JP2003139804A - 高周波検出方法および高周波検出回路 - Google Patents
高周波検出方法および高周波検出回路Info
- Publication number
- JP2003139804A JP2003139804A JP2001332110A JP2001332110A JP2003139804A JP 2003139804 A JP2003139804 A JP 2003139804A JP 2001332110 A JP2001332110 A JP 2001332110A JP 2001332110 A JP2001332110 A JP 2001332110A JP 2003139804 A JP2003139804 A JP 2003139804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- signal
- high frequency
- circuit
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
- G01R21/01—Arrangements for measuring electric power or power factor in circuits having distributed constants
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
- G01R23/02—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage
- G01R23/14—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage by heterodyning; by beat-frequency comparison
- G01R23/145—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage by heterodyning; by beat-frequency comparison by heterodyning or by beat-frequency comparison with the harmonic of an oscillator
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
電力とを1つの負荷に供給する高周波電源装置におい
て、周波数fの高周波電力に関する情報を正確に検出す
る。 【解決手段】 周波数fの高周波信号と周波数f1の高
周波信号との混合信号である高周波信号V1を方向性結
合器12によって検出し、周波数f+Δf(ただし、f
>Δf>f1である)の高周波信号VRを局部発振器2
5によって生成し、高周波信号V1とVRの混合信号V
1×VRをミキサ26によって生成し、信号V1×VR
から周波数Δfの高周波信号V1′をフィルタ27によ
って抽出し、信号V1′に基づいて周波数fの進行波電
力Pfを検出する。したがって、周波数fの進行波電力
Pfを正確に検出することができる。
Description
よび高周波検出回路に関し、特に、第1の周波数を有す
る第1の高周波電力と第1の周波数よりも低い第2の周
波数を有する第2の高周波電力とを1つの負荷に供給す
る高周波電源装置において第1の高周波電力に関する情
報を検出するための高周波検出方法および高周波検出回
路に関する。
と比較的低い周波数f1の高周波電力とを1つの反応室
に供給するプラズマプロセス技術が開発されている。こ
のプラズマプロセス技術では、プラズマは主に周波数f
の高周波電力で生成され、周波数f1の高周波電力は基
板近傍におけるイオンの挙動を制御するために用いられ
る。
ロセス技術では、周波数fの電圧、電流、電力などを正
確に測定することが重要であるが、fがf1の1000
倍程度以上になると、その測定は困難である。なぜな
ら、反応室内で周波数fの高周波電力が周波数f1の高
周波電力で変調されて周波数f±nf1(ただし、nは
0以上の整数である)の高周波電力が発生し、周波数f
±nf1の高周波信号から周波数fの高周波信号のみを
抽出するフィルタ回路が現在では存在しないからであ
る。
圧、電流、電力などを周波数fの電圧、電流、電力など
として扱っていたので、周波数f1の電圧、電流、電力
などのレベル変化によって周波数fの電圧、電流、電力
などのレベルも変化することとなり、測定の再現性が低
かった。
1の周波数を有する第1の高周波電力と第1の周波数よ
りも低い第2の周波数を有する第2の高周波電力とを1
つの負荷に供給する高周波電源装置において、第1の高
周波電力に関する情報を容易かつ正確に検出することが
可能な高周波検出方法および高周波検出回路を提供する
ことである。
出方法は、第1の周波数を有する第1の高周波電力と第
1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第2の高周
波電力とを1つの負荷に供給する高周波電源装置におい
て第1の高周波電力に関する情報を検出するための高周
波検出方法であって、第1の周波数を有する第1の高周
波信号と第2の周波数を有する第2の高周波信号との混
合信号である第3の高周波信号を高周波電源装置の所定
のノードで検出する第1のステップと、第1および第2
の周波数の間の第3の周波数だけ第1の周波数から高周
波側または低周波側にずらした周波数を有する基準信号
を生成する第2のステップと、第1のステップで検出し
た第3の高周波信号と第2のステップで生成した基準信
号との混合信号を生成する第3のステップと、第3のス
テップで生成した混合信号から第3の周波数を有する第
4の高周波信号を抽出する第4のステップと、第4のス
テップで抽出した第4の高周波信号に基づいて第1の高
周波電力に関する情報を検出する第5のステップとを含
むものである。
第1の周波数を有する第1の高周波電力と第1の周波数
よりも低い第2の周波数を有する第2の高周波電力とを
1つの負荷に供給する高周波電源装置において第1の高
周波電力に関する情報を検出するための高周波検出回路
であって、第1の周波数を有する第1の高周波信号と第
2の周波数を有する第2の高周波信号との混合信号であ
る第3の高周波信号を高周波電源装置の所定のノードで
検出する信号検出回路と、第1および第2の周波数の間
の第3の周波数から第1の周波数から高周波側または低
周波側にずらした周波数を有する基準信号を生成する信
号発生回路と、信号検出回路によって検出された第3の
高周波信号と信号発生回路によって生成された基準信号
との混合信号を生成するミキサ回路と、ミキサ回路によ
って生成された混合信号から第3の周波数を有する第4
の高周波信号を抽出するフィルタ回路と、フィルタ回路
によって抽出された第4の高周波信号に基づいて第1の
高周波電力に関する情報を検出する情報検出回路とを備
えたものである。
路、ミキサ回路およびフィルタ回路は2組設けられる。
一方の組の信号検出回路は、所定のノードの高周波電圧
を示す第3の高周波信号を検出する。他方の組の信号検
出回路は、所定のノードの高周波電流を示す第3の高周
波信号を検出する。情報検出回路は、2つのフィルタ回
路によって抽出された2つの第4の高周波信号に基づい
て第1の高周波電力に関する情報を検出する。
による半導体製造装置の構成を示すブロック図である。
図1において、この半導体製造装置は、高周波電源1,
9、高周波センサ2,5、整合器3,8、コントローラ
4、モニタ装置6、および反応室7を備える。この半導
体製造装置は、高周波電源1からの比較的高い周波数f
(たとえば500MHz)の高周波電力と、高周波電源
9からの比較的低い周波数f1(たとえば800KH
z)の高周波電力とを1つの反応室7に供給してプラズ
マを発生させるものである。
反応室7に与えるためのメイン電源装置である。高周波
電源1は、図2に示すように、発振器10、増幅器1
1、方向性結合器12、フィルタ回路13,16、出力
電力検出器14、出力電力表示部15、反射電力検出器
17および反射電力表示部18を含む。
力する。増幅器11は、発振器10で生成された高周波
信号を所望の電力の信号に増幅する。増幅された高周波
信号は、方向性結合器12を介して整合器3に与えられ
る。
主同軸線路20、副同軸線路21および抵抗素子22,
23を含む。主同軸線路20は、内部導体20aおよび
外部導体20bを含み、増幅器11と整合器3の間の同
軸線路の一部を構成している。副同軸線路21は、内部
導体21aおよび外部導体21bを含む。外部導体20
b,21bは、ともに接地されている。副同軸線路21
の中央部は、主同軸線路20のインピーダンス変化がな
るべく小さくなるようにして、主同軸線路20の一部に
疎結合されている。抵抗素子22は、副同軸線路21の
内部導体21aの上流側端部と接地電位GNDのライン
との間に接続されている。抵抗素子23は、副同軸線路
21の内部導体21aの下流側端部と接地電位GNDの
ラインとの間に接続されている。抵抗素子22と23
は、同じ抵抗値Rを有する。
と、主同軸線路20および副同軸線路21間の結合静電
容量C0と、主同軸線路20および副同軸線路21間の
相互インダクタンスMと、抵抗素子22,23の抵抗値
Rとは、Z0=M/C0Rの関係を有する。抵抗素子2
2,23の端子間電圧をそれぞれV1,V2とし、比例
定数をKとすると、進行波電力Pfおよび反射波電力P
rはそれぞれK(V1) 2,K(V2)2となる。方向性
結合器12の出力電圧V1,V2は、それぞれフィルタ
回路13,16に与えられる。
より、周波数f±nf1の高周波信号V1を周波数Δf
の高周波信号V1′に変換するものである。周波数Δf
は、高周波電源1の周波数fよりも十分に低く、高周波
電源9の周波数f1よりも高い周波数(たとえば10.
6MHz)である。すなわち、フィルタ回路13は、図
4に示すように、局部発振器25、ミキサ26およびバ
ンドパスフィルタ(BPF)27を含む。局部発振器2
5は、高周波電源1の周波数fと所定の周波数Δfとの
和の周波数f+Δfの高周波信号VRを生成してミキサ
26に与える。ミキサ26は、方向性結合器12の出力
信号V1と局部発信器25の出力信号VRとを混合す
る。
1,9の出力信号の混合波になっており、図5に示すよ
うに、周波数f±nf1の成分を有する。ミキサ26の
出力信号V1×VRは、中心周波数f±nf1と周波数
Δf±nf1,2f+Δf±nf1の3成分を有する。
f/f1は1000程度であるので周波数f±nf1の
成分を有する信号V1から周波数fの成分を抽出するバ
ンドパスフィルタを作成するのは困難であるが、Δf/
f1は10程度であるので周波数Δf±nf1の成分を
有する信号V1×VRから周波数Δfの成分を抽出する
バンドパスフィルタを作成するのは可能である。バンド
パスフィルタ27は、信号V1×VRから周波数Δfの
信号成分V1′を抽出する。信号V1′のレベル情報お
よび位相情報は、信号V1の周波数fの成分のレベル情
報および位相情報を含んでいる。
ル情報V(たとえば振幅)を検出し、数式Pf=K′V
2(ただし、K′は比例定数である)に基づいて周波数
fの進行波電力Pfを検出する。出力電力表示部15
は、出力電力検出器14で検出された進行波電力Pfを
たとえばデジタル表示する。
同じ構成である。フィルタ回路16から反射電力検出器
17に、信号V2の周波数fの成分のレベル情報および
位相情報を含む信号V2′が与えられる。反射電力検出
器17は、信号V2′のレベル情報Vを検出し、数式P
r=K′V2に基づいて周波数fの反射波電力Prを検
出する。反射電力表示部18は、反射電力検出器17で
検出された反射波電力Prをたとえばデジタル表示す
る。
軸線路30、コイル31,32、コンデンサ33〜4
4、ダイオード45〜48、抵抗素子49〜57、可変
抵抗素子58,59、およびフィルタ回路60〜63を
含む。フィルタ回路60〜63の各々は、図4で示した
フィルタ回路13と同じ構成である。同軸線路30は、
内部導体30aおよび外部導体30bを含み、高周波電
源1と整合器3の間の同軸線路の一部を構成している。
aと電磁誘導結合されており、コイル31には内部導体
30aに流れる電流に応じたレベルおよび位相の電流I
が流れる。コイル31の一方端子は、フィルタ回路60
の入力ノード60aに接続される。キャパシタ33,3
4は、内部導体30aとフィルタ61の入力ノード61
aとの間に直列接続される。ノード61aには、内部導
体30aの電圧に応じたレベルおよび位相の電圧Vが発
生する。ダイオード46、抵抗素子52、可変抵抗素子
58、抵抗素子49およびダイオード45はフィルタ回
路61,60の出力ノード61b,60b間に直列接続
され、可変抵抗素子58の摺動端子58aは所定位置に
固定されている。端子58aには、電圧Vと電流Iの比
Zの特性インピーダンスZ0(たとえば50Ω)に対す
るずれに相当する信号VZが現われる。信号VZのレベ
ルは、整合時に0になる。
0aと電磁誘導結合されており、コイル32には内部導
体30aに流れる電流に応じたレベルおよび位相の電流
Iが流れる。コイル32の2つの端子は、それぞれフィ
ルタ回路62,63の入力ノード62a,63aに接続
される。キャパシタ39,40は、内部導体30aとノ
ードN54との間に直列接続される。ノードN54に
は、内部導体30aの電圧に応じたレベルおよび位相の
電圧Vが発生する。ノードN54は、抵抗素子54,5
6を介してコイル32の2つの端子に接続されるととも
に、抵抗素子55を介して接地される。
素子59、抵抗素子51およびダイオード48はフィル
タ回路62,63の出力ノード62a,63a間に直列
接続され、可変抵抗素子59の摺動端子59aは所定位
置に固定されている。抵抗素子54〜56およびダイオ
ード47,48は、バランス・モジュールを構成する。
端子59aには、電圧Vと電流Iの位相差φに比例する
レベルの信号Vφが現われる。信号Vφのレベルは、整
合時に0になる。なお、コンデンサ35〜38,41〜
44および抵抗素子49,52,53,57は、ノイズ
除去および電位平滑化のために設けられている。
64,65および駆動装置66,67を含む。整合素子
64,65の各々のインピーダンスは制御可能になって
いる。整合器3の入力端子側から反応室7側を見たイン
ピーダンスが高周波電源1および整合器3間の同軸線路
の特性インピーダンスZ0に等しくなると、反射電力P
rが最小値になる。駆動装置66,67の各々は、モー
タ、ギアなどを含み、整合素子64,65を駆動させ
る。
信号VZのレベルが最小値になるように駆動装置66を
介して整合素子64のインピーダンスを調整するととも
に、高周波センサ2からの信号Vφのレベルが最小値に
なるように駆動装置67を介して整合素子65のインピ
ーダンスを調整する。
3と反応室7の間の配線の電圧Vおよび電流Iを検出す
る。高周波センサ5は、たとえば、図6に示した高周波
センサ2のうちのコイル31、コンデンサ33,34、
抵抗素子50およびフィルタ回路60,61を含む。フ
ィルタ回路60,61の出力ノード60b,61bは、
モニタ装置6に接続される。モニタ装置6は、たとえば
オシロスコープで構成される。モニタ装置6により、反
応室7の電極間電圧、電流、インピーダンスをモニタす
ることができ、電極間プラズマの状態を検知することが
できる。
を反応室7に与えるためのバイアス電源装置である。整
合器8は、高周波電源9への反射波電力を最小値に抑え
るために設けられている。整合器8は、コイルおよびキ
ャパシタを含み、高周波電源1からの高周波電力が高周
波電源9に入力されるのを防止する役目も果たしてい
る。
えば2枚の平行平板電極71,72が設けられている。
電極71,72には、それぞれ高周波電源1,9からの
高周波電力が与えられる。電極72の表面には、基板7
3がセットされる。
プ(図示せず)によって反応室7内の空気が排出され
る。次いで所定のガスが所定流量で反応室7内に導入さ
れるとともに真空ポンプの排気速度が調整されて、反応
室7内が所定の圧力に調整される。
の高周波電力が反応室7に与えられる。これにより、電
極71,72間のガスが電離されてプラズマ状態にな
る。ガスをプラズマ化させるための電力は主に高周波電
源1から供給され、ガスイオンを基板73に入射させる
ための電力は主に高周波電源9から供給される。エッチ
ング用のガス(たとえばCF4)を用いた場合は基板7
3の表面がエッチングされ、成膜用のガス(たとえばS
iH4)を用いた場合は基板73の表面に膜が堆積す
る。
号と周波数f1の高周波信号との混合信号をヘテロダイ
ン方式を用いて周波数Δf(f>Δf>f1)の高周波
信号に変換し、その高周波信号に基づいて周波数fの高
周波電圧、電流、それらの比、それらの位相差、電力な
どを検出する。したがって、周波数fの高周波電圧など
を容易かつ正確に検出することができ、高周波電力を正
確に制御することができる。
5は高周波電源1の周波数fと所定の周波数Δfとの和
の周波数f+Δfの高周波信号VRを生成してミキサ2
6に与えたが、局部発振器25がfとΔfの差の周波数
f−Δfの高周波信号VRを生成しても同じ結果が得ら
れることは言うまでもない。ただし、この場合は、ミキ
サ26の出力信号V1×VRは、中心周波数f±nf1
と周波数Δf±nf1,2f−Δf±nf1の3成分を
有する。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
出方法では、第1の周波数を有する第1の高周波電力と
第2の周波数を有する第2の高周波電力との混合信号で
ある第3の高周波信号を高周波電源装置の所定のノード
で検出する第1のステップと、第1および第2の周波数
の間の第3の周波数だけ第1の周波数から高周波側また
は低周波側にずらした周波数を有する基準信号を生成す
る第2のステップと、第1のステップで検出した第3の
高周波信号と第2のステップで生成した基準信号との混
合信号を生成する第3のステップと、第3のステップで
生成した混合信号から第3の周波数を有する第4の高周
波信号を抽出する第4のステップと、第4のステップで
抽出した第4の高周波信号に基づいて第1の高周波電力
に関する情報を検出する第5のステップとが行われる。
したがって、第1の周波数の第1の高周波信号と第2の
周波数の第2の高周波信号との混合信号である第3の高
周波信号をヘテロダイン方式を用いて第1および第2の
周波数の間の第3の周波数の第4の高周波信号に変換
し、その第4の高周波信号に基づいて第1の高周波電力
に関する情報を検出するので、第1の高周波電力に関す
る情報を容易かつ正確に検出することができ、高周波電
源装置を正確に制御することができる。
は、第1の周波数を有する第1の高周波電力と第2の周
波数を有する第2の高周波電力との混合信号である第3
の高周波信号を高周波電源装置の所定のノードで検出す
る信号検出回路と、第1および第2の周波数の間の第3
の周波数だけ第1の周波数から高周波側または低周波側
にずらした周波数を有する基準信号を生成する信号発生
回路と、信号検出回路によって検出された第3の高周波
信号と信号発生回路によって生成された基準信号との混
合信号を生成するミキサ回路と、ミキサ回路によって生
成された混合信号から第3の周波数を有する第4の高周
波信号を抽出するフィルタ回路と、フィルタ回路によっ
て抽出された第4の高周波信号に基づいて第1の高周波
電力に関する情報を検出する情報検出回路とが設けられ
る。したがって、第1の周波数の第1の高周波信号と第
2の周波数の第2の高周波信号との混合信号である第3
の高周波信号をヘテロダイン方式を用いて第1および第
2の周波数の間の第3の周波数の第4の高周波信号に変
換し、その第4の高周波信号に基づいて第1の高周波電
力に関する情報を検出するので、第1の高周波電力に関
する情報を容易かつ正確に検出することができ、高周波
電源装置を正確に制御することができる。
路、ミキサ回路およびフィルタ回路が2組設けられ、一
方の組の信号検出回路は所定のノードの高周波電圧を示
す第3の高周波信号を検出し、他方の組の信号検出回路
は所定のノードの高周波電流を示す第3の高周波信号を
検出し、情報検出回路は、2つのフィルタ回路によって
抽出された2つの第4の高周波信号に基づいて第1の高
周波電力に関する情報を検出する。この場合は、高周波
電圧、高周波電流、それらの比、それらの位相差などを
検出することができる。
置の構成を示すブロック図である。
ック図である。
図である。
ック図である。
ためのスペクトル図である。
路ブロック図である。
図である。
整合器、4 コントローラ、6 モニタ装置、7 反応
室、10 発振器、11 増幅器、12 方向性結合
器、13,16,60〜63 フィルタ回路、14 出
力電力検出器、15 出力電力表示部、17 反射電力
検出器、18 反射電力表示部、20,21,30 同
軸線路、20a,21a,30a 内部導体、20b,
21b,30b 外部導体、22,23,49〜57
抵抗素子、25 局部発振器、26ミキサ、27 バン
ドパスフィルタ、31,32 コイル、33〜44 コ
ンデンサ、45〜48 ダイオード、58,59 可変
抵抗素子、64,65 整合素子、66,67 駆動装
置、71,72 平行平板電極、73 基板。
Claims (3)
- 【請求項1】 第1の周波数を有する第1の高周波電力
と前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第
2の高周波電力とを1つの負荷に供給する高周波電源装
置において前記第1の高周波電力に関する情報を検出す
るための高周波検出方法であって、 前記第1の周波数を有する第1の高周波信号と前記第2
の周波数を有する第2の高周波信号との混合信号である
第3の高周波信号を前記高周波電源装置の所定のノード
で検出する第1のステップ、 前記第1および第2の周波数の間の第3の周波数だけ前
記第1の周波数から高周波側または低周波側にずらした
周波数を有する基準信号を生成する第2のステップ、 前記第1のステップで検出した第3の高周波信号と前記
第2のステップで生成した基準信号との混合信号を生成
する第3のステップ、 前記第3のステップで生成した混合信号から前記第3の
周波数を有する第4の高周波信号を抽出する第4のステ
ップ、および前記第4のステップで抽出した第4の高周
波信号に基づいて前記第1の高周波電力に関する情報を
検出する第5のステップを含む、高周波検出方法。 - 【請求項2】 第1の周波数を有する第1の高周波電力
と前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第
2の高周波電力とを1つの負荷に供給する高周波電源装
置において前記第1の高周波電力に関する情報を検出す
るための高周波検出回路であって、 前記第1の周波数を有する第1の高周波信号と前記第2
の周波数を有する第2の高周波信号との混合信号である
第3の高周波信号を前記高周波電源装置の所定のノード
で検出する信号検出回路、 前記第1および第2の周波数の間の第3の周波数だけ前
記第1の周波数から高周波側または低周波側にずらした
周波数を有する基準信号を生成する信号発生回路、 前記信号検出回路によって検出された第3の高周波信号
と前記信号発生回路によって生成された基準信号との混
合信号を生成するミキサ回路、 前記ミキサ回路によって生成された混合信号から前記第
3の周波数を有する第4の高周波信号を抽出するフィル
タ回路、および前記フィルタ回路によって抽出された第
4の高周波信号に基づいて前記第1の高周波電力に関す
る情報を検出する情報検出回路を備える、高周波検出回
路。 - 【請求項3】 前記信号検出回路、前記信号発生回路、
前記ミキサ回路および前記フィルタ回路は2組設けら
れ、 一方の組の信号検出回路は、前記所定のノードの高周波
電圧を示す第3の高周波信号を検出し、 他方の組の信号検出回路は、前記所定のノードの高周波
電流を示す第3の高周波信号を検出し、 前記情報検出回路は、2つのフィルタ回路によって抽出
された2つの第4の高周波信号に基づいて前記第1の高
周波電力に関する情報を検出する、請求項2に記載の高
周波検出回路。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001332110A JP3778842B2 (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 高周波検出方法および高周波検出回路 |
CNB028218787A CN1300594C (zh) | 2001-10-30 | 2002-08-01 | 高频检测方法及高频检测电路 |
EP02746161A EP1443334B1 (en) | 2001-10-30 | 2002-08-01 | High frequency detection method and high frequency detection circuit |
PCT/JP2002/007884 WO2003038453A1 (fr) | 2001-10-30 | 2002-08-01 | Procede de detection de haute frequence et circuit de detection de haute frequence |
DE60234948T DE60234948D1 (de) | 2001-10-30 | 2002-08-01 | Hochfrequenzdetektionsverfahren und -schaltung |
KR1020047006196A KR100615127B1 (ko) | 2001-10-30 | 2002-08-01 | 고주파 검출 방법 및 고주파 검출 회로 |
US10/487,431 US6958630B2 (en) | 2001-10-30 | 2002-08-01 | High-frequency detection method and high-frequency detection circuit |
TW091117429A TW560228B (en) | 2001-10-30 | 2002-08-02 | High-frequency detecting method and high-frequency detecting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001332110A JP3778842B2 (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 高周波検出方法および高周波検出回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003139804A true JP2003139804A (ja) | 2003-05-14 |
JP3778842B2 JP3778842B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=19147579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001332110A Expired - Fee Related JP3778842B2 (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 高周波検出方法および高周波検出回路 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6958630B2 (ja) |
EP (1) | EP1443334B1 (ja) |
JP (1) | JP3778842B2 (ja) |
KR (1) | KR100615127B1 (ja) |
CN (1) | CN1300594C (ja) |
DE (1) | DE60234948D1 (ja) |
TW (1) | TW560228B (ja) |
WO (1) | WO2003038453A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179030A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 高周波電源及びその制御方法 |
JP2008276966A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
JP2011217482A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
JP4807850B2 (ja) * | 2003-07-15 | 2011-11-02 | アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド | Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス |
WO2019035223A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | 株式会社Kokusai Electric | プラズマ生成装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101150878B1 (ko) * | 2006-04-11 | 2012-05-29 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 스펙트럼 분석기 |
JP5426811B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2014-02-26 | パール工業株式会社 | 高周波電源装置 |
JP4934529B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2012-05-16 | 株式会社日立製作所 | 無線受信回路、並びに無線トランシーバ回路及びそのキャリブレーション方法 |
KR100915817B1 (ko) * | 2007-10-09 | 2009-09-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | Dll 회로 |
US9529025B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-12-27 | Covidien Lp | Systems and methods for measuring the frequency of signals generated by high frequency medical devices |
US9591739B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-03-07 | Reno Technologies, Inc. | Multi-stage heterodyne control circuit |
US9854659B2 (en) | 2014-10-16 | 2017-12-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Noise based frequency tuning and identification of plasma characteristics |
US9748076B1 (en) | 2016-04-20 | 2017-08-29 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus for frequency tuning in a RF generator |
EP3616235A4 (en) | 2017-07-07 | 2021-02-24 | Advanced Energy Industries, Inc. | INTER-PERIODIC CONTROL SYSTEM FOR PLASMA POWER SUPPLY SYSTEM AND ITS OPERATING PROCESS |
US11804362B2 (en) | 2018-12-21 | 2023-10-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning for modulated plasma systems |
CN109975722B (zh) * | 2019-03-17 | 2021-09-14 | 江苏神州半导体科技有限公司 | 一种射频电源的检测方法 |
US11929235B2 (en) | 2019-06-07 | 2024-03-12 | Lam Research Corporation | Systems and methods for tuning a MHz RF generator within a cycle of operation of a kHZ RF generator |
CN112447471A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子处理系统和等离子处理系统的运行方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07104379B2 (ja) * | 1986-12-19 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | 信号電力検出回路 |
JP3369651B2 (ja) * | 1993-07-16 | 2003-01-20 | 株式会社アドバンテスト | スペクトラムアナライザの電力測定装置及び方法 |
US5474648A (en) * | 1994-07-29 | 1995-12-12 | Lsi Logic Corporation | Uniform and repeatable plasma processing |
US5585766A (en) | 1994-10-27 | 1996-12-17 | Applied Materials, Inc. | Electrically tuned matching networks using adjustable inductance elements |
US6252354B1 (en) | 1996-11-04 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control |
EP0840350A2 (en) | 1996-11-04 | 1998-05-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma apparatus and process with filtering of plasma sheath-generated harmonics |
US6351683B1 (en) * | 1997-09-17 | 2002-02-26 | Tokyo Electron Limited | System and method for monitoring and controlling gas plasma processes |
JP2001516940A (ja) * | 1997-09-17 | 2001-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Rfプラズマシステムにおけるアーキングを検出しかつ防止するための装置および方法 |
US6020794A (en) * | 1998-02-09 | 2000-02-01 | Eni Technologies, Inc. | Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator |
TW502264B (en) * | 2000-08-26 | 2002-09-11 | Samsung Electronics Co Ltd | RF matching unit |
US6791274B1 (en) * | 2003-07-15 | 2004-09-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | RF power control device for RF plasma applications |
-
2001
- 2001-10-30 JP JP2001332110A patent/JP3778842B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-01 WO PCT/JP2002/007884 patent/WO2003038453A1/ja active Application Filing
- 2002-08-01 DE DE60234948T patent/DE60234948D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-01 US US10/487,431 patent/US6958630B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-01 CN CNB028218787A patent/CN1300594C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-01 EP EP02746161A patent/EP1443334B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-01 KR KR1020047006196A patent/KR100615127B1/ko active IP Right Grant
- 2002-08-02 TW TW091117429A patent/TW560228B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179030A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 高周波電源及びその制御方法 |
JP4807850B2 (ja) * | 2003-07-15 | 2011-11-02 | アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド | Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス |
USRE42917E1 (en) | 2003-07-15 | 2011-11-15 | Advanced Energy Industries, Inc. | RF power control device for RF plasma applications |
JP2008276966A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
JP2011217482A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
WO2019035223A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | 株式会社Kokusai Electric | プラズマ生成装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
CN110959312A (zh) * | 2017-08-14 | 2020-04-03 | 株式会社国际电气 | 等离子体生成装置、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法 |
JPWO2019035223A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2020-04-16 | 株式会社Kokusai Electric | プラズマ生成装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US11629408B2 (en) | 2017-08-14 | 2023-04-18 | Kokusai Electric Corporation | Plasma generation device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040048999A (ko) | 2004-06-10 |
CN1582396A (zh) | 2005-02-16 |
US6958630B2 (en) | 2005-10-25 |
WO2003038453A1 (fr) | 2003-05-08 |
EP1443334A4 (en) | 2005-03-30 |
DE60234948D1 (de) | 2010-02-11 |
EP1443334B1 (en) | 2009-12-30 |
TW560228B (en) | 2003-11-01 |
JP3778842B2 (ja) | 2006-05-24 |
KR100615127B1 (ko) | 2006-08-22 |
US20040212400A1 (en) | 2004-10-28 |
EP1443334A1 (en) | 2004-08-04 |
CN1300594C (zh) | 2007-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003139804A (ja) | 高周波検出方法および高周波検出回路 | |
US8643281B2 (en) | Signal generation system | |
US11195697B2 (en) | Plasma control apparatus | |
EP0806126B1 (en) | Method and apparatus for generating plasma | |
JP4270872B2 (ja) | インピーダンスをモニターするシステム並びに方法 | |
JP4807850B2 (ja) | Rfプラズマ印加用の改良型rf電力制御デバイス | |
TWI430715B (zh) | 高頻電源裝置及高頻功率供給方法 | |
KR101293877B1 (ko) | 고주파 전원 장치 | |
US11410832B2 (en) | RF measurement system and method | |
US6714033B1 (en) | Probe for direct wafer potential measurements | |
JPH04196529A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4131793B2 (ja) | 高周波電源及びその制御方法、並びにプラズマ処理装置 | |
KR102161155B1 (ko) | 플라즈마 발생 장치의 rf 전력 모니터링 장치 | |
JPH09266098A (ja) | プラズマ状態検出装置及びその方法並びにエッチング終点検出装置及びその方法 | |
KR102161156B1 (ko) | 플라즈마 발생 장치의 rf 전력 모니터링 장치 및 방법 | |
CN113820531B (zh) | 一种射频系统状态受控的半导体设备 | |
KR100750203B1 (ko) | 반도체/디스플레이 제조장비의 rf 플라즈마 임피던스검출기 | |
US7046016B2 (en) | Potential fixing device, potential fixing method, and capacitance measuring instrument | |
JP2009295573A (ja) | インピーダンス測定装置 | |
JPS62280378A (ja) | プラズマ制御装置 | |
JP2003021653A (ja) | 半導体製造装置用の電源供給手段 | |
KR20070006217A (ko) | 알에프 매칭 장치 및 그것을 포함한 반도체 제조 설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20060111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060214 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20060127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3778842 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090310 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130310 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140310 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |