JP4807080B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハをガラス基板に陽極接合して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関する。

従来より、半導体デバイスを製造するうえで、ガラス基板と半導体ウェハとを接合する方法が、例えば特許文献１で提案されている。具体的に、特許文献１では、複数の半導体ウェハの間にガラス基板を挟み、半導体ウェハを陽極とし、ガラス基板を陰極として直流電圧を印加すると共に加熱することで、複数の半導体ウェハとガラス基板とを陽極接合する方法が提案されている。

上記のように半導体ウェハの面でガラス基板に加重を加えて陽極接合する方法の他に、半導体ウェハ上のうち複数の場所に加重を印加して半導体ウェハをガラス基板に陽極接合する方法が知られている。この方法では、半導体ウェハ上の表面のうち例えば４カ所の半導体チップを犠牲にしてそれぞれに加重を印加し、上記のように半導体ウェハとガラス基板との間に電圧を印加することにより、半導体ウェハとガラス基板とを陽極接合する。
特開平１１−８７２０１号公報

しかしながら、上記従来の技術において、半導体ウェハのうち複数の場所に加重を印加して半導体ウェハとガラス基板とを陽極接合する場合、複数の場所でそれぞれ加圧したとしても、それぞれの場所から同心円状に接合が行われていく。このため、半導体ウェハの面内で発生する応力が変動してしまい、半導体ウェハとガラス基板との間にたわみが発生する可能性がある。また、半導体ウェハのたわみによって、半導体ウェハとガラス基板との間に陽極接合されない空間（ボイド）が形成されてしまう可能性がある。このような状態で陽極接合を続けていくと、半導体ウェハが割れて半導体ウェハ内で局所的に素子破壊が起こったり、ウェハとガラス基板とのずれが発生する可能性がある。

特に、半導体ウェハのサイズが大きい場合では、半導体ウェハ内に生じる応力によって半導体ウェハの反りが大きくなり、上記のようなたわみや空間が生じやすくなってしまう。

なお、半導体ウェハの面でガラス基板に加圧する方法では、半導体ウェハの面を傷つける可能性があり、例えば半導体ウェハに形成された半導体素子が破壊される可能性があるため、半導体素子の歩留まりが低下する。したがって、半導体ウェハの面でガラス基板に加圧する方法は好ましくない。

本発明は、上記点に鑑み、半導体素子が形成された半導体ウェハにガラス基板を陽極接合する場合において、半導体ウェハの破壊を防止することができ、半導体ウェハとガラス基板とのズレを抑制することができる半導体装置の製造方法を目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、半導体ウェハ（３０）に複数の陽極接合用パッド（５０）を形成し、かつ、陽極接合用パッドに接続されたコンタクト用配線（６０）がスクライブ上に形成されたものを用意し、半導体ウェハに設けられた陽極接合用パッドに対応した場所に半導体ウェハに加重を印加するための突起部（２２１〜２２４）が設けられた加重部材（２２０）を用いて、加重部材に設けられた突起部を陽極接合用パッドに押し当て、この加重部材で半導体ウェハをガラス基板側に押し、ガラス基板に対して半導体ウェハに加重を印加し、半導体ウェハとガラス基板とを陽極接合することを特徴とする。

このようにすれば、半導体ウェハに電圧を印加した際、スクライブライン上のコンタクト用配線を介して半導体ウェハ全体に電圧を印加することができる。すなわち、陽極接合する範囲が陽極接合用パッドの付近だけでなくコンタクト用配線の部分も含まれるようになるため広くなる。これにより、半導体ウェハの広範囲で均一に陽極接合を行うことができ、サイズが大きい半導体ウェハを用いる場合に、半導体ウェハの反りやたわみによって半導体ウェハとガラス基板との間に形成される空間（ボイド）を防止できる。したがって、このようなボイドの防止により、半導体ウェハを破壊することなく陽極接合を行うことができる。

また、半導体ウェハとして、多数の半導体チップのうち複数の半導体チップ上に陽極接合用パッド（５０）を形成したものを用意することができる。複数のパッドを設けることで、半導体ウェハとガラス基板とのズレを抑制することができる。

このとき、半導体チップとして用いることができない半導体ウェハの外縁部に位置するものの上に陽極接合用パッドを形成したものにしても良い。

他に、半導体ウェハとして、半導体チップの特性評価を行うための評価用エリア（３０ａ）に陽極接合用パッド（５１）を形成したものを用意することもできる。

また、半導体ウェハとして、スクライブラインや、スクライブラインが交差する場所に陽極接合用パッド（５２、５３）を形成したものであっても良い。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される半導体装置は、例えば加速度センサや圧力センサ等として用いられるものである。

図１は、本発明に係る製造方法によって形成された半導体装置の概略断面図である。この図に示されるように、半導体装置１００は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０上に設置された半導体チップ２０と、を備えて構成されている。

ガラス基板１０は、板部材であり、例えば半導体装置１００を他の部材に設置するための台座等としての役割を果たすものである。

また、半導体チップ２０は、物理量を検出してその物理量に応じたレベルの電気信号を発生するものである。例えば、半導体チップ２０が圧力センサとして用いられるものである場合、半導体チップ２０はピエゾ抵抗効果を利用した周知構成のものである。すなわち、半導体チップ２０は、歪み部としてのダイヤフラムを有し、このダイヤフラムに拡散抵抗などにより形成されたブリッジ回路などを備えた構成となっている。

そして、これらガラス基板１０および半導体チップ２０は、それぞれ対向する面が陽極接合されて一体とされ、半導体装置１００が構成されている。

次に、上記半導体装置１００を製造する方法について説明する。本実施形態では、上述のように、ガラス基板１０と半導体チップ２０とを陽極接合している。陽極接合とは、ガラスと半導体ウェハ３０や金属、ガラス等とを密着接合する方法であり、これらを重ね合わせて加熱して高電圧を印加することにより互いの引力によって接合する方法である。以下、図を参照して半導体装置１００の製造方法について説明する。

図２および図３は、図１に示される半導体装置１００を製造する工程をそれぞれ示したものである。図２（ａ）は半導体ウェハ３０のうち一部の平面図、図２（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。本実施形態では、図２（ｂ）に示されるように、Ｐ−型のシリコン基板３１ａの表面にＮ型のエピタキシャル層３１ｂが形成されたものを半導体ウェハ３０と定義し、この半導体ウェハ３０に半導体チップ２０等が形成されているのである。図３は図２に続く製造工程を示した図である。

図２に示す工程では、ウェハ工程を行う。すなわち、図２（ａ）に示されるように、具体的には、例えば５インチや６インチの半導体ウェハ３０を用意し、この半導体ウェハ３０に多数の半導体チップ２０を形成する。

各半導体チップ２０はスクライブライン４０で区画され、このスクライブライン４０の領域には、アイソレーションとしてＰ＋型層３２が形成されている。このＰ＋型層は、各半導体チップ２０を区画する役割の他に、電流を流す導電層として機能する。

続いて、半導体チップ２０上に図示しない配線を形成する。これは、半導体ウェハ３０上に層間膜３３を形成し、この層間膜３３をパターニングした後、例えばスパッタリングの方法により配線を形成する。そして、半導体チップ２０の表面を保護するためのパッシベーション膜３４を形成する。

このように、層間膜３３、図示しない配線、およびパッシベーション膜３４を形成する上で、半導体ウェハ３０に多数形成された半導体チップ２０のうち、陽極接合の際に加重が印加されるものにおいては、図２（ｂ）に示される構造として層間膜３３、図示しない配線、パッシベーション膜３４を形成する。

具体的に、図２（ｂ）に示されるように、犠牲となる半導体チップ２０（以下、犠牲チップという）において、犠牲チップおよび犠牲チップに隣接するＰ＋型層３２の一部が覆われるように層間膜３３を形成する。そして、層間膜３３を覆うように陽極接合用パッド５０を形成する。犠牲チップにおける層間膜３３および陽極接合用パッド５０の形成は、半導体チップ２０における層間膜３３および配線を形成する際に同時に行う。

すなわち、半導体ウェハ３０の各半導体チップ２０に対し、製品となる半導体チップ２０上には配線のパターンを形成し、陽極接合の際に犠牲となる犠牲チップ上には陽極接合用パッド５０のパターンを形成する。犠牲チップ上に形成する層間膜３３には、図示しない開口部が多数形成されており、陽極接合用パッド５０と犠牲チップとの電気的導通が図られている。なお、図２（ａ）において、各半導体チップ２０上の層間膜３３やパッシベーション膜３４を省略してある。

また、本実施形態では、半導体チップ２０上に図示しない配線を形成する際や、犠牲チップ上に陽極接合用パッド５０を形成する際に、スクライブライン４０上にコンタクト用配線６０も同時に形成する。このコンタクト用配線６０は、犠牲チップ上に形成された陽極接合用パッド５０に接続されており、次で説明する陽極接合の際に半導体ウェハ３０とガラス基板１０との接合を促進するためのものである。このようなコンタクト用配線６０の材質として、例えばＡｌ（アルミニウム）が採用される。なお、図２（ａ）において、コンタクト用配線６０を点線の領域で示した。

図３に示す工程では、半導体ウェハ３０とガラス基板１０とを接合する。まず、図３に示される陽極接合装置２００について説明する。本実施形態では、陽極接合装置２００は、直流電源２１０と、加重部材２２０と、電極部材２３０と、重り２４０と、図示しないヒータと、を備えて構成されている。

なお、絶対圧を検出するための圧力センサを製造するためには、ダイヤフラムとガラスとの間に真空室を設ける必要があるため、陽極接合装置２００は、真空中で陽極接合することができる図示しない真空チャンバを有している。

直流電源２１０は、加重部材２２０を陽極、電極部材２３０を陰極として、加重部材２２０および電極部材２３０に直流電圧を印加するものであり、半導体ウェハ３０とガラス基板１０とを高温に加熱し例えば６００Ｖの高電圧を発生させて両者に印加する。

加重部材２２０は、半導体ウェハ３０のうち複数の犠牲センサをガラス基板１０側に押し込むためのものであり、導電性部材で構成されたものである。この加重部材２２０は、例えば円板形状をなしており、半導体ウェハ３０と重なり合ったときに半導体ウェハ３０に設けられた犠牲チップに対応した場所に突起部２２１〜２２４が形成されている。この突起部２２１〜２２４は、例えばサイコロ形状になっており、加重部材２２０のうち半導体ウェハ３０と対向する面に例えばウェハ径にもよるが、４〜５インチ径の半導体ウェハ３０の場合７〜１３カ所程度設けられている。すなわち、半導体ウェハ３０において、加重部材２２０の各突起部２２１〜２２４に対応する７〜１３カ所の半導体チップ２０が犠牲チップとなる。

電極部材２３０は、ガラス基板１０を陰極に印加するための板部材であり、例えばカーボントレイが採用される。つまり、このカーボントレイに直流電圧の陰極が接続され、カーボントレイ上にガラス基板１０が設置されることとなる。

重り２４０は、加重部材２２０に加重を印加するためのものである。すなわち、本実施形態では、図３に示されるように、電極部材２３０上にガラス基板１０が設置され、ガラス基板１０上に半導体ウェハ３０が設置される。そして、加重部材２２０の突起部２２１〜２２４が設けられた面が半導体ウェハ３０に対向するように、半導体ウェハ３０上に加重部材２２０が設置され、加重部材２２０上に重り２４０が乗せられる。

上記のような陽極接合装置２００に、図３に示されるように半導体ウェハ３０を設置し、図示しないヒータでチャンバ内を例えば３５０℃に加熱する。これにより、ガラス基板１０が軟化する。

また、加重部材２２０と電極部材２３０との間に直流電圧を印加する。これにより、直流電源２１０から加重部材２２０、突起部２２１〜２２４、陽極接合用パッド５０、そしてコンタクト用配線６０に陽極の高電圧を印加する。すなわち、陽極接合用パッド５０を介してエピタキシャル層３１ｂおよびシリコン基板３１ａに高電圧を印加すると共に、コンタクト用配線６０を介してＰ＋型層３２およびシリコン基板３１ａに高電圧を印加する。逆に、ガラス基板１０は陰極となっている。したがって、シリコン基板３１ａとガラス基板１０とを静電引力によって接合することができる。

このようにして接合する際、加重部材２２０上に重り２４０を乗せて、半導体ウェハ３０およびガラス基板１０に加重をかけているため、シリコン基板３１ａのシリコンとガラス基板１０の酸素とのシリコン−酸素の共有結合を促進することができる。

このとき、犠牲センサ上の陽極接合用パッド５０およびコンタクト用配線６０を介して半導体ウェハ３０の広範囲に高電圧を印加することができるので、半導体ウェハ３０の広範囲で均一に接合を行うことができる。すなわち、半導体ウェハ３０の反りやたわみによって半導体ウェハ３０とガラス基板１０との間に形成される空間（ボイド）を防止できる。また、このようなボイドの防止により、半導体ウェハ３０を破壊することなく陽極接合することができる。

この後、ダイシング工程を行い、半導体ウェハ３０のスクライブライン４０に沿ってダイシングカットすることにより、各半導体チップ２０を分割することで、図１に示される半導体装置１００が完成する。

以上説明したように、本実施形態では、半導体ウェハ３０に形成した半導体チップ２０のうちいくつかを犠牲にして、その犠牲にしたチップ上に陽極接合用パッド５０を形成すると共に、この陽極接合用パッド５０に接続されたコンタクト用配線６０をスクライブライン４０上に形成することを特徴としている。

これにより、陽極接合用パッド５０、そしてスクライブライン４０上のコンタクト用配線６０を介して半導体ウェハ３０全体に電圧を印加することができる。したがって、半導体ウェハ３０全体で均一に陽極接合を行うことができ、サイズが大きい半導体ウェハ３０を用いる場合では、その半導体ウェハ３０の反りやたわみによって半導体ウェハ３０とガラス基板１０との間に形成される空間（ボイド）を防止できる。このようなボイド防止に伴い、半導体ウェハ３０を破壊することなく陽極接合を行うことができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、半導体ウェハ３０に設けられた半導体チップ２０の特性を評価する評価用エリアに、陽極接合用パッドを設けることが特徴である。

図４（ａ）は、半導体ウェハ３０のうち特性評価パターンが設けられた部分の平面図、図４（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。

図４（ａ）に示されるように、本実施形態に係る半導体ウェハ３０には評価用エリア３０ａが設けられている。本実施形態では、評価用エリア３０ａの領域内に、各半導体チップ２０の特性評価を行うための特性評価用パターン３０ｂと、陽極接合を行うための陽極接合用パッド５１と、が形成されている。この陽極接合用パッド５１は、評価用エリア３０ａの領域のうち、特性評価用パターン３０ｂが形成されていない領域に設けられている。なお、評価用エリア３０ａは半導体ウェハ３０に複数設けられている。

これら特性評価用パターン３０ｂおよび陽極接合用パッド５１は、図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、それぞれ層間膜３３およびパッシベーション膜３４で電気的に分離されている。すなわち、図４（ｂ）に示されるように、評価用エリア３０ａのうち陽極接合用パッド５１が形成された部位では、半導体ウェハ３０上に層間膜３３が形成され、この層間膜３３上に陽極接合用パッド５１が形成されており、層間膜３３および陽極接合用パッド５１上に、陽極接合用パッド５１となる部分が開口するようにパッシベーション膜３４が形成された状態になっている。

また、半導体ウェハ３０には、第１実施形態と同様に、スクライブライン４０にコンタクト用配線６０が形成されている。そして、このコンタクト用配線６０は、評価用エリア３０ａに設けられた陽極接合用パッド５１に接続されている。つまり、陽極接合用パッド５１に印加された電圧が、コンタクト用配線６０を介して半導体ウェハ３０全体に印加される。

なお、第１実施形態と同様に、加重部材２２０の突起部２２１〜２２４は、上記陽極接合用パッド５１に対応するように加重部材２２０に設けられていることは言うまでもない。

以上のように、半導体ウェハ３０として、評価用エリア３０ａに陽極接合用パッド５１を設けたものを用意しても良い。このようにして、半導体ウェハ３０に形成した半導体チップ２０を１つも犠牲にすることなく陽極接合を行うことができる。また、犠牲となる半導体チップ２０が無くなるため、有効チップ数を減らさないようにすることができ、歩留まりを向上できる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、半導体ウェハ３０のスクライブライン４０上に陽極接合用パッドを設けることが特徴である。

図５は、本実施形態に係る半導体ウェハ３０の概略平面図である。この図に示されるように、半導体ウェハ３０には多数の半導体チップ２０が形成されており、各半導体チップ２０はスクライブライン４０でそれぞれ区画されている。また、上記各実施形態と同様に、スクライブライン４０上にコンタクト用配線６０が形成されている
また、本実施形態では、スクライブライン４０が交差する場所に陽極接合用パッド５２がそれぞれ設けられている。この陽極接合用パッド５２は、スクライブライン４０が交差する各場所でコンタクト用配線６０に接続されている。

以上のように、スクライブライン４０上に陽極接合用パッド５２を設け、この陽極接合用パッド５２に印加した電圧を、コンタクト用配線６０を介して半導体ウェハ３０全体に印加するようにしても構わない。これにより、半導体ウェハ３０に対して加重を印加するポイントが第１実施形態よりも多くなるため、半導体ウェハ３０に均一に加重を印加することができる。また、半導体チップ２０を犠牲にすることなく陽極接合することができる。

（第４実施形態）
本実施形態では、第３実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、半導体ウェハ３０のスクライブライン４０上に設けられた陽極接合用パッドが点在していることが特徴である。

図６は、本実施形態に係る半導体ウェハの概略平面図である。第３実施形態と同様に、半導体ウェハ３０に設けられたスクライブライン４０上にコンタクト用配線６０が形成されている。そして、スクライブライン４０が交差する場所に陽極接合用パッド５３が設けられている。ここで、本実施形態では、陽極接合用パッド５３は、スクライブライン４０が交差するすべての場所にではなく、点在して設けられている。すなわち、第３実施形態の場合よりも、加重部材２２０の突起部が半導体ウェハ３０にコンタクトする場所の数が少なくされている。

しかしながら、図６に示されるように陽極接合用パッド５３の数を減らしたとしても、各陽極接合用パッド５３に印加した電圧を、スクライブライン４０上のコンタクト用配線６０を介することによって半導体ウェハ３０全体に印加することができる。

（第５実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、半導体ウェハ３０のスクライブライン４０上にコンタクト用配線６０を形成せずに、陽極接合用パッドのみを設けることが特徴となっている。

図７は、本実施形態に係る半導体ウェハ３０の概略平面図である。図７に示されるように、半導体ウェハ３０に設けられたスクライブライン４０上に陽極接合用パッド５４が点在して設けられている。上記各実施形態と異なり、スクライブライン４０上にコンタクト用配線６０は設けられてない。しかしながら、上記陽極接合用パッド５４が半導体ウェハ３０の広範囲に点在して設けられているため、半導体ウェハ３０に対して加重を均一に印加することができる。

以上のように、半導体ウェハ３０のスクライブライン上にコンタクト用配線６０を設けずに陽極接合用パッド５４のみを設けるようにしても構わない。

（第６実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、半導体ウェハ３０の外縁部に形成された、すなわち半導体ウェハ３０のうち有効エリア外に形成された半導体チップ２０を陽極接合のために用いることが特徴である。

図８は、本実施形態に係る半導体ウェハ３０の概略平面図である。この図に示されるように、半導体ウェハ３０の外縁部には、製品とすることができない半導体チップ２１が形成される。換言すると、これらの半導体チップ２１を陽極接合のために用いることができる。なお、図８では、このような半導体チップ２０を区別するため斜線で示してある。

すなわち、半導体ウェハ３０に形成された各半導体チップ２０のうち、有効エリア外に形成されたものを犠牲チップとして用いるのである。有効エリアとは、半導体ウェハ３０に形成された半導体チップ２０が製品として有効となる範囲であり、この範囲外の半導体チップ２１は製品として無効とされる。このような半導体チップ２１に加重を印加することにより、陽極接合を行うようにしても構わない。

なお、犠牲となる各半導体チップ２１には、第１実施形態と同様に、図示しない陽極接合用パッドが形成される。また、各陽極接合用パッドは、図示しないコンタクト用配線に接続するようにしても構わない。

（他の実施形態）
上記第１実施形態では、犠牲チップ上に層間膜３３を形成しているが、この層間膜３３を形成せずに、犠牲チップ上に陽極接合用パッド５０を直接形成しても構わない。

上記第１実施形態において、加重部材２２０の突起部２２１〜２２４の数、すなわち半導体ウェハ３０の犠牲チップの数は、例えば７〜１３カ所とされているが、これは一例を示すものであって、これに限定されるわけではない。例えば、数カ所であっても構わない。

上記第５実施形態では、半導体ウェハ３０においてスクライブライン４０が交差する場所に陽極接合用パッド５４が点在して設けられているが、スクライブライン４０が交差するすべての場所に陽極接合用パッド５４を設けても構わない。

上記第１〜第４、第６実施形態では、スクライブライン４０上にコンタクト用配線６０を設けているが、ダイシングカットの際にコンタクト用配線６０が削りかすとして残ってしまうことを防止するため、コンタクト用配線６０の配置を変更しても構わない。

コンタクト用配線の配置の具体例を図９に示す。まず、図９（ａ）に示されるように、コンタクト用配線６０をスクライブライン４０の中央に配置するのではなく、半導体チップ２０側に配置する。これにより、ダイシングカットの際、刃がコンタクト用配線６０を削らないようにすることができる。

また、図９（ｂ）に示されるように、コンタクト用配線６１、６２をスクライブライン４０上に２列に配置し、かつ、各コンタクト用配線６１、６２をそれぞれ半導体チップ２０側に配置する。これにより、ダイシングカットの刃が各コンタクト用配線６１、６２の間を削ってゆくこととなり、コンタクト用配線６１、６２を削らないようにすることができる。

本発明に係る製造方法によって形成された半導体装置の概略断面図である。 図１に示す半導体装置を製造する製造工程を示した図であり、（ａ）は半導体ウェハのうち一部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図２に続く製造工程を示した図である。 第２実施形態において、（ａ）は半導体ウェハのうち評価用エリアが設けられた部分の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 第３実施形態に係る半導体ウェハの概略平面図である。 第４実施形態に係る半導体ウェハの概略平面図である。 第５実施形態に係る半導体ウェハの概略平面図である。 第６実施形態に係る半導体ウェハの概略平面図である。 他の実施形態において、スクライブラインにおけるコンタクト用配線の配置の一例を示した図である。

符号の説明

１０…ガラス基板、２０…半導体チップ、３０…半導体ウェハ、３０ａ…評価用エリア、４０…スクライブライン、５０…陽極接合用パッド、６０…コンタクト用配線、２２０…加重部材、２２１〜２２４…突起部。

Claims (5)

1. 多数の半導体チップ（２０）が形成されると共に前記多数の半導体チップがスクライブライン（４０）で区画された半導体ウェハ（３０）を用意する第１工程と、前記半導体ウェハとガラス基板（１０）とを陽極接合する第２工程と、を有し、これら工程を行うことによって半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
   前記第１工程は、前記半導体ウェハとして、前記半導体ウェハ上に複数の陽極接合用パッド（５０〜５３）を形成し、かつ、前記陽極接合用パッドに接続されたコンタクト用配線（６０）が前記スクライブ上に形成されたものを用意する工程を含んでおり、
   前記第２工程は、
   前記半導体ウェハに設けられた前記陽極接合用パッドに対応した場所に前記半導体ウェハに加重を印加するための突起部（２２１〜２２４）が設けられた加重部材（２２０）を用意する工程と、
   前記加重部材に設けられた前記突起部を前記陽極接合用パッドに押し当て、この加重部材で前記半導体ウェハを前記ガラス基板側に押し、前記ガラス基板に対して前記半導体ウェハに加重を印加し、前記半導体ウェハと前記ガラス基板とを陽極接合する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第１工程では、前記半導体ウェハとして、前記多数の半導体チップのうちいずれか複数の半導体チップ上に陽極接合用パッド（５０）を形成したものを用意することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第１工程では、半導体チップとして用いることができない前記半導体ウェハの外縁部に位置するものの上に前記陽極接合用パッドを形成したものを用意することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１工程では、前記半導体ウェハとして、前記半導体チップの特性評価を行うための評価用エリア（３０ａ）に陽極接合用パッド（５１）を形成したものを用意することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第１工程では、前記半導体ウェハとして、前記スクライブラインが交差する場所に陽極接合用パッド（５２、５３）を形成したものを用意することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

Images