JP4803546B2 - 波長変換導波路素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献8(特開2002−341393号公報)に記載の技術では、基板の主面上に突出するリッジ型光導波路とを備えた光導波路デバイスを製造する方法であって、光導波路デバイスが第二高調波発生デバイスで、リッジ形光導波路が擬似位相整合型の周期分極反転構造を有し、アブレーション加工法によってリッジ型光導波路が形成されている。アブレーション加工の光源として、350nm以下の波長を有する光を用いることが好ましく、150〜300nmの波長を有する光を用いることがさらに好ましい。これにより、リッジ型光導波路の生産性を向上させ、その光学特性の安定性と形状の安定性とを向上させ、光導波路の表面の加工変質層を防止し、基板の主面に対するリッジ型光導波路の側面の角度を制御することができるとされている。
ベース基板2:LN(ニオブ酸リチウム:LiNbO3)
金属膜3:Ta
接着層4:ポリイミド、銀ペーストなど
下部絶縁膜5:SiO2
強誘電体単結晶基板6:Mg添加のLN
上部絶縁膜7:SiO2
電圧印加用電極8A,8B:Ta
Claims (2)
- 波長変換導波路素子の製造方法において、
強誘電体単結晶基板の一方面をベース基板に接着する貼付工程と、
前記強誘電体単結晶基板の他方面を研磨し、厚さ3μm以上5μm以下に薄板化する研磨工程と、
薄板化された前記強誘電体単結晶基板に電圧を印加して周期状分極反転構造を基板内部に形成する分極反転構造形成工程と、
を備え、
前記貼付工程前に、前記ベース基板上に金属膜を形成する金属膜形成工程を更に備え、
前記貼付工程は、前記金属膜の一部が露出するように、前記強誘電体単結晶基板を前記金属膜を介して前記ベース基板に貼り付ける工程を有し、
前記分極反転構造形成工程は、
前記強誘電体単結晶基板上に、上部絶縁膜を介して一対の電圧印加用電極を形成する工程と、
双方の前記電圧印加用電極間、及び前記金属膜と一方の前記電圧印加用電極との間に電圧を印加する電圧印加工程と、
を有し、
前記強誘電体単結晶基板のZ軸は基板の面方向に対して角度を有しており、この角度は、双方の前記電圧印加用電極間、及び前記金属膜と一方の前記電圧印加用電極との間に電圧を印加することで前記強誘電体単結晶基板内に形成される電界の向きに、Z軸が一致するように設定される波長変換導波路素子の製造方法。 - 波長変換導波路素子において、
ベース基板と、
前記ベース基板に貼り付けられた厚さ3μm以上5μm以下の強誘電体単結晶基板と、
前記強誘電体単結晶基板内に形成された周期状分極反転構造と、
を備え、
前記ベース基板と前記強誘電体単結晶基板との間に介在し前記強誘電体単結晶基板よりも低屈折率の下部絶縁膜と、
前記ベース基板と前記下部絶縁膜との間に介在する金属膜と、
前記強誘電体単結晶基板の前記ベース基板とは反対側に形成され前記強誘電体単結晶基板よりも低屈折率の上部絶縁膜と、
を備え、
前記上部絶縁膜上に形成された一対の電圧印加用電極を更に備え、
前記強誘電体単結晶基板のZ軸は基板の面方向に対して角度を有しており、この角度は、双方の前記電圧印加用電極間、及び前記金属膜と一方の前記電圧印加用電極との間に電圧を印加することで前記強誘電体単結晶基板内に形成される電界の向きに、Z軸が一致するように設定される、
波長変換導波路素子。
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