JP2011211211A - 配線基板、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、平板状の配線基板と、配線基板の一方の面に設けられた第1のLSI104と、前記一方の面及び前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、配線基板の他方の面に設けられた第2のLSI204と、が設けられている。配線基板は、配線層としての導体配線501と、配線層の支持層としての絶縁樹脂と、配線層及び支持層を貫通する導体スルーホールとを備えている。外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランド302と、このランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在している。
【選択図】図9
Description
101:第1LSI側接続バッド
102:第1LSI側接続バンプ
103:接続パッド
104:第1LSI
105:アンダーフィル樹脂
106:モールド樹脂
200:剥離層
201:第2LSI側接続バッド
202:第2LSI側接続バンプ
203:接続パッド
204:第2LSI
205:アンダーフィル樹脂
301:BGAランド
302:境界BGAランド
303:引き出し部
401:第2BGAランド
402:境界第2BGAランド
501:導体配線
502:導体ビア
503:導体スルーホール
504:BGAボール
601:絶縁樹脂
602:微細接続部
603:半導体パッケージ外周
604:剥離方向
605:モールドウエハ部
606:配線基板
700:半導体装置
Claims (13)
- 1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする配線基板。
- 1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする配線基板。
- 1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする配線基板。
- 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の少なくとも一部のランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする半導体装置。
- 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の全てのランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする半導体装置。
- 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする半導体装置。
- 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の少なくとも一部のランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする半導体装置。
- 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする半導体装置。
- 平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることを特徴とする請求項4から9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 基板上にランドと配線層とを含む配線基板を形成する工程と、前記配線基板の一方の面に半導体素子を接続する工程と、前記半導体素子をモールド樹脂によって封止する工程と、前記半導体素子を含む前記モールド樹脂部分及び前記配線基板を基板上から剥離する工程と、前記配線基板のもう一方の面に半導体素子を接続する工程と、個片化する工程と、外部端子を設ける工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記剥離する工程において、剥離方向が前記配線基板の前記ランドと前記配線層の配線との接続点において幅の大きい方から小さい方に向かって一義的に決定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板上にランドと配線層とを含む配線基板を形成する工程と、前記配線基板の一方の面に半導体素子を接続する工程と、前記半導体素子をモールド樹脂によって封止する工程と、前記半導体素子を含む前記モールド樹脂部分及び前記配線基板を基板上から剥離する工程と、前記配線基板のもう一方の面に半導体素子を接続する工程と、個片化する工程と、外部端子を設ける工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記剥離する工程において、剥離方向に対して前記配線基板の前記ランドと前記配線層の配線との接続点がテーパの形状となることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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