JP4795385B2 - 集積型電子部品 - Google Patents
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Description
、一般に、高性能化、小型化、軽量化等を図るべく、高周波モジュール用デバイスとしてIPD(integrated passive device)が採用される。IPDは、必要な所定の受動部品
(インダクタ,キャパシタ,抵抗,フィルタなど)が集積化されたものであり、受動部品としてインダクタを含む場合が多い。インダクタは、例えばキャパシタと比較してQ値が低い傾向にあり、IPDがインダクタを含む場合、当該IPD全体のQ値も低くなりやすい。そのため、インダクタを含む従来のIPDについては、高Q値化への要望がある。一方、RFシステムの利用周波数帯域の高周波数化に伴い、IPDについては、当該高周波数化への対応も求められている。このようなIPDに関する技術については、例えば下記の特許文献1,2および非特許文献1,2に記載されている。
本集積型電子部品の多段コイルインダクタは、小さな抵抗Riにて所定のインダクタンス
Lを実現するのに適しているのである。小さな抵抗Riにて所定のインダクタンスLを実
現することは、式(1)の特に1番目の因子に着目すると理解できるように、Q値の増大に資する。
理解できるように、抵抗Riの低減はQ値の増大に資する。
(silicon on quartz)基板、またはSOG(silicon on glass)基板である。圧電基板
を構成する圧電材料としては、例えばLiTaO3、LiNbO3、AlN、ZnO、および圧電セラミックが挙げられる。
酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどが挙げられる。一方、磁性体膜による被覆は、特にコイル導線周囲の発生磁場を増大するのに好適である。コイル導線周囲の発生磁場の増大は、多段コイルインダクタのインダクタンスLを増大するうえで好適である。また、磁性体膜は、当該磁性体膜内で渦電流が発生してしまうのを抑制する観点から、高抵抗材料よりなるのが好ましい。このような磁性体膜の構成材料としては、例えば、Fe−Al−O系合金、CoFeB−SiO2系高抵抗磁性体などが挙げられる。
ば、単結晶シリコンなどのシリコン材料よりなる。圧電基板を構成する圧電材料としては、例えばLiTaO3、LiNbO3、AlN、ZnO、および圧電セラミックが挙げられる。
い。
小さい傾向にある。したがって、多段コイルインダクタ10A,10Bは、小さな抵抗Riにて所定のインダクタンスLを実現するのに適しているのである。小さな抵抗Riにて所定のインダクタンスLを実現することは、上記の式(1)の特に1番目の因子に着目する
と理解できるように、Q値の増大に資する。
きるように、抵抗Riの低減はQ値の増大に資する。
形成用のレジストパターン107を形成する。本方法では、3段目肉厚導体部とは、多段コイルインダクタ10の連絡部13の一部、および、立体配線30の第3配線部33の一部である。レジストパターン107は、連絡部13の一部および第3配線部33の一部のパターン形状に対応する開口部107aを有する。
アルミニウムなどが挙げられる。一方、磁性体膜による被覆は、特にコイル導線周囲の発生磁場を増大するのに好適である。コイル導線周囲の発生磁場の増大は、多段コイルインダクタのインダクタンスLを増大するうえで好適である。また、磁性体膜は、当該磁性体
膜内で渦電流が発生してしまうのを抑制する観点から、高抵抗材料よりなるのが好ましい。このような磁性体膜の構成材料としては、例えば、Fe−Al−O系合金、CoFeB−SiO2系高抵抗磁性体などが挙げられる。
部形成用のレジストパターン202を形成する。本方法では、2段目肉厚導体部とは、多段コイルインダクタ10の連絡部13の一部、および、立体配線30の第3配線部33である。レジストパターン202は、連絡部13の一部および第3配線部33のパターン形状に対応する開口部202aを有する。
シタ20、立体配線30、およびパッド部40を基板S上に形成し、上述の第1変形例を製造することができる。
クタ10の、スパイラルコイル12および連絡部13の一部、並びに、立体配線30の第2配線部32である。
部401aを有する。
複数の受動部品と、
外部接続用の複数のパッド部と、
立体配線と、を備え、
前記複数の受動部品は、前記基板上に設けられた多段コイルインダクタを含み、当該多段コイルインダクタは、多段配置された複数のコイルを有し、且つ、隣り合うコイル導線が空隙を介して離隔し、
前記立体配線は、前記基板に接して延びる第1配線部と、前記基板から離隔して当該基板に沿って延びる第2配線部と、当該第1および第2配線部に接続する第3配線部と、を含む、集積型電子部品。
(付記2)前記多段コイルインダクタは、空隙を介して互いに離隔する複数のスパイラルコイルを有する、付記1に記載の集積型電子部品。
(付記3)前記多段コイルインダクタはソレノイドコイルまたはトロイダルコイルである、付記1に記載の集積型電子部品。
(付記4)前記基板は、半導体基板、絶縁膜が表面に形成された半導体基板、石英基板、ガラス基板、圧電基板、セラミック基板、SOI基板、SOQ基板、またはSOG基板である、付記1から3のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
(付記5)前記複数の受動部品は、キャパシタおよび/または抵抗を含む、付記1から4のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
(付記6)前記キャパシタは、相対向する第1電極および第2電極を有し、前記第1電極は、前記基板上に設けられ、前記第2電極は、前記基板から離隔して前記基板に沿って設けられている、付記5に記載の集積型電子部品。
(付記7)前記多段コイルインダクタにおける、前記基板に最も近いコイルは、前記基板から離隔している、付記1から6のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
(付記8)前記多段コイルインダクタにおける、前記基板に最も近いコイルは、前記基板上にパターン形成されている、付記1から6のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
(付記9)前記複数の受動部品は、LCRフィルタ、SAWフィルタ、FBARフィルタ、および機械共振を利用したフィルタからなる群より選択されるフィルタを含む、付記1から8のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
(付記10)前記複数の受動部品および前記立体配線を前記基板上にて封止するための封止樹脂を更に備える、付記1から9のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
(付記11)前記封止樹脂は、前記多段コイルインダクタにおける隣り合うコイル導線の間に入り込む部位を有する、付記10に記載の集積型電子部品。
(付記12)前記多段コイルインダクタおよび/または前記立体配線は、耐食性膜および磁性体膜から選択される膜または当該膜を含む多層膜により被覆されている部位を有する、付記1から11のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
(付記13)前記基板は凹部を有し、前記多段コイルインダクタは当該凹部に設けられている、付記1から12のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
(付記14)電気めっき法により下位導体部を形成する工程と、
前記下位導体部の上位に上位導体部を形成するための、開口部を有する第1レジストパターンを、前記下位導体部の一部が前記開口部にて露出するように、形成する工程と、
前記第1レジストパターンの表面、および、前記下位導体部において前記開口部にて露出する表面にわたり、シード層を形成する工程と、
開口部を有する第2レジストパターンを第1レジストパターンの上位に形成する工程と、
電気めっき法により、前記第2レジストパターンの前記開口部にて上位導体部を形成する工程と、
前記第2レジストパターンを除去する工程と、
前記シード層を除去する工程と、
前記第1レジストパターンを除去する工程と、を含む、集積型電子部品製造方法。
S 基板
10,10A,10B 多段コイルインダクタ
11,12 スパイラルコイル
13 連絡部
20 キャパシタ
21 第1電極
22 第2電極
23 誘電体層
30 立体配線
31 第1配線部
32 第2配線部
33 第3配線部
40,40A,40B,40C,40D パッド部
50 封止材
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、隣り合うコイル導線が空隙を介して離隔した第1段のコイルとその上に設けられた第2段のコイルとにより構成されるインダクタと、
前記基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された第2の電極とにより構成されるキャパシタと、
前記基板に接した少なくとも第1、第2、および第3の3つの第1配線部と、前記第1の第1配線部と一端が接続し、前記基板から離隔して当該基板に沿って延びる第1の第2配線部と、前記第2の電極と接続し、前記基板から離隔して当該基板に沿って延びる部分を有する第2の第2配線部と、前記第1の第1配線部と前記第1の第2配線部とを接続し、前記基板と垂直な方向に設けられた第3配線部とを有し、
前記第1段のコイルおよび前記第2段のコイルは、前記基板と垂直な方向で重なっている部分を有し、
前記第1段のコイルの一端が前記第2の第1配線部を介して前記第1の電極と接続され、前記第1段のコイルの他端が基板と垂直な方向に設けられた連絡部により前記第2段のコイルの一端に接続され、前記第2段のコイルの他端が前記第1の第2配線部に接続され、当該第1の第2配線部が前記第3配線部を介して前記一方の第1配線部に接続されており、
前記第2の第2配線部の他端が前記第3の第1配線部に接続されている、集積型電子部品。 - 前記第1段および第2段のコイルはスパイラルコイルにより構成され、それぞれの段のコイルで電流の方向が同一である、請求項1に記載の集積型電子部品。
- 前記第1段のコイルは前記基板から離隔している、請求項1または2に記載の集積型電子部品。
- 前記第1段のコイルは前記基板上に直接形成されている、請求項1または2に記載の集積型電子部品。
- 前記第1段のコイル、キャパシタおよび前記第3配線部の少なくとも一部が前記基板上にて封止される封止樹脂を更に備える、請求項1から4のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
- 前記基板は凹部を有し、前記第1段および第2段のコイルは当該凹部に設けられている、請求項1から5のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
- 前記第1段および第2段のコイルまたは前記第1〜第3配線部には耐食性膜が形成されている、請求項1から6のいずれか一つに記載の集積型電子部品。
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