の利得構造34から奪うであろう。ある特定の処置がこのような寄生横振動を抑制するためにとられるかもしれない。このような処置は、ダイヤモンドスクライブ、ダイヤモンドソー又は同様な研摩切断装置を用いてウェハーを一側部から他側部へ切断又はスクライブするさいの目切断方法を使用することを含む。このようなスクライブに続き、端面120は鏡として作用できないように十分に荒らされる。したがって、寄生横振動は効率的に抑制される。端面を荒らす他の方法を用いることもできる。
【0118】
もし端面120がスクライブ破断切断の結果滑らかに残るならば、酸化アルミニウム(Al2O3)又はは酸化イットリウム(Y2O3)のような、端面よりも低い屈折率を有する材料の単純な反射防止膜で端面を被覆することにより、端面120の反射率をもはや鏡として有効でないレベルまで減少させて寄生横振動を効率的に抑制することができる。
【0119】
寄生横振動を抑制するさらにもう1つの手段は、チップ32(OPS構造体32)の最も長い線形寸法(端面長)がポンピングされるエリア122よりかなり大きいことを保証することである。本発明に従うOPSレーザーのために用いられるパワーレベルにおいて、端面120の長さは好ましくはポンピングされるエリアの直径よりも約3倍大きい。ポンピングされないOPS構造の本質的な吸収と、端面120間を走行する放射のために必要な大きくされた距離により、たとえ端面120が滑らかであっても、寄生横振動を効率的に抑制するために十分な損失を供給することができる。
【0120】
寄生横振動を抑制するために、ポンピングされるエリアの外で利得構造体34の材料の吸収を計画的に増やすことの可能性の限度はなくない。これは、例えば、OPS構造体32の成長の後に、選択的な化学処理するか又はイオン注入法によって達成されているかもしれない。明らかに、寄生横振動を減らすための上に記述されたどの処置も単独又は、適切であるなら、組み合わせて使用できる。
【0121】
ここで本発明に従うOPSレーザーのための周波数変換材料の選択について述べると、上記の通り、外部共振器OPSレーザーから利用可能な波長の範囲は周波数逓倍、2倍又は混合によって拡張されるかもしれない。これは好ましくは、光学的非線形結晶がOPS構造体の鏡構造体と、(その構造体の外側の)従来技術の鏡との間に形成された共振器に含められるキャビティ内(IC)周波数変換(高調波生成)によって達成される。本発明に従うIC周波数変換OPSレーザーのための特に望ましい光学的非線形結晶材料はLBOである。
【0122】
公知のOPSレーザーにおいては利用可能なパワーは限定されているため、このようなレーザーにおいて、可能な限り高い周波数変換効率を備える光学的非線形材料、典型的にKNbO3を使用することが今までなされてきた。しかしながら、KNbO3は、本発明に従う強力な周波数倍増レーザーで使用するためにそれを選択するには理想からはほど遠いある特定の不利な性質を有する。これらの不利な特徴はあるもろさと、限定されたスペクトルアクセプタンス範囲である。光学的非線形材料のスペクトルアクセプタンス範囲は、その材料結晶のために周波数変換されるであろう波長の範囲である。
【0123】
図12は、KNbO3の計算され、正規化されたスペクトルアクセプタンスと、かなりより耐久性のある、しかしより効率が低いLBOを示す。それぞれが、約976nmでレーザー作用を与えるように選ばれた合成物を有する5mm長さのInGaAs能動層の形態であると考えられる。KNbO3のスペクトルアクセプタンスはLBOのそれの約10分の1であり、能動層の利得帯域幅と比較して非常に狭いことがわかる。
【0124】
ここで、キャビティ内光学的非線形結晶の周波数倍増機構が他のいかなる制約もなく、基本波長の損を表すので、共振器はその振動波長を損がない波長へ移行する(飛ぶ)傾向がある。これが起きるとき、周波数倍増出力は、全体的に止まるのでなければ、壊滅的に落ち、基本パワーが相応して急上昇するであろう。
【0125】
波長飛び越えは、波長飛び越えがない場合のものよりもより低い平均パワーの非常にノイズが多い周波数変換出力をもたらすであろう。この波長飛び越えは共振器に複屈折フィルター、エタロン又は同種のもののような大いに波長選択的ができる要素を含めることによって限定され得る。しかしながら、このような必要な選択性を有する装置は、重要な共振器損をもたらし、出力を制限する。いずれの方法でも、これは、KNbO3の名目上の高い変換効率がその全処置において、実際は、実現されないかもしれないことを意味するであろう。さらに、波長選択装置は恐らく満足にそのピーク伝達波長を安定させる温度調整のような能動措置を必要とするであろう。
【0126】
ずっとより広いアクセプタンスを有するLBO材料はまだ完全に波長飛び越えから免除されておらず、キャビティ内波長選択装置の波長を抑制する利益がないであろう。しかしながら、LBOのケースにおけるこのような波長選択装置は、KNbO3のために必要とされるであろうより10倍もより少ない選択とすることができ、能動安定化を必要としないであろうし、そして重要な共振器損をもたらさないであろう。
【0127】
完全性のために、光学的非線形結晶のスペクトルアクセプタンスは結晶の長さに逆比例していることがここで指摘される。このような結晶の第二高調波生成(SHG)効率は材料定数deffの2乗に結晶の長さの2乗をかけたものにだいたい比例している。KNbO3のためのdeff値がLBOのためのdeff値よりも約10倍大きいので、理論上少なくとも、0.5mm長さのKNbO3結晶は5.0のmm長さのLBO結晶と同じピークSHG効率とスペクトルアクセプタンスを有するであろう。しかしながら、KNbO3のもろさのために、0.5mm長さのKNbO3結晶は幾分、製造処理することが実際的でないかもしれないと信じられる。本発明に従うOPSレーザー共振器での共振器でのKNbO3結晶の使用は、しかしながら、妨げられない。
【0128】
一般に、上に論じた理由のために、LBOとクロムリチウムトリボレート(CLBO)は周波数2倍、周波数3倍に関して好ましい。BBOは周波数4倍、周波数3倍に関して好ましい。約670nmよりも波長を2倍又は3倍に短くするために、ストロンチウムバリウムボラート(SBBO)、ストロンチウムボラート(SBO)及びバリウムホウ酸亜鉛(BZBO)を含む光学的非線形材料は効果的であると信じられる。しかしながら、これらの光学的非線形材料の優先性は本発明に従うIC周波数変換レーザーを限定するものであると考えられるべきではない。
【0129】
【表1】
【0130】
【表2】
【0131】
ここで本発明に従う強力なOPS構造体のための望ましい材料の記述を続けると、表1は利得構造体30のための好ましいQW層とセパレータ層材料を列挙する。それぞれの材料セットは、1つの特定の鏡構造体30(ブラッグ鏡)の番号、下地及び基本波長範囲と関連している。ブラッグ鏡の詳細、組成は表2で与えられる。
【0132】
表1と2で表される構造体は、鏡構造体と利得構造体の両方に関して、同じ波長範囲に対して公知の好ましい構造体から逸脱していることを表す。表1と2において、合成物比率(サブスクリプト)x、yとzはすべて0.0と1.0の間の値を持つ。各ケースにおいて、引張歪みを受ける全ての層と、圧縮歪みを受ける全ての層の応力と層厚の積が等しくなることを保証することによって、OPS構造体の応力が全体としてできる限り低くなるように、材料(化合物)は選択される。このことは、高い作動温度を受け、従って、作動と不活性の時期の間に大きい温度サイクルを受ける本発明に従うOPS構造体において特に重要である。
【0133】
本発明に従う上に例示されたIC周波数倍増OPSレーザーのOPS構造体(図2参照)は最初にリストアップされた構造体の例であり、QW層とセパレータ層の間のGaAs「移行」層は、これらの層の間に存在する応力差を軽減する。図2のOPS構造体の利得構造は一般にIII−V四成分系InGaAsPの成分から形成されているとして分類され、そこでは、下地材料がその成分(ここではGaAs)の2成分III-V化合物であり、QW層が両方の下地材料成分を含む1つの可能な3成分III-V化合物から形成され、そしてセパレータ層が両方の下地材料成分を含む他の可能な3成分III-V化合物から形成される。表1のタイプ3構造体(InP下地材料の上)は同じくこのカテゴリーに分類される。これはこの四成分系から形成されたOPS構造物に最適な応力補正を与えると信じられる。表1のタイプ3構造体のために誘電材料を含む鏡構造体が望ましい。1つの望ましい構造はセレニド亜鉛(ZnSe)の高屈折率層と、酸化アルミニウムの低屈折率層を含む。このコンビネーションは、従来技術の一般的なコーティングに用いられるTiO2とSiO2の組み合わせとして層対の数毎にほぼ同じ反射率を供給するが、より低い合計物理厚と、より高い熱伝導率を伴う。表2の鏡構造体は表1のQW/セパレータ構造体と共に用いるために望ましい構造体であることがここで強調され、本発明に従うOPSレーザーにおける表1のQW/セパレータ構造体を持つ他の鏡構造体の使用は除外されない。
【0134】
さらに、上に供給された発明のOPSレーザーの記述から、当業者は、本発明の原理と範囲から外れることなく、約425nm−1800nm間の波長において基本放射を供給するための他のOPS構造体を選択することができる。このような構造体は、例えば、InxGa1 -xAsyP1 - y、AlxGa1 -xAsyP1- y及びInxGa1 -xN(ここで、0.0≦x≦1.0、0≦y≦1)からなる半導体化合物の群から選択されるQW層又は能動層を含むことができる。このリストは、しかしながら、本発明を限定すると考えられるべきではない。第二、第三及び第四高調波波長は、もちろん、約212と900nm、142と600nm及び106と225nmの間にあるであろう。後の範囲の半分であるより短い波長での性能は適当な光学材料の有効性によって幾分限定されるかもしれない。
【0135】
次に本発明のOPSレーザーの出力を増大させる更なる態様の論議に移り、上に記述されたOPSレーザーの実施形態において、ただ1つのOPS構造体32が含まれる。達成され又は自信を持って予測されるレベルを超えるように出力を増やすためのいくつかのアプローチがこれに関係なく論じられた。しかしながら、上に論じられたアプローチだけを採用することが収穫遞減に導かれるかもしれないことは、これらの論議から当業者にとって明らかであろう。もしこれが本当であること、あるいは単に選択肢であることが分かったなら、出力(基本又は高調波)は、適切に構成された共振器において少なくとも第2OPS構造体を組み入れることによって増やされるかもしれない。1つのそのような共振器の記述が下に明らかにされる。
【0136】
図13に言及し、この図において本発明に従うIC周波数2倍OPSレーザーの更なる実施形態128を叙述する。レーザー128は、2つのOPS構造体32,32Xを含むしっかり折り返された共振器130を含むでなる。共振器130は一端においてOPS構造体32の鏡構造体30で終結し、他端においての鏡28で終結する。共振器130は上に論じられた理由のために複屈折フィルター52を含む。OPS構造体は上に記述するヒートシンクアセンブリ36上に設けられている。共振器軸132はOPS構造体32Xの鏡構造体30Xによって一旦折り返され、折り返し鏡26によって再び折り返される。周波数を2倍にするために設けられた光学的非線形結晶50は共振器130の腕130Aに位置し、即ち、折り返し鏡26と端部鏡28の間に位置している。鏡28は基本波長での最大反射率のために覆われている。鏡26は基本波長での最大反射率のためと、2H波長での最大伝搬のために覆われている。
【0137】
ここで、共振器をしっかりと折り返すことは、OPS構造体32Xに対して可能な限り垂直入射に近いものに維持されるように選択されることに留意すべきである。これは逆方向に伝搬する基本光線間での利得構造体34X内における干渉を最小にするためである。このような干渉はQW層の平面で干渉縞を形成(一種の「横空間のホールバーニング」)することになり、そのため、これらの層からの利得抽出を制限する。この点に関して、利得構造体34XでのQW層の間隔と、鏡構造体30Xの層の厚さを調整して非垂直入射による有効屈折率変化を補正し、それによってQW層の有効半波長間隔を維持することが同じく望ましい。
【0138】
続いて図13に言及し、レーザー128と本発明に従う他の上に記述したOPSレーザーの更なる相違は、ポンプ光がOPS構造体に配送される方法である。レーザー128において、他の上に記述された実施形態のようにポンプ光はファイバー40に沿って送られる。
【0139】
これらの他の実施形態の折り返し鏡44と、合焦 レンズ46,48は、しかしながら、2つの放射状勾配指標レンズ(radial-gradient-index lenses)146,148のアセンブリで置き換えられる。このようなレンズはしばしば包括的に「セルフォック(selfoc)」と呼ばれる。このようなレンズは、上に記述した例のレーザー20のレンズ46,48と比べて同じ光学性能を供給することができることが判明した。1つの例において、レンズ146はカリフォルニア州アーバインのメレス・グリオット社(Melles Griot Inc.)から入手可能な部品番号06LGS216である。レンズ148は部品番号SLW180-020-083-A2である。このセルフォック(selfoc)レンズ装置は、共振器28のようなしっかり折り返された共振器の場合のマルチファイバー(ファイバー束)ポンピングに関して都合の良い接近手段を供給する。ポンプ光配送光学装置の量を単に減らすか又は従来の合焦光学の大部分のために可能であるファイバーよりも多くのファイバーによってパワーを配送するために、いかなる他の上に記述された実施形態で上記装置を使うことができる。
【0140】
当業者であれば、本発明の原理と範囲から逸脱することなく、前述の説明から3以上のOPS構造体を含むOPSレーザーを考案できるであろう。このようなOPSレーザーを、OPS構造体の基本波長又は高調波波長において出力放射を配送するように構成することができる。
【0141】
折り返されたレーザー共振器を2つの外部鏡の間に形成し、折り返されたレーザー共振器が1つ以上のOPS構造体32だけを折り返し鏡として含むことができることは、レーザー128の説明から当業者にとってまた明白であろう。このような折り返されたレーザー共振器は図14で叙述される。ここで、本発明に従うOPSレーザー140は、鏡28F,144によって終結され、(上に論じられた理由のために)OPS構造体32の鏡構造体30によってしっかり折り返されたレーザー共振器142を含む。ヒートシンクと光ポンピング装置はレーザー128に関して上に記述したものと同じである。レーザー共振器はオプションとして複屈折フィルター52を含む。
【0142】
レーザー140のレーザー共振器装置は、もしそれが2つの平らでない鏡によって終結されるレーザー共振器を構成することを望むならば有用であるかもしれない。共振器がその一端においてOPS構造体の鏡構造体によって終結されない同様な装置は、本発明に従うOPSレーザーの他のいかなる上に記述された実施形態に対して考案されることはレーザー140の装置から明白である。
【0143】
要約すると、本発明に従う強力IC周波数転換のOPSレーザーのいくつかの実施形態が上に記述された。一般に、発明のレーザーの実施形態は、100mW以上及び1W以上のパワーでの基本放射から第二、第三又は第四高調波出力を生成することができる。これらの高調波出力は単一軸モード又は回折限界の2倍よりも少ないビーム品質を持つTEM00作動において達成されうる。これらの高出力、いっそう特に、1パーセントよりも良いポンプ−高調波効率において、700nm乃至800nmの波長範囲での基本放射から第二高調波を発生させることにより、UV出力放射を生成する発明のレーザーの能力は特に顕著である。
【0144】
発明のOPSレーザーは真のCW動作モードにおいて波長を生成する手段を供給することができ、その手段は薬、光学式計測学、分光学、光学式リソグラフィ及び精密レーザー加工のような分野における多くのレーザー応用のための最適波長にほとんど適合することができる。例として、発明のOPSレーザーは、1180乃至1200nmの範囲で放射するOPS構造体から第二高調波を発生させることにより、590乃至600nmの波長範囲のCW出力放射を効率的に生成することができる。590から600nmは眼科の外科用の適用に有利である。この波長範囲は公知のレーザーによって効率的に生成されない。強力なUV放射を生成する能力は、特に、プリント回路基板又は従来のUVプレートを直接書き込み又はパターンニングするようなエリアで特に適用可能である。このような応用において、発明のOPSレーザーはエネルギ源、効率及びビーム品質を提供するだけではなく、多くの応用において、露出され、切除去され、加熱され、光化学的に変更され、あるいは処理された材料の吸収ピークまで出力波長を「調整」する能力をも提供する。OPSレーザーに関する上記説明から、当業者であれば、本発明の原理と範囲から外れないで発明のレーザーのために多くの他の使用を考え出すことができる。
【0145】
ここでは、好ましい実施形態その他の実施形態に言及して本発明を叙述している。しかしながら、本発明は叙述した実施形態に限定されるものではない。発明はむしろここに添付した特許請求の範囲の請求項によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
本明細書に組入れられてその一部をなす添付図は、本発明の望ましい実施形態を図式的に例示し、上記一般的記載及び以下の望ましい実施形態の詳細な記載と共に本発明の原理を説明するのに役立つ。
【図1】 本発明によるOPSレーザー装置の望ましい実施形態を例示する。OPSレーザー装置はOPS構造体を含む共振器及びOPS構造体の基本波長を空洞内周波数倍増するように配列された光学的に非線形結晶を有する。
【図2】 図1共振器の軸位置の関数としての基本放射のモードサイズをグラフ表示である。
【図3】 図1OPS構造体の望ましい一実施形態及び半導体層の組成を図式的に例示する。
【図4】 本発明によるOPSレーザー装置の他の望ましい実施形態を例示する。OPSレーザー装置はOPS構造体を含む共振器及びOPS構造体の基本波長を空洞内周波数3倍増するように配列された2つの光学的に非線形結晶を有する。
【図5】 本発明によるOPSレーザー装置のさらに他の望ましい実施形態を例示する。OPSレーザー装置はOPS構造体を含む第1共振器及び第1共振器と共通の光学距離を有する第2共振器を有し、共振器の共通光学距離はOPS構造体の基本波長を空洞内周波数3倍増するように配列された2つの光学的に非線形結晶を含む。
【図6】 本発明によるOPSレーザー装置のさらに他の望ましい実施形態を例示する。OPSレーザー装置はOPS構造体を含む第1共振器及び第1共振器と共通の光学距離を有する第2共振器を有し、共振器はOPS構造体の基本波長を空洞内周波数4倍増するように配列される。
【図7】 本発明によるOPSレーザー装置のさらなる望ましい実施形態を例示する。OPSレーザー装置はOPS構造体を含む直線共振器及び複屈折フィルタを有する。
【図8】 本発明によるヒートシンクアッセンブリと結合された図1及び4−7のいずれかのOPS構造体を図式的に例示する。
【図9】 比較的大きい銅ヒートシンク表面の選択された区域内への一様な熱流によって生成される等温曲線を表わすグラフである。
【図10】 比較的大きい銅ヒートシンクと結合されたCVDダイアモンド層表面上で図7の選択された区域内への一様な熱流によって生成される等温曲線を表わすグラフである。
【図11】 本発明によるOPS構造体における寄生的横共振図式的に例示する透視図である。
【図12】 LBO及びニオブカリウム(KNbo3)の等長結晶に対する波長の関数として計算された変換効率を図式的に例示するグラフである。
【図13】 本発明によるOPSレーザー装置のさらなる望ましい実施形態を例示する。OPSレーザー装置は、2つのOPS構造体を含む共振器及びOPS構造体の基本波長を空洞内周波数倍増するように配列された光学的に非線形結晶を含む。
【図14】 本発明によるOPSレーザー装置のさらなる望ましい実施形態を例示する。OPSレーザー装置は、第1及び第2外部鏡によって終結されると共にOPS構造体の鏡構造体によって折り返される、折り返された共振器を有する。
Claims (67)
- 鏡構造体(30)に載っている利得構造体(34)を含むモノリシック層構造体(32)であって、前記利得構造体は、複数の能動層であって、これらの層間に分離層を有する複数の能動層を含み、前記能動層は、光学ポンプ光が前記利得構造体に入射すると425nm乃至1800nm間の予め決められた基本波長において電磁放射を放出するために選択される組成を有するモノリシック層構造体と;
前記モノリシック層構造体の前記鏡構造体と、それから隔置される反射器(28)の間に形成されるレーザー共振器(22)であって、縦軸(24)と、5cmより長い長さを有するレーザー共振器と;
前記光学ポンプ光(42)を前記利得構造体に放出しそれにより前記基本波長を有する基本レーザー放射を前記レーザー共振器内で発振させ、前記基本波長は単一軸モードで発振する、光学ポンプ光放出装置(40)と;
前記モノリシック層構造体を冷却するヒートシンク装置(36)と;
前記レーザー共振器内に配設され前記基本レーザー放射を周波数倍増させそれによって前記基本波長の分数である波長を有する周波数倍増された放射を与えるように設けた1つ又はそれ以上の光学的非線形結晶(50)と;
を含んでなるレーザー装置であって、
前記レーザー共振器、前記光学的非線形結晶、前記モノリシック層構造体、前記ヒートシンク装置及び前記光学ポンプ光放出装置は、前記レーザー共振器が、100mWより大きい出力パワーで212nm乃至900nmの波長を有する出力放射として前記周波数倍増された放射を発するように、選択かつ構成されたレーザー装置。 - 前記レーザー共振器には前記光学的非線形結晶(50)の1つのみが設けられ、前記光学的非線形結晶は前記基本レーザー放射を周波数倍増させるように配置され、それによって前記基本波長の半分の波長を有する周波数倍増放射を与える、
請求項1の装置。 - 前記レーザー共振器には前記光学的非線形結晶(50、62)の2つが設けられ、前記光学的非線形結晶の第1のものは前記基本レーザー放射を周波数倍増させるように配置され、前記光学的非線形結晶の第2のものは前記周波数倍増される放射に前記基本レーザー放射を混合するように配置され、それによって前記基本波長の三分の一の波長を有する周波数3倍増放射を与える、
請求項1の装置。 - 前記レーザー共振器には前記光学的非線形結晶の2つが設けられ、前記光学的非線形結晶の第1のものは前記基本レーザー放射を周波数倍増させるように配置され、前記光学的非線形結晶の第2のものは前記周波数倍増される放射の周波数を倍増するように配置され、それによって前記基本波長の四分の一の波長を有する周波数4倍増放射を与える、
請求項1の装置。 - 前記レーザー共振器が少なくとも25cmの光学長を有する、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記周波数倍増される放射が単一軸モードで放出される、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記利得構造体の前記能動層は、0.0≦x≦1.0及び0≦y≦1のとき、InxGa1−xAsyP1−y、AlxGa1−xAsyP1−y及びInxGa1−xNから成る半導体化合物のグループから選択される、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記利得構造体の前記能動層は、0.0<x<1.0のときInxGa1−xAsの組成を有し、前記基本波長が900乃至1050nmになるようにxが選択され、前記利得構造体が前記能動層間に分離層を有し、前記分離層がGaAsyP1−yを有する、
請求項7の装置。 - 前記鏡構造体の高屈折率層は組成GaSaを有し、0.0<y<1.0のとき、前記鏡構造体の低屈折率層は組成AlAsyP1−yを有する、
請求項8の装置。 - 前記利得構造体の能動層は、0.0<x<1.0のときInxGa1−xPの組成を有し、前記基本波長が700乃至900nmになるようにxが選択され、前記利得構造体が前記能動層間に分離層を有し、0.0<y<1.0及び0.0<z<1.0のとき、前記分離層が組成InyGa1−yAszP1−zを有する、
請求項7の装置。 - 前記鏡構造体の高屈折率層は、0.0<p<1.0のとき、組成InpAl1−pPを有し、前記鏡構造体の低屈折率層は、0.0<q<1.0のとき、組成AlqGa1−qAsを有する、
請求項10の装置。 - 前記利得構造体の能動層は、0.0<x<1.0のときInxAs1−xPの組成を有し、前記基本波長が700乃至900nmになるようにxが選択され、前記利得構造体が前記能動層間に分離層を有し、0.0<y<1.0のとき、前記分離層が組成AlyGa1−yAsを有する、
請求項7の装置。 - 前記鏡構造体の高屈折率層及び低屈折率層は、前記基本波長に対して透明なそれぞれ高及び低屈折誘電材料から成る、
請求項12の装置。 - 前記高屈折誘電材料はセレン化亜鉛であり、前記低屈折誘電材料は酸化アルミニウムである、
請求項13の装置。 - 前記利得構造体の前記能動層は利得帯域幅を有し、前記光学的非線形結晶は周波数倍増に関してスペクトル受容範囲を有し、前記スペクトル受容範囲は前記利得帯域幅より小さく、前記レーザー共振器は、前記スペクトル受容範囲外の波長を有する基本レーザー放射が前記レーザー共振器内で共振するのを防止するように構成かつ配置される波長選択要素をさらに含む、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記波長選択要素は複屈折フィルタである、
請求項15の装置。 - 前記波長選択要素はエタロンである、
請求項15の装置。 - 前記ヒートシンク装置は能動的に冷却される部材を含み、前記能動的に冷却される部材前記能動冷却部材は、それで熱接触するダイアモンド層を有し、前記モノリシック層構造体の鏡構造が前記ダイアモンド層と熱接触する、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記能動的に冷却される部材はマイクロチャンネル冷却器である、
請求項18の装置。 - 前記ポンプ光を前記利得構造体に伝える前記光学ポンプ光放出装置は、ポンプ光をその光源から前記ポンプ光を収斂させる光学収斂装置まで搬送するために少なくとも1つの光学光案内を含み、前記光学収斂装置は少なくとも1つのレンズを含む、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記少なくとも1つのレンズはラジアルグラジエントインデックスレンズである、
請求項20の装置。 - 前記光学収斂装置は2つのラジアルグラジエントインデックスレンズである、
請求項20の装置。 - 前記1つ又はそれ以上の光学的非線形結晶のどれもが、LBO、CLBO、BBO、SBBO、SBO及びBZBOから成る光学的非線形材料のグループから選択される材料の結晶である、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記レーザー共振器の前記縦軸は前記反射器及び前記モノリシック層構造体間に設けられる折返し鏡26によりある角度だけ折り返され、前記1つ又はそれ以上の光学的非線形結晶は、前記反射器及び前記折返し鏡間の前記レーザー共振器の前記縦軸上に設けられる、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記折返し鏡は前記基本レーザー放射に対して高度に反射的であり、前記周波数倍増される放射に対しては高度に透過的であり、それによって前記折返し鏡は、前記周波数倍増される出力放射を前記共振器から放出すると共に周波数倍増される放射が前記モノリシック層構造体に達するのを本質的に回避する出力結合鏡として役立つ、
請求項24の装置。 - 前記折返し鏡は、前記光学ポンプ光を前記1つ又はそれ以上の光学的非線形結晶内に収斂させる凸面鏡である、
請求項25の装置。 - 前記モノリシック層構造体は、そこでの基本レーザー放射の寄生横共振を最小化するように構成される、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記モノリシック層構造体は放出面119を有する矩形チップの形式であり、前記ポンプ光は前記放出面の予め決められた領域においてそれに放出され、前記チップは前記放出面に直角な平行端面(120)の2つの対を有し、前記平行端面は、そこでの基本レーザー放射の寄生横共振を最少にするために、前記予め決められたポンプ光放出領域の最長寸法の少なくとも3倍の距離だけ隔置される、
請求項27の装置。 - 前記モノリシック層構造体は、放出面を有すると共に前記放出面に直角な平行端面の2つの対を有する矩形チップの形式であり、前記平行端面は、そこからの基本レーザー放射のスペクトル反射を避けるために粗くされ、それによって前記寄生横共振が最少にされる、
請求項27の装置。 - 前記鏡構造体では、前記レーザー共振器内の基本レーザー放射を増大させるのに十分な反射率を与えると同時に、前記利得構造体で発生される熱の前記ヒートシンク装置への熱伝導率を最大にするために、屈折率、熱伝導率及び同構造体の前記層の数が選択される、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記鏡構造体が、高度に反射的な金属の層をさらに含み、前記金属層が前記ヒートシンク装置に最近接される、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記ポンプ光は、予め決められたポンプスポットサイズで前記モノリシック層構造体の前記利得構造体上に放出され、前記共振器は、前記共振基本レーザー放射の前記利得構造体におけるスポットサイズが前記ポンプスポットサイズとほぼ等しい、
請求項1−4のいずれか1つの装置。 - 前記周波数倍増出力放射が単一軸方向モードで放出される、
請求項1の装置。 - 発振器軸を有しかつ第1及び第2鏡(28F、30)によって終結されるレーザー発振器(22F)と、
表面放出利得構造体(34)を有する第1モノリシック層構造体(32)であって、前記利得構造体は、層間に能動ポンプ光吸収層を有する複数の層を含み、前記能動層は、光学ポンプ光が前記利得構造体に放出されると、予め決められた基本波長において電磁放射の放出を与えるために選ばれる組成を有する第1モノリシック層構造体と、
前記レーザー共振器は5cm以上の長さを有し、前記第1モノリシック層構造体の前記利得構造体を含むように構成され、
前記ポンプ光(42)を前記利得構造体に伝える第1光放出装置(40)であって、それによって前記基本波長を有する基本レーザー放射が前記レーザー共振器内で発振するようにさせ、前記基本波長は単一軸モードで発振する、光学ポンプ光放出装置と、
前記第1モノリシック層構造体を冷却する第1ヒートシンク装置(36)と、
前記レーザー共振器が2Wより大きい出力パワーで前記基本波長を有する出力放射を放出するように、前記レーザー共振器、前記第1モノリシック層構造体、前記第1ヒートシンク装置及び前記第1光学ポンプ光放出装置が選択されかつ配置されることとから成るレーザー装置。 - 前記レーザー共振器は直線共振器(22F)として構成され、前記第1モノリシック層構造体は前記利得構造体が載せられる鏡構造体(30)を含み、前記第2鏡は前記第1モノリシック層構造体の鏡構造体である、
請求項34の装置。 - 前記レーザー共振器は折りたたみ共振器(142)として構成され、前記第1モノリシック層構造体(32X)は、前記利得構造体が載せられる鏡構造体(30X)を含み、前記第1モノリシック層構造体の前記鏡構造体は前記レーザー共振器を折り曲げる折返し鏡として役立つ、
請求項34の装置。 - 第2モノリシック層構造体(32)をさらに含み、前記第2モノリシック層構造体は前記レーザー共振器内に設けられる利得構造体(30)を有すると共に層間に分離層を有する分離層を有する複数の能動層を含み、前記能動層は前記予め決められた基本波長で電磁放射放出するように選択される組成を有し、該レーザーは前記ポンプ光を前記第2モノリシック層構造体の前記利得構造体に伝える第2光放出装置をさらに含み、前記鏡構造体(30)は前記第2鏡である、
請求項36の装置。 - 前記レーザー共振器の縦軸は前記第1モノリシック層構造体の前記鏡構造体によってある角度で折り返され、前記レーザー共振器内で共振する前記レーザー放射が、前記共振するレーザー放射の対抗伝播する光線間の干渉を最小化するために選択される角度で前記第1モノリシック層構造体上に入射するようにされる、
請求項36又は37のいずれかの装置。 - 前記共振放射が殆ど直角入射で前記第1モノリシック層構造体上に入射される、
請求項38の装置。 - 前記レーザー共振器が少なくとも25cmの光学長を有する、
請求項34−36のいずれか1つの装置。 - 前記利得構造体の前記能動層は、0.0≦x≦1.0及び0≦y≦1のとき、InxGa1−xAsyP1−y、AlxGa1−xAsyP1−y及びInxGa1−xNから成る半導体化合物のグループから選択される、
請求項35及び36のいずれか1つの装置。 - 前記鏡構造体は高及び低屈折誘電材料の交番する層を含む、
請求項41の装置。 - 前記利得構造体の前記能動層は、0.0<x<1.0のときInxGa1−xAsの組成を有し、前記基本波長が900乃至1050nmになるようにxが選択され、前記利得構造体が前記能動層間に分離層を有し、前記分離層がGaAsyP1−yを有する、
請求項41の装置。 - 前記鏡構造体の高屈折率層は組成GaSaを有し、0.0<y<1.0のとき、前記鏡構造体の低屈折率層は組成AlAsyP1−yを有する、
請求項43の装置。 - 前記利得構造体の能動層は、0.0<x<1.0のときInxGa1−xPの組成を有し、前記基本波長が700乃至900nmになるようにxが選択され、
前記利得構造体が前記能動層間に分離層を有し、0.0<y<1.0及び0.0<z<1.0のとき、前記分離層が組成InyGa1−yAszP1−zを有する、
請求項41の装置。 - 前記鏡構造体の高屈折率層は、0.0<p<1.0のとき、組成InpAl1−pPを有し、前記鏡構造体の低屈折率層は、0.0<q<1.0のとき、組成AlqGa1−qAsを有する、
請求項45の装置。 - 前記利得構造体の能動層は、0.0<x<1.0のときInxAs1−xPの組成を有し、前記基本波長が700乃至900nmになるようにxが選択され、
前記利得構造体が前記能動層間に分離層を有し、0.0<y<1.0のとき、前記分離層が組成AlyGa1−yAsを有する、
請求項41の装置。 - 前記鏡構造体の高屈折率層及び低屈折率層は、前記基本波長に対して透明なそれぞれ高及び低屈折誘電材料から成る、
請求項47の装置。 - 前記高屈折誘電材料はセレン化亜鉛であり、前記低屈折誘電材料は酸化アルミニウムである、
請求項48の装置。 - 前記利得構造体の前記能動層は利得帯域幅を有し、前記レーザー共振器は、前記利得帯域幅以内の基本レーザー放射の前記基本波長を選択するように構成かつ配置される波長選択要素をさらに含む、
請求項34−36のいずれか1つの装置。 - 前記波長選択要素は複屈折フィルタである、
請求項50の装置。 - 前記波長選択要素はエタロンである、
請求項50の装置。 - 前記ヒートシンク装置は能動的に冷却される部材を含み、前記能動的に冷却される部材前記能動冷却部材(116)は、それで熱接触するダイアモンド層を有し、前記第1モノリシック層構造体の鏡構造が前記ダイアモンド層(112)と熱接触する、
請求項34−36のいずれか1つの装置。 - 前記能動的に冷却される部材はマイクロチャンネル冷却器である、
請求項53の装置。 - 前記ポンプ光を前記利得構造体に伝える前記光学ポンプ光放出装置は、ポンプ光をその光源から前記ポンプ光を収斂させる光学収斂装置まで搬送するために少なくとも1つの光学光案内(40)を含み、前記光学収斂装置は少なくとも1つのレンズを含む、
請求項34−36のいずれか1つの装置。 - 前記少なくとも1つのレンズ(146)はラジアルグラジエントインデックスレンズである、
請求項55の装置。 - 前記光学収斂装置は2つのラジアルグラジエントインデックスレンズ(146,148)である、
請求項56の装置。 - 前記第1モノリシック層構造体は、そこでの基本レーザー放射の寄生横共振を最小化するように構成される、
請求項34−36のいずれか1つの装置。 - 前記第1モノリシック層構造体は放出面を有する矩形チップ(119)の形式であり、前記ポンプ光は前記放出面の予め決められた領域においてそれに放出され、前記チップは前記放出面に直角な平行端面(120)の2つの対を有し、前記平行端面は、そこでの基本レーザー放射の寄生横共振を最少にするために、前記予め決められたポンプ光放出領域の最長寸法の少なくとも3倍の距離だけ隔置される、
請求項58の装置。 - 前記第1モノリシック層構造体は、放出面を有すると共に前記放出面に直角な平行端面の2つの対を有する矩形チップの形式であり、前記平行端面は、そこからの基本レーザー放射のスペクトル反射を避けるために粗くされ、それによって前記寄生横共振が最少にされる、
請求項58の装置。 - 前記鏡構造体において、同構造体の屈折率、熱伝導率及び前記層の数は、前記利得構造体で発生される熱の前記ヒートシンク装置への熱伝導率を最大にすると共に、前記レーザー共振器内の基本レーザー放射を増大させるのに十分な反射率を与えるように選択される
請求項35又は36の装置。 - 前記鏡構造体が、高度に反射的な金属の層をさらに含み、前記金属層が前記ヒートシンク装置に最近接される、
請求項35又は36のいずれか1つの装置。 - 前記鏡構造体(30)は、交番する高反射率層と低反射率層の複数の層であって、前記予め決められた基本波長の4分の1の光学厚さを有する複数の層を含む
請求項1の装置。 - 前記鏡構造体は金属層を含む
請求項1の装置。 - 前記ポンプ光はダイオードレーザによって発生する
請求項1の装置。 - 前記分離層はポンプ光を吸収する
請求項1の装置。 - 前記利得構造体における前記ポンプスポットサイズは直径で少なくとも200ミクロンである
請求項32の装置。
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