JP4794616B2 - 導波管・ストリップ線路変換器 - Google Patents

Description

本発明は、導波管・ストリップ線路変換器に係り、更に詳しくは、マイクロ波やミリ波を伝送するための導波管及びストリップ線路間において電力変換を行う導波管・ストリップ線路変換器に関する。

図１１は、従来の導波管・ストリップ線路変換器２００の一構成例を示した展開斜視図である。また、図１２は、図１１の導波管・ストリップ線路変換器２００をＣ−Ｃ切断線により切断した場合の断面図である。この導波管・ストリップ線路変換器２００は、導波管ブロック１及び短絡ブロック３の間に誘電体基板２を挟み込んだ構造を有し、導波管ブロック１内に形成された導波管１４と、誘電体基板２上に形成されたストリップ線路２１との間で伝送電力を相互に変換する電力変換装置であり、例えば、車載レーダ用のアンテナ装置などに利用されている。

導波管１４の開口部１５は、導波管ブロック１の接合面１０上に形成され、誘電体基板２によって閉鎖されている。一方、短絡ブロック３内には、短絡面までの距離が伝搬波長の１／４に相当する短絡導波管が形成されている。この短絡導波管の開口部３５は、短絡ブロック３の接合面３０上に形成され、誘電体基板２によって閉鎖されている。また、これらの開口部１５及び３５は、誘電体基板２を挟んで対向するように配置されており、導波管１４が、誘電体基板２を挟んで反対側に配置された短絡ブロック３内において短絡されるバックショート（ＢＳ）構造を有している。

誘電体基板２は、短絡ブロック３側の主面上にストリップ線路２１が形成され、導波管ブロック１側の主面上に接地板２２が形成されている。一般に導波管内では、管内波長の１／４だけ短絡面から離れた位置において最大の電界が形成されている。このため、誘電体基板２の短絡ブロック３側の主面上にストリップ線路２１を形成すれば、高い変換効率を得ることができる。また、誘電体基板２には、複数のスルーホール２３が形成されており、これらのスルーホール２３によって開口部１５を取り囲んでいる。スルーホール２３は、平行平板導波路としての誘電体基板２内を電磁波が伝搬し、誘電体基板２と平行な方向に電磁波が広がるのを防止している。

図１３は、図１１の導波管・ストリップ線路変換器２００の特性を示した図であり、シミュレーションで求められたＳパラメータＳ１１及びＳ２１の周波数特性が示されている。図中ではＳ１１（反射係数）が実線、Ｓ２１（透過係数）が破線で示されている。Ｓ１１が−２０ｄＢ以下となる周波数は７２．２ＧＨｚ〜８２．５ＧＨｚであり、約１０ＧＨｚの帯域幅が確保されている。

図１４は、図１１の導波管・ストリップ線路変換器２００がスルーホール２３を有しない場合の特性を示した図であり、図１３と同様にして、シミュレーションで求められたＳパラメータＳ１１及びＳ２１の周波数特性が示されている。図１４の特性は、図１３の特性に比べて、パラメータＳ１１及びＳ２１の周波数特性が乱れており、Ｓ１１は大きくなり、Ｓ２１（透過係数）は小さくなり、帯域幅も狭くなっている。つまり、スルーホール２３を省略することによって、誘電体基板２内に電磁波が漏出すれば、導波管・ストリップ線路変換器２００の特性が著しく劣化することが上記解析結果からわかる。
特開２０００−２４４２１２号公報

従来の導波管・ストリップ線路変換器２００は、開口部１５を複数のスルーホール２３で取り囲むことによって、良好な変換特性を実現している。しかしながら、誘電体基板２にスルーホール２３を形成することによって、誘電体基板２上の導電性薄膜の厚さにバラツキが生じやすいという問題があった。

誘電体基板２には、ストリップ線路２１及び接地板２２に加工するための導電性薄膜が形成されている。この薄膜の厚さにばらつきが生じた場合、薄膜をパターニングするためのエッチング処理の制御が困難になったり、あるいは、ストリップ線路２１から短絡ブロック３内の短絡面までの距離が１／４波長から外れ、変換効率が低下するという問題が生じる。特に、誘電体基板２の同一面内において上記薄膜の厚さがばらついた場合に問題となる。

例えば、誘電体基板２は、両面に銅箔が形成された誘電体基板にスルーホール２１を形成した後に、上記銅箔をパターニングすることによって行われる。スルーホール２３の形成工程では、パターニング前の誘電体基板にドリルで貫通孔を形成した後、銅めっきを行うことによって上記貫通孔内に銅を充填させている。銅箔のパターニングは、フォトリソグラフィー技術を用いて行われる。例えば、銅箔上にフォトレジストを形成し、その露光及び現像によってフォトレジストのパターニングが行われる。その後に、誘電体基板をエッチング液に浸潤させることによって、露出していた銅箔がエッチングされる。この様にしてパターニングされた銅箔がストリップ線路２１や接地板２２となる。

上述したスルーホール２３の形成工程では銅めっき処理を行われている。このとき、銅箔の表面にも薄いめっき層が形成される。このめっき層は膜厚が不均一であり、特に、貫通孔やその周辺においてめっき層の厚さが大きくばらついている。このようなばらつきが生じると、その後のパターニング工程における銅箔のエッチング処理の制御が困難になるという問題があった。また、膜厚のばらつきによって、ストリップ線路２１から短絡面までの距離を１／４波長に精度よく一致させることが難しいという問題があった。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、良好な変換特性を有し、容易に製造することができる導波管・ストリップ線路変換器を提供することを目的とする。特に、スルーホールを有しない誘電体基板を用いて、良好な変換特性を有する導波管・ストリップ線路変換器を実現することを目的とする。

第１の本発明による導波管・ストリップ線路変換器は、導波管の開口部が形成された第１接合面を有する導波管ブロックと、第１接合面と対向する第２接合面を有し、上記導波管を短絡させる短絡ブロックと、第１接合面及び第２接合面の間に配置された誘電体基板と、上記誘電体基板上に形成され、その一端が上記開口部と対向するストリップ線路と、第１接合面又は第２接合面に形成され、導波管の伝搬波の１／４波長に相当する深さを有し、電磁波が上記誘電体基板内を伝搬して広がるのを抑制するチョーク溝とを備えて構成される。

１／４波長の深さを有するチョーク溝を設けることによって、チョーク溝の入射波を逆相の反射として出射させることができる。このため、平板平行導波路としての誘電体基板内を伝搬する電磁波がチョーク溝に達すると、少なくとも当該電磁波の一部が打ち消され、誘電体基板と平行に広がって漏出する電磁波を減少させることができる。従って、電磁波の漏出を抑制するためのスルーホールを誘電体基板に形成することなく、良好な変換特性を有する導波管・ストリップ線路変換器を実現することができる。

なお、チョーク溝は、第１接合面又は第２接合面の少なくとも一方に形成されていればよい。また、チョーク溝の内部は中空であってもよいし、誘電体であってもよい。チョーク内部が誘電体である場合、その深さは、導波管及びストリップ線路の伝搬波の当該誘電体内における波長の１／４に一致させておく。

第２の本発明による導波管・ストリップ線路変換器は、上記構成に加えて、上記チョーク溝が、第１接合面又は第２接合面の周縁に達するように形成されている。この様な構成により、導波管ブロック又は短絡ブロックの側面に、チョーク溝の内部を外部と連通させる連通口が形成される。この連通口を介して、チョーク溝へ斜めに入射した電磁波を外部に放出することができるので、不要波が誘電体基板に反射されるのを抑制することができる。

第３の本発明による導波管・ストリップ線路変換器は、上記構成に加えて、上記開口部が矩形形状からなり、上記チョーク溝が、上記開口部の少なくとも３辺を囲むとともに一部を開放させた形状からなり、上記ストリップ線路が、上記チョーク溝が開放された領域に形成されている。この様な構成により、チョーク溝及びストリップ線路を交差させることなく配置するとともに、開口部をおおむね取り囲むことができる。

本発明による導波管・ストリップ線路変換器は、誘電体基板と対向する導波管ブロック又は短絡ブロックの接合面に、１／４波長の深さを有するチョーク溝が形成されている。このようなチョーク溝を設けることにより、誘電体基板に沿って伝搬する電磁波が、誘電体基板内で広がるのをチョーク溝によって抑制することができる。このようなチョーク溝を利用することによって、誘電体基板にスルーホールを形成することなく、良好な変換特性を有する導波管・ストリップ線路変換器を実現することできる。従って、ばらつきの少ない高精度の導波管・ストリップ線路変換器を容易に製造することができる。

また、本発明による導波管・ストリップ線路変換器は、上記チョーク溝が第１接合面又は第２接合面の周縁に達するように形成され、チョーク内部を外部と連通させている。このため、チョーク溝に対して斜めに入射した電磁波は、少なくともその一部が連通口から外部へ放出され、不要波が誘電体基板に反射されるのを抑制することができる。従って、特性の良好な導波管・ストリップ線路変換器を実現することができる。

また、本発明による導波管・ストリップ線路変換器は、チョーク溝が、導波管の矩形からなる開口部の少なくとも３辺を囲むとともに、ストリップ線路と交差しないようにその一部を開放させた形状からなる。このため、チョーク溝及びストリップ線路を交差させることなく配置するとともに、開口部をおおむね取り囲むことができ、特性の良好な導波管・ストリップ線路変換器を実現することができる。

図１及び図２は、本発明の実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の一構成例を示した展開斜視図であり、導波管・ストリップ線路変換器１００を斜め上方向及び斜め下方向から見た場合がそれぞれ示されている。

この導波管・ストリップ線路変換器１００は、導波管ブロック１、誘電体基板２及び短絡ブロック３によって構成され、導波管ブロック１内に形成された導波管１４と、誘電体基板２上に形成されたストリップ線路２１との間で伝送電力を相互に変換する電力変換装置である。

導波管ブロック１は、導電性材料からなるブロック体であり、その内部にはマイクロ波又はミリ波を伝送するための導波管１４が形成されている。この導波管ブロック１は、誘電体基板２と対向する接合面１０を有し、この接合面１０上には、導波管１４の開口部１５が形成されるとともに、当該開口部１５を概ね囲むチョーク溝１６が形成されている。このチョーク溝１６は、１／４波長の深さを有し、誘電体基板２と平行に伝搬する電磁波が、誘電体基板２内に広がって漏れ出すのを阻止している。

例えば、６ｍｍ厚のアルミニウム板が導波管ブロック１として用いられる。導波管１４は、短辺１．２７ｍｍ、長辺２．５４ｍｍの矩形からなる断面を有する貫通孔であり、導波管ブロック１を厚さ方向に貫通し、導波管１４の断面と同一形状からなる開口部１５が接合面１０上に形成されている。開口部１５の対向する２つの短辺の近傍には、締結ネジ４を螺入するための径１．１ｍｍのネジ穴１３がそれぞれ形成され、開口部１５及びネジ穴１３を囲むようにチョーク溝１６が形成されている。

チョーク溝１６は、接合面１０上に形成された幅１．４４ｍｍ、深さ１ｍｍの溝であり、３本の直線状の溝（直線溝）を交差させた草冠型の平面形状を有し、その一部であるコの字形状の部分が、開口部１５の三辺を囲むように配置されている。チョーク溝１６をこのような平面形状に形成することにより、ストリップ線路２１と交差させないように一部を開放させつつ、開口部１５を概ね取り囲むことができる。また、３本の直線溝は、その一端又は両端が接合面１０の周縁まで延び、導波管ブロック１の側面に連通口１７が形成されている。この連通口１７は、チョーク溝１６の内部を外部と連通させる開口部である。

誘電体基板２は、フッ素樹脂などの誘電体からなる厚さ０．１１４ｍｍ、比誘電率２．２１の基板であり、両面に厚さ１８μｍの銅箔が貼付されている。これらの銅箔をパターニングすることにより、誘電体基板２を挟んでストリップ線路２１及び接地板２２が形成され、コプレナー線路を構成している。短絡ブロック３側の主面には直線状に延びるストリップ線路２１が形成されている。一方、導波管ブロック１側の主面には、開口部１５に対応する領域２５及びチョーク溝１６に対応する領域２６を除いた全面に接地板２２が形成されている。この接地板２２は、少なくとも開口部１５を取り囲むように形成され、導波管ブロック１の接合面１０と接触させることによって、導波管ブロック１と同一の電位に保たれる。

短絡ブロック３は、導電性材料からなるブロック体であり、誘電体基板２との接合面３０からの深さが伝搬波長の１／４となる中空部３４が形成されている。この中空部３４は、その断面の形状及び位置が導波管１４と一致するように形成され、導波管１４を誘電体基板２との接合面３０から更に１／４波長だけ延長して短絡する短絡導波管である。

図中では、金属スペーサ３１及び金属板３２で構成される短絡ブロック３が示されている。金属スペーサ３１は、打ち抜き加工された０．６２ｍｍのアルミ板であり、誘電体基板２と対向させる接合面３０を有するとともに、その厚さ方向に金属スペーサ３１を貫通する中空部３４が形成されている。開口部３５は、中空部３４の接合面３０上における開口部であり、中空部３４の他方の開口部は、接合面３０と平行な金属板３２によって閉鎖され、短絡面が形成されている。側面開口部３６は、ストリップ線路２１に対応して形成された金属スペーサ３１の側面上の開口部であり、幅が０．７ｍｍ、中空部３４までの奥行きが０．３６５ｍｍであり、短絡ブロック３とストリップ線路２１とを電気的に導通させないように形成されている。金属スペーサ３１の厚さを伝搬波長の１／４に一致させることによって、上記接合面３０上において最大の電界が形成される短絡導波管が形成される。

締結ネジ４は、誘電体基板２を挟んだ状態で、導波管ブロック１及び短絡ブロック３を締結させる手段である。ここでは、２つの締結ネジ４を金属スペーサ３１のネジ穴へ挿入し、金属板３２、金属スペーサ３１及び誘電体基板２を順に貫通させ、導波管ブロック１のネジ穴１３へ螺入することによって、金属スペーサ３１及び誘電体基板２を挟み込むように、金属板３２及び導波管ブロック１を締結している。

導波管ブロック１の２つのネジ穴１３は、開口部１５の近傍であって、開口部１５を挟んで対向する位置に形成されている。図中では、ネジ穴１３が開口部１５の短辺近傍に位置し、チョーク溝１６は、ネジ穴１３よりも更に外側に形成され、コの字形状の内側に開口部１５及びネジ穴１３を内包している。このようにして、ネジ穴１３を開口部１５の近傍に配置し、その外側にチョーク溝１６を形成することによって、開口部１５付近において、導波管ブロック１、誘電体基板２及び短絡ブロック３を精度よく密着させつつ、開口部１５を囲むチョーク溝１６を形成することができ、導波管・ストリップ線路変換器１００の変換特性を向上させることができる。

図３及び図４は、本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の外観図であり、斜め上の異なる２方向から見た場合の様子が示されている。また、図５は、本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の平面図である。

誘電体基板２の一方の主面（図中では上面）は、その一部の領域のみが短絡ブロック３と対向している。ストリップ線路２１は、短絡ブロック３から引き出されるように配置されており、誘電体基板２の上記主面上の短絡ブロック３以外の領域に形成されたアンテナなどの高周波回路（不図示）に接続される。なお、ストリップ線路２１は、誘電体基板２の上記主面、つまり、短絡ブロック３側の主面に形成されているが、側面開口部３６を通って短絡ブロック３から引き出され、短絡ブロック３とは絶縁されている。

また、ストリップ線路２１は、その一端が開口部１５に対応する領域内に位置し、開口部１５の短辺と平行に延び、開口部１５の長辺と交差して上記領域外に引き出されており、開口部１５への挿入長は０．７０５ｍｍである。理論上、方形導波管内では、その短辺に平行な電界しか存在しないことから、高い変換効率を得るために、ストリップ線路２１を開口部１５の短辺と平行となるように配置している。

導波管ブロック１の接合面１０には、誘電体基板２の下面が密着しており、開口部１５及びチョーク溝１６は、誘電体基板２によって閉鎖されている。一方、チョーク溝１６の端部は、接合面１０の周縁まで延び、導波管ブロック１の側面には、チョーク溝１６の断面と同一形状の連通口１７が形成されている。このような連通口１７を設けることによって、２つの導波管・ストリップ線路変換器を隣接して配置する場合に、各連通口１７を対峙させて、上記導波管・ストリップ線路変換器の側面を密着させれば、２つのチョーク溝１６が連結され、２つの導波管・ストリップ線路変換器によって共有させることができる。

図６及び図７は、本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の断面図であり、図６には、図３のＡ−Ａ切断線で切断した場合、図７には、図３のＢ−Ｂ切断線で切断した場合の様子が示されている。

開口部１５は、誘電体基板２上の接地板２２が形成されていない領域２５によって閉鎖されている。このため、電磁波は導波管１４及び誘電体基板２間を通過することができ、導波管１４は、短絡ブロック３によって短絡される。短絡ブロック３の深さは伝搬波長の１／４に相当し、短絡ブロック３の誘電体基板２との接合面３０において最大電界が得られる。この接合面３０に密着させる誘電体基板２の主面上にストリップ線路２１を形成することによって高い変換効率が得られる。

チョーク溝１６も、同様にして、誘電体基板２上の接地板２２が形成されていない領域２６によって閉鎖されており、電磁波はチョーク溝１６及び誘電体基板２間を通過することもできる。チョーク溝１６は、矩形の断面を有し、その深さは自由空間波長（空気中波長）の１／４に相当している。つまり、チョーク溝１６の底面で反射した反射波は、入射波とは逆位相の電磁波として誘電体基板２へ再入射され、誘電体基板２内の電磁波を打ち消すことができる。従って、電磁波が誘電体基板２内で広がるのをチョーク溝１６によって抑制し、導波管・ストリップ線路変換器１００の変換特性を向上させることができる。

ここで、電磁波の漏出を防止するためには、チョーク溝１６が、開口部１５を完全に取り囲んでいることが望ましい。しかしながら、チョーク溝１６をストリップ線路２１と交差させることは望ましくない。このため、本実施の形態では、ストリップ線路２１と交差させないように、チョーク溝１６をストリップ線路２１に向けて開かれた形状とし、ストリップ線路２１が交差している長辺を除く開口部１５の三辺を囲んでいる。また、チョーク溝１６は、ストリップ線路２１の両側において、短絡ブロック３の側面よりも更に外側まで延びている。このため、開口部１５は、チョーク溝１６と短絡ブロック３の側面とによって完全に取り囲まれている。

なお、本発明におけるチョーク溝１６は、この様な場合のみには限定されず、少なくとも開口部１５の周縁に沿って延びる形状として配置されていれば、電磁波の漏出を抑制する効果が得られる。例えば、開口部１５の少なくとも一辺と平行にチョーク溝１６が形成されていればよい。

図８は、本発明の原理を説明するための説明図であり、導波管・ストリップ線路変換器の断面図に電磁波の伝搬方向が示されている。図中の（ａ）は、チョーク溝１６を有しない従来の導波管・ストリップ線路変換器２００の断面図、（ｂ）は、チョーク溝１６を有する本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の断面図であり、いずれも電磁波が誘電体基板２内を右から左に伝搬する場合の様子の一例が示されている。

導波管ブロック１及び短絡ブロック３に挟まれた誘電体基板２は平行平板導波路として機能する。このため、図中の（ａ）に示した通り、チョーク溝１６を有しない導波管・ストリップ線路変換器２００の場合、電磁波が誘電体基板２内をその主面と平行に伝搬する。これに対し、チョーク溝１６を有する導波管・ストリップ線路変換器１００の場合には、チョーク溝１６へ侵入した電磁波が、逆位相の電磁波となって誘電体基板２へ戻り、誘電体基板２内を伝搬する電磁波を打ち消すことができる。

図中の（ｂ）には、誘電体基板２内を右から左に伝搬する電磁波［１］が、チョーク溝１６に達した場合の様子が示されている。この電磁波［１］は、チョーク溝１６へ侵入する電磁波［２］と、誘電体基板２内を更に直進する電磁波［３］とに分離される。また、図中の（ｃ）には、チョーク溝１６内で短絡端反射された反射波［４］が、誘電体基板２内に戻り、元の伝搬方向とは逆方向に進む電磁波［５］と、元の伝搬方向に進む電磁波［６］とに分離される様子が示されている。チョーク溝１６の深さは、１／４波長に相当するため、電磁波［６］及び電磁波［３］とは１８０度位相が異なっており、打ち消し合う。このため、電磁波が、チョーク溝１６を越えて誘電体基板２内を伝搬するのを抑制することができる。

図９は、本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の特性を示した図であり、シミュレーションで求められたＳパラメータＳ１１及びＳ２１の周波数特性が示されている。図中ではＳ１１（反射係数）が実線、Ｓ２１（透過係数）が破線で示されている。なお、チョーク溝１６及びスルーホールの有無の違いを除き、図１３及び図１４の場合と同一条件でシミュレーションを行っている。

いずれもスルーホール２３を有しない導波管・ストリップ線路変換器の特性が示された図９及び図１４を比較すれば、チョーク溝１６の形成により、変換特性が著しく改善されていることがわかる。すなわち、本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００は、スルーホール２３を有しない従来の導波管・ストリップ線路変換器２００に比べて、反射係数Ｓ１１が小さく、透過係数Ｓ２１が大きく、帯域幅が広くなっている。

また、図９及び図１３を比較すれば、変換効率及び帯域幅に僅かな特性の差が認められるが、概ね同等の特性が得られることがわかる。つまり、チョーク溝１６を有する導波管・ストリップ線路変換器１００は、スルーホール２３を有する導波管・ストリップ線路変換器２００と同様の特性を有することがわかる。

本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００は、誘電体基板２に対向する導波管ブロック１の接合面１０にチョーク溝１６が形成されている。このチョーク溝は１／４波長の深さを有するため、誘電体基板２内を伝搬する電磁波が、当該チョーク溝１６を越えて伝搬されるのを抑制することができる。従って、スルーホール２３が形成されていない誘電体基板２を用いて、良好な変換特性を有する導波管・ストリップ線路変換器を実現することができる。その結果、良好な特性を有し、ばらつきのない導波管・ストリップ線路変換器を容易に製造することができる。

また、本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００は、チョーク溝１６及び短絡ブロック３の側面によって、開口部１５が完全に取り囲まれている。このため、電磁波が、導波管ブロック１及び短絡ブロック３からなる平行平板導波路を介して漏出することによる電力損失を抑制し、導波管・ストリップ線路変換器の変換効率を向上させることができる。

なお、本実施の形態では、チョーク溝１６が導波管ブロック１の接合面１０に形成されている場合の例について説明したが、本発明は、この様な場合には限定されない。例えば、短絡ブロック３の接合面３０に形成されている場合であっても、同様の作用効果を得ることができる。チョーク溝１６を短絡ブロック３に形成する場合には、誘電体基板２のチョーク溝１６に対応する領域２６の接地板２２をエッチングにより除去する必要はない。

また、本実施の形態では、チョーク溝１６が、中空部として形成される場合の例について説明したが、本発明はこの様な場合には限定されない。例えば、チョーク溝１６の内部が誘電体で形成されていてもよい。この場合、チョーク溝１６の深さは、変換される電磁波の当該誘電体中における波長の１／４に相当していればよい。

また、本実際の形態では、チョーク溝１６が接合面１０の周縁まで延び、連通口１７が形成されている場合の例について説明したが、本発明はこの様な場合には限定されず、連通口１７が形成されていなくてもよい。図１０は、本発明の実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の他の例を示した平面図である。この導波管・ストリップ線路変換器１００では、ストリップ線路２１と平行に延びる直線溝が接合面１０の周縁に達しておらず、連通口１７を有していない。同様にして、ストリップ線路２１と交差する方向に延びる直線溝も接合面１０の周縁に達しないように形成することもできる。

本発明の実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の一構成例を示した展開斜視図である。 本発明の実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００を異なる方向から見た場合の展開斜視図である。 本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の外観図である。 本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００を図３とは異なる方向から見た場合の外観図である。 本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の平面図である。 本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００のＡ−Ａ切断線による断面図である。 本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００のＢ−Ｂ切断線による断面図である。 本発明の原理を説明するための説明図である。 本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の特性を示した図である。 本実施の形態による導波管・ストリップ線路変換器１００の他の例を示した平面図である。 従来の導波管・ストリップ線路変換器２００の一構成例を示した展開斜視図である。 図１１の導波管・ストリップ線路変換器２００をＣ−Ｃ切断線により切断した場合の断面図である。 図１１の導波管・ストリップ線路変換器２００の特性を示した図である。 図１１の導波管・ストリップ線路変換器２００がスルーホール２３を有しない場合の特性を示した図である。

符号の説明

１ 導波管ブロック
１０ 接合面
１３ ネジ穴
１４ 導波管
１５ 開口部
１６ チョーク溝
１７ 連通口
２ 誘電体基板
２１ ストリップ線路
２２ 接地板
２３ スルーホール
２５，２６ 接地板の非形成領域
３ 短絡ブロック
３０ 接合面
３１ 金属スペーサ
３２ 金属板
３４ 中空部
３５ 開口部
３６ 側面開口部
４ 締結ネジ
１００ 導波管・ストリップ線路変換器

Claims (3)

1. 導波管の開口部が形成された第１接合面を有する導波管ブロックと、
   第１接合面と対向する第２接合面を有し、上記導波管を短絡させる短絡ブロックと、
   第１接合面及び第２接合面の間に配置された誘電体基板と、
   上記誘電体基板上に形成され、その一端が上記開口部と対向するストリップ線路と、
   第１接合面又は第２接合面に形成され、導波管の伝搬波の１／４波長に相当する深さを有し、電磁波が上記誘電体基板内を伝搬して広がるのを抑制するチョーク溝とを備えたことを特徴とする導波管・ストリップ線路変換器。
2. 上記チョーク溝は、第１接合面又は第２接合面の周縁に達するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の導波管・ストリップ線路変換器。
3. 上記開口部は矩形形状からなり、
   上記チョーク溝は、上記開口部の少なくとも３辺を囲むとともに一部を開放させた形状からなり、
   上記ストリップ線路は、上記チョーク溝が開放された領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の導波管・ストリップ線路変換器。

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