JP4829585B2 - 配線基板及び半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体デバイスなどの各種デバイスを高密度かつ高精度に搭載でき、更に高速性及び信頼性も優れたパッケ−ジ及びモジュ−ルを得ることができる配線基板、及びその配線基板を使用した半導体装置に関する。
従来の半導体装置としては、特許文献１に記載されたものがある。この特許文献１には、回路基板の両面に半導体装置がフリップチップ実装により設けられている両面実装構造体が開示されている。この従来技術によれば、実装後の半導体装置を封止する封止樹脂のガラス転移温度を調節することにより、生産歩留まり及び信頼性の向上が可能であるとされている。
特開２００１−３４５４１８号公報
ところが、上述の従来技術においては、基板と半導体素子の基材との間の熱膨張係数の差により接合精度及び品質が劣化する虞がある。このため、半導体素子への微細な配線の接続が困難であり、また、接続信頼性も低いという問題点がある。このため、この従来技術により、配線密度の高い大規模なチップ間接続を実現することは困難であった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、微細な配線の接続が可能であり、複数の半導体素子間を高密度で接続することができ、接続信頼性が高い配線基板及び半導体装置を提供することを目的とする。
本願第１発明に係る配線基板は、１又は複数個の絶縁層と、１又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された１又は複数個のビアとを備えた配線基板であって、前記配線基板の片面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの少なくとも一部のランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする。
また、本願第２発明に係る配線基板は、１又は複数個の絶縁層と、１又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された１又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の片面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの全てのランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする。
更にまた、本願第３発明に係る配線基板は、１又は複数個の絶縁層と、１又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された１又は複数個のビアとを備えた配線基板であって、前記配線基板の片面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの少なくとも一部のランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする。
更にまた、本願第４発明に係る配線基板は、１又は複数個の絶縁層と、１又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された１又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の片面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの全てのランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする。
更にまた、本願第５発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第１の半導体素子と、前記一方の面及び前記第１の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第２の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置であって、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの全てのランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする。
更にまた、本願第６発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第１の半導体素子と、前記一方の面及び前記第１の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第２の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置であって、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの少なくとも一部のランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする。
更にまた、本願第７発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第１の半導体素子と、前記一方の面及び前記第１の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第２の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置であって、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの全てのランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする。
なお、本発明に係る配線基板は、前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることが好ましい。
また、本発明に係る半導体装置は、前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることが好ましい。
本発明の配線基板及び半導体装置によれば、複数の半導体素子を接続する配線長が短い半導体装置を提供でき、高速な動作が可能となる。また、製造プロセス中に応力が集中する部分の強度が高いため、配線断線及び配線クラックの無い高歩留まりを実現できる。更に、外見上は観察されない配線の微細なクラック及び応力内在が無いため、半導体装置単体での温度サイクル中での信頼性が高いと同時に、プリント基板へ搭載したときの二次実装信頼性も高くなる。
以下、本発明の実施の形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は本実施形態の配線基板６０６、及びその配線基板を用いた半導体装置７００の断面構造を示した図である。配線基板６０６にはＢＧＡボール５０４が接続されているが、特定部位のＢＧＡボール（図１には図示せず）が接続されるＢＧＡランド３０１への導体配線５０１の接続構造又はＢＧＡランドの形状に特徴がある。
先ず、本実施形態の配線基板及び半導体装置の製造方法について、図２乃至図５を参照して説明する。図２乃至図５は本実施形態の配線基板及び半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図２（ａ）に示すように、シリコン基板１００上に、剥離層２００と最終的に第２ＬＳＩ接続パッド２０１と第２ＢＧＡランド４０１となる配線層を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、その配線層上に絶縁樹脂６０１を形成し、必要な部位に導体ビア５０２と導体スルーホール５０３を形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、導体ビア及び導体スルーホールを埋設するように導体配線５０１を形成する。
続いて、図３（ａ）に示すように、第１ＬＳＩ側接続パッド１０１と接続パッド１０３を第１ＬＳＩ側接続バンプ１０１によって接続して、第１ＬＳＩ１０４を搭載する。アンダーフィル樹脂１０５を注入した後、図３（ｂ）に示すように、モールド樹脂１０６にて封止する。そして、図３（ｃ）に示すように、モールドウエハ部６０５をある一方向６０４にシリコン基板から剥離する。
この剥離の様子を図４に示す。図４（ａ）は、シリコン基板１００上の配線層に第１ＬＳＩ１０４が複数個接続された様子を示すものである。モールドウエハ部６０５を剥離方向６０４からの機械的な力によってシリコン基板１００から分離する。ここで、シリコン基板１００を除去する工程においては、シリコン基板１００と剥離層２００との界面、又は剥離層２００と配線層２０１，４０１との界面の接着強度が弱くなるような材料を予め選択しておき、機械的な力を加えてシリコン基板１００を剥離する。また、剥離層２００として、特定の溶液に溶ける材料、又は溶液の浸透によって配線層２０１，４０１若しくはシリコン基板１００との密着性が極端に低下するような材料を選択することによって、剥離層２００の側面から溶液を浸透させ、シリコン基板１００を剥離することも可能である。更に、剥離層２００として熱分解する材料を用いれば、シリコン基板１００を除去する工程において、熱分解温度以上に加熱することにより、配線層２０１，４０１とシリコン基板１００とを剥離することができる。このときの加熱は、レーザ等で局所的に加熱する方法が望ましい。レーザの波長は、シリコン基板１００を透過し、剥離層２００を透過しない波長に設定することにより、剥離層２００のみを局所的に加熱することができる。本実施の形態においては、例えば、剥離層２００に低密着のポリイミド膜を使用し、剥離層２００と配線層２０１，４０１との界面の接着強度を弱くして、機械的な力を加えてシリコン基板１００を剥離することとする。
次に、図５（ａ）に示すように、配線層を第２ＬＳＩ側接続パッド２０１と第２ＢＧＡランド４０１に加工した後、第２ＬＳＩ側接続パッド２０１と接続パッド２０３を第２ＬＳＩ側接続バンプ２０２によって接続して、第２ＬＳＩ２０４を搭載する。そして、アンダーフィル樹脂２０５を注入する。
次に、図５（ｂ）に示すように、各個片の半導体装置に分離した後に、図５（ｃ）に示すように、最終外部端子であるＢＧＡボール５０４を搭載して半導体装置７００を完成する。
このような半導体装置７００では、チップサイズの大きな第１ＬＳＩ１０４とチップサイズの小さな第２ＬＳＩ２０４を微細な導体ビアで短距離に接続できるため、通常のワイヤボンディングと比べて半導体装置内におけるＬＳＩ間の通信速度を向上させることができる。また、搭載するＬＳＩのサイズの自由度が高くなるが、図６に示すように、最終的な外部端子であるＢＧＡボールの数によっては、ＬＳＩの外形がＢＧＡボール部まで含まれるような構造となる。
図６は本発明の実施形態の半導体装置７００を示す平面図であり、配線基板を挟んで両側に搭載されている２つのＬＳＩ１０４及びＬＳＩ２０４と、ＢＧＡランド３０１を図示している。図７は図６に示した半導体装置のＢＧＡランドを２種類に区別した結果を示した図であり、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置された境界第２ＢＧＡランド４０２と、それ以外のランド４０１とに分類する。図８（ａ）、（ｂ）は従来の技術における図７の破線で囲まれた部分（７０１，７０２）の拡大図である。図８には剥離方向６０４も記載している。従来の技術では、図８（ｂ）のＡ部に示すように、半導体装置の中心部から外周部へと向かうように放射状にＢＧＡランドと導体配線の接続がなされていた。
このようにＢＧＡランドと導体配線が放射状に接続されている場合、先に剥離がＢＧＡランド側から進行するときには特に不具合が発生しないが、先に細い配線側から剥離が進行し、ＢＧＡランドが未剥離の状態で残っている状態では、ＢＧＡランド部の剥離時に応力が細い配線に集中して、配線破断及び配線クラックを生じる場合があることが、本発明者による研究の結果、明らかとなった。特に、配線から円形のランドに急激に幅が広くなった箇所（ランドとの接続部）に不具合が多く発生する。ここで、剥離部分は局所的にはある曲率を有する曲面となっているが、モールド樹脂の中に硬さが異なるシリコンＬＳＩが封入されている境界の近傍（境界第２ＢＧＡランド４０２の近傍）では、より硬いシリコンの変形がモールド樹脂の変形よりも小さいために、剥離がその箇所まで進行したときに、急激な応力変化が境界部分に加わって配線破断を生じることが、詳しい分析の結果明らかとなった。シリコンＬＳＩの存在しない領域及びシリコンＬＳＩの境界近傍以外では、配線側からＢＧＡ側に剥離が進行しても特に配線部分に不具合を生じることなく剥離できる。ここで、”近傍”とは、境界第２ＢＧＡランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドを指す。
図９（ａ）、（ｂ）は本実施形態における図７の破線で囲まれた部分（７０１，７０２）の拡大図である。この図９に示すように、本実施の形態では、図９（ｂ）のＢ部に示すように、剥離方向が配線側からＢＧＡランド側となる方向のシリコンＬＳＩの境界近傍のＢＧＡランドに対して、配線との接続部分を剥離とは反対方向に設けていることが特徴である。
このような構造をとることにより、剥離時の局所的な応力集中による配線断線及び配線クラックを防止し、高歩留まりで半導体装置を作製することができる。なお、図９にはシリコンＬＳＩの境界上のランドについてのみ、接続方向を剥離とは反対方向に設けている構造を記載しているが、本発明は、本質的に、シリコンＬＳＩの近傍のランドのうち、少なくとも一部において接続部分が変更されていれば、効果がある。近傍全てのランドについて接続部分が変更していればなお効果が高いことはいうまでもなく、ピン数及び配線の引き回しの都合上、シリコンＬＳＩの境界上のランドの一部、又は全部についてのみ、接続部分を変更していても良い。
図１０（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施の形態を示した図である。本実施の形態では、図１０（ｂ）のＣ部に示すように、剥離方向が配線側からＢＧＡランド側となる方向のシリコンＬＳＩの境界近傍のＢＧＡランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部から配線基板の片側方向に向けて、ランド幅が徐々に大きくなりその後徐々に小さくなることを特徴とする。
ＢＧＡランドと配線の接続部分は従来技術と同様に半導体装置の中心から外周に向かった放射状である。図１０ではランド部分が三角形の形状となっているが、このような形状を採用することにより、先に配線部分から剥離が開始しても、円形のランドと比べて剥離中の導体の幅が急激に大きくなることはないため、剥離によって配線断線及び配線クラックは生じない。なお、ランドの形状は、ランド幅が急激に変化しなければ良く、三角形に限定されない。但し、最終的な外部端子であるＢＧＡの高さをそろえるために、他の円形ランドと面積がほぼ等しいことが望ましい。また、図１０にはシリコンＬＳＩの境界上のランドについてのみ、異なる形状を有する構造を記載しているが、本発明は、本質的に、シリコンＬＳＩの近傍のランドのうち、少なくとも一部においてランド形状が変更されていれば効果がある。近傍全てのランドについて接続部分が変更していれば、なお効果が高いことはいうまでもなく、シリコンＬＳＩの境界上のランドの一部、又は全部についてのみ、接続部分を変更していても良い。本第２の実施形態の構造は、第１の実施形態と比較して、配線をＢＧＡの反対側に引き回す必要がないために、より微細なランドピッチに対応できるという効果がある。
図１１（ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実施形態を示した図である。本実施形態では、剥離方向が配線側からＢＧＡランド側となる方向のシリコンＬＳＩの境界近傍のＢＧＡランドにのみ、配線部分との接続部にテーパ形状を有することと特徴とする。図１２は図１１（ｂ）のＤ部の拡大図である。このような形状を採用することにより、先に配線部分から剥離が開始しても、円形のランドと比べて剥離中の導体の幅が急激に大きくなることはないため、剥離によって配線断線や配線クラックは生じない。なお、テーパの形状は、配線幅が急激に変化しなければ良く、図１１に示した構造に限定されない。また、図１１にはシリコンＬＳＩの境界上のランドについてのみ、テーパを有する構造を記載しているが、本発明は本質的に、シリコンＬＳＩの近傍のランドのうち、少なくとも一部においてテーパを有していれば効果がある。近傍全てのランドについてテーパ形状を有していればなお効果が高いことはいうまでもなく、シリコンＬＳＩの境界上のランドの一部、又は全部についてのみ、テーパ形状を有していても良い。本第３の実施形態の構造は、第１及び第２の実施形態と比較して、配線をＢＧＡの反対側へ引き回す必要がなく、微細なランドピッチに対応できる効果と、ランド形状を円形とし、テーパのみを付与するだけであるため、最終的なＢＧＡ端子の形状がほぼそろうために、良好な二次実装信頼性を得ることができるという効果がある。
なお、本発明の配線基板及び半導体装置は、そのランド形状及びランドへの配線の接続形状に特徴があり、特に基材となるシリコン基板から剥離するプロセスにおいて重要な役割を果たす。従って、本発明における剥離プロセスはその方向を一定方向に限定することが極めて重要であり、第１から第３の実施形態に示した本発明の特徴的な構造が、常に剥離方向の下流側となるような製造方法を採用することが必要である。
ここで、上述の実施の形態においては、基材としてシリコン基板の例を述べたが、本発明はシリコン基板に限定されることはなく、基材としては、配線層及び絶縁層が形成される工程において適度な剛性を有していればよい。例えば、ＧａＡｓ等の他の半導体ウエハ材料及びサファイア、並びにＣｕ等の金属板、石英、ガラス、セラミック並びにプリント板を使用することができる。特に、シリコン基板を使用した場合、ＬＳＩを搭載する際に基材とＬＳＩの熱膨張係数が等しいため、搭載精度を更に高くすることができるという効果がある。
また、上述の各実施の形態においては、半導体装置を構成するＬＳＩが２個の例を述べたが、本発明は２個のＬＳＩに限定されることはなく、配線基板の片側又は両側に２個以上のＬＳＩを搭載しても良い。そのとき、２個以上のＬＳＩが縦方向に積層されていても良く、横方向に平面的に搭載されていても良い。いずれの場合も、外部接続端子を設けるランド部のうち、ＬＳＩの搭載位置の近傍のランドにおいて上述の実施の形態に示したような工夫がなされていれば、同様の効果を得ることができる。特に、チップサイズの大きなメモリチップを多層に積層した場合、信号処理を行うロジックチップが大容量のメモリに高速アクセスできるため、半導体装置としての性能を大きく向上させることができる。
また、上述の各実施の形態においては、配線基板として配線層の層数が２層の例を述べたが、本発明の効果は２層配線に限定されないことはいうまでもない。
また、上述の各実施の形態においては、配線基板の所望の位置に薄膜キャパシタが設けられていてもよい。薄膜キャパシタを構成する誘電体材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化珪素、窒化珪素、若しくはそれらの複合物、又は、ＢＳＴ（ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３）、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３）又はＰＬＺＴ（Ｐｂ１−ｙＬａｙＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３）等のペロブスカイト系材料（０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１）、又はＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９等のＢｉ系層状化合物であることが好ましい。また、薄膜キャパシタを構成する誘電体材料として、無機材料及び磁性材料を混合した有機材料等を使用してもよい。更には、薄膜キャパシタの代わりに、個別部品であるチップコンデンサ、チップ抵抗及びチップインダクタ等が内蔵されていてもよい。
本発明の第１実施形態の配線基板及び半導体装置を示す図である。 （ａ）乃至（ｃ）は本実施形態の配線基板及び半導体装置の製造方法を示す図である。 （ａ）乃至（ｃ）は本実施形態の配線基板及び半導体装置の製造方法を示す図であり、図２の後工程である。 （ａ）、（ｂ）は本実施形態の配線基板及び半導体装置の製造方法における剥離方向を示す図である。 （ａ）乃至（ｃ）は本実施形態の配線基板及び半導体装置の製造方法を示す図である。 本実施形態の配線基板及び半導体装置の平面構造を示した図である。 本実施形態の配線基板及び半導体装置の平面構造を示した図である。 従来技術の配線基板及び半導体装置の平面構造の拡大図である。 本実施形態の配線基板及び半導体装置の平面構造の拡大図である。 本発明の第２実施形態の配線基板及び半導体装置の平面構造を示す拡大図である。 本発明の第３実施形態の配線基板及び半導体装置の平面構造を示す拡大図である。 同じくその一部拡大図である。
符号の説明
１００：シリコン基板
１０１：第１ＬＳＩ側接続バッド
１０２：第１ＬＳＩ側接続バンプ
１０３：接続パッド
１０４：第１ＬＳＩ
１０５：アンダーフィル樹脂
１０６：モールド樹脂
２００：剥離層
２０１：第２ＬＳＩ側接続バッド
２０２：第２ＬＳＩ側接続バンプ
２０３：接続パッド
２０４：第２ＬＳＩ
２０５：アンダーフィル樹脂
３０１：ＢＧＡランド
３０２：境界ＢＧＡランド
３０３：引き出し部
４０１：第２ＢＧＡランド
４０２：境界第２ＢＧＡランド
５０１：導体配線
５０２：導体ビア
５０３：導体スルーホール
５０４：ＢＧＡボール
６０１：絶縁樹脂
６０２：微細接続部
６０３：半導体パッケージ外周
６０４：剥離方向
６０５：モールドウエハ部
６０６：配線基板
７００：半導体装置

Claims (9)

  1. １又は複数個の絶縁層と、１又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された１又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の片面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの少なくとも一部のランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする配線基板。
  2. １又は複数個の絶縁層と、１又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された１又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の片面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの全てのランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする配線基板。
  3. １又は複数個の絶縁層と、１又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された１又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の片面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの少なくとも一部のランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする配線基板。
  4. １又は複数個の絶縁層と、１又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された１又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の片面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの全てのランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする配線基板。
  5. 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第１の半導体素子と、前記一方の面および前記第１の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第２の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの全てのランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする半導体装置。
  6. 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第１の半導体素子と、前記一方の面および前記第１の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第２の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの少なくとも一部のランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。
  7. 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第１の半導体素子と、前記一方の面および前記第１の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第２の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の境界に設置されたランドの外側と内側の夫々２列ずつのランドの全てのランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。
  8. 前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の配線基板。
  9. 前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の半導体装置。
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