JP2002186261A - Pwmインバータ - Google Patents

Pwmインバータ

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JP2002186261A
JP2002186261A JP2000376839A JP2000376839A JP2002186261A JP 2002186261 A JP2002186261 A JP 2002186261A JP 2000376839 A JP2000376839 A JP 2000376839A JP 2000376839 A JP2000376839 A JP 2000376839A JP 2002186261 A JP2002186261 A JP 2002186261A
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JP
Japan
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arm
control
voltage side
gate
semiconductor switch
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Application number
JP2000376839A
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English (en)
Inventor
Akifumi Ichihara
昌文 市原
Yasuhiro Yoshida
康宏 吉田
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0043Converters switched with a phase shift, i.e. interleaved
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 PWMインバータにおいては、半導体スイッ
チのスイッチング損失からキャリア周波数を高めるのが
制限される。 【解決手段】 U,V,Wの各相のアームの高圧側およ
び低圧側にそれぞれ半導体スイッチQ1〜Q8を並列に
設け、ゲートコントローラGUは各スイッチングを4倍
の周波数にしたキャリア周期で振り分けて順次オン・オ
フ制御する。また、インバータの出力電流容量を高める
ときに複数のスイッチを同じタイミングでオン・オフ制
御すること、スイッチの一部が故障したときに該故障し
たスイッチを飛び越したゲート制御で運転を継続するこ
と、アームとは逆の低圧側または高圧側の複数スイッチ
をオン制御することで故障したスイッチに直列のフュー
ズを溶断させ、故障したスイッチを飛び越したゲート制
御で運転を継続すること含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主回路アームを半
導体スイッチで構成し、半導体スイッチをPWM(パル
ス幅変調)制御するPWMインバータに関する。
【0002】
【従来の技術】この種のインバータは、半導体スイッチ
のスイッチングをPWM制御することで、出力電圧を正
弦波に近づけ、高調波の抑制や出力電流歪みの改善がで
きる。
【0003】PWM制御は、例えば、インバータの出力
周波数指令に比例させた周期にしかつ出力電圧に比例さ
せた振幅にした正弦波信号と、この正弦波信号の数倍以
上の周波数にしたキャリア(搬送波)信号とのレベル比
較によりPWM波形を生成し、これを半導体スイッチの
ゲート信号とすることで実現される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】PWMインバータにお
いて、PWMによるスイッチング周波数(キャリア周波
数)が高いほど、負荷に供給する正弦波出力の電圧精度
が高くなる。このため、精度を重視するインバータで
は、できるだけ高いスイッチング周波数で運転するのが
望まれる。
【0005】しかし、主回路半導体スイッチ素子として
広く使用されるIGBT(Insulated Gate Bipolar Tra
nsistor)では、スイッチング周波数を高めるのに伴い
スイッチング損失が増大するため、素子の熱破壊防止や
素子冷却構造の上からある程度のスイッチング周波数以
上には高めることができない。なお、他の半導体スイッ
チ素子においても、スイッチング周波数の増大がスイッ
チング損失を増大させてしまい、同様の問題があった。
【0006】本発明の目的は、素子のスイッチング損失
を軽減しながら等価的にスイッチング周波数を高めるこ
とができるPWMインバータを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の半導体
スイッチ素子を並列に設けて主回路の各アームを構成
し、各アームはN倍にしたキャリア周波数でPWM制御
し、各アームの半導体スイッチ素子はキャリア周期で振
り分けて順次オン・オフ制御することにより、各アーム
のスイッチング回数はキャリア周期当たり1/N回に
し、個々のアームのスイッチング損失を軽減しながら等
価的にスイッチング周波数を高めるものであり、以下の
構成を特徴とする。
【0008】主回路アームを半導体スイッチで構成し、
各半導体スイッチをパルス幅変調制御するPWMインバ
ータにおいて、各アームの高圧側および低圧側にそれぞ
れ複数の半導体スイッチを並列に設けた主回路と、各ア
ームの複数の半導体スイッチをキャリア周期で振り分け
て順次オン・オフ制御するゲートコントローラとを備え
たことを特徴とする。
【0009】また、前記ゲートコントローラは、インバ
ータの出力電流容量を高めるときに各アームの複数の半
導体スイッチを同じタイミングでオン・オフ制御するこ
とを特徴とする。
【0010】また、前記ゲートコントローラは、アーム
を構成する複数の半導体スイッチの一部が開放故障した
ときに該故障した半導体スイッチを飛び越したゲート制
御で運転を継続することを特徴とする。
【0011】また、前記主回路は、高圧側アームと低圧
側アームの各半導体スイッチに直列にそれぞれフューズ
を設け、前記ゲートコントローラは、アームを構成する
複数の半導体スイッチの一部が短絡故障したときにアー
ムとは逆の低圧側または高圧側の複数の半導体スイッチ
をオン制御することで故障した半導体スイッチに直列の
フューズを溶断させ、該故障した半導体スイッチを飛び
越したゲート制御で運転を継続することを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施形態を示す
PWMインバータの主回路構成図である。同図には、3
相インバータのU相の主回路構成のみを示し、他のV,
W相の主回路構成およびゲート制御も同様となる。
【0013】U相の主回路は、高圧側アームを4つのパ
ワートランジスタQ1,Q3,Q5,Q7とその還流用
ダイオードD1,D3,D5,D7の並列回路で構成
し、低圧側アームを4つのパワートランジスタQ2,Q
4,Q6,Q8とその還流用ダイオードD2,D4,D
6,D8の並列回路で構成する。
【0014】ゲートコントローラGUは、キャリア周波
数を4倍にしたPWMゲート信号で高圧側または低圧側
のアームをオンするのに、PWM波形のゲート信号を4
つのアームに振り分けて順次オン制御する。
【0015】例えば、図2に高圧側と低圧側のアームの
オン制御波形を示し、従来のキャリア周波数がもつ周期
Cに対して、本実施形態では4倍のキャリア周波数に
し、その周期TC’になる度に、トランジスタQ1,Q
3,Q5,Q7の順にオン制御する。同様に、低圧側の
アームのオン制御では、トランジスタQ2,Q4,Q
6,Q8の順にオン制御する。
【0016】このようなオン制御によるU相の出力電流
は、負荷として示す誘導電動機IMには、最初の周期で
は、トランジスタQ1のオンでU相からV相またはW相
の主回路を通してオン電流が流れ始め、このトランジス
タQ1のオフではダイオードD2を通した還流電流が流
れる。次の周期では、トランジスタQ2のオンでU相電
流が流れ、このトランジスタQ2のオフではダイオード
D4を通した還流電流が流れる。同様に、トランジスタ
Q3〜Q8とダイオードD6〜D8によるU相電流が流
れる。
【0017】したがって、本実施形態では、4倍のキャ
リア周波数にしたPWM制御により、出力電圧波形は非
常に高い精度の正弦波を得ることができ、しかも各トラ
ンジスタのスイッチング回数は従来のキャリア周期TC
当たり1回になり、個々のトランジスタのスイッチング
損失は従来のものと同等の1/4になる。よって、個々
のトランジスタがスイッチング損失の点でf(HZ)ま
で耐えられる場合は、相全体での等価スイッチング(キ
ャリア)周波数を4f(HZ)まで高めることができ
る。これにより、素子のスイッチング損失を軽減しなが
ら等価的にPWMインバータの電圧波形精度を高くする
ことができる。
【0018】なお、本実施形態において、トランジスタ
の並列数を多くすれば、より高いスイッチング周波数で
の運転が可能となる。また、半導体スイッチ素子として
は、パワートランジスタに限らず、IGBTやGTOサ
イリスタなどを使用して、同等の作用効果を得ることが
できる。また、ゲートコントローラによる各スイッチQ
1〜Q8の順序制御は、例えば、論理回路構成の分配器
で実現される。
【0019】また、本実施形態では、上記のスイッチン
グ損失を軽減しながらキャリア周波数を高める制御の
他、トランジスタのゲート制御を工夫することによって
運転機能を拡張することができる。これらを以下に詳細
に説明する。
【0020】(1)PWMインバータの電流容量を高め
るためのゲート制御方式を図3で説明する。同図の
(a)は、図1の主回路構成で、等価スイッチング周波
数はf(HZ)のままで、電流容量を4倍にする場合を
示し、各トランジスタQ1〜Q4に対して同じタイミン
グでオン・オフ制御を行う。
【0021】図3の(b)は、等価スイッチング周波数
は2f(HZ)とし、電流容量を2倍にする場合を示
し、トランジスタQ1とQ2、Q3とQ4を組にして同
じタイミングでオン・オフ制御を行う。
【0022】これらゲート制御は、例えば、誘導電動機
の可変速制御において、電動機の起動時や加速時など、
高い出力電流を必要とするが周波数が比較的低くてもよ
い運転モード時に、ゲートコントローラGUのキャリア
周波数を低くし、ゲート信号の振り分けを切り替えるこ
とで出力電流を高めることができる。なお、インバータ
の出力周波数は、低く制御されることから、その周期に
対するキャリア周期の比が低下することはなく、正弦波
精度を劣化させることはない。
【0023】(2)一部の半導体スイッチ素子の開放故
障にも運転を継続するためのゲート制御方式を図4で説
明する。インバータの運転中、スイッチ素子をゲートタ
ーンオンさせたにもかかわらず、それに電圧が加わって
いたり、ターンオフさせたにもかかわらず、それに電圧
が加わっていない場合は、当該素子が故障していると見
なすことができる。通常は、素子が故障した場合は、イ
ンバータを停止させる必要があるが、本実施形態ではゲ
ートコントローラGUが故障した半導体スイッチのオン
制御を飛び越したゲート制御を行うことでインバータ運
転を継続することができる。
【0024】図4では、トランジスタQ3が開放故障し
た場合、トランジスタQ3とQ4に対してはターンオフ
指令を与え、他の3つのアームに対して順番にゲート制
御することでインバータ運転を継続することができる。
このとき、スイッチング周波数は3f(HZ)に低下さ
せるのが好ましいが、短時間定格として4f(HZ)と
することでもよく、いずれにもインバータの停止を避け
ることができる。
【0025】なお、このような運転継続のためのゲート
制御は、前記(1)の制御と併用することができる。
【0026】(3)一部の半導体スイッチ素子の短絡故
障にも運転を継続するためのゲート制御方式を図5で説
明する。同図の(a)はインバータ主回路の構成を示
し、図1と異なる部分は、各トランジスタQ1〜Q8と
ダイオードD1〜D8の並列回路に直列にそれぞれフュ
ーズFF1〜FF8を設ける。
【0027】この構成において、図5の(b)に示すよ
うに、トランジスタQ1が短絡故障した場合、故障素子
と逆側になるトランジスタQ2,Q4,Q6,Q8の全
部をターンオンさせる。これにより、主回路に直流短絡
を起こし、トランジスタQ1→フューズFF1→トラン
ジスタQ2,Q4,Q6,Q8→フューズFF2.FF
4.FF6.FF8の経路で短絡電流を流す。このと
き、トランジスタQ1とフューズFF1には短絡電流の
すべてが流れるのに対し、他のトランジスタQ2,Q
4,Q6,Q8とフューズFF2.FF4.FF6.F
F8には短絡電流が分流し、そのほぼ1/4しか流れな
いため、フューズFF2.FF4.FF6.FF8が溶
断する前にフューズFF1を先に溶断させることができ
る。このフューズFF1が溶断するに必要な時間の直後
に通常運転モードに復帰させることにより、故障したト
ランジスタQ1を主回路から切り離し、インバータ運転
を継続することができる。
【0028】なお、上記のゲート制御方式は、健全側の
トランジスタQ2,Q4,Q6,Q8の全てをターンオ
ンさせるに限らず、2つ以上のトランジスタをターンオ
ンさせることでもよい。この場合のゲート制御は、前記
(1)の制御と併用することができる。また、ゲートコ
ントローラは、半導体スイッチの飛び越しオン・オフ制
御には分配器の飛び越し制御回路を付加することで実現
される。
【0029】また、実施形態では、3相PWMインバー
タの場合を示すが、単相PWMインバータに適用して同
等の作用効果を得ることができる。
【0030】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、複数の
半導体スイッチ素子を並列に設けて主回路の各アームを
構成し、各アームの半導体スイッチ素子はキャリア周期
で振り分けて順次オン・オフ制御するようにしたため、
素子のスイッチング損失を軽減しながら等価的にスイッ
チング周波数を高めることができる。
【0031】また、インバータの出力電流容量を高める
ゲート制御ができるし、故障した半導体スイッチを飛び
越したゲート制御により運転継続ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を示すPWMインバータの主
回路構成図。
【図2】実施形態におけるゲートパターン。
【図3】本発明における他のゲート制御方式(その
1)。
【図4】本発明における他のゲート制御方式(その
2)。
【図5】本発明における他のゲート制御方式(その
3)。
【符号の説明】
Q1〜Q8…パワートランジスタ(半導体スイッチ) D1〜D8…ダイオード FF1〜FF8…フューズ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 主回路アームを半導体スイッチで構成
    し、各半導体スイッチをパルス幅変調制御するPWMイ
    ンバータにおいて、 各アームの高圧側および低圧側にそれぞれ複数の半導体
    スイッチを並列に設けた主回路と、 各アームの複数の半導体スイッチをキャリア周期で振り
    分けて順次オン・オフ制御するゲートコントローラとを
    備えたことを特徴とするPWMインバータ。
  2. 【請求項2】 前記ゲートコントローラは、インバータ
    の出力電流容量を高めるときに各アームの複数の半導体
    スイッチを同じタイミングでオン・オフ制御することを
    特徴とする請求項1に記載のPWMインバータ。
  3. 【請求項3】 前記ゲートコントローラは、アームを構
    成する複数の半導体スイッチの一部が開放故障したとき
    に該故障した半導体スイッチを飛び越したゲート制御で
    運転を継続することを特徴とする請求項1または2に記
    載のPWMインバータ。
  4. 【請求項4】 前記主回路は、高圧側アームと低圧側ア
    ームの各半導体スイッチに直列にそれぞれフューズを設
    け、前記ゲートコントローラは、アームを構成する複数
    の半導体スイッチの一部が短絡故障したときにアームと
    は逆の低圧側または高圧側の複数の半導体スイッチをオ
    ン制御することで故障した半導体スイッチに直列のフュ
    ーズを溶断させ、該故障した半導体スイッチを飛び越し
    たゲート制御で運転を継続することを特徴とする請求項
    1または2に記載のPWMインバータ。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013027257A (ja) * 2011-07-26 2013-02-04 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc インバータ装置および画像診断装置
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JP2018148164A (ja) * 2017-03-09 2018-09-20 株式会社東芝 パワー半導体モジュール

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