JP4809406B2 - 液晶ディスプレイ装置 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 225
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 157
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 123
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 26
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134381—Hybrid switching mode, i.e. for applying an electric field with components parallel and orthogonal to the substrates
Description
本発明は、液晶ディスプレイ装置に関し、特に、浮遊電極（ｆｌｏａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を有する画素構造を用いて画像品質の視角特性と画像の光透過率を改善する液晶ディスプレイ装置に関する。
液晶ディスプレイは、低消費電力で高画質の画像表示ができるため、汎用されている。液晶ディスプレイ装置は、液晶セルと、液晶セルに対応する画素ユニットと、液晶コンデンサ及び蓄積コンデンサとを有する液晶ディスプレイパネルを含み、薄膜トランジスタが液晶コンデンサと蓄積コンデンサとに電気的接続される。これらの画素ユニットは、大抵複数の画素列と複数の画素行を有するマトリクスの中に配列される。通常、スキャン信号は、これらの画素列に順番に供給されて、複数の画素ユニットを一列ずつ順にオンにする。スキャン信号を画素列に供給して、対応する薄膜トランジスタの画素ユニットの画素列をオンにする時、画素列のソース信号（画像信号）が、画素行に同時に供給され、対応する液晶コンデンサと蓄積コンデンサとに充電し、画素列に対応する液晶セルの配列方向を整って光の透過を制御する。全ての画素列に上述のステップを繰り返すことで、全画素ユニットにソース信号が供給され、画像信号を表示する。
液晶分子の細長い特徴により、液晶は特定の方向に配列される。液晶ディスプレイパネルの液晶セルにおいて、液晶分子の配列方向は、光の透過に対して重要な役割を果たしている。例えば、ねじれネマティック液晶ディスプレイでは、液晶分子が傾斜した時、光の入射方向は、異なる反射率の影響を受ける。液晶ディスプレイの効果が複屈折効果に基づいていることから、光の透過率は、異なる視野角により変化する。光透過率が異なる故に液晶ディスプレイの最良表示効果が狭い視野角範囲内に限られている。液晶ディスプレイの限られた可視野角は、液晶ディスプレイの主な欠点の１つであり、且つ液晶ディスプレイのアプリケーションが制限を受ける主な要因でもある。
液晶ディスプレイの視野角を拡大するため、インプレインスイッチング（in‐plane switching,ＩＰＳ）とフリンジフィールドスイッチング（fringe field switching,ＦＦＳ）等の多くの研究がある。図９−１に示すように、ＩＰＳモード液晶ディスプレイ９１０は、第１基板９２０上に平行な方式で２つの画素電極９２１と共通電極９２９が形成されて、液晶分子９３２を駆動する。画素電極９２１と共通電極９２９とに電圧が供給される時、第１基板９２０と平行な面に電界９３７が生成される。ＩＰＳモード液晶ディスプレイ９１０において、共通電極９２９と画素電極９２１との距離(distance)Ｌ1は、第１基板９２０と第２基板９４０間の液晶セルギャップ(cell gap)ｄ1とほぼ等しい。ＩＰＳモード液晶ディスプレイ９１０は、従来のＴＮモード液晶ディスプレイと比べ、視野角が広いメリットを持っている。しかし、画素電極９２１と共通電極９２９は、不透明な金属膜で構成されているので、開口数(aperture ratio)と光透過率９４５が制限される。また、ＩＰＳモード液晶ディスプレイ９１０は、平面的電界構造により、映像が停止する大きな問題がある。
ＩＰＳモード液晶ディスプレイの開口数と光透過率の制限を克服するために、業界は、ＦＦＳモード液晶ディスプレイを提出した。図９−２に示すように、ＦＦＳモード液晶ディスプレイ９５０において、複数の画素電極９６１と共通電極９６９は、透明な金属膜、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の金属膜により形成され、ＩＰＳモード液晶ディスプレイと比べ、ＦＦＳモード液晶ディスプレイは、開口数の欠点が改善されている。また、２つの画素電極間の距離Ｌ2は、第１基板９７０と第２基板９９０間の液晶セルギャップｄ2より小さい。電圧が画素電極９６１と共通電極９６９に供給された時、画素電極９６１及び共通電極９６９に隣接する液晶セルギャップ領域にフリンジフィールド９８１が発生され、この領域の全ての液晶分子９８２を駆動する。ＩＰＳモード液晶ディスプレイと比べ、ＦＦＳモード液晶ディスプレイは、光透過率９９５が改善された。
しかし、ＩＰＳモード液晶ディスプレイとＦＦＳモード液晶ディスプレイには、第２基板上に第１基板上の画素電極と共通電極により発生する電界の歪みを防ぐための導電金属膜が形成されていない。ＩＴＯ膜は、通常第２基板のバックサイドに形成され、液晶ディスプレイを静電気のダメージから保護する。これにより製造コストとカラーフィルターの材料コストが増えた。
上記で分かるように、業界では、上述の欠点を克服するための広視野角の液晶ディスプレイが必要である。
浮遊電極を有する画素構造を用いて画像の視野角特性と光透過率を改善した液晶ディスプレイ装置を提供する。
上述の目的を達成するために、本発明は、第１構造及び第１構造に対応する第２構造と、第１構造と第２構造との間に液晶セルギャップを定義し、この液晶セルギャップ内に設置された液晶層とを含む液晶ディスプレイ装置を提供する。１つの実施例において、液晶層は、正の誘電異方性を持つネマティック液晶分子を含み、液晶分子は、液晶分子の屈折率δn （屈折率異方性）と液晶セルギャップの積が約０.１５μｍ〜０.６０μｍの範囲のものが選ばれる
第１構造は、第１面及び第１面と反対の第２面を有して間の本体部分を定義する第１基板と、第１方向に沿って第１基板の第２面上に規則的に間隙を隔てて形成された複数本のスキャンラインと、第１基板上に形成され、複数本のスキャンラインを覆う絶縁層と、絶縁層上に規則的に間隙を隔てて形成され、第１方向に垂直な第２方向に沿って複数本のスキャンラインに交差した複数本の信号ラインと、絶縁層上に形成され、複数本の信号ラインを覆う保護層と、第２方向に沿って保護層上に規則的に間隙を隔てて形成された複数の第１共通電極と、第２方向に沿って保護層上に規則的に間隙を隔てて形成される画素電極とを含む。前記各画素電極は隣接する２つの第１共通電極の間に位置されている。
１つの実施例において、対向して設置される浮遊電極と画素電極との間の距離は、隣合う画素電極と第１共通電極との間の距離の何れよりも小さい。
１つ実施例によれば、各第１共通電極は、対応するデータライン上に位置されている。もう１つの実施例では、各１対の第１共通電極は、対応するデータライン上に隔てられて位置されている。
第２構造は、第１面及び第1面と反対の第２面を有して間の本体部分を定義する第２基板と、既定のパターンで第２基板の第１面上に形成されるブラックマトリクスと、第２基板の残りの部分に形成されるカラーフィルターと、カラーフィルターとブラックマトリクス上に形成されたオーバーコート層と、第２方向に沿って、オーバーコート層上に規則的に間隙を隔てて形成された複数の第２共通電極と、第２方向に沿って、オーバーコート層上に規則的に間隙を隔てて形成される浮遊電極とを含む。前記各浮遊電極は２つの隣接する第２共通電極の間に位置されている。
第１構造と第２構造が対向して設置されることによって、第１構造と第２構造の間に液晶セルギャップが形成する。第２構造上の各浮遊電極と第１構造上の各画素電極は、対向して設置される。第２構造上の各第２共通電極と第１構造上の各第１共通電極が、対向して設置される。また、第２構造上のブラックマトリクスと第１構造上の複数本のスキャンライン及び複数本の信号ラインが、対向して設置される。
各画素電極、各浮遊電極、各第１共通電極と各第２共通電極の厚さは、全て約０.０１μｍ〜３.０μｍであって、透明材料例えば酸化亜鉛、非晶質インジウムスズ酸化物、多結晶インジウムスズ酸化物、または上述の組み合わせにより形成されている。
１つの実施例において、第１構造は、保護層上に形成され、複数の画素電極と複数の第１共通電極を覆う第１配向膜を更に含み、第２構造は、オーバーコート層上に形成され、複数の浮遊電極と複数の第２共通電極を覆う第２配向膜を更に含む。第１配向膜と第２配向膜は、第２方向に対して約０度〜１０度の角度をなすラビング軸をそれぞれ有し、液晶を必要な方向に配列させる。
また、液晶ディスプレイ装置は更に偏光板と検光板を含む。偏光板は、第１基板の第１面上に形成され、第１既定方向に偏光軸を有し、前記偏光軸の光学的性質が液晶層に対応している。検光板は、第２基板の第２面上に形成され、第２既定方向に吸収軸を有し、吸収軸の光学的性質が偏光軸に対応している。
実施例によれば、液晶ディスプレイ装置は、第１基板及び第１基板に対向して設置される第２基板と、第１基板と第２基板の間に液晶セルギャップを定義し、この液晶セルギャップ内に設置される液晶層と、第１方向に沿って、第１基板上に形成される複数本のスキャンラインと、第１方向に垂直な第２方向に沿って第１基板上に形成され、複数本のスキャンラインに交差する複数本の信号ラインと、複数の画素とを含む。
各画素は、２本の隣接するスキャンラインと複数本のスキャンラインに交差する２本の隣接する信号ラインとの間に介在される。各画素は、第１基板上に形成される絶縁層と、第２方向に沿って絶縁層上に形成され、その内２つが２つの隣接する信号ライン上にそれぞれ位置される２つまたは２つ以上の第１共通電極と、第２方向に沿って絶縁層上に形成され、２つの第１共通電極の間に介在される１つまたは複数の画素電極と、第２基板上に形成され、２本の隣接するスキャンライン及び第１基板上の複数本のスキャンラインに交差する２本の隣接する信号ラインに対向して設置されるブラックマトリクスと、第２基板上のブラックマトリクスで囲まれる領域に形成されているカラーフィルターと、ブラックマトリクスとカラーフィルター上に形成されているオーバーコート層と、第２方向に沿ってオーバーコート層上に形成され、且つ、第１基板上の各画素電極及び各第１共通電極と対向して設置される少なくとも１つまたは複数の浮遊電極と２つまたは２つ以上の第２共通電極とを含む。
また、各画素は、１つまたは複数の画素電極に電気的接続される制御装置を含む。
各画素は、保護層上に形成され、複数の画素電極と複数の第１共通電極を覆う第１配向膜と、オーバーコート層上に形成され、複数の浮遊電極と複数の第２共通電極を覆う第２配向膜とを含む。第１配向膜と第２配向膜は、第２方向に対して約０度〜１０度の角度をなすラビング軸をそれぞれ有し、液晶を必要な方向に配列させる。
１つの実施例によれば、液晶ディスプレイ装置は偏光板と検光板を含む、偏光板は、第１基板の外表面上に形成され、第１既定方向に偏光軸を有し、偏光軸の光学的性質が液晶層に対応している。検光板は、第２基板の外表面上に形成され、第２既定方向に吸収軸を有し、吸収軸の光学的性質が偏光軸に対応している。偏光板の偏光軸と第１配向膜のラビング軸とのなす角度は、約０度〜９０度であり、偏光板の偏光軸と検光板の吸収軸とのなす角度は、約９０度である。
実施例によれば、液晶層は、正の誘電異方性を有するネマティック液晶分子を含み、液晶分子は、液晶分子の屈折率異方性と液晶セルギャップの積が約０.１５μｍ〜０.６０μｍの範囲のものが選ばれる。
実施例によれば、液晶ディスプレイ装置は、第１基板及び第１基板に対向して設置される第２基板と、第１基板と第２基板の間に設置される液晶層と、複数の画素とを備える。各画素は、第１基板上に形成される２つ以上の第１共通電極と、第１基板上に形成され、２つの第１共通電極の間に各画素電極が介在する１つ以上の画素電極と、第２基板上に形成され、第１基板上の画素電極に対向して設置された１つ以上の浮遊電極と第１基板上の各第１共通電極の各々に対向して設置される２つ以上の第２共通電極とを含み、対向して設置される浮遊電極と画素電極との間の距離は、隣合う画素電極と第１共通電極との間の距離の何れよりも小さい。
各画素は、１つまたは複数の画素電極に電気的接続されるスイッチング装置を含む。１つの実施例において、各画素は、複数の画素電極及び複数の第１共通電極上に形成される第１配向膜と、複数の浮遊電極及び複数の第２共通電極上に形成される第２配向膜とを更に含む。前記第１配向膜と第２配向膜は、画素電極の方向に対して約０度〜１０度の角度をなすラビング軸をそれぞれ有し、液晶を必要な方向に配列させる。
１つの実施例によれば、液晶ディスプレイ装置は、第１基板と、第１基板に対向して設置される第２基板と、第１基板と第２基板の間に設置される液晶層と、複数の画素とを備える。各画素は、第１基板上に形成される２つ以上の第１共通電極と、第１基板上に形成され、２つの第１共通電極の間に介在されている１つ以上の画素電極と、第２基板上に形成され、第１基板上の画素電極に対向して設置される少なくとも１つの浮遊電極とを備え、対向して設置される浮遊電極と画素電極との間の距離は、隣合う画素電極と第１共通電極との間の距離の何れよりも小さい。
本発明は、浮遊電極を有する画素構造を用いて画像の視野角特性と画像の光透過率を改善した液晶ディスプレイ装置を提供している。
本発明の目的、特徴、利点がより明確に判るよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら詳細に説明する。
図１〜図８を参照しながら本発明の実施例を説明する。本発明の目的は、浮遊電極スイッチ（ＦＥＳ）の画素構造を用いて画像の視野角特性と画像の光透過率を改善することである。
図１は、本発明の実施例における液晶ディスプレイ装置１００を示す断面図である。液晶ディスプレイ装置１００は、第１構造１１０と第２構造１２０を含み、第１構造１１０と第２構造１２０は、液晶セルギャップＨによって隔てられ、この液晶セルギャップＨ内に液晶層１８０が位置されている。
液晶層１８０に、液晶分子１８２が充満されている。実施例において、液晶分子１８２は、正の誘電異方性を有する液晶材料例えばねじれネマティック（ＴＮ）液晶を含む。液晶分子１８２は、液晶分子の屈折率異方性と液晶セルギャップＨとの積が約０.１５μｍ〜０.６０μｍの範囲のものが選ばれる。
第１構造１１０は、第１基板１１２と、絶縁層１１４と、保護層１１６と、第１配向膜１１８と、複数の画素電極１４０と、複数の共通電極１５０と、複数本のスキャンライン（図示していない）及び複数本の信号ライン１３０とを含む。
第１基板１１２は、第１面１１２ａ及び第１面１１２aに対向する第２面１１２ｂを有して、第１面１１２ａと第２面１１２ｂの間本体部分１１２ｃを定義する。複数本のスキャンラインは、第１方向に沿って第１基板１１２の第２面１１２ｂ上に規則的に間隙を隔てて形成される。絶縁層１１４は、第１基板１１２の第２面１１２ｂ上に形成され、複数本のスキャンラインを覆う。複数本の信号ライン１３０は、絶縁層１１４上に規則的に間隙を隔てて形成され、第１方向と垂直な第２方向に沿って複数本のスキャンラインと交差する。故に、絶縁層１１４により複数本のスキャンラインと複数本の信号ライン１３０は、電気的に絶縁される。保護層１１６は、絶縁層１１４上に形成され、複数本の信号ライン１３０を覆う。複数本のスキャンラインと複数本の信号ライン１３０は、複数の画素を定義することができる。１つの実施例において、複数の画素は、マトリクスに配列され、第１方向は、画素マトリクスの列に相当し、第２方向は、画素マトリクスの行に相当する。
複数の第１共通電極１５０と複数の画素電極１４０は、第２方向に沿って保護層１１６上に規則的間隙を隔てて形成される。各画素電極１４０は、２つの隣接する第１共通電極１５０の間に位置され、各一対の第１共通電極１５０は、対応するデータライン１３０上に隔てて位置される。図１に示す実施例では、各画素電極１４０と各第１共通電極１５０との間に距離Ｄが定義され、この距離Ｄは、液晶セルギャップＨより大きい。下記のように、複数の第１共通電極１５０は、単一の共通電極のみが対応するデータライン１３０上に位置されるように形成されることも可能である。本発明の実施例によれば、複数の第１共通電極１５０と複数の画素電極１４０は、同じ平面上（保護層１１６）に位置されている。
絶縁層１１４は、絶縁材料により、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮx）、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、または他の類似材料により形成される。保護層１１６は、厚さの範囲が約０.１μｍ〜１０.０μｍであり、ＳｉＮx、ＳｉＯx、ＳｉＯＮ、またはポリイミドなどの有機絶縁材料により形成される。
各画素電極１４０と第１共通電極１５０は、厚さの範囲が約０.０１μｍ〜３.０μｍであり、透明導電材料例えば酸化亜鉛（ＩＺＯ）、非晶質インジウムスズ酸化物（ａ−ＩＴＯ）、多結晶インジウムスズ酸化物（ｐｏｌｙ ＩＴＯ）、またはその他の類似材料により形成される。実施例おいて、複数の画素電極１４０と複数の第１共通電極１５０は、格子形状である。
第１配向膜１１８は、保護層１１６上に形成され、複数の画素電極１４０と複数の第１共通電極１５０を覆う。第１配向膜１１８は、第２方向に対して約０度〜１０度の角度をなすラビング軸（rubbing axis）を有し、液晶を最初の必要な方向に配列させる。
また、第１構造１１０は、スイッチング素子（switching element）（図示されていない）となる複数のＴＦＴをも含む。各ＴＦＴは、スキャンラインとスキャンラインに交差する信号ラインとの間に形成される。ＴＦＴは、スキャンライン上に形成されたチャネル層と、信号ラインから延伸し、特定の部分がチャネル層の一端に重ねられるソース電極と、ある特定の部分がチャネル層の他端に重ねられ、且つ画素電極と接続されるドレイン電極とを有する。
第２構造１２０は、第２基板１２２と、カラーフィルター１２４と、オーバーコート層１２６と、第２配向膜１２８と、ブラックマトリクス１９０と、複数の浮遊電極１６０と、複数の第２共通電極１７０とを含む。
第２基板１２２は、第１面１２２ａ及び第1面に対向する第２面１２２ｂを有して間の本体部分１１２ｃを定義する。ブラックマトリクス１９０は、既定のパターンで第２基板１２２の第１面１２２ａ上に形成される。カラーフィルター１２４は、第２基板１２２の残りの部分に形成される。オーバーコート層１２６は、カラーフィルター１２４とブラックマトリクス１９０との上に形成される。複数の第２共通電極１７０と複数の浮遊電極１６０は、第２方向に沿って、オーバーコート層１２６上に規則的間隙を隔てて形成され、各浮遊電極１６０は、２つの隣接する第２共通電極１７０の間に位置される。各一対の第２共通電極１７０は、対応するブラックマトリクス１９０上に隔てて位置される。
各浮遊電極１６０と各第２共通電極１７０は、厚さの範囲が約０.０１μｍ〜３.０μｍであり、透明導電材料により例えば酸化亜鉛（ＩＺＯ）、非晶質インジウムスズ酸化物（ａ−ＩＴＯ）、多結晶インジウムスズ酸化物（ｐｏｌｙ ＩＴＯ）、または他の類似材料により形成される。実施例において、複数の浮遊電極１６０と複数の第２共通電極１７０は、格子形状である。
第２配向膜１２８は、オーバーコート層１２６上に形成され、複数の浮遊電極１６０と複数の第２共通電極１７０とを覆う。第２配向膜１２８は、第２方向に対して約０度〜１０度の角度をなすラビング軸を有し、液晶を最初の必要な方向に配列させる。
図１に示すように、第１構造１１０と第２構造１２０は、対向して設置されて、その間の液晶セルギャップＨで隔てられている。また、第２構造１２０の各浮遊電極１６０は、第１構造１１０の各画素電極１４０に対応し、第２構造１２０の各第２共通電極１７０は、第１構造１１０の各第１共通電極１５０に対応する。また、第２構造１２０のブラックマトリクス１９０は、第１構造１１０のスキャンライン及び信号ライン１３０に対応している。
従って、蓄積コンデンサ（図示していない）は、共通電極と画素電極との重ねる部分に形成される。１つのフレーム期間において、蓄積コンデンサは、必要な電圧レベルでデータ信号を保持する。
また、液晶ディスプレイ装置１００は、偏光板（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）と検光板（ａｎａｌｙｚｅｒ）（図示していない）をも含んでいる。偏光板は、第１基板１１２の第１面１１２ａ上に形成され、第１既定方向に偏光軸を有し、この偏光軸の光学的性質は液晶層１８０に対応している。検光板は、第２基板１２２の第２面１２２ｂ上に形成され、第２既定方向に吸収軸を有し、この吸収軸の光学的性質は偏光軸に対応している。偏光板の偏光軸と第１配向膜１１８のラビング軸とのなす角度は、約０度〜９０度であり、偏光板の偏光軸と検光板の吸収軸とのなす角度は、約９０度である。
このような液晶ディスプレイ装置１００の構造は、信号電圧が１つの透明画素電極１４０に供給される時、透明画素電極１４０と浮遊電極１６０間の電気容量が、透明画素電極１４０と共通電極１５０（１７０）間の電気容量より遥かに大きいので、透明画素電極１４０の電圧が対応する浮遊電極１６０に接続される。従って、液晶分子１８２は、液晶層１８０で発生される電界によって回転される。画素電極と浮遊電極及び共通電極によって、デッドゾーン（ｄｅａｄ ｚｏｎｅ）のない電界が発生され、液晶セルギャップ内の液晶分子１８２を駆動する。これにより、液晶ディスプレイ装置１００は、操作する際の高い透過率、広視野角と、速い応答時間を実現した。
図２−１（ａ）は、本発明の実施例の液晶ディスプレイ装置が暗状態での光透過２８４を示している。液晶ディスプレイ装置は、第１基板２１０上に間隙を隔てて形成される２つの第１共通電極２５０及び画素電極２４０と、第２基板２２０上に間隙を隔てて形成される２つの第２共通電極２７０及び浮遊電極２６０とを含み、第２基板２２０と第１基板２１０は、対向して設置されて、その間は、液晶分子２８２で充填される液晶セルギャップ（液晶層）２８０である。暗状態の時、液晶層２８０に電界が発生しないため、液晶ディスプレイ装置は、光透過２８４がない。図２−２（ｂ）は、液晶ディスプレイ装置が明状態での光透過２８６を表している。液晶層２８０内に等電位線２８５が形成されている。この液晶層２８０内の誘導電界２８５により、液晶分子２８２が必要な方向に配列される。液晶ディスプレイ装置２００の光透過曲線２８６から分るように、明状態の時、画素の上方で光透過を得ることができる。
図３は、本発明の実施例の液晶ディスプレイ装置３００を示している。中で（ａ）は、液晶ディスプレイ装置３００の単一画素の平面図であって、（ｂ）は、液晶ディスプレイ装置３００のＡ−Ａ’断面図である。
液晶ディスプレイ装置３００は、第１基板３１２と、第１基板上に形成されたゲート絶縁層３１４と、複数本のスキャン（ゲート）ライン３３５と複数本のデータ（信号）ライン３３０とを含む。各スキャンライン３３５と各データライン３３０は、互いに交差しており、ゲート絶縁層３１４によって絶縁されて複数の画素領域３０１を定義する。第１方向３９１に沿って複数本のスキャンライン３３５が形成され、第１方向３９１に垂直な第２方向３９３に沿って複数本の信号ライン３３０が形成される。また、複数本の共通バスライン３５９も第１基板３１２上に形成される。この第１基板３１２上の各共通バスライン３５９は、スキャンライン３３５と隣接する。保護層３１６は、ゲート絶縁層３１４上に形成され、複数本の信号ライン３３０を覆う。
また、液晶ディスプレイ装置３００は、規則的に間隙を隔てて、保護層３１６上に交互に形成される複数の画素電極３４１及び３４３と、複数の第１共通電極３５１、３５３、３５５とを含む。図３の実施例において、各画素領域３０１は、２つの画素電極３４１、３４３と、３つの第１共通電極３５１、３５３、３５５とを含む。第１共通電極３５３と３５５は、保護層３１６上に形成され、信号ライン３３０とスキャンライン３３５にそれぞれ対応する。第１共通電極３５１は、保護層３１６上の第１共通電極３５３と３５５との間に形成される。画素電極３４１は、保護層３１６上の第１共通電極３５３と３５１との間に形成され、画素電極３４３は、保護層３１６上の第１共通電極３５１と３５５との間に形成されている。
画素領域３０１もスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３４７を含み、ゲートライン３３５と信号ライン３３０との間に形成されている。例えば、ＴＦＴ３４７は、ゲートライン３３５から延伸するゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層３１４と、ゲート電極の上方のゲート絶縁層３１４上に形成されるチャネル層（図示していない）と、信号ライン３３０から延伸し、特定の部分がチャネル層の１端に重ねられるソース電極と、特定の部分によってチャネル層の他端に重ねられ、画素電極３４１と３４３に接続されるドレイン電極とを含む。ＴＦＴ３４７は、ゲートライン３３５に供給された信号に応じて、信号ライン３３０に供給された信号を画素電極３４１と３４３に伝送することができる。
液晶ディスプレイ装置３００は、第２基板３２２と、既定のパターンで第２基板３２２上に形成されるブラックマトリクス３９０と、第２基板３２２の残りの部分に形成されたカラーフィルター３２４と、ブラックマトリクス３９０とカラーフィルター３２４の上に形成されたオーバーコート層と、複数の第２共通電極３７１、３７３、３７５と、オーバーコート層３２６上に規則的に間隙を隔てて交互に形成された複数の浮遊電極３６１、３６３とを含む。
図３によれば、各画素領域３０１には、２つの浮遊電極３６１、３６３と、３つの第２共通電極３７１、３７３、３７５とを含む。第２共通電極３７３と３７５は、ブラックマトリクス３９０に対応してオーバーコート層３２６上に形成されている。第２共通電極３７１は、オーバーコート層３２６上の第２共通電極３７３と３７５の間に形成されている。浮遊電極３６１は、オーバーコート層３２６上の第２共通電極３７３と３７１との間に形成され、浮遊電極３６３は、オーバーコート層３２６上の第２共通電極３７１と３７５との間に形成されている。
第２基板３２２と第１基板３１２は、対向して設置され、その間に、液晶層３８０で充填される液晶セルギャップを定義する。また、第１基板３１２と第２基板３２２が、対向して設置されることで、画素領域３０１における第２基板３２２の浮遊電極３６１と３６３が第１基板３１２の画素電極３４１と３４３にそれぞれ対向して設置される。第２基板３２２の第２共通電極３７１、３７３と３７５は、第１基板３１２の第１共通電極３５１、３５３と３５５にそれぞれ対向して設置される。また、第２基板３２２のブラックマトリクス３９０は、第１基板３１２のスキャンライン３３５と信号ライン３３０とに対向して設置される。従って、蓄積コンデンサ３４５は、共通電極と画素電極との重ねる部分に形成される。１つのフレーム期間において、蓄積コンデンサ３４５は、必要な電圧レベルでデータ信号を保持する。
図４〜図７は、本発明の異なる実施例の液晶ディスプレイ装置４００、５００、６００、または７００を示している。液晶ディスプレイ装置の各実施例は、第１基板と第２基板上に形成された共通電極、画素電極と、浮遊電極の特定構造を含む。
例えば図４の実施例において、各画素領域４０１は、第１構造４１０上に形成された２つの画素電極４４１、４４３と、３つの第１共通電極４５１、４５３、４５５（図３と同じ構造）と、第２構造４２０上に形成された２つの浮遊電極４６１、４６３と、２つの第２共通電極４７３、４７５とを含む。図３と比べ、図４の液晶ディスプレイ装置４００の第２基板上には、浮遊電極４６１と４６３の間に形成される第２共通電極がない。このような構造の液晶ディスプレイ装置４００の液晶効率（透過率）は、図３の液晶ディスプレイ装置よりやや低い可能性があるが、製造プロセスによる共通電極と浮遊電極間の短絡（ｓｈｏｒｔ ｄｅｆｅｃｔ）を減少することができる。
図５の実施例において、各画素領域５０１には、３つの第２共通電極５７１、５７３、５７５とを含み、第２構造５２０上に形成される浮遊電極がない。同様に、このような構造の液晶ディスプレイ装置５００の液晶効率（透過率）は、図３の液晶ディスプレイ装置よりやや低い可能性があるが、製造プロセスによる共通電極と浮遊電極間の短絡を減少することができる。
図６の実施例では、各画素領域６０１には、第１構造６１０上に形成された２つの第１共通電極６５３、６５５と、１つの画素電極６４１と、第２構造６２０上に形成された２つの第２共通電極６７３、６７５と、浮遊電極６６１とを含む。浮遊電極６６１が第２共通電極６７３と６７５との間に位置される時、画素電極６４１は、２つの第１共通電極６５３と６５５との間に位置される。本実施例において、画素の開口数（aperture ratio）が改善されているが、駆動電圧が、図３の液晶ディスプレイ装置よりやや高い。
図７の液晶ディスプレイ装置は、図１と同じ各画素領域７０１には、第１構造７１０上に形成された１つの画素電極７４１と、二対の第１共通電極７５３、７５５と、第２構造７２０上に形成された１つの浮遊電極７６１と、二対の第２共通電極７７３、７７５とを含む。各一対の第１共通電極と各一対の第２共通電極は、対応する信号ライン上に位置される。また、共通電極と信号電極間の重なった電気容量を減少することで、信号ラインのＲＣ遅延を低下させることができるが、画素電極の信号雑音を増加させる。
図８に示すように、本発明の実施例の液晶ディスプレイ装置の製造方法８００は、下記のステップを含む。図８−１の（ａ）に示すように、先ず、ガラスまたはその他の類似材料によって形成される基板８１０を提供する。続いて、複数のゲート電極８２０がゲートラインに電気的接続され、且つ、各ゲート電極は、第１基板８１０上に互いに間隙を隔てて形成される。隣接する２つのゲート電極８２０の間に、画素領域８０１とコンデンサ領域（ｃａｐａｃｉｔｏｒ ａｒｅａ）（図示していない）を定義し、画素領域８０１は、ゲート電極８２０が形成されたスイッチング領域（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ａｒｅａ）８１２と隣接する。ゲート電極８２０は、金属例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、マルチレイヤ（ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ）、または合金により形成される。
誘電体層（ゲート絶縁層）８３０は、第１基板８１０と複数のゲート電極８２０上に形成されている。ゲート絶縁層８３０は、ＳｉＮx、ＳｉＯx、またはＳｉＯＮにより形成される。本実施例において、ゲート絶縁層８３０は、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ）によって、ＳｉＮx、またはＳｉＯxが第１基板８１０と複数のゲート電極８２０上に堆積される方式で形成されている。
続いて、図８−１の（ｂ）に示すように、半導体層８４０がゲート絶縁層８３０上の各スイッチング領域８１２内に形成される。次に、接触層８４５が半導体層８４０上に形成され、第１接触部分８４２、及び第１接触部分８４２と離れる第２接触部分８４４とにパターン化される。半導体層８４０は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、またはその他の類似材料とを含む。接触層８４５は、例えば、ｎ+ドープした非晶質シリコン（ｎ+ｄｏｐｅｄ ａ−Ｓｉ）、またはｐ+型ドープした非晶質シリコン（ｐ+ｄｏｐｅｄ ａ−Ｓｉ）などのドープした非晶質シリコンにより形成される。本実施例では、半導体層８４０と接触層８４５は、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ）によって、非晶質シリコンとドープした非晶質シリコンが順次に堆積され、且つパターン化される方式で形成される。
もう１つの実施例において、ＳｉＮx、またはＳｉＯxで形成されたゲート絶縁層８３０、非晶質シリコン層８４０と、ドープした非晶質シリコン８４５が順次に堆積されることができ、且つ非晶質シリコン層８４０とドープした非晶質シリコン８４５は、パターン化されて半導体層８４０と接触層８４５とを形成することができる。
その後、図８−２の（ｃ）に示すように、各スイッチング領域８１２内には、半導体層８４０と接触層８４５の上に金属層８６０が形成される。金属層８６０は、信号ラインに接続される第１部分８６２、及び第１部分８６２と離れる第２部分８６４にパターン化され、且つ、対応する画素領域８０１で、第１画素電極層８５０に接続される。
続いて、図８−２の（ｄ）に示すように、各スイッチング領域８１２内と各画素領域８０１内には、金属層８６０上に保護層８７０が形成され、保護層８７０は、例えばＳｉＮx、またはＳｉＯxなどの誘電材料により形成され、その中にビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を定義し、画素電極を有するスイッチング装置に接続される。
次に、図８−３の（ｅ）に示すように、各画素領域８０１内の保護層８７０の上に、１つまたは複数の画素電極８８０と、２つまたは２つ以上の第１共通電極８９０が形成される。画素電極８８０と第１共通電極８９０の厚さの範囲は、全て約０.０１μｍ〜３.０μｍであって、透明導電材料例えば、酸化亜鉛、非晶質インジウムスズ酸化物（ａ−ＩＴＯ）、多結晶インジウムスズ酸化物（ｐｏｌｙ ＩＴＯ）、またはその他の類似材料により形成される。
また、本方法は、第１基板に面する第２基板を提供し、第２基板上に２つまたは２つ以上の第２共通電極、及び/或いは１つまたは複数の浮遊電極を形成するステップを更に含む。液晶分子は、第１基板と第２基板との間の液晶層に注入される。且つ、液晶分子は、正の誘電異方性を持っている。
本発明の実施例は、浮遊電極を有する画素構造を用いて画像の視角特性と画像の光透過率を改善する液晶ディスプレイ装置を開示している。本発明の実施例によれば、液晶ディスプレイ装置は、第１基板上に形成される複数の透明な第１共通電極、及び複数の画素電極と、第２基板上に形成される複数の透明な第２共通電極、及び/または複数の浮遊電極とを有する。前記第１基板と第２基板を対向して設置させることで、第２基板上の透明な第２共通電極と、第１基板上の透明な第１共通電極が対向して設置され、且つ、第２基板上の浮遊電極と第１基板上の画素電極が対向して設置される。
以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明の保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。
１００〜７００ 液晶ディスプレイ
１１０、４１０、５１０、６１０、７１０ 第１構造
１１２、２１０、３１２、８１０、９２０、９７０ 第１基板
１１２ａ 第１基板の第１面
１１２ｂ 第１基板の第２面
１１２ｃ 第１基板の本体部分
１１４ 絶縁層
１１６、３１６、８７０ 保護層
１１８ 第１配向膜
１２０、４２０、５２０、６２０、７２０ 第２構造
１２２、２２０、３２２、９４０、９９０ 第２基板
１２２ａ 第２基板の第１面
１２２ｂ 第２基板の第２面
１２２ｃ 第２基板の本体部分
１２４ カラーフィルター
１２６、３２６ オーバーコート層
１２８ 第２配向膜
１４０、２４０、３４１、３４３、４４１、４４３、６４１、７４１、９２１、９６１、９６９ 画素電極
１５０、２５０、３５１、３５３、３５５、４５１、４５３、４５５、６５３、６５５、７５３、７５５ 第１共通電極
１６０、２６０、３６１、３６３、４６１、４６３、６６１、７６１ 浮遊電極
１７０、２７０、３７１、３７３、３７５、４７３、４７５、５７１、５７３、５７５、６７３、６７５、７７３、７７５ 第２共通電極
１８０ 液晶層
１９０、３９０ ブラックマトリクス
１８２、２８２、９３２、９８２ 液晶分子
２８０ 液晶セルギャップ
２８４ 暗状態での光透過
２８５ 等電位線
２８６ 明状態での光透過
３０１、４０１、５０１、６０１、７０１ 画素領域
３１４ ゲート絶縁層
１３０、３３０ データ（信号）ライン
３３５ スキャン（ゲート）ライン
３４５ 蓄積コンデンサ
３４７ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３５９ 共通バスライン
３９１ 第１方向
３９３ 第２方向
８０１ 画素領域
８０２ コンデンサ領域
８１２ スイッチング領域
８２０ ゲート電極
８３０ ゲート絶縁層
８４０ 半導体層
８４２ 接触層の第１接触部分
８４４ 接触層の第２接触部分
８４５ 接触層
８６０ 金属層
８６２ 金属層の第１部分
８６４ 金属層の第２部分
９１０ ＩＰＳモード液晶ディスプレイ
９２９、９６９ 共通電極
９３７ 電界
９４５、９９５ 光透過率
Ｄ、Ｌ1、Ｌ2 ダイオード間の距離
Ｈ、ｄ1、ｄ2 液晶セルギャップ
９５０ ＦＦＳモード液晶ディスプレイ
９８１ フリンジフィールド
１１０、４１０、５１０、６１０、７１０ 第１構造
１１２、２１０、３１２、８１０、９２０、９７０ 第１基板
１１２ａ 第１基板の第１面
１１２ｂ 第１基板の第２面
１１２ｃ 第１基板の本体部分
１１４ 絶縁層
１１６、３１６、８７０ 保護層
１１８ 第１配向膜
１２０、４２０、５２０、６２０、７２０ 第２構造
１２２、２２０、３２２、９４０、９９０ 第２基板
１２２ａ 第２基板の第１面
１２２ｂ 第２基板の第２面
１２２ｃ 第２基板の本体部分
１２４ カラーフィルター
１２６、３２６ オーバーコート層
１２８ 第２配向膜
１４０、２４０、３４１、３４３、４４１、４４３、６４１、７４１、９２１、９６１、９６９ 画素電極
１５０、２５０、３５１、３５３、３５５、４５１、４５３、４５５、６５３、６５５、７５３、７５５ 第１共通電極
１６０、２６０、３６１、３６３、４６１、４６３、６６１、７６１ 浮遊電極
１７０、２７０、３７１、３７３、３７５、４７３、４７５、５７１、５７３、５７５、６７３、６７５、７７３、７７５ 第２共通電極
１８０ 液晶層
１９０、３９０ ブラックマトリクス
１８２、２８２、９３２、９８２ 液晶分子
２８０ 液晶セルギャップ
２８４ 暗状態での光透過
２８５ 等電位線
２８６ 明状態での光透過
３０１、４０１、５０１、６０１、７０１ 画素領域
３１４ ゲート絶縁層
１３０、３３０ データ（信号）ライン
３３５ スキャン（ゲート）ライン
３４５ 蓄積コンデンサ
３４７ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３５９ 共通バスライン
３９１ 第１方向
３９３ 第２方向
８０１ 画素領域
８０２ コンデンサ領域
８１２ スイッチング領域
８２０ ゲート電極
８３０ ゲート絶縁層
８４０ 半導体層
８４２ 接触層の第１接触部分
８４４ 接触層の第２接触部分
８４５ 接触層
８６０ 金属層
８６２ 金属層の第１部分
８６４ 金属層の第２部分
９１０ ＩＰＳモード液晶ディスプレイ
９２９、９６９ 共通電極
９３７ 電界
９４５、９９５ 光透過率
Ｄ、Ｌ1、Ｌ2 ダイオード間の距離
Ｈ、ｄ1、ｄ2 液晶セルギャップ
９５０ ＦＦＳモード液晶ディスプレイ
９８１ フリンジフィールド
Claims (24)
- 第１構造と、第２構造と、液晶層とを備える液晶ディスプレイ装置であって、
前記第１構造は、
第１面及び第１面と反対の第２面を有して間の本体部分を定義する第１基板と、
第１方向に沿って前記第１基板の第２面上に規則的に間隙を隔てて形成される複数本のスキャンラインと、
前記第１基板上に形成され、前記複数本のスキャンラインを覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に規則的に間隙を隔てて形成され、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って前記複数本のスキャンラインに交差する複数本の信号ラインと、
前記絶縁層上に形成され、前記複数本の信号ラインを覆う保護層と、
前記第２方向に沿って前記保護層上に規則的に間隙を隔てて形成された複数の第１共通電極と、
前記第２方向に沿って前記保護層上に規則的に間隙を隔てて形成され、２つの隣接する前記第１共通電極の間に各々位置される複数の画素電極とを含み、
前記第２構造は、
第１面及び第１面と反対の第２面を有して間の本体部分を定義する第２基板と、
所定のパターンで前記第２基板の第１面上に形成されたブラックマトリクスと、
前記第２基板の残りの部分に形成されたカラーフィルターと、
前記カラーフィルター及び前記ブラックマトリクス上に形成されたオーバーコート層と、
前記第２方向に沿って、前記オーバーコート層上に規則的に間隙を隔てて形成された複数の第２共通電極と、
前記第２方向に沿って、前記オーバーコート層上に規則的に間隙を隔てて形成され、２つの隣接する前記第２共通電極の間に各々位置されている複数の浮遊電極とを含み、
前記第１構造と第２構造が対向して設置されて間に液晶セルギャップを生成し、前記第２構造上の各浮遊電極と前記第１構造上の各画素電極とが各々対向して設置され、前記第２構造上の各第２共通電極と前記第１構造上の各第１共通電極とが各々対向して設置され、且つ、前記第２構造上のブラックマトリクスと前記第１構造上の複数本のスキャンライン及び複数本の信号ラインが対向して設置されていて、
前記液晶層は、前記第１構造と第２構造との間の前記液晶セルギャップ内に設置され、
対向して設置される前記浮遊電極と前記画素電極との間の距離は、隣合う前記画素電極と前記第１共通電極との間の距離の何れよりも小さいことを特徴とする液晶ディスプレイ装置。 - 前記液晶層は、正の誘電異方性を持つネマティック液晶分子を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記液晶分子には、液晶分子の屈折率異方性と前記液晶セルギャップとの積が約０.１５μｍ〜０.６０μｍの液晶分子が選択されることを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記第１構造は、前記保護層上に形成され、前記複数の画素電極及び複数の第１共通電極を覆う第１配向膜を更に有し、前記第２構造は、前記オーバーコート層上に形成され、前記複数の浮遊電極及び複数の第２共通電極を覆う第２配向膜を更に有することを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記第１配向膜と前記第２配向膜は、前記第２方向に対して約０度〜１０度の角度をなすラビング軸をそれぞれ有し、前記液晶を必要な方向に配列させることを特徴とする請求項４に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記第１基板の第１面上に形成され、第１既定方向に偏光軸を有し、前記偏光軸の光学的性質が前記液晶層に対応している偏光板と、
前記第２基板の第２面上に形成され、第２既定方向に吸収軸を有し、前記吸収軸の光学的性質が前記偏光軸に対応している検光板とを更に有することを特徴とする請求項５に記載の液晶ディスプレイ装置。 - 前記偏光板の偏光軸と前記第１配向膜のラビング軸とのなす角度が、約０度〜９０度であり、且つ前記偏光板の偏光軸と前記検光板の吸収軸とのなす角度が、約９０度であることを特徴とする請求項６に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記各第１共通電極は、対応する前記データライン上に位置することを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 各一対の前記第１共通電極は、対応するデータライン上に互い離れて位置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記複数の画素電極、複数の浮遊電極、複数の第１共通電極、複数の第２共通電極の厚さの範囲は、全て約０.０１μｍ〜３.０μｍであって、透明材料により、例えば酸化亜鉛、非晶質インジウムスズ酸化物、多結晶インジウムスズ酸化物、または上述の組み合わせにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 液晶ディスプレイ装置であって、
互いに対向して設置されて間に液晶セルギャップを定義する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間の前記液晶セルギャップ内に設置される液晶層と、
第１方向に沿って、前記第１基板上に形成された複数本のスキャンライン、及び前記第１方向に垂直な第２方向に沿って前記第１基板上に形成され、前記複数本のスキャンラインに交差する複数本の信号ラインと、
複数の画素とを備え、
各画素は、２本の隣接する前記スキャンラインと複数本のスキャンラインに交差する２本の隣接する前記信号ラインとの間に介在され、
前記各画素は、
前記第１基板上に形成される絶縁層と、
前記第２方向に沿って前記絶縁層上に形成され、その内の２つが隣接する２本の前記信号ライン上にそれぞれ位置される２つ以上の第１共通電極と、
前記第２方向に沿って前記絶縁層上に形成され、２つの前記第１共通電極の間に介在される１つ以上の画素電極と、
前記第２基板上に形成され、２本の隣接する前記スキャンラインと前記第１基板上の複数のスキャンラインに交差する２本の隣接する信号ラインとに対向して設置されるブラックマトリクスと、
前記第２基板上のブラックマトリクスで囲まれる領域に形成されたカラーフィルターと、
前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルター上に形成されたオーバーコート層と、
前記第２方向に沿って前記オーバーコート層上に形成され、前記第１基板上の画素電極に対向して設置される１つ以上の浮遊電極と前記第１基板上の各第１共通電極の各々に対向して設置される２つ以上の第２共通電極とを含み、
対向して設置される前記浮遊電極と前記画素電極との間の距離は、隣合う前記画素電極と前記第１共通電極との間の距離の何れよりも小さいことを特徴とする液晶ディスプレイ装置。 - 前記液晶層は、正の誘電異方性を持つネマティック液晶分子を含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記液晶分子には、前記液晶分子の屈折率異方性と前記液晶セルギャップの積が約０.１５μｍ〜０.６０μｍの液晶分子が選択されることを特徴とする請求項１２に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記各画素は、１つまたは複数の前記画素電極に電気的接続される制御装置を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記各画素は、
前記保護層上に形成され、前記複数の画素電極及び複数の第１共通電極を覆う第１配向膜と、
前記オーバーコート層上に形成され、前記複数の浮遊電極及び複数の第２共通電極を覆う第２配向膜とを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶ディスプレイ装置。 - 前記第１配向膜及び前記第２配向膜は、前記第２方向に対して約０度〜１０度の角度をなすラビング軸をそれぞれ有し、前記液晶を必要な方向に配列させることを特徴とする請求項１５に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記第１基板の外表面上に形成され、第１所定方向に偏光軸を有し、前記偏光軸の光学的性質が前記液晶層に対応している偏光板と、
前記第２基板の外表面上に形成され、第２所定方向に吸収軸を有し、前記吸収軸の光学的性質が前記偏光軸に対応している検光板を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の液晶ディスプレイ装置。 - 前記偏光板の偏光軸と前記第１配向膜のラビング軸とのなす角度が、約０度〜９０度であり、且つ前記偏光板の偏光軸と前記検光板の吸収軸とのなす角度が、約９０度であることを特徴とする請求項１７に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 液晶ディスプレイ装置であって、
第１基板及び前記第１基板に対向して設置される第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に設置される液晶層と、
複数の画素とを含み、各画素は、
前記第１基板上に形成された２つ以上の第１共通電極と、
前記第１基板上に形成され、２つの前記第１共通電極の間に介在されている１つ以上の画素電極と、
前記第２基板上に形成され、前記第１基板上の画素電極に対向して設置された１つ以上の浮遊電極と前記第１基板上の各第１共通電極の各々に対向して設置される２つ以上の第２共通電極とを含み、
対向して設置される前記浮遊電極と前記画素電極との間の距離は、隣合う前記画素電極と前記第１共通電極との間の距離の何れよりも小さいことを特徴とする液晶ディスプレイ装置。 - 前記液晶層は、正の誘電異方性を持つネマティック液晶分子を含むことを特徴とする請求項１９に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記各画素は、１つ又は複数の前記画素電極に電気的に接続される制御装置を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 前記各画素は、
前記複数の画素電極及び複数の第１共通電極上に形成された第１配向膜と、
前記複数の浮遊電極及び複数の第２共通電極上に形成された第２配向膜とを更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の液晶ディスプレイ装置。 - 前記第１配向膜と第２配向膜は、前記画素電極の方向に対して約０度〜１０度の角度をなすラビング軸をそれぞれ有し、前記液晶を必要な方向に配列させることを特徴とする請求項２２に記載の液晶ディスプレイ装置。
- 液晶ディスプレイ装置であって、
第１基板及び前記第１基板に対向して設置される第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に設置された液晶層と、
複数の画素とを含み、
各画素は、
前記第１基板上に形成される２つ以上の第１共通電極と、
前記第１基板上に形成され、２つの前記第１共通電極の間に介在されている１つ以上の画素電極と、
前記第２基板上に形成され、前記第１基板上の画素電極に対向して設置される少なくとも１つの浮遊電極とを備え、
対向して設置される前記浮遊電極と前記画素電極との間の距離は、隣合う前記画素電極と前記第１共通電極との間の距離の何れよりも小さいことを特徴とする液晶ディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/945,109 | 2007-11-26 | ||
| US11/945,109 US7924385B2 (en) | 2007-11-26 | 2007-11-26 | Wide viewing angle liquid crystal display comprising at least one floating electrode in locations directly facing a corresponding one or more pixel electrodes thereby inducing an electric field in the liquid crystal layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009128905A JP2009128905A (ja) | 2009-06-11 |
| JP4809406B2 true JP4809406B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=39891240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008215621A Active JP4809406B2 (ja) | 2007-11-26 | 2008-08-25 | 液晶ディスプレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7924385B2 (ja) |
| JP (1) | JP4809406B2 (ja) |
| CN (1) | CN101256322B (ja) |
| TW (1) | TWI372905B (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010122572A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器 |
| JP5321822B2 (ja) | 2009-05-28 | 2013-10-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | シリンダ装置及びスタビライザ装置 |
| JP5633960B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2014-12-03 | 日東電工株式会社 | 光学補償フィルム |
| US8854583B2 (en) * | 2010-04-12 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device |
| TWI412828B (zh) * | 2010-05-31 | 2013-10-21 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
| TWI403787B (zh) | 2010-06-04 | 2013-08-01 | Au Optronics Corp | 液晶顯示面板 |
| CN101872091B (zh) * | 2010-06-18 | 2012-01-25 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
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| WO2013001979A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | シャープ株式会社 | 液晶駆動装置及び液晶表示装置 |
| CN102243401B (zh) * | 2011-07-11 | 2013-05-29 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置 |
| JP5845042B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP5677923B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-02-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP5845035B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP5926608B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-05-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP5978001B2 (ja) | 2012-05-22 | 2016-08-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
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| JP6063710B2 (ja) * | 2012-10-30 | 2017-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| TWI534513B (zh) * | 2012-12-26 | 2016-05-21 | 國立交通大學 | 主動式液晶陣列元件及其形成方法 |
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| CN106094381A (zh) * | 2016-08-25 | 2016-11-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器 |
| WO2018049292A1 (en) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | Kent State University | Waveguide liquid crystal display |
| TWI585499B (zh) * | 2016-10-26 | 2017-06-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN113406804B (zh) * | 2021-07-15 | 2022-10-18 | 业成科技（成都）有限公司 | 头戴式显示器 |
| JP2023100070A (ja) * | 2022-01-05 | 2023-07-18 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62159124A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| JP3883244B2 (ja) * | 1997-01-23 | 2007-02-21 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| GB2323204A (en) * | 1997-03-15 | 1998-09-16 | Sharp Kk | Spatial light modulator and display |
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| JP3339456B2 (ja) | 1999-03-26 | 2002-10-28 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100311211B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 반사형 액정 표시 장치 |
| JP3712899B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2005-11-02 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
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| KR20020044288A (ko) | 2000-12-05 | 2002-06-15 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 |
| JP2002323706A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nec Corp | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4831716B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2011-12-07 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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| KR100698047B1 (ko) * | 2003-04-19 | 2007-03-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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| JP4675677B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2011-04-27 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US7932980B2 (en) * | 2005-11-23 | 2011-04-26 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Liquid crystal display device having patterned electrodes for repetitive divided horizontal electric field and fringing electric field |
| JP2007147884A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nitto Denko Corp | 液晶表示装置 |
| JP4946135B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-06-06 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子 |
-
2007
- 2007-11-26 US US11/945,109 patent/US7924385B2/en not_active Ceased
-
2008
- 2008-03-25 TW TW097110512A patent/TWI372905B/zh active
- 2008-04-03 CN CN2008100918291A patent/CN101256322B/zh active Active
- 2008-08-25 JP JP2008215621A patent/JP4809406B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-02 US US13/411,371 patent/USRE44167E1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101256322B (zh) | 2011-02-02 |
| USRE44167E1 (en) | 2013-04-23 |
| CN101256322A (zh) | 2008-09-03 |
| TW200923491A (en) | 2009-06-01 |
| TWI372905B (en) | 2012-09-21 |
| US7924385B2 (en) | 2011-04-12 |
| JP2009128905A (ja) | 2009-06-11 |
| US20090135342A1 (en) | 2009-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110427 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110506 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110818 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140826 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4809406 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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