JP4794533B2 - 誘導加熱装置 - Google Patents
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Description
このとき、被加熱物によっては、動作周波数が高くなり(例えば70kHz程度)、スイッチングロスが大きくなるとともに、スイッチング素子の発熱が大きくなってしまう。
また、2つのハーフブリッジ回路構成で加熱コイルに電流を供給するように構成されているので、高い周波数で動作する場合でも、個々のスイッチング素子の動作周波数を抑えることができ、スイッチングロスを低減させることができる。
図1は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱装置の回路図である。同図の誘導加熱装置は、例えば誘導加熱調理器などの加熱回路に適用することができる。
本実施の形態1に係る誘導加熱装置は、整流回路1、平滑リアクトル2、平滑コンデンサ3、スイッチング素子4〜7、加熱コイル8、コンデンサ9〜10、スイッチ11〜12を備える。
また、スイッチング素子4〜7、およびスイッチ11〜12の動作を制御する図示しない制御部を備える。
平滑リアクトル2、平滑コンデンサ3は、平滑回路を構成し、整流回路1が整流した直流出力を平滑化してスイッチング素子4〜7に供給する。
スイッチング素子4〜7には、それぞれ逆並列にダンパダイオードが接続されている。
これら2つのアームは、後に説明するスイッチ11〜12の切り替え動作により、1つのフルブリッジ回路として動作する状態と、2つの独立したハーフブリッジ回路として動作する状態の、2つの状態で動作する。
また、これら2つのアームは、平滑コンデンサ3と並列に接続される。
加熱コイル8の一端は、スイッチング素子4〜5の中点に接続される。
加熱コイル8の他端は、コンデンサ9の一端と直列に接続される。
コンデンサ9は比較的大きな容量を有し、コンデンサ10はこれに比してやや小さめの容量を有する。
コンデンサ10の一端は、後述のようにスイッチ12のa接点側の端子に接続され、他端は平滑コンデンサ3のマイナス側に接続される。
(1)スイッチ11のコモン端子は、スイッチング素子6〜7の中点に接続される。
(2)スイッチ11の他端a接点側の端子は、スイッチング素子4〜5と並列に加熱コイル8へ接続される。
(3)スイッチ12のコモン端子は、コンデンサ9の他端(加熱コイル8と接続されていない方の端子)と接続される。
(4)スイッチ12の他端a接点側の端子は、コンデンサ10の一端に接続される。
また、スイッチング素子4〜7は、トランジスタやIGBT等の適当な半導体スイッチング素子などで構成することができる。
また、「第2コンデンサ」は、コンデンサ10がこれに相当する。
図6のスイッチング素子4〜7は、フルブリッジ回路を構成する。各スイッチング素子の駆動制御を簡単に説明すると、以下のようになる。
(2)制御部は、スイッチング素子4と7をOFFにし、5と6をONにする。電流は、スイッチング素子6−>加熱コイル8−>スイッチング素子5の順で流れる。
例えば、被加熱物が鉄鍋のような磁性材質である場合には、スイッチSWをONにしてコンデンサ容量を大きくすることにより共振周波数を低くし、アルミ鍋のような非磁性材質である場合には、スイッチSWをOFFにしてコンデンサ容量を小さくすることにより共振周波数を高くする、といった制御が行われる。
スイッチングロスを考慮するのは、これが増加すると、スイッチング素子4〜7の発熱が増加するため、誘導加熱装置が備える放熱フィンを大きくするなどの対策を取らなければならず、コストの観点から好ましくない、などの理由による。
以下、本発明に係る誘導加熱装置の説明に戻る。
まず、鉄鍋などの磁性材質の被加熱物を誘導加熱する場合、即ち共振周波数を低く設定する場合、制御部はスイッチ11〜12を図1のような状態に切り替え、スイッチング素子4〜5からなるアームと、スイッチング素子6〜7からなるアームを、1つのフルブリッジ回路として構成する。即ち、以下の(1)〜(3)のような回路構成となる。
(2)加熱コイル8と直列に、コンデンサ9が接続される。
(3)スイッチング素子6〜7からなるアームの中点(出力端)に、スイッチ11、12を経由してコンデンサ9が接続される。
各スイッチング素子4〜7は、図6で説明したものと同様に駆動制御され、加熱コイル8に交流電流が供給される。
この場合、制御部はスイッチ11〜12を図2のような状態に切り替え、スイッチング素子4〜5からなるアームと、スイッチング素子6〜7からなるアームを、それぞれ独立した2つのハーフブリッジ回路として構成する。即ち、以下の(1)〜(3)のような回路構成となる。
(2)加熱コイル8およびコンデンサ9とコンデンサ10が直列に接続される。
(3)スイッチング素子6〜7からなるアームの中点(出力端)に、加熱コイル8が接続される。
この回路構成により、2つのアームの出力端は、加熱コイル8に対して並列に接続されたことになる。
すなわち、加熱コイル8とコンデンサ9、10の直列共振回路に対し2つのハーフブリッジ回路が並列に構成されたことになる。
そのため、アルミ鍋などの非磁性材質の被加熱物を加熱する際に、高い周波数でスイッチング素子を駆動制御することができる。
(2)コイル電流が目標値に達すると、制御部はスイッチング素子4をOFFする。以後は、加熱コイル8の効果により、コイル電流が徐々に減少する。
(4)コンデンサに蓄えられていた電荷が放電され、逆向きのコイル電流が流れる。
(6)コイル電流が目標値に達すると、制御部はスイッチング素子6をOFFする。以後は、加熱コイル8の効果により、コイル電流が徐々に減少する。
(8)コンデンサに蓄えられていた電荷が放電され、逆向きのコイル電流が流れる。
なお、図3(a)の「H」は、各ハーフブリッジ回路の動作周期を示している。
1周期のうち半分は他方のハーフブリッジ回路が動作し、当該ハーフブリッジ回路は休止区間となるため、加熱コイルに流れる電流の周波数は、各ハーフブリッジ回路の動作周波数の2倍となる。
(2)コイル電流が目標値に達すると、制御部はスイッチング素子4をOFFし、スイッチング素子5をONする。以後は、加熱コイル8の効果により、コイル電流が徐々に減少する。
(4)コイル電流が目標値に達すると、制御部はスイッチング素子6をOFFし、スイッチング素子7をONする。以後は、加熱コイル8の効果により、コイル電流が徐々に減少する。
なお、図3(b)の「H」は、フルブリッジ回路の動作周期を示している。
図3(a)と異なり、フルブリッジ回路の周波数とコイル電流周波数は一致する。
したがって、各ハーフブリッジ回路の動作周波数は、図1および図3(b)に示すフルブリッジ構成の場合と比較して、スイッチング周波数が半分で済むため、スイッチングロスが低減され、併せてスイッチング素子の発熱も低減される。
そのため、回路構成の切り替えと同時に、被加熱物に適した動作周波数が同時に設定される。
さらには、コンデンサ10をコンデンサ9に直列接続することによってコンデンサ全体としての耐圧が高まるため、誘導加熱装置全体のコンデンサの数を削減することができる。特に、非磁性材質の被加熱物を加熱する際に、高い電圧で回路を駆動することができるので、耐圧が高まる効果が十分に発揮される。
これに伴い、スイッチング素子の発熱も低減されるので、誘導加熱装置の放熱フィンを小型化ないし削減することができ、装置全体の小型化やコストの観点から有利である。
スイッチング素子は駆動周波数が一定以上になるとスイッチングロスが急激に増加することから、駆動周波数に事実上の上限があったが、図2〜図3のような回路構成と駆動方式を用いることにより、各スイッチング素子の駆動周波数を抑えつつ全体の動作周波数を引き上げることが可能となる。
例えば、従来では上記のようなスイッチングロスの制限から70kHz程度の動作周波数が上限であった場合でも、100kHz以上の動作周波数とすることが可能である。
図4は、本発明の実施の形態2に係る誘導加熱装置の回路図である。
図4において、実施の形態1の図1で説明したスイッチ12に代えて、新たにスイッチング素子13を設けた。スイッチング素子13は、他のスイッチング素子と同様の半導体スイッチング素子であり、制御部の指示に基づき駆動制御される。
その他の構成は図1と同様であるため、説明を省略する。
まず、鉄鍋などの磁性材質の被加熱物を誘導加熱する場合、即ち共振周波数を低く設定する場合、制御部はスイッチ11を図4のような状態に切り替え、スイッチング素子4〜5からなるアームと、スイッチング素子6〜7からなるアームを、1つのフルブリッジ回路として構成する。
また、スイッチング素子13をOFFし、コンデンサ9のみを用いて共振回路を構成する。
この場合、制御部はスイッチ11を図5のような状態に切り替え、スイッチング素子4〜5からなるアームと、スイッチング素子6〜7からなるアームを、それぞれ独立した2つのハーフブリッジ回路として構成する。
また、スイッチング素子13をONし、コンデンサ9と10を用いて共振回路を構成する。これにより、図4の回路構成と比較してコンデンサ容量が下がり、共振周波数が上昇するとともに、コンデンサの耐圧が高くなる。
即ち、スイッチ11〜12(またはスイッチ13)は、これらの機能を実現するスイッチング部品であれば、任意のものを用いることができる。
Claims (6)
- 少なくとも2個のスイッチング素子を直列に接続した直列回路(以下、アームと呼ぶ)を2回路と、
前記アームの中点より出力された出力端に接続された加熱コイルと、
前記加熱コイルに接続された第1コンデンサと、
前記スイッチング素子の動作を制御する制御部と、
前記2つのアームの接続を切り替えるスイッチと、
を備え、
前記スイッチは、
前記2つのアームを1つのフルブリッジ回路として前記加熱コイルに接続した第1状態と、
前記2つのアームをそれぞれ独立したハーフブリッジ回路として前記加熱コイルに接続した第2状態と、
を切り替え可能に構成され、
前記第1状態において、
前記2つのアームを前記加熱コイルの両側に直列に接続し、
前記第2状態において、
前記2つのアームの出力端を前記加熱コイルに並列接続することによって2つの並列に接続されたハーフブリッジ回路を構成する
ことを特徴とする誘導加熱装置。 - 一端を前記スイッチに接続した第2コンデンサを備え、
前記スイッチは、
前記第2状態において前記第1コンデンサと前記第2コンデンサを直列接続し、
前記第1状態において前記第1コンデンサと前記第2コンデンサの接続を切り離す
ように構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。 - 前記スイッチは、
前記2つのアームの接続を切り替える第1スイッチと、
前記第1コンデンサと前記第2コンデンサの接続を切り替える第2スイッチと、
を備え、
少なくとも前記第2スイッチは半導体スイッチング素子で構成された
ことを特徴とする請求項2に記載の誘導加熱装置。 - 前記制御部は、
前記第1状態において、
前記2つのアームが1つのフルブリッジ回路として動作するように前記スイッチング素子を駆動制御する
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の誘導加熱装置。 - 前記制御部は、
前記第2状態において、
前記2つのアームが並列接続された2つのハーフブリッジ回路として交互に動作するように前記スイッチング素子を駆動制御する
ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の誘導加熱装置。 - 前記制御部は、
前記スイッチを切り替えることにより、
被加熱物に応じて前記2つのアームの接続を切り替える
ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の誘導加熱装置。
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