JP4807850B2 - Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス - Google Patents

Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP4807850B2
JP4807850B2 JP2006520335A JP2006520335A JP4807850B2 JP 4807850 B2 JP4807850 B2 JP 4807850B2 JP 2006520335 A JP2006520335 A JP 2006520335A JP 2006520335 A JP2006520335 A JP 2006520335A JP 4807850 B2 JP4807850 B2 JP 4807850B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
power
signal
frequency
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006520335A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007532028A (ja
Inventor
フレデリック ハウアー,
イムラン エー. ブッタ,
ロナルド エー. デッカー,
ジョセフ オッセルバーン,
テレサ ベイザー,
アントン マブレティック,
Original Assignee
アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド filed Critical アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド
Publication of JP2007532028A publication Critical patent/JP2007532028A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4807850B2 publication Critical patent/JP4807850B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

(発明の分野)
本発明は、概してRF電力を用いたプラズマ処理の適用に関し、より詳しくは、電力送達特性を改善するために回路を有するプラズマ処理の適用において用いられるRF電力生成器に関する。
(先行技術の簡単な説明)
従来、プラズマ印加に用いられるRF電力生成器は、プラズマに送達される電力をモニタリングするために、指向性結合器の出力から動作する比較的シンプルなダイオードピーク検出器に依存していた。しかし、この方法は、生成器の出力周波数の電圧とプラズマが引き起こしたスプリアスな周波数の電圧とを区別することができないために、プラズマが引き起こしたスプリアスな周波数の存在下では信頼がおけなくなる。スプリアスな周波数の効果を取り除くために同期式検出方法が用いられてきたが、そのような設計のコストおよび複雑さは、一般的には、プラズマ生成器の用途には好ましくはない。熱応答に依存する別の電力検出器も用いられてきた。スプリアスな周波数を取り除くために、種々のバンドパスフィルタが用いられてきた。しかし、これらのフィルタにおける挿入による損失の制御は、困難であり、邪魔をする周波数が生成器の出力周波数に非常に近い場合において特に困難である。
図1は、従来技術の典型的なVHF電力生成器10を示す。rf周波数源12は、指向性結合器16に供給される増幅器14へと電力を供給する。指向性結合器16は、ダイオード検出器18および20に接続されている。一部の設計では、スプリアスな周波数を除去するために、フィルタ(図示せず)が指向性結合器16と検出器18と20との間において用いられる。しかしながら、スプリアスな周波数が生成器の出力周波数に非常に近い場合には、それらのフィルタの設計は非常に困難である。例えば、スプリアスな周波数が生成器の出力よりも大きな振幅を有し、その信号が、送達された電力をモニタリングするためにフィードバックされる生成器の出力周波数の位相に近い場合において、ピークダイオード検出器は、真のフィードバック信号とスプリアスな周波数の信号とを区別することができない。従って、フィードバック電力制御回路22に接続され検出された信号は、間違っていることがあり得る。典型的なシステムアプリケーションでは、整合ネットワーク24が生成器10とプラズマチャンバ26との間に接続されている。整合ネットワーク32を介して結合された第2の生成器30は、異なった動作周波数でチャンバに電力を供給し得る。
フィードバック制御電圧をプラズマが引き起こしたスプリアスな周波数から分離することによって、電力制御の安定度が改善されたRF生成器を提供することは望ましい。
従って、本発明の課題は、容易にインプリメントされ、従来技術において現在用いられている高価かつ複雑な設計に取って代わる改良されたRF電力制御方法を提供することである。
本発明のさらなる課題は、従来技術において用いられるような複雑なナローバンドのフィルタを比較的シンプルなローパスフィルタと差し替えることによってスプリアス信号を取り除くことである。
本発明のさらに別の課題は、電力をモニタリングするために、生成器の出力の電圧の検出以外の方法を用いた手段を提供すことである。
本発明のさらに別の課題は、スプリアスな周波数の存在下における改良された整合ネットワークの調節手段を提供することである。
(本発明の概要)
本発明によって、非線形のプラズマに作用する複数の生成器間の相互作用によって生じた調和および非調和なスプリアスの存在下においてフィードバック制御電圧を最適化するプラズマアプリケーション用の改良されたRF電力制御方法が提供される。このシステムでは、プラズマ点火のために用いられる固体RF供給源のサンプリングされた出力に発信器と混合器とが配置される。サンプリングされた出力は、中間周波数にミキシングされ、フィルタリングすることによって非線形のプラズマにおいて生成されたスプリアスな周波数を取り除く。このようにして、フィードバック電力制御は、基本的にスプリアスな周波数を無視する。このアプリケーションでは、発信器および混合器は、別の所望なシステム特性と干渉せず、プラズマのスプリアスな周波数成分の変化からフィードバック制御電圧を効率的に分離する。これによって、従来の電力制御方法で可能な精度よりも高い精度でRF電力がプラズマに送達されることが可能になる。
(好ましい実施形態の簡単な説明)
図2において、図1に示されたようなプラズマ処理システム内のプラズマに送達された電力を検出およびモニタリングする本発明の原理を取り込んだVHF生成器10’が示されている。この好適な実施形態では、162MHzのrf供給源12が電力増幅器14に接続されており、指向性結合器16に電力を送る。サンプリングされた162MHzの前進および反射された信号は、指向性結合器16から取得され、それらの信号がベース周波数とミキシングされる検出器回路に入れられる。検出器回路は、バンドパスフィルタ20’および22’と、ミキサ24’および26’と、ヘテロダイン発振器28からなる。ミキシングされた周波数は、ローパスフィルタ30’および32’を通過させられ、そこで、それらは増幅器34および36によって増幅され、検出器38および40によって検出される。検出された信号は、生成器制御回路42にフィードバックされる。このヘテロダイン検出回路は、プラズマの状態を変更するために、18における生成器の出力の定常的な調節を可能にする。検出器回路は、フィルタリングにおける適切な変更とともに発振器周波数に対する幾つかのオプションをとることができる。
この説明のために、発振器周波数が162.2MHzであると仮定する。発振器周波数における信号が、感知された前進および反射された電力信号とミキシング(ヘテロダイン)される。この説明では、前進電力信号のみを説明する。反射された電力信号は、全く同じように扱われる。前進電力信号は、次式のような周波数成分を有する。
Figure 0004807850
ここで、
は、基本周波数(この場合では、162MHz)であり、
2fは、基本周波数の二次高調波であり、
3fは、基本周波数の三次高調波であり、
は、第2の周波数(この場合では、2MHz)である。
従って、前進電力信号は、162MHz、324MHz、486MHz、648MHz、810MHzなどの周波数成分を含み得る。
上記スペクトルを有する信号が162.2MHzにおける発振器周波数とミキシングされると、ミキシング後の結果は、次の三角法の公式に従って生成される
Figure 0004807850
従って、ミキシングされた周波数は、200kHz、161.8MHz、164MHz、323.8MHzなどである。このスペクトルは、200kHzの信号が通過することのみを許可するローパスフィルタ30’および32’を介してフィルタリングされる。従って、これらのフィルタの出力部において、感知された162MHzの前進および反射された電力信号と同じ振幅情報を有する信号が存在する。しかしながら、フィルタリングされているので、162MHzの高調波、2MHzの側波帯、または、162MHzの信号からかなり離れた任意の別のチャンバが引き起こした周波数を含めた任意の別のミキシングされた周波数に対して敏感でない。電力検出器は、周波数が固定された生成器または周波数が可変な生成器の動作に合わせて設計され得る。
図2は、従来のダイオード検出器の代わりに指向性の結合器の間に結合されたヘテロダイン検出器を示す。生成器内の電力制御回路は、ヘテロダイン検出器によって生成器の出力部における波形のスプリアスな成分の変化から効果的に分離されており、常に生成器の出力電力のみを感知する。これによって、プラズマの安定性が改善され、より整合したプロセスの結果となる。電力制御は、スプリアスの存在下において電力制御の精度を維持するために必要とされる妥協なしに出力周波数における動作に最適化される。示されたミキサおよびフィルタが、能動または受動型であり得ることや、フィルタが集中素子または分散部品を用い得ることは、理解される。
指向性結合器の前進および反射された電力サンプルは、バンドパスフィルタリングされて、ミキサの前において高調波および低周波数のスプリアスを取り除く。162.2MHzの発振器の出力がフィルタリングされることによってその高調波が低減されることは、理解される。ミキサの出力は、200kHzのフィルタを通過させられる。不要なスプリアス周波数がフィルタのバンドパスの外側に現れない限り、別の発振器周波数を用いることによって200kHz以外のフィルタ周波数を生成し得る。フィルタ出力は、生成器のフィードバック電力制御のために通常の態様で増幅され、検出され、用いられる。
図3は、ダイオード検出器の代わりに正確なRMS検出器44および46を用いた別の実施形態を示す。図3のブロック図は、200kHzの波形に直接作用するような検出器を示す。
さらに別の実施形態では、生成器の可変周波数源から発振器周波数を得て、それによって、ヘテロダイン検出器が生成器の可変出力周波数をトラッキングすることを可能にする。この実施形態のブロック図が図4に示されている。57−63MHzのMHzアプリケーションが示されている。可変周波数源48の出力が80MHzの信号とミキシングされることによって137〜143MHzが得られる。これは、フィルタリングされ、79.8MHzを用いて57.2〜63.2MHzへとミキシングされる。この信号が元の57〜63MHzとミキシングされることによって、必要な200kHzがローパスフィルタと検出器回路に提供される。信号路に沿って適切な増幅を用いることによって周波数変換プロセスにおいて生じる損失が補償され得ることは理解される。指向性結合器からの前進電力サンプルのみが示されているが、反射された電力サンプルが同一の態様で検出され得ることはさらに理解される。ミキサ1に入れられた可変周波数が生成器可変周波数供給源の追加の出力などの別の手段によって得られうることはさらにまた理解される。
本発明をVHFアプリケーション用に説明してきたが、生成器の出力電力を検出および制御する目的として、本発明が任意の周波数において用いられ得るということはさらに理解される。電力制御および測定は生成器の内部にあるとして議論してきたが、任意数の手段によって達成され得ることや、生成器の内部または外部であり得ることや、システムCPUによって制御され得ることはさらにまた理解される。明確にすることを目的として詳細な概念図を除いたということはさらにまた理解される。改良された電力検出器を用いることによって、プラズマに作用するいずれかの生成器または全ての生成器からの電力が正確に制御され得るということはさらにまた理解される。
特に好適な実施形態に関連して本発明について詳細に説明してきた。本発明の精神および範囲内において記載したものに加えた変更および修正がなされ得ることは、理解される。本発明の精神および範囲から逸脱することなしに本発明による装置の構造において、変更、改変、修正または置換がなされ得るということはさらに理解される。
図1は、従来技術のVHF電力生成器のブロック図を示す。 図2は、本発明の原理を取り込んだ汎用ヘテロダイン検出器の機能を有するVHF電力生成器のブロック図を示す。 図3は、rms検出器を用いたヘテロダイン検出器の機能を有するVHF電力生成器のブロック図を示す。 図4は、可変周波数のヘテロダイン検出器を有するVHF電力生成器のブロック図を示す。

Claims (19)

  1. プラズマにRF電力を送達するVHF生成器であって、
    a)電力増幅器に接続された可変周波数RF信号生成器と、
    b)指向性結合器に接続された少なくとも1つの出力を有する該電力増幅器と、
    c)処理チャンバにおいて電力がプラズマに送達される整合ネットワークに接続された1つの出力を有する該指向性結合器と
    を備え、
    d)該指向性結合器の少なくとも1つの出力が、該可変周波数RF信号生成器の前進電力信号をサンプリングするように配置されており、該指向性結合器の少なくとも1つの出力が、該可変周波数RF信号生成器の反射電力信号をサンプリングするように配置されており、
    e)該サンプリングされた前進信号および反射信号の各々が、第1のミキサに接続されており、
    f)該可変周波数RF信号生成器のサンプリングされた出力を第1の中間周波数とミキシングする第2のミキサに接続された第1の発振器を備え、
    g)該第2のミキサの出力が、第1のバンドパスフィルタに接続されており、該第1のバンドパスフィルタの出力が、第2の発振器の第2の中間周波数とミキシングする第3のミキサに接続されており、
    h)該第3のミキサの出力が、第2のバンドパスフィルタに接続されており、該第2のバンドパスフィルタの出力が、該第1のミキサに接続されており、
    i)該ミキシングされた前進信号および反射信号が、ローパスフィルタを通過させられ、
    j)該フィルタリングされた前進信号および反射信号が、増幅器および検出器に接続されており、
    k)該検出された前進信号および反射信号が、電力制御回路にフィードバックされ、該プラズマに送達された電力が、該プラズマによって生成されたスプリアスな周波数の信号からの干渉なしに、モニタリングされる、
    VHF生成器。
  2. 高調波とスプリアスな低周波数の信号を除去するために、前進バンドパスフィルタと反射バンドパスフィルタとが前記指向性結合器の出力と前記第1のミキサとの間に接続されている、請求項1に記載のプラズマにRF電力を送達するVHF生成器。
  3. 前記検出器がダイオード検出器である、請求項2に記載のプラズマにRF電力を送達するVHF生成器。
  4. 前記検出器がRMS検出器である、請求項2に記載のプラズマにRF電力を送達するVHF生成器。
  5. プラズマにRF電力を送達する装置であって、
    a)処理チャンバ内のプラズマに電力を送達する可変周波数RF電源と、
    b)発振器周波数を生成する発振器回路であって、
    該発振器回路が、第1の発振器と、第1のミキサと、第1のバンドパスフィルタと、第2のミキサと、第2の発振器と、第2のバンドパスフィルタとを含み、
    該第1の発振器が、該可変周波数RF電源の第1のサンプリングされた出力信号を該第1の発振器の第1の中間周波数とミキシングする第1のミキサに接続されており、
    該第1のミキサの出力が、第1のバンドパスフィルタに接続されており、
    該第1のバンドパスフィルタの出力が、第2の発振器の第2の中間周波数とミキシングする第2のミキサに接続されており、
    該第2のミキサの出力が、該第2のバンドパスフィルタに接続されており、これにより、該発振器周波数が出力される、発振器回路と、
    c)該可変周波数RF電源と該プラズマとの間に配置された出力サンプラーであって、該出力サンプラーは、該可変周波数RF電源の少なくとも1つの出力特性をサンプリングし、それによって、少なくとも1つの第2のサンプリングされた出力信号を生成するように配置されており、該第2のサンプリングされた出力信号は、第3のミキサにおいて発振器周波数とミキシングされて、ミキシングされた信号を生成し、該ミキシングされた信号は、処理されて、ミキシングされてフィルタリングされた信号を生成し、該ミキシングされてフィルタリングされた信号は、該可変周波数RF電源を制御する制御回路にフィードバックされる、出力サンプラーと
    を備える、装置。
  6. 前記出力サンプラーは、指向性結合器である、請求項5に記載の装置。
  7. 前記出力特性は、前進電力または反射電力の一方である、請求項5に記載の装置。
  8. 前記出力サンプラーと前記プラズマとの間に配置された整合ネットワークをさらに備える、請求項5に記載の装置。
  9. 前記可変周波数RF電源は、VHF生成器である、請求項5に記載の装置。
  10. 前記指向性結合器の出力に配置された前進バンドパスフィルタおよび反射バンドパスフィルタであって、高調波とスプリアスな低周波数の信号を除去する前進バンドパスフィルタおよび反射バンドパスフィルタをさらに備える、請求項6に記載の装置。
  11. 前記前進バンドパスフィルタおよび前記反射バンドパスフィルタは、前記プラズマに送達される電力をモニタリングする検出器に接続されている、請求項10に記載の装置。
  12. 前記検出器は、RMS検出器である、請求項11に記載の装置。
  13. プラズマにRF電力を送達する方法であって、
    a)処理チャンバ内のプラズマに電力を送達する可変周波数RF電源を提供することと、
    b)該可変周波数RF電源の第1のサンプリングされた出力信号を第1の中間周波数とミキシングすることにより、第1のミキシングされた信号を生成することと、
    c)該第1のミキシングされた信号をフィルタリングすることにより、第1のミキシングされてフィルタリングされた信号を生成することと、
    d)該第1のミキシングされてフィルタリングされた信号を第2の中間周波数とミキシングすることにより、第2のミキシングされた信号を出力することと、
    e)該第2のミキシングされた信号をフィルタリングすることにより、発振器周波数を出力することと、
    f)該可変周波数RF電源と該プラズマとの間に出力サンプラーを提供することと、
    g)該出力サンプラーを使用して該可変周波数RF電源の少なくとも1つの出力特性をサンプリングすることであって、それによって、少なくとも1つの第2のサンプリングされた出力信号を生成することと、
    h)該第2のサンプリングされた出力信号を該発振器周波数とミキシングすることにより、第3のミキシングされた信号を生成することと、
    i)該第3のミキシングされた信号を処理することにより、第2のミキシングされてフィルタリングされた信号を生成することと、
    j)該第2のミキシングされてフィルタリングされた信号を使用して、該可変周波数RF電源を制御することと
    を包含する、方法。
  14. 前記出力サンプラーは、指向性結合器である、請求項13に記載の方法。
  15. 前記出力特性は、前進電力または反射電力の一方である、請求項13に記載の方法。
  16. 前記可変周波数RF電源は、VHF生成器である、請求項13に記載の方法。
  17. 前記指向性結合器の出力に配置された前進バンドパスフィルタおよび反射バンドパスフィルタであって、高調波とスプリアスな低周波数の信号を除去する前進バンドパスフィルタおよび反射バンドパスフィルタを提供することをさらに包含する、請求項14に記載の方法。
  18. 前記前進バンドパスフィルタおよび前記反射バンドパスフィルタは、前記プラズマに送達される電力をモニタリングする検出器に接続されている、請求項17に記載の方法。
  19. 前記検出器は、RMS検出器である、請求項18に記載の方法。
JP2006520335A 2003-07-15 2004-07-14 Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス Expired - Fee Related JP4807850B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/620,129 2003-07-15
US10/620,129 US6791274B1 (en) 2003-07-15 2003-07-15 RF power control device for RF plasma applications
PCT/US2004/022761 WO2005010913A2 (en) 2003-07-15 2004-07-14 An improved rf power control device for rf plasma applications

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007532028A JP2007532028A (ja) 2007-11-08
JP4807850B2 true JP4807850B2 (ja) 2011-11-02

Family

ID=32927881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006520335A Expired - Fee Related JP4807850B2 (ja) 2003-07-15 2004-07-14 Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6791274B1 (ja)
JP (1) JP4807850B2 (ja)
WO (1) WO2005010913A2 (ja)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1384008B1 (en) * 2001-05-01 2006-07-19 GKN Sinter Metals Inc. Surface densification of powder metal bearing caps
JP3778842B2 (ja) * 2001-10-30 2006-05-24 パール工業株式会社 高周波検出方法および高周波検出回路
JP2006510918A (ja) * 2002-09-23 2006-03-30 ターナー エンタープライジーズ アンド アソシエイツ プロセス制御のためのトランスデューサパッケージ
US7218186B2 (en) * 2004-01-02 2007-05-15 Scientific Components Corporation Directional coupler
DE102004015090A1 (de) * 2004-03-25 2005-11-03 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Bogenentladungserkennungseinrichtung
WO2005112092A2 (en) * 2004-05-11 2005-11-24 Applied Materials, Inc. CARBON-DOPED-Si OXIDE ETCH USING H2 ADDITIVE IN FLUOROCARBON ETCH CHEMISTRY
US20080179948A1 (en) 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
TWI425767B (zh) * 2005-10-31 2014-02-01 Mks Instr Inc 無線電頻率電力傳送系統
JP5426811B2 (ja) * 2006-11-22 2014-02-26 パール工業株式会社 高周波電源装置
DE502006005363D1 (de) * 2006-11-23 2009-12-24 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung
US7795817B2 (en) * 2006-11-24 2010-09-14 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Controlled plasma power supply
EP1928009B1 (de) * 2006-11-28 2013-04-10 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen
EP1933362B1 (de) * 2006-12-14 2011-04-13 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen
US7970562B2 (en) * 2008-05-07 2011-06-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for monitoring power
JP4932787B2 (ja) * 2008-05-30 2012-05-16 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
US8692466B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-08 Mks Instruments Inc. Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator
JP5354583B2 (ja) * 2009-03-31 2013-11-27 株式会社ダイヘン 高周波電源装置及び高周波電源装置の高周波電力検出装置
US8674606B2 (en) * 2009-04-27 2014-03-18 Advanced Energy Industries, Inc. Detecting and preventing instabilities in plasma processes
US8659335B2 (en) 2009-06-25 2014-02-25 Mks Instruments, Inc. Method and system for controlling radio frequency power
JP5710209B2 (ja) * 2010-01-18 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構
US8169277B2 (en) * 2010-02-19 2012-05-01 Harris Corporation Radio frequency directional coupler device and related methods
US8314561B2 (en) * 2010-04-02 2012-11-20 Mks Instruments, Inc. Multi-channel radio frequency generator
CN102518541B (zh) * 2011-12-27 2015-05-20 成都集思科技有限公司 一种用于内燃发动机点火的固态微波源
KR101303040B1 (ko) * 2012-02-28 2013-09-03 주식회사 뉴파워 프라즈마 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치
US9279722B2 (en) 2012-04-30 2016-03-08 Agilent Technologies, Inc. Optical emission system including dichroic beam combiner
CN103427915B (zh) * 2012-05-25 2016-08-31 南京中兴软件有限责任公司 一种射频设备驻波比检测中的去干扰方法和装置
US9294100B2 (en) 2012-12-04 2016-03-22 Advanced Energy Industries, Inc. Frequency tuning system and method for finding a global optimum
CN104871285B (zh) 2012-12-18 2018-01-05 通快许廷格两合公司 灭弧方法和具有功率转换器的功率供送系统
EP2936541B1 (de) 2012-12-18 2017-02-01 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur erzeugung einer hochfrequenzleistung und leistungsversorgungssystem mit einem leistungswandler zur versorgung einer last mit leistung
US9196459B2 (en) 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9697991B2 (en) 2014-01-10 2017-07-04 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US10431428B2 (en) 2014-01-10 2019-10-01 Reno Technologies, Inc. System for providing variable capacitance
US9345122B2 (en) 2014-05-02 2016-05-17 Reno Technologies, Inc. Method for controlling an RF generator
US10455729B2 (en) 2014-01-10 2019-10-22 Reno Technologies, Inc. Enclosure cooling system
US9728378B2 (en) 2014-05-02 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Method for controlling an RF generator
US9755641B1 (en) 2014-01-10 2017-09-05 Reno Technologies, Inc. High speed high voltage switching circuit
US9865432B1 (en) 2014-01-10 2018-01-09 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9844127B2 (en) 2014-01-10 2017-12-12 Reno Technologies, Inc. High voltage switching circuit
US9496122B1 (en) 2014-01-10 2016-11-15 Reno Technologies, Inc. Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same
US9591739B2 (en) 2014-05-02 2017-03-07 Reno Technologies, Inc. Multi-stage heterodyne control circuit
US9525412B2 (en) 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US11017983B2 (en) 2015-02-18 2021-05-25 Reno Technologies, Inc. RF power amplifier
US9729122B2 (en) 2015-02-18 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US10340879B2 (en) 2015-02-18 2019-07-02 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US11335540B2 (en) 2015-06-29 2022-05-17 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10984986B2 (en) 2015-06-29 2021-04-20 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11342161B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Switching circuit with voltage bias
US10692699B2 (en) 2015-06-29 2020-06-23 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with restricted capacitor switching
US11150283B2 (en) 2015-06-29 2021-10-19 Reno Technologies, Inc. Amplitude and phase detection circuit
US11081316B2 (en) 2015-06-29 2021-08-03 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11342160B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Filter for impedance matching
US10395895B2 (en) * 2015-08-27 2019-08-27 Mks Instruments, Inc. Feedback control by RF waveform tailoring for ion energy distribution
US9748076B1 (en) 2016-04-20 2017-08-29 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus for frequency tuning in a RF generator
US11521833B2 (en) 2017-07-10 2022-12-06 Reno Technologies, Inc. Combined RF generator and RF solid-state matching network
US10483090B2 (en) 2017-07-10 2019-11-19 Reno Technologies, Inc. Restricted capacitor switching
US11476091B2 (en) 2017-07-10 2022-10-18 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network for diagnosing plasma chamber
US11393659B2 (en) 2017-07-10 2022-07-19 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11289307B2 (en) 2017-07-10 2022-03-29 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10727029B2 (en) 2017-07-10 2020-07-28 Reno Technologies, Inc Impedance matching using independent capacitance and frequency control
US11315758B2 (en) 2017-07-10 2022-04-26 Reno Technologies, Inc. Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations
US11101110B2 (en) 2017-07-10 2021-08-24 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11398370B2 (en) 2017-07-10 2022-07-26 Reno Technologies, Inc. Semiconductor manufacturing using artificial intelligence
US10714314B1 (en) 2017-07-10 2020-07-14 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11114280B2 (en) 2017-07-10 2021-09-07 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with multi-level power setpoint
US11538662B2 (en) 2019-05-21 2022-12-27 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method with reduced memory requirements
CN112447471A (zh) * 2019-09-04 2021-03-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子处理系统和等离子处理系统的运行方法
CN111446975A (zh) * 2020-04-01 2020-07-24 上海航天测控通信研究所 一种星载vhf频段发射机

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05266990A (ja) * 1991-12-30 1993-10-15 Comdel Inc Rfプラズマのパワーモニター
JPH1041097A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Eni A Division Of Astec America Inc プラズマ装置およびrf電力波の電流と電圧の振幅と相対位相の情報誘導の方法
US5892198A (en) * 1996-03-29 1999-04-06 Lam Research Corporation Method of and apparatus for electronically controlling r.f. energy supplied to a vacuum plasma processor and memory for same
JP2001044873A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Alps Electric Co Ltd 二重周波数変換器
JP2003017296A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Nisshin:Kk プラズマ密度情報測定方法及びその装置、並びにプラズマ密度情報測定用プローブ、プラズマ密度情報測定用記録媒体、プラズマ処理装置
JP2003139804A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Pearl Kogyo Kk 高周波検出方法および高周波検出回路
JP2003179030A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 高周波電源及びその制御方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523955A (en) * 1992-03-19 1996-06-04 Advanced Energy Industries, Inc. System for characterizing AC properties of a processing plasma
US5576629A (en) * 1994-10-24 1996-11-19 Fourth State Technology, Inc. Plasma monitoring and control method and system
US5708250A (en) * 1996-03-29 1998-01-13 Lam Resarch Corporation Voltage controller for electrostatic chuck of vacuum plasma processors
US5654679A (en) * 1996-06-13 1997-08-05 Rf Power Products, Inc. Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance
JP2001516963A (ja) * 1997-09-17 2001-10-02 東京エレクトロン株式会社 ガスプラズマ処理を監視しかつ管理するためのシステムおよび方法
US6020794A (en) * 1998-02-09 2000-02-01 Eni Technologies, Inc. Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator
US6472822B1 (en) * 2000-04-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Pulsed RF power delivery for plasma processing
JP3865289B2 (ja) * 2000-11-22 2007-01-10 独立行政法人科学技術振興機構 マイクロ波によるプラズマ発生装置
US6608446B1 (en) * 2002-02-25 2003-08-19 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for radio frequency (RF) metrology
US6703080B2 (en) * 2002-05-20 2004-03-09 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for VHF plasma processing with load mismatch reliability and stability
US6819052B2 (en) * 2002-05-31 2004-11-16 Nagano Japan Radio Co., Ltd. Coaxial type impedance matching device and impedance detecting method for plasma generation

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05266990A (ja) * 1991-12-30 1993-10-15 Comdel Inc Rfプラズマのパワーモニター
US5892198A (en) * 1996-03-29 1999-04-06 Lam Research Corporation Method of and apparatus for electronically controlling r.f. energy supplied to a vacuum plasma processor and memory for same
JPH1041097A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Eni A Division Of Astec America Inc プラズマ装置およびrf電力波の電流と電圧の振幅と相対位相の情報誘導の方法
JP2001044873A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Alps Electric Co Ltd 二重周波数変換器
JP2003017296A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Nisshin:Kk プラズマ密度情報測定方法及びその装置、並びにプラズマ密度情報測定用プローブ、プラズマ密度情報測定用記録媒体、プラズマ処理装置
JP2003139804A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Pearl Kogyo Kk 高周波検出方法および高周波検出回路
JP2003179030A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 高周波電源及びその制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6791274B1 (en) 2004-09-14
JP2007532028A (ja) 2007-11-08
WO2005010913A2 (en) 2005-02-03
USRE42917E1 (en) 2011-11-15
WO2005010913A3 (en) 2005-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4807850B2 (ja) Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス
EP1952537B1 (en) Inductively-coupled rf power source
US8395322B2 (en) Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source
EP2220794B1 (en) Photonic based cross-correlation homodyne detection with low phase noise
US7298128B2 (en) Method of detecting RF powder delivered to a load and complex impedance of the load
JP5676102B2 (ja) 電位センサ
US20110074476A1 (en) Apparatus for lock-in amplifying an input signal and method for generating a reference signal for a lock-in amplifier
US6480006B1 (en) Method for measuring phase noise using a low noise synthesizer
KR102161155B1 (ko) 플라즈마 발생 장치의 rf 전력 모니터링 장치
KR102161156B1 (ko) 플라즈마 발생 장치의 rf 전력 모니터링 장치 및 방법
KR20180005447A (ko) 위상 변조기를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
KR100557429B1 (ko) 전자파비흡수율 측정장치 검증용 전자파발생기
CN114325533B (zh) 一种信号源分析仪相位噪声校准方法和装置
JP2009295573A (ja) インピーダンス測定装置
KR101046990B1 (ko) 미세 신호 검출장치
JP2008298666A (ja) 電子スピン共鳴装置
CN111323832A (zh) 一种基于相位检测的地质信号接收机
RU2184931C2 (ru) Вихретоковый способ двухчастотного контроля изделий
JP2004163281A (ja) テラヘルツパルス光計測装置
SU792170A1 (ru) Измеритель частотных флуктуаций генераторов
JPH1062536A (ja) 速度測定装置
JPH06249960A (ja) 光波測距装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091218

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100312

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100611

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100909

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100916

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101008

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101018

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110810

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110812

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140826

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees