JP4819843B2 - メモリ装置のためのeccコード生成方法 - Google Patents

メモリ装置のためのeccコード生成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4819843B2
JP4819843B2 JP2008137738A JP2008137738A JP4819843B2 JP 4819843 B2 JP4819843 B2 JP 4819843B2 JP 2008137738 A JP2008137738 A JP 2008137738A JP 2008137738 A JP2008137738 A JP 2008137738A JP 4819843 B2 JP4819843 B2 JP 4819843B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
ecc code
memory device
ecc
spare
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008137738A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009070362A (ja
Inventor
許勝一
Original Assignee
慧榮科技股▲分▼有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 慧榮科技股▲分▼有限公司 filed Critical 慧榮科技股▲分▼有限公司
Publication of JP2009070362A publication Critical patent/JP2009070362A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4819843B2 publication Critical patent/JP4819843B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1068Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

本発明は、メモリ装置のためのECCコード生成方法、より具体的には低レベルECC技術のみをサポートするメモリ装置のためのECCコード生成方法に関する。
誤り訂正コード(ECC)は数十年の間使用されてきており、幾つかの用途において優れた実績がある。例えば、単一レベルセル(SLC)技術を備えたフラッシュメモリは、1ビット誤り訂正を行うハミング(HM)ECCを使用する。フラッシュメモリを制御するホストは、フラッシュメモリからホストへ送信されたデータがハミングECCコードを含んでいることを要求する。これにより、ホストは、必要な場合は、ハミングECCコードに依ってデータを訂正することができる。しかし、高レベルでより複雑な技術、例えば、各フラッシュメモリセルが2ビット以上のデータを記憶する多値(MLC)技術を備えたフラッシュメモリの場合、ハミングECC等の低レベルECC技術は、記録追跡機能を実行し、必要な場合に、データを訂正するのに十分な情報を提供できない。従って、リード・ソロモン(RS)ECC等の高レベルECC技術が、高度なフラッシュ技術に8ビット誤り訂正能力を提供するために徐々に使用されるようになってきている。
幾つかのフラッシュメモリカード規格、例えばMMC2.0及びSD2.0の場合、高レベルECCに対応したフラッシュメモリ装置は、データをホストへ送信する前にそのデータを訂正することができる。従って、ホストへ送信されるデータはECCコードを必要としない。しかし、ECCコードを含むデータを期待するホストの要求を満たすために、高レベルECC対応のフラッシュメモリ装置はECCコードを生成しなければならず、幾つかの問題が発生する場合がある。
例えば、ホストがフラッシュメモリ装置からデータを読み出す時、ホストは読み出したデータを訂正するためのECCコードを要求し、フラッシュメモリ装置はECCコードを提供しなければならない。
図1において、データ10はフラッシュメモリからのデータであり、主データ11、予備データ12、及びRS−ECCコード13を含む。データ10は、フラッシュメモリ装置のコントローラ20に送信され、コントローラ20はデータ10を処理し、処理されたデータ30をホストへ出力する。データ30は主データ31、予備データ32、及びHM−ECCコード33を含む。
コントローラ20は、バッファ21と、予備レジスタ22と、ECCエンジン23と、HM−ECC符号器24とを備える。主データ11はバッファ21とECCエンジン23とに送信され、予備データ12は予備レジスタ22とECCエンジン23とに送信される。RS−ECCコード13はECCエンジン23に送信される。ECCエンジン23は、主データ11と予備データ12とRS−ECCコード13とを受信した後、更新メッセージ104を生成し、主データ11と予備データ12とをそれぞれ訂正するために、バッファ21と予備レジスタ22とに出力する。
ホストはHM−ECCコードを要求するので、HM−ECC符号器24はバッファ21からの更新された主データと、予備レジスタ22からの更新された予備データとに応じたHM−ECCコード33を生成する。コントローラ20は、この更新された主データを更新された主データ31として出力し、この更新された予備データを更新された予備データ32として出力する。ホストは、更新された主データ31と更新された予備データ32とHM−ECCコード33とを受信する。2つの誤り訂正アルゴリズムの動作を必要とし、処理時間がかかる。
従って、低レベルECC技術のみをサポートするメモリ装置のために、1回を超えてデータを読み出しより多くの時間を費やすことなく、正しいECCコード生成することが求められている。
本発明の主な目的は、メモリ装置のために高レベルECCコードに応じて低レベルECCコードを生成する方法を提供することである。
高レベルECC技術を使用するECCエンジンを備えたコントローラにより、メモリ装置は、メモリからデータを読み出した時、直ちに正しいECCコードを生成することができる。また、本コントローラは高レベルECCコードに応じて低レベルECCコードを生成する。従って、このメモリ装置は、高レベルECC技術を備えたメモリもサポートすることができるとともに、データ読み出し時間を短縮できる。
本発明の詳細な技術及び好適な実施形態を、当業者が本発明の特徴をよく理解できるように添付の図面を参照しながら以下に説明する。
以下の説明において、高レベルECCコードに応じて低レベルECCコードを生成する実施形態を参照しながら本発明を説明する。しかし、本発明の実施形態はいかなる特定の環境、用途、又は実施形態にも限定されない。従って、以下の実施形態の説明は、例示のためであり、限定のためではない。
図2は、本発明のコントローラを経由するメモリ装置からホストへのデータの処理、即ち、読み出しステップを示すブロック図である。フラッシュメモリ装置を例にとって説明するが、本発明を限定する意図はない。本発明は低レベルECCコードを要求するメモリ装置に適用することができる。このフラッシュメモリ装置はxD(eXtreme Digital Picture)カード、スマートメディアカード、又はメモリースティック(登録商標)カードであってもよい。このフラッシュメモリ装置は高レベル誤り訂正アルゴリズム、本実施形態ではリード・ソロモン(RS)アルゴリズムを適用して、RS−ECCコードと、低レベルECCコード、本実施形態ではハミング(HM)ECCコードとを生成する。他の実施形態では、高レベル誤り訂正アルゴリズムは、ボース・チョーンドリ・オッカンガム(BCH)アルゴリズム、又は他の適当なアルゴリズムであってよい。
コントローラ50はフラッシュメモリ装置からデータ40を受信し、このデータ40を処理してホストへ送信するための更新されたデータ60を生成する。データ40は主データ41と、予備データ42と、RS−ECCコード43とを含む。コントローラ50は、バッファ51と、予備レジスタ52と、ECCエンジン53とを備える。更新されたデータ60は、更新された主データ61と、更新された予備データ62と、HM−ECCコード63とを含む。
ECCエンジン53はRS−ECC復号器532と、HM−ECC符号器533と、RS−ECC符号器531とを備える。RS−ECC復号器532とHM−ECC符号器533は読み出しステップで使用され、RS−ECC符号器531は書き込みステップで使用される。バッファ51とRS−ECC復号器532の両方が主データ41を受信し、予備レジスタ52とRS−ECC復号器532の両方が予備データ42を受信し、RS−ECC復号器532はRS−ECCコード43も受信する。RS−ECC復号器532は、主データ41と予備データ42をRS−ECCコード43を用いてRSアルゴリズムに従って復号し、更新メッセージ504を生成しバッファ51と予備レジスタ52とHM−ECC符号器533とに出力し、主データ41と予備データ42とを更新するとともに、HM−ECCコード63を生成する。更新された主データ61と更新された予備データ62とHM−ECCコード63とを生成する方法の詳細を下記に説明する。
RS−ECC復号器532は、RS−ECCコード43を用いて対応する復号アルゴリズム、本実施形態ではRSアルゴリズムに従って主データ41と予備データ42との誤りアドレスを検出し、主データ41と予備データ42との全ての誤りアドレスを記録した更新メッセージ504を生成する。次に、RS−ECC復号器532は、更新メッセージ504をバッファ51と予備レジスタ52とにデータを訂正させるために、また、HM−ECC符号器533に正しいHM−ECCコードを生成させるために出力する。
次に、更新された主データが主データ61として出力され、更新された予備データが予備データ62として出力される。主データ41と予備データ42の両方が、RS−ECC復号器532によって生成された更新メッセージ504に基づいて更新され、更新メッセージ504は、図1の更新メッセージ104より多くの誤り訂正情報を提供することができるので、更新された主データ61と更新された予備データ62の両方ともデータ誤りを含んでいない。一方、HM−ECCコード63は更新メッセージ504に応じて生成される。従って、HM−ECCコード63は更新された主データ61と更新された予備データ62に誤りがないことを示す。
HM−ECCコード63はカラムパリティ(CP)とラインパリティ(LP)とから成る。以下では、ラインパリティを例にとって、更新メッセージ504に応じてHM−ECCコード63を生成する方法を説明する。下の表1を参照すると、各バイトのビットのXOR演算によってラインパリティが生成される。例えば、バイト0の8ビットのXOR演算の出力値は0に等しく、バイト1の8ビットのXOR演算の出力値は0に等しく、バイト2の8ビットのXOR演算の出力値は1に等しく、バイト3の8ビットのXOR演算の出力値は0に等しい。同様に、バイト255の8ビットのXOR演算の出力値は1に等しい。その他同様。
Figure 0004819843
1つのバイトデータに誤りがあると、バイト群のグループ値も誤りとなる。下の表2を参照すると、グループ値LP1はバイト1、3、5、7、・・・、255のラインパリティのXOR演算の出力値であり、LP1’はバイト0、2、4、6、8、・・・、254のラインパリティのXOR演算の出力値であり、LP2はバイト0、1、4、5、8、9、・・・、252、253のラインパリティのXOR演算の出力値であり、LP2’はバイト2、3、6、7、10、11、・・・、254、255のラインパリティのXOR演算の出力値である。同様に、グループ値LP128はバイト128、129、130、・・・、255のラインパリティのXOR演算の出力値であり、LP128’はバイト0、1、2、3、・・・、127のラインパリティのXOR演算の出力値である。その他同様。なお、上記各LPのXOR演算値に誤りがある場合がある。XOR演算値の訂正について下記に説明する。
Figure 0004819843
表3を参照すると、更新メッセージ504がバイト1のデータに誤りがあることを示し、そのXOR演算値が1である場合は、バイト1を含む全てのグループ(LP1、LP2、LP128’等)の値は、1は0に、0は1に変わっているはずである。一方、更新メッセージ504がバイト1のデータに誤りがあることを示し、そのXOR演算値が0である場合は、バイト1を含む全てのグループの値は、表2と同じである。従って、2つ以上のビットに誤りがある場合は、ラインパリティに依って誤りを検出することはできない。このため、HM−ECCコード63は2つ以上のビットの誤りを検出することはできない。
Figure 0004819843
HM−ECCコード63、更新された主データ61、及び更新された予備データ62は更新メッセージ504に基づいて生成されるので、HM−ECCコード63は更新された主データ61と更新された予備データ62とに対応することができる。従って、ホストが、規格の要求に従って、更新された主データ61と更新された予備データ62とをHM−ECCコード63に基づいて訂正したとしても、これらはすでに正しいデータであるのでその出力は正しいであろう。コントローラ50は、高レベルECCコードであるRS−ECCコード43を、低レベルECCコードであるHM−ECCコード63に正しく変換できる。
コントローラ50は、更新メッセージ504に応じてHM−ECCコード63を生成でき、HM−ECCコード63を生成するために更新された主データ61と更新された予備データ62とを読む必要がない。従来技術と比較して、本発明では、更新された主データ61と更新された予備データ62とを読む追加のステップなしにHM−ECCコード63を生成することができる。従って、読み出しステップはより効率的になる。
図3は、本発明のコントローラを経由するホストからフラッシュメモリ装置へのデータの処理、即ち、書き込みステップを示すブロック図である。
図3は、本発明に係るホストからフラッシュメモリへのデータ書き込み時のブロック図である。コントローラ80はバッファ81と、予備レジスタ82と、ECCエンジン83とを備える。ECCエンジン83はRS−ECC符号器831と、RS−ECC復号器832と、HM−ECC符号器833とを備える。ホストがフラッシュメモリへのデータ書き込みを開始する時、主データ91と予備データ92はバッファ81と予備レジスタ82に一時的に格納される。同時に、主データ91と予備データ92はまた、HM−ECCコード93とともにRS−ECC符号器831に送信される。
バッファ81は、主データ91と予備データ92をそのまま主データ71と予備データ72としてフラッシュメモリへ書き込む。同時に、RS−ECC符号器831は主データ91と予備データ92からRS符号化アルゴリズムに従ってRS−ECCコード73を生成し、RS−ECCコード73をフラッシュメモリへ書き込む。
本発明を適用することで、メモリのコントローラは、RS−ECCコード等の高レベルECCコードに応じてハミングECCコード等の低レベルECCコードを生成することができる。本コントローラは、高レベルECCコードを読むことで、更新されたデータを読むことなく直ちに低レベルECCコードを生成することができ、処理時間とコストを節約できる。
上記の実施形態は、本発明の詳細な技術的内容と進歩的な特徴を開示する。当業者は本発明の開示に基づいて本発明の範囲を逸脱することなく様々な変更及び置換えを想到する可能性がある。
従来技術のデータ読み出し時のブロック図である。 本発明に係るデータ読み出し時のブロック図である。 本発明に係るデータ書き込み時のブロック図である。
符号の説明
40 データ
41 主データ
42 予備データ
43 RS−ECCコード
50 コントローラ
51 バッファ
52 予備レジスタ
53 ECCエンジン
531 RS−ECC符号器
532 RS−ECC復号器
533 HM−ECC符号器
60 更新されたデータ
61 更新された主データ
62 更新された予備データ
63 HM−ECCコード

Claims (16)

  1. メモリ装置のために低レベルECCコード(誤り訂正コード)を生成する方法であって、
    該メモリ装置から主データ、予備データ、及び高レベルECCコードを含むデータを受信するステップと、
    該高レベルECCコードを用いて復号アルゴリズムに従って該主データと予備データとの誤りアドレスを検出するステップと、
    該誤りアドレスに対応した更新メッセージを生成するステップと、
    該更新メッセージに基づく一連の論理演算によって該低レベルECCコードを生成するステップと
    を備え
    該低レベルECCは該メモリ装置を制御するホストによって使用され、該高レベルECCは該メモリ装置によって使用されることを特徴とする方法。
  2. 前記メモリ装置はフラッシュメモリ装置である請求項1に記載の方法。
  3. 前記メモリ装置はxD(eXtreme Digital Picture)カード、スマートメディアカード、及びメモリースティック(登録商標)カードのうちの1つである請求項1に記載の方法。
  4. 前記低レベルECCコードはハミングECCコードである請求項1に記載の方法。
  5. 前記高レベルECCコードはリード・ソロモンECCコードであり、前記復号アルゴリズムはリード・ソロモンアルゴリズムである請求項1に記載の方法。
  6. 前記主データと前記予備データを前記更新メッセージに基づいて更新するステップを更に備える請求項1に記載の方法。
  7. 前記更新された主データと前記更新された予備データはデータ誤りを含んでいない請求項6に記載の方法。
  8. 前記低レベルECCコードは前記更新された主データと前記更新された予備データにデータ誤りがないことを示す請求項7に記載の方法。
  9. メモリ装置のために低レベルECCコードを生成するコントローラであって、
    該メモリ装置から主データを受信するバッファと、
    該メモリ装置から予備データを受信する予備レジスタと、
    ECCコードを生成するECCエンジンと
    を備え、
    該ECCエンジンは、
    該メモリ装置から該主データ、該予備データ、及び高レベルECCコードを受信し、該高レベルECCコードを用いて復号アルゴリズムに従って該主データと該予備データとの誤りアドレスを検出し、該誤りアドレスに対応した更新メッセージを生成するECC復号器と、
    該更新メッセージに基づく一連の論理演算によって該低レベルECCコードを生成するECC符号器と
    を備え
    該低レベルECCは該メモリ装置を制御するホストによって使用され、該高レベルECCは該メモリ装置によって使用されることを特徴とするコントローラ。
  10. 前記メモリ装置はフラッシュメモリ装置である請求項9に記載のコントローラ。
  11. 前記メモリ装置はxD(eXtreme Digital Picture)カード、スマートメディアカード、又はメモリースティックカードである請求項9に記載のコントローラ。
  12. 前記低レベルECCコードはハミングECCコードである請求項9に記載のコントローラ。
  13. 前記高レベルECCコードはリード・ソロモンECCコードであり、前記復号アルゴリズムはリード・ソロモンアルゴリズムである請求項9に記載のコントローラ。
  14. 前記ECC復号器は更に前記更新メッセージを前記バッファと前記予備レジスタとに送信し、それぞれ前記主データと前記予備データとを更新する請求項9に記載のコントローラ。
  15. 前記更新された主データと前記更新された予備データはデータ誤りを含んでいない請求項14に記載のコントローラ。
  16. 前記低レベルECCコードは前記更新された主データと前記更新された予備データとに対応する請求項15に記載のコントローラ。
JP2008137738A 2007-09-11 2008-05-27 メモリ装置のためのeccコード生成方法 Active JP4819843B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97132807P 2007-09-11 2007-09-11
US60/971,328 2007-09-11
US12/103,160 US20090070655A1 (en) 2007-09-11 2008-04-15 Method for Generating an ECC Code for a Memory Device
US12/103,160 2008-04-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009070362A JP2009070362A (ja) 2009-04-02
JP4819843B2 true JP4819843B2 (ja) 2011-11-24

Family

ID=40433159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008137738A Active JP4819843B2 (ja) 2007-09-11 2008-05-27 メモリ装置のためのeccコード生成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090070655A1 (ja)
JP (1) JP4819843B2 (ja)
CN (1) CN101388256B (ja)
TW (1) TWI378463B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI396202B (zh) * 2008-11-14 2013-05-11 Phison Electronics Corp 錯誤校正控制器及其快閃記憶體晶片系統與錯誤校正方法
FR2961613B1 (fr) * 2010-06-18 2012-07-27 Commissariat Energie Atomique Procede de protection memoire configurable contre les erreurs permanentes et transitoires et dispositif apparente
CN102541675B (zh) * 2010-12-23 2015-03-11 慧荣科技股份有限公司 提升错误更正能力的方法、记忆装置及其控制器
KR101979734B1 (ko) 2012-08-07 2019-05-17 삼성전자 주식회사 메모리 장치의 독출 전압 제어 방법 및 이를 이용한 데이터 독출 방법
JP6131207B2 (ja) * 2014-03-14 2017-05-17 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置
CN104978147B (zh) * 2014-04-03 2018-09-07 光宝科技股份有限公司 固态储存装置及其错误更正控制方法
TWI550615B (zh) * 2014-08-28 2016-09-21 群聯電子股份有限公司 資料存取方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3137119B2 (ja) * 1989-06-07 2001-02-19 キヤノン株式会社 誤り訂正装置
JPH1166762A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Alps Electric Co Ltd フロッピディスクシステム
JPH11143787A (ja) * 1997-11-06 1999-05-28 Hitachi Ltd 記録再生装置
JPH11212876A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Sony Corp 符号化方法およびそれを利用したメモリ装置
US6408408B1 (en) * 1998-11-10 2002-06-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Recording medium having spare area for defect management and information on defect management, and method of allocating spare area and method of managing defects
JP2000242440A (ja) * 1999-02-25 2000-09-08 Alps Electric Co Ltd ディスク装置
JP3975245B2 (ja) * 1999-12-16 2007-09-12 株式会社ルネサステクノロジ 記録再生装置および半導体メモリ
JP2004086991A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Renesas Technology Corp 不揮発性記憶装置
JP4299558B2 (ja) * 2003-03-17 2009-07-22 株式会社ルネサステクノロジ 情報記憶装置および情報処理システム
US7187602B2 (en) * 2003-06-13 2007-03-06 Infineon Technologies Aktiengesellschaft Reducing memory failures in integrated circuits
US7228467B2 (en) * 2003-10-10 2007-06-05 Quantum Corporation Correcting data having more data blocks with errors than redundancy blocks
US7392456B2 (en) * 2004-11-23 2008-06-24 Mosys, Inc. Predictive error correction code generation facilitating high-speed byte-write in a semiconductor memory
JP4695385B2 (ja) * 2004-11-30 2011-06-08 株式会社東芝 メモリカードおよびカードコントローラ
GB2428496A (en) * 2005-07-15 2007-01-31 Global Silicon Ltd Error correction for flash memory
JP2007052714A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Fuji Xerox Co Ltd 情報処理システム
US7480847B2 (en) * 2005-08-29 2009-01-20 Sun Microsystems, Inc. Error correction code transformation technique
US7617434B1 (en) * 2005-12-13 2009-11-10 Sprint Communications Company L.P. Adaptive error correction
US7712010B2 (en) * 2006-06-15 2010-05-04 International Business Machines Corporation Systems, methods and computer program products for utilizing a spare lane for additional checkbits
US7739576B2 (en) * 2006-08-31 2010-06-15 Micron Technology, Inc. Variable strength ECC
US8015473B2 (en) * 2006-12-19 2011-09-06 Intel Corporation Method, system, and apparatus for ECC protection of small data structures
US8006166B2 (en) * 2007-06-12 2011-08-23 Micron Technology, Inc. Programming error correction code into a solid state memory device with varying bits per cell

Also Published As

Publication number Publication date
CN101388256B (zh) 2011-04-13
US20090070655A1 (en) 2009-03-12
JP2009070362A (ja) 2009-04-02
CN101388256A (zh) 2009-03-18
TWI378463B (en) 2012-12-01
TW200912941A (en) 2009-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8458566B2 (en) Method for performing copy back operations and flash storage device
US8726140B2 (en) Dummy data padding and error code correcting memory controller, data processing method thereof, and memory system including the same
JP4819843B2 (ja) メモリ装置のためのeccコード生成方法
US8316280B2 (en) Error correcting device, method of error correction thereof, and memory device and data processing system including of the same
US20110029716A1 (en) System and method of recovering data in a flash storage system
JP2008165805A (ja) フラッシュメモリ装置のecc制御器及びそれを含むメモリシステム
US11393550B2 (en) Memory system with error detection
US9384144B1 (en) Error detection using a logical address key
JP2008198330A (ja) バイトマスキング動作のための半導体メモリ装置及びパリティデータ生成方法
US9208027B2 (en) Address error detection
US20160124803A1 (en) Storage Device Data Access Method and Storage Device
US10949294B2 (en) Method of correcting an error in a memory array in a DRAM during a read operation and a DRAM
US10191801B2 (en) Error correction code management of write-once memory codes
CN111221746B (zh) 数据储存系统与其相关方法
US20040088497A1 (en) Methods and apparatus for exchanging data using cyclic redundancy check codes
JP2009157515A (ja) 半導体メモリコントローラおよび半導体メモリ
TWI575533B (zh) 資料校正方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
TWI335502B (en) Flash memory system and method for controlling the same
KR102469809B1 (ko) 반도체장치
JP2012003569A (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法
JP2005011386A (ja) 誤り訂正装置
WO2010035316A1 (ja) メモリ制御装置およびメモリ制御方法
TW202107473A (zh) 記憶體裝置、記憶體控制器及其資料存取方法
JP2010140132A (ja) メモリシステム及びメモリコントローラ
JP2008140474A (ja) 光ディスク装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110419

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110715

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110823

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110901

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4819843

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250