JPH05266990A - Rfプラズマのパワーモニター - Google Patents
RfプラズマのパワーモニターInfo
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- JPH05266990A JPH05266990A JP4341022A JP34102292A JPH05266990A JP H05266990 A JPH05266990 A JP H05266990A JP 4341022 A JP4341022 A JP 4341022A JP 34102292 A JP34102292 A JP 34102292A JP H05266990 A JPH05266990 A JP H05266990A
- Authority
- JP
- Japan
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- voltage
- plasma
- power
- current
- sensing head
- Prior art date
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- Withdrawn
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/02—Circuits or systems for supplying or feeding radio-frequency energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、RFプラズマ処理を制御す
るためのパワーモニターを提供することである。 【構成】 本発明のパワーモニターは、主に、プラズマ
負荷90と、該プラズマ負荷90に接続された感知付属
装置12とサンプルホールド周波数変換器14とからな
る感知ヘッド10と、前記サンプルホールド周波数変換
器14に接続されたRMS変換器52及び54と零交差
検波器64及び65と乗算器60と該乗算器60に接続
された積分器62とアナログ−デジタル変換器55、5
6、63及び70とフリップフロップ68とデータプロ
セッサ50とからなる処理装置11と、該処理装置11
のデータプロセッサ50に接続されたRF発電機80
と、該RF発電機80と前記感知付属装置12との間に
接続された整合ネットワーク75と、前記処理装置11
のデータプロセッサ50に接続された表示端末装置87
と、から構成される。
るためのパワーモニターを提供することである。 【構成】 本発明のパワーモニターは、主に、プラズマ
負荷90と、該プラズマ負荷90に接続された感知付属
装置12とサンプルホールド周波数変換器14とからな
る感知ヘッド10と、前記サンプルホールド周波数変換
器14に接続されたRMS変換器52及び54と零交差
検波器64及び65と乗算器60と該乗算器60に接続
された積分器62とアナログ−デジタル変換器55、5
6、63及び70とフリップフロップ68とデータプロ
セッサ50とからなる処理装置11と、該処理装置11
のデータプロセッサ50に接続されたRF発電機80
と、該RF発電機80と前記感知付属装置12との間に
接続された整合ネットワーク75と、前記処理装置11
のデータプロセッサ50に接続された表示端末装置87
と、から構成される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチングもしくは付
着処理において使用されるRFプラズマ発生装置に関
し、さらに特定すると、このようなプラズマ発生装置の
監視及び制御のための装置及び方法に関する。
着処理において使用されるRFプラズマ発生装置に関
し、さらに特定すると、このようなプラズマ発生装置の
監視及び制御のための装置及び方法に関する。
【0002】
【従来技術と解決課題】現在のRFプラズマ技術は、電
源の不安定性と相互作用するプラズマ負荷非線形による
不整合反射、伝送線路損失、非反復インピーダンス整合
損失、リアクター送給損失およびRFエンベロープ変調
にもかかわらず、RF電源を一定の指示される順方向電
力に維持する。一旦、気流および気圧から互いにチェッ
クされると、処理診断は堂々めぐりのような推量ゲーム
に変わる。RFプラズマの使用法の一つに、半導体材料
のエッチングがあり、電子工学産業界における回路のパ
ラメータを決定する。
源の不安定性と相互作用するプラズマ負荷非線形による
不整合反射、伝送線路損失、非反復インピーダンス整合
損失、リアクター送給損失およびRFエンベロープ変調
にもかかわらず、RF電源を一定の指示される順方向電
力に維持する。一旦、気流および気圧から互いにチェッ
クされると、処理診断は堂々めぐりのような推量ゲーム
に変わる。RFプラズマの使用法の一つに、半導体材料
のエッチングがあり、電子工学産業界における回路のパ
ラメータを決定する。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明によると、装置お
よび方法は、RF負荷のもしくはその付近の電圧および
電圧を感知するために提供された。RF電圧および電流
は、周波数を1MHzもしくはそれ以下まで減ぜられ、
デジタル信号に変換されてデジタルデータプロセッサへ
送給される真RMS値に変換される。RF電圧および電
流は、また互いに乗算されて積分されRF電力に比例す
る信号を提供する。このRF電力信号は、またデジタル
形へ変換されてデータプロセッサへ供給される。データ
プロセッサは、モニター回路内に加えられた変数を補正
するようにプログラムされていて、感知装置の位置のR
F電圧、RF電力、プラズマ負荷のインピーダンスおよ
び位相角の真値を計算して表示させる。データプロセッ
サは、またフィードバック制御として使用可能な出力信
号をRF電源へ供給して、負荷インピーダンスに関係な
く感知装置の位置の一定の電力、一定のRMS電圧、一
定のRMS電流、もしくは一定のバイアス電圧を維持す
る。
よび方法は、RF負荷のもしくはその付近の電圧および
電圧を感知するために提供された。RF電圧および電流
は、周波数を1MHzもしくはそれ以下まで減ぜられ、
デジタル信号に変換されてデジタルデータプロセッサへ
送給される真RMS値に変換される。RF電圧および電
流は、また互いに乗算されて積分されRF電力に比例す
る信号を提供する。このRF電力信号は、またデジタル
形へ変換されてデータプロセッサへ供給される。データ
プロセッサは、モニター回路内に加えられた変数を補正
するようにプログラムされていて、感知装置の位置のR
F電圧、RF電力、プラズマ負荷のインピーダンスおよ
び位相角の真値を計算して表示させる。データプロセッ
サは、またフィードバック制御として使用可能な出力信
号をRF電源へ供給して、負荷インピーダンスに関係な
く感知装置の位置の一定の電力、一定のRMS電圧、一
定のRMS電流、もしくは一定のバイアス電圧を維持す
る。
【0004】そこで、本発明の目的は、RFプラズマ処
理を制御するためのパワーモニターを提供することであ
る。本発明のさらなる目的は、図面を参照しつつ次の説
明を読み進むと明らかになるだろう。
理を制御するためのパワーモニターを提供することであ
る。本発明のさらなる目的は、図面を参照しつつ次の説
明を読み進むと明らかになるだろう。
【0005】
【実施例】RFプラズマパワーモニターのブロック図
が、図1に示される。このパワーモニターは、二つの基
本モジュールである感知ヘッド10と処理装置11とを
もつ。感知ヘッド10は、二つの別個の装置である感知
付属装置12とサンプルホールド周波数変換器14で構
成される。装置12と14は、互いにしっかりと接続し
てあるが、分離できるように作成されているので感知付
属装置が変化してプラズマ電力レベルの幅に適応でき
る。
が、図1に示される。このパワーモニターは、二つの基
本モジュールである感知ヘッド10と処理装置11とを
もつ。感知ヘッド10は、二つの別個の装置である感知
付属装置12とサンプルホールド周波数変換器14で構
成される。装置12と14は、互いにしっかりと接続し
てあるが、分離できるように作成されているので感知付
属装置が変化してプラズマ電力レベルの幅に適応でき
る。
【0006】感知付属装置12が、電気的にさらに具体
的に図2に示される。感知付属装置12は、三つのRF
接続器15、16及び17により周波数変換器14に接
続されている。感知付属品12は、感知要素を含んでい
る矩形のアルミニウム箱の形状であってもよい。二つの
さらなるRF接続器20及び21は、負荷及びRF電源
に接続するためのものである。
的に図2に示される。感知付属装置12は、三つのRF
接続器15、16及び17により周波数変換器14に接
続されている。感知付属品12は、感知要素を含んでい
る矩形のアルミニウム箱の形状であってもよい。二つの
さらなるRF接続器20及び21は、負荷及びRF電源
に接続するためのものである。
【0007】RF導体22は、接続器20及び21の間
に取りつけられる。導体22は、制御されるRF電力の
範囲に応じて直径が9.525 mmもしくはそれ以上の大きさ
にできる適当な金属の棒である。単一の裸導体は、使用
され、包囲体から絶縁され、接続器20及び21の中央
端子に接続された。
に取りつけられる。導体22は、制御されるRF電力の
範囲に応じて直径が9.525 mmもしくはそれ以上の大きさ
にできる適当な金属の棒である。単一の裸導体は、使用
され、包囲体から絶縁され、接続器20及び21の中央
端子に接続された。
【0008】三つの感知タップ25、26及び27は、
導体22に対して作成される。タップ25は、導体22
を円形に包囲するトロイド変圧器であるから、導体22
は、変圧器の一次として動作する。タップ26及び27
は、ハンダ付けされるか、鑞接されるか、さもなくば直
接電気的物理的に導体22と接続される。タップ27
は、容量的に接続できる。
導体22に対して作成される。タップ25は、導体22
を円形に包囲するトロイド変圧器であるから、導体22
は、変圧器の一次として動作する。タップ26及び27
は、ハンダ付けされるか、鑞接されるか、さもなくば直
接電気的物理的に導体22と接続される。タップ27
は、容量的に接続できる。
【0009】タップ25は、導体22のRF電流を感知
する。タップ26は、導体22上のDCバイアスレベル
を感知し、こうしてプラズマ負荷のDCバイアスレベル
を感知する。タップ27は、導体22上のRF電圧を感
知する。タップ25は、RF接続器15によって電流制
限抵抗28を介してマイクロ波スイッチミキサー30に
接続される。
する。タップ26は、導体22上のDCバイアスレベル
を感知し、こうしてプラズマ負荷のDCバイアスレベル
を感知する。タップ27は、導体22上のRF電圧を感
知する。タップ25は、RF接続器15によって電流制
限抵抗28を介してマイクロ波スイッチミキサー30に
接続される。
【0010】タップ27は、抵抗32、RF接続器17
及びコンデンサ33を介して抵抗34と接続されてお
り、抵抗34は基準電圧35と接続される。抵抗32及
び34は、電圧分割器として動作し、他方コンデンサ3
3はDCブロッキングとして動作する。コンデンサ33
と抵抗34との接点は、マイクロ波スイッチミキサ36
に接続される。
及びコンデンサ33を介して抵抗34と接続されてお
り、抵抗34は基準電圧35と接続される。抵抗32及
び34は、電圧分割器として動作し、他方コンデンサ3
3はDCブロッキングとして動作する。コンデンサ33
と抵抗34との接点は、マイクロ波スイッチミキサ36
に接続される。
【0011】発振器37は、必要に応じて周波数分割器
もしくは乗算器をもつ精密周波数源であり、周波数オフ
セットを加えたRF電源の周波数の矩形波を供給する。
バッファ38は、発振器に対して高いインピーダンスを
与え、その出力で速い立下がりおよび立上がりの時間を
もたらす。バッファ38は、マイクロ波スイッチミキサ
30および36に接続される。ヒ化ガリウム製マイクロ
波スイッチが使用された。ミキサ30および36のそれ
ぞれの出力に接続された低域通過フィルター40および
41は、ほとんどの高い方の周波数を濾波して取り除
き、主要素である差周波数を残す。
もしくは乗算器をもつ精密周波数源であり、周波数オフ
セットを加えたRF電源の周波数の矩形波を供給する。
バッファ38は、発振器に対して高いインピーダンスを
与え、その出力で速い立下がりおよび立上がりの時間を
もたらす。バッファ38は、マイクロ波スイッチミキサ
30および36に接続される。ヒ化ガリウム製マイクロ
波スイッチが使用された。ミキサ30および36のそれ
ぞれの出力に接続された低域通過フィルター40および
41は、ほとんどの高い方の周波数を濾波して取り除
き、主要素である差周波数を残す。
【0012】これは、従来のミキシング動作ではなく、
むしろマイクロ波スイッチが発振器からの矩形波出力に
よって定期的にオンとオフを切り替えられる”サンプル
ホールド”動作である。スイッチがオンに切り替えられ
る度に、その出力は低域通過フィルターのコンデンサ内
に保持される。
むしろマイクロ波スイッチが発振器からの矩形波出力に
よって定期的にオンとオフを切り替えられる”サンプル
ホールド”動作である。スイッチがオンに切り替えられ
る度に、その出力は低域通過フィルターのコンデンサ内
に保持される。
【0013】バッファ42および44は、利得と高周波
要素のさらなる制限とを提供する高入力インピーダンス
の増幅器であり、適当な演算増幅器である。
要素のさらなる制限とを提供する高入力インピーダンス
の増幅器であり、適当な演算増幅器である。
【0014】残りのタップ26は、プラズマ負荷90へ
の線路上のDC電圧増大を感知することが唯一の目的で
ある。抵抗45は、電圧分割器であり、その出力は、R
F接続器16を介してR/Cフィルター46に接続され
る。R/Cフィルター46は、DC電圧に依存するRF
電圧を除去する。
の線路上のDC電圧増大を感知することが唯一の目的で
ある。抵抗45は、電圧分割器であり、その出力は、R
F接続器16を介してR/Cフィルター46に接続され
る。R/Cフィルター46は、DC電圧に依存するRF
電圧を除去する。
【0015】上の記述は、感知ヘッド10の回路要素の
説明である。感知ヘッド10は、プラズマ負荷の線路上
の電圧および電流を感知して処理を容易にするために全
ての有効な周波数要素を1MHzもしくはそれ以下に低
減する。感知ヘッド10の出力は、自由に曲がるケーブ
ルによって適当に処理装置11に接続される。
説明である。感知ヘッド10は、プラズマ負荷の線路上
の電圧および電流を感知して処理を容易にするために全
ての有効な周波数要素を1MHzもしくはそれ以下に低
減する。感知ヘッド10の出力は、自由に曲がるケーブ
ルによって適当に処理装置11に接続される。
【0016】処理装置11の要素は、詳細な説明を余り
要しない発達段階の装置が知られている。次の記述は、
図1に関するものである。処理装置11の心臓部は、こ
のために特別にプログラムされた小型汎用コンピュータ
にできるデータプロセッサ50である。
要しない発達段階の装置が知られている。次の記述は、
図1に関するものである。処理装置11の心臓部は、こ
のために特別にプログラムされた小型汎用コンピュータ
にできるデータプロセッサ50である。
【0017】バッファ42及び44の出力は、RMSコ
ンバータ52及び54それぞれに接続されている。RM
Sコンバータ52及び54の出力は、その後アナログ−
デジタル変換器55及び56それぞれを介してプロセッ
サ50のデジタル入力ポートに接続されている。
ンバータ52及び54それぞれに接続されている。RM
Sコンバータ52及び54の出力は、その後アナログ−
デジタル変換器55及び56それぞれを介してプロセッ
サ50のデジタル入力ポートに接続されている。
【0018】バッファ42及び44の出力は、またこれ
ら二つの信号を共に乗算する乗算器60の入力57及び
58に接続される。乗算器60の出力は、積分器62の
入力に接続されてRF電力を表す平均DCレベルを供給
する。積分器60の出力は、アナログ−デジタル変換器
63を介してデータプロセッサ50に接続されている。
これらの接続は、好ましくは積分器62と変換器63の
間に接続される可調節利得緩衝増幅器を含んでもよい。
ら二つの信号を共に乗算する乗算器60の入力57及び
58に接続される。乗算器60の出力は、積分器62の
入力に接続されてRF電力を表す平均DCレベルを供給
する。積分器60の出力は、アナログ−デジタル変換器
63を介してデータプロセッサ50に接続されている。
これらの接続は、好ましくは積分器62と変換器63の
間に接続される可調節利得緩衝増幅器を含んでもよい。
【0019】バッファ42及び44の出力は、またさら
に零交差検波器64及び65それぞれの入力に接続され
る。検波器64及び65は、フリップフロップ68の入
力66及び67それぞれに接続される。この回路の目的
は、RF電圧がRF電流より進んでいるか遅れているか
を決定することである。フリップフロップ68の出力
は、データプロセッサ50のデジタル入力に接続され
て、正負符号をインピーダンスの位相計算に割り当てる
のに使用される。R/Cフィルター46の出力(図2)
は、アナログ−デジタル変換器70を介してデータプロ
セッサ50に接続されている。
に零交差検波器64及び65それぞれの入力に接続され
る。検波器64及び65は、フリップフロップ68の入
力66及び67それぞれに接続される。この回路の目的
は、RF電圧がRF電流より進んでいるか遅れているか
を決定することである。フリップフロップ68の出力
は、データプロセッサ50のデジタル入力に接続され
て、正負符号をインピーダンスの位相計算に割り当てる
のに使用される。R/Cフィルター46の出力(図2)
は、アナログ−デジタル変換器70を介してデータプロ
セッサ50に接続されている。
【0020】通常のモニター装置では、RF発電機80
は、順方向電力及び反射電力を感知するための感知器を
含んでいる。順方向電力は、リード線82によってプロ
セッサ50に接続され、他方反射電力はリード線83に
よって接続される。プロセッサ50は、出力84でRF
発電機80を稼働させ、出力85で発電機80の電力出
力レベルを設定する。これら全ての接続リード線は、標
準的なケーブル86を介するように示される。
は、順方向電力及び反射電力を感知するための感知器を
含んでいる。順方向電力は、リード線82によってプロ
セッサ50に接続され、他方反射電力はリード線83に
よって接続される。プロセッサ50は、出力84でRF
発電機80を稼働させ、出力85で発電機80の電力出
力レベルを設定する。これら全ての接続リード線は、標
準的なケーブル86を介するように示される。
【0021】データプロセッサ50からの出力接続87
は、表示用端末装置88に通じている。表示用端末装置
88は、映像表示装置もしくは簡単なデジタル文字表示
装置であってもよい。表示装置は、連続式、または逐次
式、または表示用端末装置88の一部でもよいキーボー
ドからコマンドに応答する形式でもよい。
は、表示用端末装置88に通じている。表示用端末装置
88は、映像表示装置もしくは簡単なデジタル文字表示
装置であってもよい。表示装置は、連続式、または逐次
式、または表示用端末装置88の一部でもよいキーボー
ドからコマンドに応答する形式でもよい。
【0022】製造において、各装置は試験され、データ
プロセッサは調節されて真の読み取りのための必要な補
正率を提供する。使用法の一つは、RFプラズマ周波数
13.56MHzを使用するRFプラズマエッチングに
おけるものである。発振器周波数13.585MHz
は、モニター処理周波数25KHzを提供することに使
用された。
プロセッサは調節されて真の読み取りのための必要な補
正率を提供する。使用法の一つは、RFプラズマ周波数
13.56MHzを使用するRFプラズマエッチングに
おけるものである。発振器周波数13.585MHz
は、モニター処理周波数25KHzを提供することに使
用された。
【0023】感知付属装置は、接続器20及び21によ
ってRF整合ネットワーク75とプラズマ負荷90間に
接続される。この接続は、都合の良いようにプラズマ負
荷90に接近して形成される。負荷90に接近するに従
って、監視の精度は高くなる。データプロセッサ50
は、特定の電力レベルをプラズマ負荷90に供給するよ
うに設定され、イネーブル信号を送給してRF電力の流
れを始動する。RF電流及び電圧は、感知されて感知ヘ
ッド10内で周波数を下げられる。それから、乗算器6
0は、二数を互いに乗算してRF電力に相当する信号を
供給する。その後この信号は、デジタル形に変換され
て、データプロセッサ50内で最初に補正率を加えて真
電力を得て、その後補正信号をRF発電機80へ供給し
て負荷90の電力を設定するように処理される。
ってRF整合ネットワーク75とプラズマ負荷90間に
接続される。この接続は、都合の良いようにプラズマ負
荷90に接近して形成される。負荷90に接近するに従
って、監視の精度は高くなる。データプロセッサ50
は、特定の電力レベルをプラズマ負荷90に供給するよ
うに設定され、イネーブル信号を送給してRF電力の流
れを始動する。RF電流及び電圧は、感知されて感知ヘ
ッド10内で周波数を下げられる。それから、乗算器6
0は、二数を互いに乗算してRF電力に相当する信号を
供給する。その後この信号は、デジタル形に変換され
て、データプロセッサ50内で最初に補正率を加えて真
電力を得て、その後補正信号をRF発電機80へ供給し
て負荷90の電力を設定するように処理される。
【0024】真電力と真RMS電圧及び真RMS電流
は、データプロセッサ50によって処理されて表示装置
88に供給される。このデータを発電機80の線路82
及び83からの順方向電力及び反射電力と比較すると、
負荷インピーダンスの大きさと位相角は、また計算され
て表示される。負荷インピーダンスの大きさは、式 Zmag = Erms /Irms によって導き出される。ここで、Zmag は負荷インピー
ダンスの大きさであり、Erms 及びIrms はそれぞれ二
乗平均平方根電圧及び二乗平均平方根電流である。負荷
インピーダンスの位相角は、式 Z0 = cos-1[Preal/(Erms ×Irms ) によって導き出される。ここで、Z0 は負荷インピーダ
ンスの位相角であり、Prealは真電力である。この導出
は、ソフトウエア制御下のデータプロセッサ50内で実
行される。
は、データプロセッサ50によって処理されて表示装置
88に供給される。このデータを発電機80の線路82
及び83からの順方向電力及び反射電力と比較すると、
負荷インピーダンスの大きさと位相角は、また計算され
て表示される。負荷インピーダンスの大きさは、式 Zmag = Erms /Irms によって導き出される。ここで、Zmag は負荷インピー
ダンスの大きさであり、Erms 及びIrms はそれぞれ二
乗平均平方根電圧及び二乗平均平方根電流である。負荷
インピーダンスの位相角は、式 Z0 = cos-1[Preal/(Erms ×Irms ) によって導き出される。ここで、Z0 は負荷インピーダ
ンスの位相角であり、Prealは真電力である。この導出
は、ソフトウエア制御下のデータプロセッサ50内で実
行される。
【0025】表示用端末装置88との接続87は、典型
的に種々のデバイスとの双方性通信の可能なRS−23
2シリアルポートである。
的に種々のデバイスとの双方性通信の可能なRS−23
2シリアルポートである。
【0026】タップ26からのDCバイアスのパラメー
タは、プラズマ負荷によって自己誘導されるDCレベル
である。これは、しばしばプラズマ付着処理におけるパ
ラメータを制御する重要な処理となり、そしてこれ及び
これ以外の目的にとって有用となる。
タは、プラズマ負荷によって自己誘導されるDCレベル
である。これは、しばしばプラズマ付着処理におけるパ
ラメータを制御する重要な処理となり、そしてこれ及び
これ以外の目的にとって有用となる。
【0027】本発明は、特別な実施例及び使用法に関し
て説明してきたけれども、当業者であれば、本発明の技
術思想から逸脱することなく種々の変更及び修正が可能
であることは明白であろう。例えば、プロセッサ50に
よって実行されるほとんどの処理は、ハードワイヤード
できる。大量生産の十分な制御を使用すると、補正率
は、真の読み取りのためにハードワイヤードできる。ま
たトロイド変圧器と直接溶接接続よりも他の感知器を使
用することも可能である。かかる変更及び修正は全て本
発明の技術思想に包含されるべきものである。
て説明してきたけれども、当業者であれば、本発明の技
術思想から逸脱することなく種々の変更及び修正が可能
であることは明白であろう。例えば、プロセッサ50に
よって実行されるほとんどの処理は、ハードワイヤード
できる。大量生産の十分な制御を使用すると、補正率
は、真の読み取りのためにハードワイヤードできる。ま
たトロイド変圧器と直接溶接接続よりも他の感知器を使
用することも可能である。かかる変更及び修正は全て本
発明の技術思想に包含されるべきものである。
【図1】本発明のパワーモニターのブロック図である。
【図2】パワーモニターの感知ヘッドの部分設計図と部
分ブロック図である。
分ブロック図である。
10 感知ヘッド 11 処理装置 12 感知付属装置 14 サンプルホールド周波数変換器 15、16、17、20、21 RF接続器 22 RF導体 25、26、27 タップ 28 電流制限抵抗 30、36 マイクロ波スイッチミキサ 32、34 抵抗 33 コンデンサ 35 基準電圧 37 発振器 38、42、44 バッファ 40、41 低域通過フィルター 46 R/Cフィルター 50 データプロセッサ 52、54 RMS変換器 55、56、63、70 アナログ−デジタル変換器 60 乗算器 62 積分器 64、65 零交差検波器 68 フリップフロップ 75 整合ネットワーク 80 RF発電機 88 表示用端末装置 90 プラズマ負荷
Claims (13)
- 【請求項1】 a.被加工体を含んでいるプラズマチャ
ンバーにRF発電機を接続することと、 b.前記発電機と前記チャンバーとの間に直列に感知ヘ
ッドを接続することと、 c.前記感知ヘッド内でDCバイアス電圧と、RF電圧
と、RF電流とを感知することと、 d.感知された電圧および電流を処理して真電力データ
を前記プラズマチャンバーの入力に与えることと、 e.制御データをRF発電機へフィードバックして前記
プラズマチャンバーの入力の電力を一定に維持すること
と、 を有するRFプラズマの電気パラメータを監視する方
法。 - 【請求項2】 前記発電機と前記感知ヘッドとの間に配
置されたインピーダンス整合ネットワークを使って、前
記RF発電機のインピーダンスと前記プラズマチャンバ
ーの入力インピーダンスとを整合する段階をさらに有す
る請求項1に記載のRFプラズマを監視する方法。 - 【請求項3】 前記RFプラズマが、前記プラズマチャ
ンバー内で被加工体上に物理的な処理を実行する請求項
2に記載のRFプラズマを監視する方法。 - 【請求項4】 発振器を含めて前記感知ヘッド内の全て
により運転されるサンプルホールド手段によってRF周
波数を1MHzもしくはそれ以下に減少させることをさ
らに有する請求項2に記載のRFプラズマを監視する方
法。 - 【請求項5】 前記サンプルホールド手段が低域通過フ
ィルターの前に位置するマイクロ波スイッチであり、前
記発振器が前記マイクロ波スイッチのオン、オフを切り
替える矩形波出力をもち、他方前記フィルターが前記ス
イッチの出力を保持するコンデンサを含んでいる請求項
4に記載のRFプラズマを監視する方法。 - 【請求項6】 前記処理が、RMS電圧、RMS電流お
よび真電力から負荷インピーダンスの大きさと位相を引
き出すことを含んでいる請求項2に記載のRFプラズマ
を監視する方法。 - 【請求項7】 a.RF発電機と負荷の間のRF伝送線
路内に直列に接続可能な感知ヘッドと、 b.RF電圧とRF電流を検出するための、前記感知ヘ
ッド内のタップと、 c.検出されたRF電圧およびRF電流の信号の周波数
を1MHzを越えない減ぜられた周波数に減ずるため
の、前記感知ヘッド内の波形サンプリング手段と、 d.前記感知ヘッドに接続された処理装置であり、
(1).前記減ぜられた周波数の前記RF電圧およびR
F電流を乗算して電力を提供する乗算器と、(2).前
記電力をアナログ信号へ変換する積分器と、(3).前
記アナログ信号をデジタル信号へ変換するアナログ−デ
ジタル変換器と、(4).オフセットを抽出し、真電力
を付与するために利得を一定にするデジタルデータプロ
セッサと、を有する前記処理装置と、 を有するRF負荷の電気パラメータを監視するためのR
Fパワーモニター。 - 【請求項8】 前記RF発電機と前記感知ヘッドとの間
に接続されていて、前記RF発電機のインピーダンスと
前記負荷とを整合するためのインピーダンス整合ネット
ワークをさらに有する請求項7に記載のRFパワーモニ
ター。 - 【請求項9】 前記波形サンプリング手段が、矩形波出
力を発生する発振器装置と、前記矩形波により動作され
前記減ぜられたRF周波数のサンプルを送給するマイク
ロ波スイッチとを有する請求項8に記載のRFパワーモ
ニター。 - 【請求項10】 減ぜられた周波数のRF電圧を表わす
信号を前記デジタルデータプロセッサへ接続するアナロ
グ−デジタル変換器手段をさらに有する請求項8に記載
のRFパワーモニター。 - 【請求項11】 減ぜられた周波数のRF電流を表わす
信号を前記デジタルデータプロセッサへ接続するアナロ
グ−デジタル変換器手段をさらに有する請求項10に記
載のRFパワーモニター。 - 【請求項12】 前記RF電圧とRF電流を表わす両方
の信号のためのアナログ−デジタル変換器手段の前にR
MS変換手段をさらに有する請求項11に記載のRFパ
ワーモニター。 - 【請求項13】 前記感知ヘッド内の他のタップが、前
記RF伝送線路上の直流電流バイアスを感知するための
タップである請求項8に記載のRFパワーモニター。
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US5175472A (en) | 1992-12-29 |
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