JP2016200710A - 導波路型の波長変換素子及びレーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】界面での反射による損失がなく、微細な加工が不要で、電極同士の短絡も発生しなくなる導波路型の波長変換素子及びレーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基本波を高調波に変換する波長変換素子であって、所望の位相整合条件を満たすように形成された周期的な分極反転領域部6を有するコア部41と、周期的な分極反転領域部6を挟む領域を有し該領域に電圧を印加するための電極2a,2b,5a,5bが形成されたクラッド部42とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、基本波を高調波に変換する波長変換素子であって、所望の位相整合条件を満たすように形成された周期的な分極反転領域部6を有するコア部41と、周期的な分極反転領域部6を挟む領域を有し該領域に電圧を印加するための電極2a,2b,5a,5bが形成されたクラッド部42とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、基本波を高調波に変換する導波路型の波長変換素子及びレーザ装置に関する。
周期分極反転構造を形成した波長変換素子からなる疑似位相整合(Quasi Phase Matching)素子(以下QPM素子と称する。)は、基本波を第2高調波(SHG)に波長変換する。この波長変換を効率的に行うためには、基本波と第2高調波との間で位相整合条件の成立が必要であり、位相整合条件は、基本波の波長や温度に依存する。
例えば、QPM素子の作成時の誤差で実効屈折率が狙いからずれ、狙いとする位相整合条件からずれてしまう場合や、基本波の波長のばらつきや、変調が必要な用途の場合には、位相整合条件を調整する必要がある。
このような場合には、コア部の結晶に電圧を印加してポッケルス効果によって屈折率を変化させて、位相整合条件を調整していた(特許文献1〜特許文献5)。
また、特許文献6は、表面にプロトン交換光導波路が形成されたQPM導波路を開示する。特許文献6の図1では、電極によってコア部に分極反転方向によらずに一様に電圧が印加されている。特許文献6の図6では、分極方向の向きに応じて電圧印加の向きが変わるように電極が形成されている。いずれの例の場合でも周期的分極反転部(コア部)の結晶に電圧が印加されることにより屈折率変化が発生して位相整合条件が調整される。
しかしながら、周期的分極反転部(コア部)に一様に電圧が印加されると、分極方向によって屈折率変化が異なるため、分極が変化する界面で反射が生じ、損失が発生する。この損失をなくすためには、分極毎に電圧印加方向を逆転させることが必要であるが、微細な加工が必要であり、電極同士の短絡も発生しやすい。
本発明の課題は、界面での反射による損失がなく、微細な加工が不要で、電極同士の短絡も発生しなくなる導波路型の波長変換素子及びレーザ装置を提供する。
上記課題を解決するために、本発明に係る導波路型の波長変換素子は、基本波を高調波に変換する導波路型の波長変換素子であって、所望の位相整合条件を満たすように形成された周期的分極反転領域を有するコア部と、前記周期的分極反転領域を挟む領域を有し該領域に電圧を印加するための電極が形成されたクラッド部とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、周期的分極反転領域をコア部に限定し、周期的分極反転領域が形成されていない領域を有するクラッド部の電極に電圧を印加することにより、クラッド部の屈折率が変化し、その結果、導波路の実効屈折率が変化する。これにより、位相整合条件を調整することができる。また、周期的分極反転領域に電圧が印加されないので、界面での反射による損失は発生しない。また、電極は一様な電極で良いので、微細な加工が不要となり、電極同士の短絡も発生しなくなる。
以下、本発明の導波路型の波長変換素子及びレーザ装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例1の導波路型の波長変換素子の断面図である。図1に示す導波路型の波長変換素子は、導波路型のQPM素子であり、基本波を第2高調波に変換する。実施例1の導波路型の波長変換素子は、平板状のコアを平板状のクラッドで挟み込んだスラブ型の波長変換素子である。
導波路型の波長変換素子としては、スラブ型の他に、芯状のコアをクラッドで取り囲んだ埋め込み型、芯状のコアをクラッドで取り囲んだもので、コアの一面が外部に露出している半埋め込み型、板状コアにレール上クラッドを載せて配置したリッジ型の波長変換素子を用いることができる。
図1では、座標軸(X,Y,Z軸)のX軸に垂直なY−Z断面の導波路型の波長変換素子を示している。図2は、本発明の実施例1の導波路型の波長変換素子の光進行方向(X軸)に沿った斜視図である。
保持基板1は、CLTからなり、結晶方位は座標軸(X,Y,Z軸)と一致している。保持基板1上には、電極2aと電極2bとがY軸方向に沿って所定間隔Wだけ離れて設けられている。Y軸方向に沿って、電極2aの一部と上記所定間隔Wに有する保持基板1と電極2bの一部との上部には、下クラッド層3aが形成されている。
下クラッド層3a上で且つ下クラッド層3aに対向する位置に、下クラッド層3aから所定間隔tだけ離れて上クラッド層3bが形成されている。上クラッド層3bの上部には、電極2aに対向する位置に電極5aが形成され且つ電極2bに対向する位置に電極5bが形成されている。
下クラッド層3a及び上クラッド層3bは、共に屈折率nが1.5の樹脂である。下クラッド層3aの厚みはtdであり、上クラッド層3bの厚みは、tuである。下クラッド層3aと上クラッド層3bとに挟まれた所定間隔tの領域は、薄片層4からなる。薄片層4は、MgSLTからなり、結晶方位は座標軸(X,Y,Z軸)と一致する。
Y軸方向に沿って、薄片層4の内の、電極2a,2b,5a,5bが存在しない領域の所定間隔Wよりも狭い間隔Wppの領域には、図2に示すように、X軸方向に沿って、所定の周期で分極反転された分極反転領域部6が形成されている。分極反転領域部6は、本発明のコア部41に対応し、このコア部41は、MgSLT又はMgLNからなり、所望の位相整合条件を満たすように形成され、入射された基本波を第2高調波に変換するSHG部7を構成する。基本波の波長は、例えばλ=1.064μm近辺である。光軸とコア部41のX軸結晶は一致しており、偏光方向は、コア部41のZ軸結晶に一致している。
一方、電極2aと電極5aとの間、及び電極2bと電極5bとの間には、電圧が印加されるようになっている。また、電極2aと電極5aとの間、及び電極2bと電極5bとの間の領域は、周期的に分極反転されていない。即ち、分極反転領域部6を挟む領域を有し該領域には分極反転領域部6が形成されず、電圧を印加するための電極2a,5a,2b,5bが形成されたクラッド部42が設けられている。図3は、実施例1の導波路型の波長変換素子の左右のクラッド部42に挟まれたコア部41を光が伝搬する様子を示す図である。
このように実施例1の導波路型の波長変換素子によれば、図1乃至図3に示すように、周期的な分極反転領域部6をコア部41に限定し、分極反転されていない領域であるクラッド部42に有する電極2a,2b,5a5bに電圧を印加する。
すると、コア部41の屈折率はn2であるが、クラッド部42の屈折率が低下してn1(n1<n2)となる。その結果、導波路の実効屈折率が変化する。これにより、コア部41とクラッド部42との屈折率差により、光はコア部41内に閉じ込められながらコア部41を伝搬していく。また、周期的な分極反転領域部6に電圧が印加されないので、界面での反射による損失は発生しない。また、電極2a,2b,5a,5bは一様な電極で良いので、微細な加工が不要となり、電極同士の短絡も発生しなくなる。
次に、導波路型の波長変換素子の作製方法について説明する。まず、MgSLT(z板)のZ+面にTaでX方向に周期的な櫛形電極を形成し、Z−面にもTa電極(櫛形ではなくても良い。)を形成する。櫛形電極の周期は、所望の位相整合条件を満たす周期とする。電極を形成した後に、電極に電圧を印加することにより、デューティ比が約50%の周期的分極反転構造を作製する。その後、櫛形電極を削除する。周期的分極反転構造が形成される領域は、幅Wよりも小さい幅Wppの領域に限定する。
次に、CLT基板(z板)のZ−面にTa電極2aとTa電極2bとをスバッタリングし、フォトリソ、RIE等により形成する。
次に、CLT基板(z板)のZ−面と、MgSLTのZ+面を紫外線硬化接着剤で接着する。紫外線硬化樹脂の屈折率は約1.5とする。
次に、MgSLTを薄片研磨して厚みをtにする。さらに、MgSLTのZ−面に紫外線硬化樹脂を塗布し、硬化する。
次に、フォトレジストを塗布し電極5a,5bの箇所のフォトレジストをフォトリソグラフィで除去する。その後、Ta電極を成膜し、リフトオフする。次に、ダイシング・研磨により入出端面を作製する。
ここで、W=15μm、t=15μmとする。電極2a(5a),電極2b(5b)に電圧を印加することにより、電極間の薄片層部分に、Z方向(結晶のZ−面からZ+面に向けて)に電界を印加する。このとき、電界が印加された部分の屈折率の減少分は、もともとの屈折率をnとしたとき、電気光学定数r33で1/2×n3×r33×Eと表される。LTに対する文献値r33r=30.4〔pm/V〕を用いて各印加電界(ここでは3×107〜5.5×107〔V/m〕の間で振っている)に対して位相整合波長を計算したものを図4に示した。
ここで、分極反転周期は、MgSLTバルクに対して、温度35℃、基本波波長λ=1.064〔μm〕で位相整合する値とした。図4から、印加電界により位相整合波長が変化することがわかる。また、印加電界4×107〔V/m〕を基準としてその電界からずれたときに位相整合温度がどのくらい変化するかを計算したものを図5に示した。
なお、実施例1及び以下に説明する実施例2又は3は、以下の変形例にも適用可能である。例えば、上クラッド層3bの上にCLTからなるキャップ層を張り付けても良い。また、電極2a,2b,5a,5bは、必ずしも図1に示す位置に無くても良く、上下に移動した箇所にあっても良い。例えば、透明な電極であれば、薄片層4に接触しても良く、或いはキャップ層が十分に薄ければ、電極5a,5bは、キャップ層の上にあっても良い。
また、例えば、電極2aと電極2bとが繋がってコア部41の直下にあっても良い。この場合、電極2aと電極2bとは接地し、電極5aと電極5bとに共通の電圧を印加する。また、電圧が印加されない状態で横方向に屈折率をリッジ導波路等により閉じ込めても良い。
なお、上述した実施例1では、コア部41と同質な結晶に電界を印加して屈折率を下げて位相整合条件を調整していたが、電圧の印加される箇所(左右のクラッドとなる箇所)にコア部と異質の材料、例えば液晶等を用いても良い。
実施例1では、基本波波長λ=1.064μm近辺とし、この基本波波長λから第2高調波SHG(波長λ/2)を発生させた。実施例2では、基本波波長λと第2高調波SHG(波長λ/2)とから第3高調波THG(波長λ/3)を発生させたことを特徴とする。
図6は、本発明の実施例2の導波路型の波長変換素子の光進行方向に沿った斜視図である。図6に示す実施例2の導波路型の波長変換素子は、図2に示す実施例1の導波路型の波長変換素子の構成に、さらに、分極反転領域部8を設けている。分極反転領域部6(本発明の第1波長変換部に対応)と分極反転領域部8(本発明の第2波長変換部に対応)とは、光の進行方向(X軸方向)に直列にモノリシックに形成されている。
分極反転領域部8は、分極反転周期が分極反転領域部6の分極反転周期よりも小さく、分極反転領域部6で波長変換されなかった基本波波長λと、分極反転領域部6で波長変換された第2高調波SHG(波長λ/2)とから和周波である第3高調波THG(波長λ/3)を発生させ、THG部9を構成する。
図7は、本発明の実施例2の導波路型の波長変換素子の印加電圧とTHG位相整合波長との関係を示す図である。ここで、分極反転周期は、MgSLTバルクに対して、温度35℃、基本波波長1.064〔μm〕とそのSHG(波長0.532〔μm〕)とで位相整合する値とした。図7から印加電界により位相整合波長が変化することがわかる。また、印加電界4×107〔V/m〕を基準としてその電界からずれたときに位相整合温度がどのくらい変化するかを計算したものを図8に示した。
また、分極反転領域部6,8の各々の分極反転周期は、印加電界4×107〔V/m〕で、基本波波長λ=1.064に対して、位相整合温度35℃、W=15μm、t=15μmで、分極反転領域部6,8共に位相整合するように設計されているとする。
実際の加工では、基本波波長λ、薄片層厚みt、導波路幅Wに誤差Δλ,Δt,ΔWが生ずる。このため、SHGに対する位相整合温度TSHG、THGに対する位相整合温度TTHGの間に差が生ずる。シミュレーションの結果、
なお、実施例2では、SHG部7とTHG部9とに共通の電界を印加しているが、SHG部7とTHG部9との電極を分離して、独立に電界を印加するように構成しても良い。
図10は、本発明の実施例3の導波路型の波長変換素子を含むレーザ装置を示す構成図である。図10に示すレーザ装置は、半導体レーザを有するレーザ光源11、レンズ12a,12b、QPM素子10、レンズ13、光ファイバ14を備える。
レーザ光源11に有する半導体レーザは、レーザ光の基本波を発振して出力するもので、電流駆動によって注入された電子およびホールからなるキャリア注入によって励起され、注入された電子およびホールのキャリア対消滅の際に発生する誘導放出によって発生されたレーザ光を出力する。レンズ12a,12bは、レーザ光源11からのレーザ光の基本波をQPM素子10に導く。
QPM素子10は、実施例1及び実施例2の波長変換素子であり、レンズ12bからのレーザ光の基本波を入射して、基本波を高調波に変換してレンズ13に出射する。レンズ13は、QPM素子10で波長変換された高調波のレーザ光を光ファイバ14に導く。
このように実施例1及び実施例2の導波路型の波長変換素子であるQPM素子10をレーザ装置に適用することができるので、実施例3のレーザ装置においても、実施例1及び実施例2の導波路型の波長変換素子の効果を得ることができる。
本発明は、半導体レーザ装置に利用可能である。
1 保持基板
2a,2b,5a,5b 電極
3a 上クラッド層
3b 下クラッド層
4 薄片層
6,8 分極反転領域部
7 SHG部
9 THG部
11 レーザ光源
12a,12b,13 レンズ
10 QPM素子
14 光ファイバ
2a,2b,5a,5b 電極
3a 上クラッド層
3b 下クラッド層
4 薄片層
6,8 分極反転領域部
7 SHG部
9 THG部
11 レーザ光源
12a,12b,13 レンズ
10 QPM素子
14 光ファイバ
Claims (5)
- 基本波を高調波に変換する導波路型の波長変換素子であって、
所望の位相整合条件を満たすように形成された周期的分極反転領域を有するコア部と、
前記周期的分極反転領域を挟む領域を有し該領域に電圧を印加するための電極が形成されたクラッド部と、
を備えることを特徴とする導波路型の波長変換素子。 - 前記基本波を第2高調波に変換する第1波長変換部と、
前記基本波と前記第2高調波とに基づき第3高調波を生成する第2波長変換部と、
を備えることを特徴とする請求項1記載の導波路型の波長変換素子。 - 前記コア部は、MgSLT又はMgLNからなることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の導波路型の波長変換素子。
- 前記第1波長変換部と前記第2波長変換部とは、光の進行方向に直列にモノリシックに形成されてなることを特徴とする請求項2記載の導波路型の波長変換素子。
- 基本波を発振する半導体レーザと、
前記半導体レーザからの前記基本波を入射する請求項1乃至4のいずれか1項の導波路型の波長変換素子と、
を備えることを特徴とするレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015080546A JP2016200710A (ja) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | 導波路型の波長変換素子及びレーザ装置 |
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JP2015080546A JP2016200710A (ja) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | 導波路型の波長変換素子及びレーザ装置 |
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JP2015080546A Pending JP2016200710A (ja) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | 導波路型の波長変換素子及びレーザ装置 |
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JP (1) | JP2016200710A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110943304A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-31 | 天津大学 | 一种基于固定尺寸贴片的反射相位调节方法 |
-
2015
- 2015-04-10 JP JP2015080546A patent/JP2016200710A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110943304A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-31 | 天津大学 | 一种基于固定尺寸贴片的反射相位调节方法 |
CN110943304B (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-18 | 天津大学 | 一种基于固定尺寸贴片的反射相位调节方法 |
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