JP4802581B2 - 放電灯点灯装置および画像表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、放電灯点灯装置および画像表示装置に関し、特にランプの長寿命化に関するものである。
近年、プロジェクタやリアプロジェクションTVが普及しており、その光源となる放電ランプの長寿命化が必要となってきている。放電ランプを長寿命化させるための1つの手段として、電極にダメージを与えないような始動方式の採用がある。
特許文献1(特表2003−531468号公報)に記載されているように、ランプの始動を数十kHz〜百数十kHzの高周波電流にすることで、ブレークダウン時に発生するランプヘの突入電流を無くすことができ、電極へのダメージを軽減させるとともに、両側の電極を暖める効果があるため、グロー放電からアーク放電ヘの移行をスムーズに行うことができる。このため、従来、直流や数Hz〜数百Hzの低周波で始動させていた方式から高周波で始動する方式に移行しつつある。
ただし、ランプが最も点灯しにくい状態(コールド状態)で高周波のランプ電流値(周波数)や高周波時間などの条件を決定するのが一般的である。この場合、電極温度がどんな温度であっても電極へ印加するエネルギーは一定である。そのため、ランプの消灯後、時間経過によって電極温度は低下していくが、電極の温度がまだ高いうちに再度始動を行うと、電極にとってエネルギーが供給過多となり、電極を損傷する場合がある。
特にランプ消灯後から数十秒〜数分以内では電極はまだ暖まっており、再始動を行うと電極の先端から電子が放出されるため、高周波のランプ電流値(周波数)や高周波時間などの条件をコールド状態での設定値で始動すると、電極先端の温度が必要以上に上昇し、電極の劣化や損傷を引き起こす恐れがあるため、コールド状態の各設定値より小さい値で十分である。
特表2003−531468号公報
そこで、本発明は、放電灯点灯装置およびこれを用いた画像表示装置において、ランプの始動の際の放電ランプの電極温度に応じて高周波電流の時間もしくは電流値を最適に制御することにより、放電ランプの電極へのダメージを軽減し、ランプ寿命を長くすることを目的とする。
請求項1の放電灯点灯装置は、放電ランプに高周波電圧・電流を印加して始動させる放電灯点灯装置において、図1,図4,図5,図7,図9,図11,図12に示すように、ランプの消灯後の経過状態を計測する手段と、消灯後の経過状態に応じて高周波電圧・電流の印加時間または高周波電流値を消灯後の電極温度が高いほど減少させる制御手段とを備えることを特徴とする。
請求項2の放電灯点灯装置は、請求項1の放電灯点灯装置において、図7,図9,図11に示すように、計測手段をランプ温度を検出する温度検出手段としたことを特徴とする。
請求項3の放電灯点灯装置は、請求項1の放電灯点灯装置において、図1,図4,図5,図12に示すように、計測手段を、ランプの消灯後の経過時間をカウントする計時手段としたことを特徴とする。
請求項4の放電灯点灯装置は、請求項1〜3の放電灯点灯装置において、図16,図17に示すように高周波で始動後、一定期間直流または定常点灯時より低い周波数で放電ランプを点灯することを特徴とする。
請求項5の画像表示装置は、請求項1〜4の放電灯点灯装置を用いた図18に示すようなプロジェクタやリアプロジェクションTVといった画像表示装置であることを特徴とする。
請求項1の発明によれば、ランプの消灯後の経過状態を計測し、経過状態に応じて高周波電圧・電流の印加時間または高周波電流を最適な値に制御することにより、電極へのダメージを少なくして始動することができる。
請求項2の発明によれば、ランプ消灯後の経過状態を、ランプ温度で計測し、温度に応じて高周波電圧・電流の印加時間または高周波電流を最適な値に制御することにより、電極へのダメージを少なくして始動することができる。
請求項3の発明によれば、ランプ消灯後の経過状態を、ランプ消灯後の経過時間で計測し、経過時間に応じて高周波電圧・電流の印加時間または高周波電流を最適な値に制御することにより、電極へのダメージを少なくして始動することができる。
請求項4の発明によれば、高周波で始動後、一定期間直流または定常点灯時より低い周波数でランプを点灯することにより、高周波電流より直流電流の方が電極の暖まり方が早いため、光束立ち上がりが早くなり、定常点灯状態への移行時間が短縮され、また、高周波電圧・電流の印加時間または高周波電流を最適な値に制御することにより、電極へのダメージを少なくして始動することができる。
請求項5の発明によれば、ランプの寿命が伸びるため、ランプの交換(メンテナンス)の頻度を少なくできる。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1に係る放電灯点灯装置の回路図である。この実施の形態1は、放電ランプの消灯後の経過時間に応じて、高周波電流の時間T(図2)を変更する例であり、請求項1,3に対応する実施の形態である。
以下、図1の回路構成について説明する。直流電源Eの正極はスイッチング素子Q1、インダクタL1を介してコンデンサC1の正極に接続されており、コンデンサC1の負極は電流検出用の抵抗R1を介して直流電源Eの負極に接続されている。コンデンサC1の負極には回生電流通電用のダイオードD1のアノードが接続されており、ダイオードD1のカソードはスイッチング素子Q1とインダクタL1の接続点に接続されている。スイッチング素子Q1はPWM制御回路2の出力により高周波でON・OFF駆動され、スイッチング素子Q1がONのとき、直流電源Eからスイッチング素子Q1、インダクタL1、コンデンサC1、抵抗R1を介して電流が流れ、スイッチング素子Q1がOFFのとき、インダクタL1、コンデンサC1、ダイオードD1を介して回生電流が流れる。これにより、直流電源Eの直流電圧を降圧した直流電圧がコンデンサC1に充電される。スイッチング素子Q1がONのとき、インダクタL1に流れるチョッパ電流は抵抗R1により検出され、PWM制御回路2に入力されており、所定の電流値に達すると、スイッチング素子Q1がOFFするように制御される。PWM制御回路2によりスイッチング素子Q1のONデューティ(一周期に占めるON時間の割合)を変えることにより、コンデンサC1に得られる電圧を可変制御できる。以上により降圧チョッパ回路を構成している。
直流電源Eは例えば商用交流電源を整流・平滑した直流電圧であり、例えば、全波整流回路の出力に接続された昇圧チョッパ回路(図示せず)の出力電圧であっても良い。
コンデンサC1の両端には、スイッチング素子Q2,Q3の直列回路と、スイッチング素子Q4,Q5の直列回路が並列に接続されている。スイッチング素子Q2,Q3はドライブ回路9aにより高周波または低周波で交互にON・OFF駆動され、スイッチング素子Q4,Q5はドライブ回路9bにより高周波または低周波で交互にON・OFF駆動される。ドライブ回路9a,9bはIR社製造のIR2111などが用いられ、フルブリッジ制御部8によりスイッチング素子Q2,Q5がON、スイッチング素子Q3,Q4がOFFの状態と、スイッチング素子Q2,Q5がOFF、スイッチング素子Q3,Q4がONの状態とが高周波(数十kHz〜百数十kHz)または低周波(数Hz〜数百Hz)で交番するように制御される。以上によりフルブリッジ型のインバータ回路(極性反転回路)を構成している。
次に、負荷回路について説明する。スイッチング素子Q2,Q3の接続点にはインダクタL2の一端が接続されており、インダクタL2の他端には放電ランプLaの一端が接続されている。放電ランプLaの他端はスイッチング素子Q4,Q5の接続点に接続されている。放電ランプLaの両端にはコンデンサC2が並列接続されている。インダクタL2とコンデンサC2は共振回路を構成している。高周波動作期間(始動時)には、共振回路の共振作用により高周波の高電圧が得られて放電ランプLaを絶縁破壊すると共に、グロー放電からアーク放電へ移行させるためのエネルギーを供給する(なお、放電ランプLaの絶縁破壊のために別設のイグナイタ回路(図示せず)により高電圧パルスを印加するように構成しても良い)。低周波動作期間(定常点灯時)には、コンデンサC1の電圧が低周波で極性反転しながら放電ランプLaに印加される。
コンデンサC1の電圧は抵抗R2,R3により分圧されて、ランプ電圧Vlaの検出値としてマイコン3のA/D変換入力ポート4に取り込まれる。これによりランプ電圧検出回路を構成している。
次に、制御回路1について説明する。制御回路1は降圧チョッパ回路のスイッチング素子Q1を制御するためのPWM制御回路2と、フルブリッジ型のインバータ回路のスイッチング素子Q2〜Q5を制御するためのフルブリッジ制御部8と、これらを制御するマイコン3を備える。マイコン3としては、例えばルネサス製のM37540などを用いる。マイコン3のA/D変換入力ポート4には、ランプ電圧Vlaの検出値が入力されている。抵抗R4とコンデンサC3よりなるCRフィルタ回路が接続されたマイコンの2値出力ポートには、デューティ可変の矩形波電圧が出力されている。このデューティ可変の矩形波電圧をCRフィルタ回路により直流電圧に平滑化することにより、PWM制御回路2に出力電圧の指令値を与えている。これによりマイコン3は降圧チョッパ回路の出力電圧(コンデンサC1の電圧)を任意に制御することができる。
安定点灯時(低周波動作期間)において、マイコン3はランプ電圧Vlaの検出値に応じて、コンデンサC1の電圧が最適化されるように降圧チョッパ回路を制御している。また、始動時(高周波動作期間)においては、放電ランプLaの絶縁破壊が可能となり、その後、所定の高周波電流が流れるようなコンデンサC1の電圧となるように、降圧チョッパ回路を制御している。
マイコン3の出力ポートFB1,FB2からはフルブリッジ制御部8に対してフルブリッジ制御信号が出力されており、これによりインバータ回路を高周波動作または低周波動作に切り替えることができる。高周波動作時には、その動作周波数を共振回路の共振周波数に近づけることにより放電ランプLaに流れる高周波電流を増大させることができ、反対に、共振回路の共振周波数から遠ざけることにより放電ランプLaに流れる高周波電流を減少させることができる。
本実施の形態では、放電ランプLaの消灯を例えばランプ電圧Vlaの変化で検出し、それによりマイコン3内のタイマーカウンタ6で時間をカウント開始する。具体的には、A/D変換入力ポート4によりデジタル値に変換されたランプ電圧Vlaを点灯判別部5により所定の閾値と比較し、ランプ電圧が所定の閾値以上になれば放電ランプLaは消灯したと判別し、タイマーカウンタ6で消灯時間txをカウント開始させる。マイコン3に放電ランプLaを点灯させる点灯命令が入力されれば、マイコン3内で消灯時間txに応じて高周波時間Txを決定し、放電ランプLaを点灯するための始動動作(高周波始動)を行い、放電ランプLaを点灯させる。
高周波時間Txの決定方法は、例えば図3(a),(b),(c)に示すように、消灯時間の経過につれて連続的に増加させ、時間経過がある一定以上になるとリミットTmaxで制限する。また、図3(d)に示すように、消灯時間の経過につれて少なくとも2段階以上に高周波時間を段階的に増加させ、時間経過がある一定以上になるとリミットTmaxで制限する。リミットTmaxはコールド状態(初始動)の時の値として設定しても良いし、所定の経過時間以上の場合の値として設定してもよい。
図3(a)〜(d)のいずれかの関係は、消灯時間tx(=t0,t1,…,tx)と高周波時間Tx(=T0,T1,…,Tx)の対応表(テーブルデータ)としてマイコン3内のメモリ7に設定しておけば変換処理が簡単となる。また、図3(a)〜(d)のいずれかの関係を表す所定の演算式(関数)を用いてマイコンの演算機能により算出するようにしても良く、その場合、メモリの容量を節約できる。
(実施の形態1’)
図1に示したように、ランプ消灯後の経過時間を計測する手段は、タイマ付きマイコン内のタイマーカウンタを用いても良いが、その他の例として、図12のようなアナログ回路を用いた構成としても良い。放電ランプLaの消灯を例えばランプ電圧Vlaの変化で検出し、抵抗R9とコンデンサC5の充電電圧で時間を計測する。図13のように、消灯時に出力ポート12をHighとし、コンデンサC5を抵抗R9を介して充電し、点灯時は出力ポート12をLowとし、コンデンサC5を抵抗R9を介して放電させる。コンデンサC5の電圧をA/D変換入力ポート13により取得し、その充電電圧に応じて消灯時間txを計測する。以下に述べる実施の形態においても、同様の手段を用いてランプ消灯後の経過時間を計測しても構わない。
(実施の形態2)
図4は本発明の実施の形態2に係る放電灯点灯装置の回路図である。この実施の形態2は、放電ランプの消灯後の経過時間に応じて、高周波電流Ip(図2)を変更する例であり、請求項1,3に対応する別の実施の形態である。高周波電流Ipを増減するためには、高周波動作時の降圧チョッパ回路の出力電圧の電圧値を増減させてやれば良い。あるいは、高周波動作期間の動作周波数を共振周波数(あるいはその整数倍もしくは整数分の1)に近づけたり遠ざけたりすることによっても高周波電流Ipを変化させることができる。
ここでは、降圧チョッパ出力制限回路10を設けることで、高周波動作時の降圧チョッパ回路の出力電圧の電圧値を消灯時間txに応じた所定の設定値Vpxに制限するように構成している。降圧チョッパ出力制限回路10では、コンデンサC1の電圧を抵抗R5,R6により分圧し、コンパレータIC1の−入力端子に印加している。コンパレータIC1の+入力端子には、基準電圧(コンデンサC4の充電電圧)が印加されている。コンデンサC1の電圧を分圧した検出電圧が基準電圧よりも高くなると、コンパレータIC1の出力がLowレベルとなり、PWM制御回路2の動作が停止する(スイッチング素子Q1がONしなくなる)。これによりコンデンサC1の電圧が低下すると、コンパレータIC1の出力は再びHighレベルとなり、PWM制御回路2が動作を再開する。
コンパレータIC1に基準電圧を与えるコンデンサC4は、抵抗R7を介してマイコン3の2値出力ポートに接続されている。この2値出力ポートからは、デューティ可変の矩形波電圧が出力されている。この矩形波電圧のデューティが、マイコン3のタイマーカウンタ6により計測された消灯時間txに応じて決定された所定の設定値Vpxに応じて変化することで、高周波動作時の降圧チョッパ回路の出力電圧の電圧値を消灯時間txに応じた所定の設定値Vpxに制限することができる。これにより、降圧チョッパ回路の出力電圧が所定の電圧に制限され、高周波動作時のランプ電流Ipが決定され、放電ランプLaを点灯するための始動動作(高周波始動)を行い、放電ランプLaを点灯させる。その他の構成及び動作は実施の形態1と同様である。
ランプ電流Ipの決定方法は、例えば図6(a),(b),(c)に示すように消灯時間の経過につれて連続的に増加させ、時間経過がある一定以上になると、リミットIpmaxで制限する。また、図6(d)に示すように、消灯時間の経過につれて、少なくとも2段階以上に高周波電流Ipを段階的に増加させ、時間経過がある一定以上になるとリミットIpmaxで制限する。リミットIpmaxはコールド状態(初始動)の時の値として設定しても良いし、所定の経過時間以上の場合の値として設定してもよい。降圧チョッパ回路の出力制限電圧値の設定値Vpxは所望の高周波電流Ipとなるように関係付けておく。
図6(a)〜(d)のいずれかの関係は、消灯時間tx(=t0,t1,…,tx)と設定値Vpx(=Vp0,Vp1,…,Vpx)の対応表(テーブルデータ)としてマイコン3内のメモリ7に設定しておけば変換処理が簡単となる。また、図6(a)〜(d)のいずれかの関係を表す所定の演算式(関数)を用いてマイコンの演算機能により算出するようにしても良く、その場合、メモリの容量を節約できる。
(実施の形態2’)
また、高周波電流Ip(図2)を変更する別の実施の形態として、図5に示すように、消灯時間txと高周波周波数fxの関係をテーブルデータとして設定しておき、高周波動作時の周波数fxを低くしたり高くしたりすることで、高周波電流Ipを増減するように構成しても良い。
本実施の形態では、放電ランプLaの消灯を例えばランプ電圧Vlaの変化で検出し、それによりマイコン3内のタイマーカウンタ6で時間をカウント開始する。マイコン3に放電ランプLaを点灯させる点灯命令が入力されれば、マイコン3内で消灯時間txに応じて高周波周波数fxを決定し、放電ランプLaを点灯するための始動動作(高周波始動)を行い、放電ランプLaを点灯させる。その他の構成及び動作は実施の形態2と同様である。
ここでもランプ電流Ipの決定方法は、例えば図6(a),(b),(c)に示すように消灯時間の経過につれて連続的に増加させ、時間経過がある一定以上になると、リミットIpmaxで制限する。また、図6(d)に示すように、消灯時間の経過につれて、少なくとも2段階以上に高周波電流Ipを段階的に増加させ、時間経過がある一定以上になるとリミットIpmaxで制限する。リミットIpmaxはコールド状態(初始動)の時の値として設定しても良いし、所定の経過時間以上の場合の値として設定してもよい。高周波周波数の設定値fxは所望の高周波電流Ipとなるように関係付けておく。
図6(a)〜(d)のいずれかの関係は、消灯時間tx(=t0,t1,…,tx)と高周波周波数fx(=f0,f1,…,fx)の対応表(テーブルデータ)としてマイコン3内のメモリ7に設定しておけば変換処理が簡単となる。また、図6(a)〜(d)のいずれかの関係を表す所定の演算式(関数)を用いてマイコンの演算機能により算出するようにしても良く、その場合、メモリの容量を節約できる。
(実施の形態3)
図7は本発明の実施の形態3に係る放電灯点灯装置の回路図である。この実施の形態3は、放電ランプの消灯後のランプ温度に応じて、高周波電流の時間T(図2)を変更する例であり、請求項1,2に対応する実施の形態である。
放電ランプLaの近傍には、温度検出手段として、サーミスタRth1が配置されている(図14参照)。サーミスタRth1の一端は抵抗R8を介して電源電圧Vccのラインに接続されており、サーミスタRth1の他端はグランドラインに接続されている。これにより、サーミスタRth1と抵抗R8は電源電圧Vccを抵抗比に応じて分圧する抵抗分圧回路を構成しており、サーミスタRth1の両端電圧を検出することにより放電ランプLaのランプ温度を計測することができる。サーミスタRth1の両端電圧は、マイコン3のA/D変換入力ポート11に入力されて、デジタル値(ランプ温度Ax)に変換される。
本実施の形態では、放電ランプLaの消灯を例えばランプ電圧Vlaの変化で検出し、それによりランプ温度の検出を開始する。具体的には、A/D変換入力ポート4によりデジタル値に変換されたランプ電圧Vlaを点灯判別部5により所定の閾値と比較し、ランプ電圧が所定の閾値以上になれば放電ランプLaは消灯したと判別し、サーミスタRth1によるアナログの検出電圧をA/D変換入力ポート11を介してデジタル値のランプ温度Axに変換する。マイコン3に放電ランプLaを点灯させる点灯命令が入力されれば、マイコン3内でランプ温度Axに応じて高周波時間Txを決定し、放電ランプLaを点灯するための始動動作(高周波始動)を行い、放電ランプLaを点灯させる。
高周波時間Txの決定方法は、例えば図8(a),(b),(c)に示すように、ランプ温度の低下につれて連続的に増加させ、ランプ温度がある一定以下になるとリミットTmaxで制限する。また、図8(d)に示すように、ランプ温度の低下につれて少なくとも2段階以上に高周波時間を段階的に増加させ、ランプ温度がある一定温度以下になると、リミットTmaxで制限する。リミットTmaxはコールド状態(初始動)の時の値として設定しても良いし、所定のランプ温度以下の場合の値として設定してもよい。
図8(a)〜(d)のいずれかの関係は、ランプ温度Ax(=A0,A1,…,Ax)と高周波時間Tx(=T0,T1,…,Tx)の対応表(テーブルデータ)としてマイコン3内のメモリ7に設定しておけば変換処理が簡単となる。また、図8(a)〜(d)のいずれかの関係を表す所定の演算式(関数)を用いてマイコンの演算機能により算出するようにしても良く、その場合、メモリの容量を節約できる。
(実施の形態4)
図9は本発明の実施の形態4に係る放電灯点灯装置の回路図である。この実施の形態4は、放電ランプLaの消灯後のランプ温度に応じて、高周波電流Ip(図2)を変更する例であり、請求項1,2に対応する別の実施の形態である。高周波電流Ipを増減するためには、高周波動作時の降圧チョッパ回路の出力電圧の電圧値を増減させてやれば良い。あるいは、高周波動作期間の動作周波数を共振周波数(あるいはその整数倍もしくは整数分の1)に近づけたり遠ざけたりすることによっても高周波電流Ipを変化させることができる。
ここでは、降圧チョッパ出力制限回路10を設けることで、高周波動作時の降圧チョッパ回路の出力電圧の電圧値をランプ温度Axに応じた所定の設定値Vpxに制限するように構成している。降圧チョッパ出力制限回路10では、コンデンサC1の電圧を抵抗R5,R6により分圧し、コンパレータIC1の−入力端子に印加している。コンパレータIC1の+入力端子には、基準電圧(コンデンサC4の充電電圧)が印加されている。コンデンサC1の電圧を分圧した検出電圧が基準電圧よりも高くなると、コンパレータIC1の出力がLowレベルとなり、PWM制御回路2の動作が停止する(スイッチング素子Q1がONしなくなる)。これによりコンデンサC1の電圧が低下すると、コンパレータIC1の出力は再びHighレベルとなり、PWM制御回路2が動作を再開する。
コンパレータIC1に基準電圧を与えるコンデンサC4は、抵抗R7を介してマイコン3の2値出力ポートに接続されている。この2値出力ポートからは、デューティ可変の矩形波電圧が出力されている。この矩形波電圧のデューティが、サーミスタRth1により計測されたランプ温度Axに応じて決定された所定の設定値Vpxに応じて変化することで、高周波動作時の降圧チョッパ回路の出力電圧の電圧値をランプ温度Axに応じた所定の設定値Vpxに制限することができる。これにより、降圧チョッパ回路の出力電圧が所定の電圧に制限され、高周波動作時のランプ電流Ipが決定され、放電ランプLaを点灯するための始動動作(高周波始動)を行い、放電ランプLaを点灯させる。その他の構成及び動作は実施の形態3と同様である。
ランプ電流Ipの決定方法は、例えば図10(a),(b),(c)に示すように、ランプ温度の低下に応じて連続的に増加させ、ランプ温度がある一定以下になると、リミットIpmaxで制限する。また、図10(d)に示すように、ランプ温度の低下につれて少なくとも2段階以上に高周波電流Ipを段階的に増加させ、ランプ温度がある一定温度以下になると、リミットIpmaxで制限する。リミットIpmaxはコールド状態(初始動)の時の値として設定しても良いし、所定のランプ温度以下の場合の値として設定してもよい。降圧チョッパ出力制限電圧値の設定値Vpxは所望の高周波電流Ipとなるように関係付けておく。
図10(a)〜(d)のいずれかの関係は、ランプ温度Ax(=A0,A1,…,Ax)と設定値Vpx(=Vp0,Vp1,…,Vpx)の対応表(テーブルデータ)としてマイコン3内のメモリ7に設定しておけば変換処理が簡単となる。また、図10(a)〜(d)のいずれかの関係を表す所定の演算式(関数)を用いてマイコンの演算機能により算出するようにしても良く、その場合、メモリの容量を節約できる。
(実施の形態4’)
また、高周波電流Ip(図2)を変更する別の実施の形態として、図11に示すように、ランプ温度Axと高周波周波数fxの関係をテーブルデータとして設定しておき、高周波動作時の周波数fxを低くしたり高くしたりすることで、高周波電流Ipを増減するように構成しても良い。
本実施の形態では、放電ランプLaの消灯を例えばランプ電圧Vlaの変化で検出し、消灯後のランプ温度をサーミスタRth1と抵抗R8の分圧回路によりアナログの検出電圧に変換し、この電圧値をマイコン3のA/D変換入力ポート11でデジタル値として取得することで、ランプ温度Axを計測する。マイコン3に放電ランプLaを点灯させる点灯命令が入力されれば、マイコン3内でランプ温度Axに応じて高周波周波数fxを決定し、放電ランプLaを点灯するための始動動作(高周波始動)を行い、放電ランプLaを点灯させる。その他の構成及び動作は実施の形態4と同様である。
ここでもランプ電流Ipの決定方法は、例えば図10(a),(b),(c)に示すように、ランプ温度の低下に応じて連続的に増加させ、ランプ温度がある一定以下になると、リミットIpmaxで制限する。また、図10(d)に示すように、ランプ温度の低下につれて少なくとも2段階以上に高周波電流Ipを段階的に増加させ、ランプ温度がある一定温度以下になると、リミットIpmaxで制限する。リミットIpmaxはコールド状態(初始動)の時の値として設定しても良いし、所定のランプ温度以下の場合の値として設定してもよい。高周波周波数の設定値fxは所望の高周波電流Ipとなるように関係付けておく。
図10(a)〜(d)のいずれかの関係は、ランプ温度Ax(=A0,A1,…,Ax)と高周波周波数fx(=f0,f1,…,fx)の対応表(テーブルデータ)としてマイコン3内のメモリ7に設定しておけば変換処理が簡単となる。また、図10(a)〜(d)のいずれかの関係を表す所定の演算式(関数)を用いてマイコンの演算機能により算出するようにしても良く、その場合、メモリの容量を節約できる。
(実施の形態5)
図15は本発明の実施の形態5に係る放電灯点灯装置の回路図である。上述の実施の形態1〜4では、ランプ消灯後の経過時間txの計測やランプ温度Axの計測を放電灯点灯装置自体で行っていたが、本実施の形態ではそれらを画像表示装置のメインマイコン20で行うものである。放電灯点灯装置のマイコン3の構成は図12と同じで良い。
放電灯点灯装置のマイコン3の点灯判別部5では、A/D変換入力ポート4により取得されたランプ電圧Vlaの検出値(デジタル値)を所定の閾値と比較して、所定の閾値以上であれば、放電ランプLaは消灯したと判別する。これにより、点灯検知部(出力ポート12)のH/Lが反転し、フォトカプラPC1を介してメインマイコン20の点灯判別部21が放電ランプLaの消灯を検知する。これにより、メインマイコン20のタイマーカウンタ22が消灯時間の計測を開始し、テーブル23を参照して消灯時間txに応じたデューティ信号を出力する。このデューティ信号がフォトカプラPC2を介して放電灯点灯装置の制御回路1に返送されて、CRフィルタ回路によりデューティ信号に応じたアナログ電圧に変換され、マイコン3のA/D変換入力ポート13により消灯時間txのデジタル値が取得される。取得された消灯時間txに応じて高周波時間Txを決定する。
図15は消灯時間txに応じて高周波時間Txを決定する場合の例であるが、消灯時間txに応じて高周波周波数fxや降圧チョッパ出力制限電圧値Vpxを決定するように構成しても良い。
また、消灯時間txの検出をランプ温度Axの検出に置き換えて実施しても良い。具体的には、サーミスタRth1と抵抗R8の温度検出回路を画像表示装置のメインマイコンのA/D変換入力ポートに接続してランプ温度Axをメインマイコン側で計測し、これをデューティ信号に変換してフォトカプラを介して放電灯点灯装置に送信し、放電灯点灯装置の制御回路内でCRフィルタ回路によりデューティ信号に応じたアナログ電圧に変換し、これを放電灯点灯装置側のマイコンのA/D変換入力ポートに取り込めば、ランプ温度Axのデジタル値を取得できる。その後は実施の形態3、4、4’と同様であり、取得されたランプ温度Axに応じて高周波時間Tx、高周波周波数fx、降圧チョッパ出力制限電圧値Vpxを決定すれば良い。
(実施の形態6)
本実施の形態では、図16または図17に示すように、高周波で始動後、一定期間直流または定常点灯時より低い周波数で放電ランプLaを点灯させる。このように制御すれば、高周波電流より直流電流の方が電極の暖まり方が早いため、光束立ち上がりが早くなり、定常点灯状態への移行時間が短縮される。
具体的には、上述の各実施の形態において、高周波動作(始動時)から低周波動作(定常時)に移行する間に、直流(図16)や定常点灯時より低い周波数(図17)でフルブリッジインバータを駆動するように、マイコン3からの信号FB1,FB2を制御すれば良い。
(実施の形態7)
上述の各実施の形態の放電灯点灯装置は、プロジェクタやリアプロジェクションTVのような画像表示装置の光源となる放電ランプの点灯に用いられる。ここでは、プロジェクタに実装する場合を例示する。図18は画像表示装置30の外観を示す斜視図であり、図19は画像表示装置30の内部構成を示す概略構成図である。図中、31は投光窓、32は電源部、33a,33b,33cは冷却用ファン、34は外部信号入力部、35は光学系、36はメイン制御基板、40は放電灯点灯装置、Laは放電ランプである。破線で示した枠内にメイン制御基板36が実装されている。このように、放電ランプLaは画像表示装置30の内部に実装されているが、本発明の放電灯点灯装置40を採用することにより、放電ランプLaの寿命が伸びるため、放電ランプLaの交換(メンテナンス)の頻度を少なくできる。
本発明の実施の形態1の回路図である。 本発明の実施の形態1の動作波形図である。 本発明の実施の形態1の動作説明図である。 本発明の実施の形態2の回路図である。 本発明の実施の形態2の一変形例の回路図である。 本発明の実施の形態2の動作説明図である。 本発明の実施の形態3の回路図である。 本発明の実施の形態3の動作説明図である。 本発明の実施の形態4の回路図である。 本発明の実施の形態4の動作説明図である。 本発明の実施の形態4の一変形例の回路図である。 本発明の実施の形態1の一変形例の回路図である。 図12の回路の動作説明のための波形図である。 本発明の実施の形態3または4の温度検出素子の配置を示す説明図である。 本発明の実施の形態5の回路図である。 本発明の実施の形態6の動作波形図である。 本発明の実施の形態6の他の例を示す動作波形図である。 本発明の実施の形態7に係る画像表示装置の外観を示す斜視図である。 本発明の実施の形態7に係る画像表示装置の内部構成を示す概略構成図である。
符号の説明
La 放電ランプ
5 点灯判別部
6 タイマーカウンタ
7 メモリ(テーブルデータ)

Claims (5)

  1. 放電ランプに高周波電圧・電流を印加して始動させる放電灯点灯装置において、放電ランプの消灯後の経過状態を計測する計測手段と、消灯後の経過状態に応じて始動時の高周波電圧・電流の印加時間または高周波電流値の少なくとも一方を消灯後の電極温度が高いほど減少させる制御手段とを備えることを特徴とする放電灯点灯装置。
  2. 請求項1の放電灯点灯装置において、計測手段は、ランプ温度を検出する温度検出手段としたことを特徴とする放電灯点灯装置。
  3. 請求項1の放電灯点灯装置において、計測手段は、放電ランプの消灯後の経過時間をカウントする計時手段としたことを特放とする放電灯点灯装置。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載の放電灯点灯装置において、高周波で始動後、一定期間は直流または定常点灯時より低い周波数で放電ランプを点灯することを特徴とする放電灯点灯装置。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載の放電灯点灯装置を備えることを特徴とする画像表示装置。
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