JP4836632B2 - 元素分析方法 - Google Patents
元素分析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4836632B2 JP4836632B2 JP2006100591A JP2006100591A JP4836632B2 JP 4836632 B2 JP4836632 B2 JP 4836632B2 JP 2006100591 A JP2006100591 A JP 2006100591A JP 2006100591 A JP2006100591 A JP 2006100591A JP 4836632 B2 JP4836632 B2 JP 4836632B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- primary ion
- incident angle
- analysis method
- depth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Description
図7を参照するに、一次イオンビームの照射エネルギーが1.0keVでは、一次イオン入射角度が15度において二次イオン化率が最大値を示している。
(付記1) 深さ方向に亘って略同等の含有量を有する主要金属元素を含む試料の表面に一次イオンビームを照射して、
前記試料から放出された主要金属元素の二次イオン強度が分析対象の深さ範囲において試料の表面付近における二次イオン強度を基準として20%以内の範囲となる一次イオン入射角度に設定して、該主要金属元素よりも低い含有量の元素の深さ方向の濃度を測定する元素分析方法。
(付記2) 前記元素が主要金属元素に導入された不純物元素であることを特徴とする付記1記載の元素分析方法。
(付記3) 前記分析対象の深さ範囲は、試料の表面から所定の深さまでの範囲であることを特徴とする付記1または2記載の元素分析方法。
(付記4) 前記一次イオンビームの照射エネルギーに応じて一次イオン入射角度を設定することを特徴とする付記1〜3のうち、いずれか一項記載の元素分析方法。
(付記5) 前記一次イオン入射角度を異ならせつつ一次イオンビームを試料に照射して試料に流れる電流量を測定し、得られた一次イオン入射角度と該電流量との関係に基づいて、一次イオン入射角度の絶対値を決定することを特徴とする付記1〜4のうち、いずれか一項記載の元素分析方法。
(付記6) 前記試料は一次イオン入射角度を増減させる方向に回転自在の試料ステージに載置され、
一次イオン入射角度を異ならせつつ一次イオンビームを試料ステージに照射して試料ステージに流れる電流量を測定し、得られた一次イオン入射角度と該電流量との関係に基づいて、一次イオン入射角度の絶対値を決定することを特徴とする付記1〜4のうち、いずれか一項記載の元素分析方法。
(付記7) 前記一次イオンビームは、試料ステージに形成された開口部に照射することを特徴とする付記6記載の元素分析方法。
11 真空容器
12 試料
13 試料ステージ
14 イオンガン
15 質量分析器
16 角度設定部
18 電流測定部
PI 一次イオンビーム
SI 二次イオン
Claims (4)
- 深さ方向に亘って略同等の含有量を有する主要金属元素を含む試料の表面に一次イオンビームを照射して、該試料の深さ方向に亘って、該試料から放出された該主要金属元素の二次イオン強度を測定し、
測定された該主要金属元素の二次イオン強度が分析対象の深さ範囲において試料の表面付近における二次イオン強度を基準として20%以内の範囲であるかを判定し、
前記測定された前記主要金属元素の二次イオン強度が前記20%以内の範囲となる一次イオン入射角度に設定して、該主要金属元素よりも低い含有量の元素の深さ方向の濃度を測定する
元素分析方法。 - 前記元素が主要金属元素に導入された不純物元素であることを特徴とする請求項1記載の元素分析方法。
- 前記一次イオンビームの照射エネルギーに応じて一次イオン入射角度を設定することを特徴とする請求項1または2記載の元素分析方法。
- 前記一次イオン入射角度を異ならせつつ一次イオンビームを試料に照射して試料に流れる電流量を測定し、得られた一次イオン入射角度と該電流量との関係に基づいて、一次イオン入射角度の絶対値を決定することを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の元素分析方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006100591A JP4836632B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 元素分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006100591A JP4836632B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 元素分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007271574A JP2007271574A (ja) | 2007-10-18 |
JP4836632B2 true JP4836632B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=38674509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006100591A Expired - Fee Related JP4836632B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 元素分析方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4836632B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5050568B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-10-17 | 富士通株式会社 | 深さ方向不純物元素濃度分析方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2574792B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1997-01-22 | 日本電信電話株式会社 | 深さ方向の元素分布分析法 |
JPH05188020A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-07-27 | Sony Corp | 2次イオン質量分析法による定量分析方法及び2次イオン質量分析装置 |
JPH05290797A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 二次イオン質量分析法 |
JP2962073B2 (ja) * | 1992-10-23 | 1999-10-12 | 富士通株式会社 | 微量元素の濃度分布の測定方法 |
JPH0954053A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Shimadzu Corp | 表面分析装置 |
JP2000206063A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Nec Corp | 界面の不純物濃度分析方法 |
JP2000221148A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Nec Corp | 深さ方向の元素分布分析方法 |
JP2001091482A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Nec Corp | 含有元素分析方法 |
JP2002310961A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-23 | Fujitsu Ltd | 深さ方向元素分布測定法 |
JP2003004674A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 定量分析用試料およびその作製方法 |
JP2004226229A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Fujitsu Ltd | Iv族半導体中のv族元素の深さ方向分布の分析方法 |
-
2006
- 2006-03-31 JP JP2006100591A patent/JP4836632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007271574A (ja) | 2007-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6173036B1 (en) | Depth profile metrology using grazing incidence X-ray fluorescence | |
Hönicke et al. | Characterization of ultra-shallow aluminum implants in silicon by grazing incidence and grazing emission X-ray fluorescence spectroscopy | |
US7456399B1 (en) | Calibrating multiple photoelectron spectroscopy systems | |
WO1997006430A1 (en) | Method and apparatus for total reflection x-ray fluorescence spectroscopy | |
Trojek | Reduction of surface effects and relief reconstruction in X-ray fluorescence microanalysis of metallic objects | |
WO2013035082A1 (en) | Combined method of secondary ion mass spectroscopy and energy dispersive x-ray for quantitative chemical analysis of various solid materials and thin films without the use of specific patterns or standards | |
US8011830B2 (en) | Method and system for calibrating an X-ray photoelectron spectroscopy measurement | |
JP4836632B2 (ja) | 元素分析方法 | |
KR100955434B1 (ko) | 측정된 기초 스펙트럼을 사용하거나 및/또는 획득된스펙트럼에 기초한 박막의 비파괴적 특성화 | |
CN113340922B (zh) | 一种能谱仪的校准方法及元素测试方法 | |
US7358492B2 (en) | Apparatus, method, and computer program product for deconvolution analysis | |
Klockenkämper et al. | Comparison of shallow depth profiles of cobalt‐implanted Si wafers determined by total reflection x‐ray fluorescence analysis after repeated stratified etching and by rutherford backscattering spectrometry | |
Qiu et al. | Calibration of thickness-dependent k-factors for germanium X-ray lines to improve energy-dispersive X-ray spectroscopy of SiGe layers in analytical transmission electron microscopy | |
JP5904030B2 (ja) | 二次イオン質量分析方法及び標準試料 | |
Staub et al. | Quantitative determination of dopant dose in shallow implants using the low energy X-ray emission spectroscopy technique | |
JP2018205126A (ja) | 二次イオン質量分析方法及び二次イオン質量分析装置 | |
Anderle et al. | Ultra shallow depth profiling by secondary ion mass spectrometry techniques | |
JP5391942B2 (ja) | 二次イオン質量分析における一次イオンエネルギー補正方法 | |
Bubert et al. | Dose determination of nickel implantations in silicon wafers | |
JP2008215989A (ja) | 深さ方向元素濃度分析方法 | |
JP3374497B2 (ja) | 濃度分布測定方法 | |
KR100664868B1 (ko) | 이차이온 질량분석기 분석을 위한 표준시료 및 이를이용한 이차이온 질량분석기 분석 방법 | |
Moore et al. | B1. 24 Rutherford backscattering, resonance scattering, PIXE and forward (recoil) scattering | |
JP5874409B2 (ja) | 二次イオン質量分析方法及び二次イオン質量分析装置 | |
JP5564841B2 (ja) | 二次イオン質量分析法及び二次イオン質量分析システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110830 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |