JP4792996B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
前記半導体基板の表層であって、前記半導体基板のうちダイシングラインに隣接する部分に、前記第1の不純物領域と同一工程で形成された第2の不純物領域と、
前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成され、前記第2の不純物領域上に位置する前記層間絶縁膜を上下に貫通する第1の溝と、
前記第1の溝の下に位置する前記半導体基板に形成され、底部が前記第2の不純物領域の底部と同じ位置又は前記第2の不純物領域の底部より深い位置にある第2の溝とを具備する。
前記半導体基板の表層であって、前記半導体基板のうちダイシングラインに隣接する部分に、前記第1の不純物領域と同一工程で形成された第2の不純物領域と、
前記半導体基板上に形成された複数層の層間絶縁膜と、
最上層の前記層間絶縁膜上に形成された保護膜と、
前記複数層の層間絶縁膜及び前記保護膜に形成され、前記第2の不純物領域上に位置する前記複数層の層間絶縁膜及び前記保護膜を上下に貫通する第1の溝と、
前記第1の溝の下に位置する前記半導体基板に形成され、底部が前記第2の不純物領域の底部と同じ位置又は前記第2の不純物領域の底部より深い位置にある第2の溝とを具備する。
前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜を上下に貫通する第1の溝を前記第2の不純物領域上に形成し、前記第1の溝の下に位置する前記半導体基板に、底部が前記第2の不純物領域の底部と同じ位置又は前記第2の不純物領域の底部より深い位置にある第2の溝を形成する工程と、
を具備する
前記半導体基板上に複数層の層間絶縁膜を形成する工程と、
最上層の前記層間絶縁膜上に、保護膜を形成する工程と、
前記複数層の層間絶縁膜及び前記保護膜を上下に貫通する第1の溝を前記第2の不純物領域上に形成し、前記第1の溝の下に位置する前記半導体基板に、底部が前記第2の不純物領域の底部と同じ位置又は前記第2の不純物領域の底部より深い位置にある第2の溝を形成する工程とを具備する。
この場合、第1の溝及び第2の溝を形成する工程において、保護膜にパッド開口部を形成してもよい。
このようにして、シリコン基板1の素子領域にはトランジスタが形成され、シリコン基板1のうちダイシングライン140に隣接する部分には不純物領域8が形成される。
また、タングステン壁102b、Al合金壁112b,122b,及びAl合金層105b,115b,125bによりガードリング203が形成される。
次いで、図2(b)に示すようにダイシングライン140に沿ってダイシングを行い、各半導体装置を分離させる。
次いで、図4(c)に示すようにダイシングライン140に沿ってダイシングを行い、各半導体装置を分離させる。
また、パッド開口部130aと溝160を同一の工程で形成することができるため、工程数を少なくすることができる。
次いで、図6(b)に示すようにダイシングライン140に沿ってダイシングを行い、各半導体装置を分離させる。
Claims (9)
- 半導体基板の表層に形成され、トランジスタのソース又はドレインとなる第1の不純物領域と、
前記半導体基板の表層であって、前記半導体基板のうちダイシングラインに隣接する部分に、前記第1の不純物領域と同一工程で形成された第2の不純物領域と、
前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成され、前記第2の不純物領域上に位置する前記層間絶縁膜を上下に貫通する第1の溝と、
前記第1の溝の下に位置する前記半導体基板に形成され、底部が前記第2の不純物領域の底部と同じ位置又は前記第2の不純物領域の底部より深い位置にある第2の溝と、
を具備する半導体装置。 - 前記第2の溝は、前記半導体基板の表面からの深さが0.5μm以上1.0μm以下である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記層間絶縁膜はBPSG膜を含む請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の表層に形成され、トランジスタのソース又はドレインとなる第1の不純物領域と、
前記半導体基板の表層であって、前記半導体基板のうちダイシングラインに隣接する部分に、前記第1の不純物領域と同一工程で形成された第2の不純物領域と、
前記半導体基板上に形成された複数層の層間絶縁膜と、
最上層の前記層間絶縁膜上に形成された保護膜と、
前記複数層の層間絶縁膜及び前記保護膜に形成され、前記第2の不純物領域上に位置する前記複数層の層間絶縁膜及び前記保護膜を上下に貫通する第1の溝と、
前記第1の溝の下に位置する前記半導体基板に形成され、底部が前記第2の不純物領域の底部と同じ位置又は前記第2の不純物領域の底部より深い位置にある第2の溝と、
を具備する半導体装置。 - 前記第1の不純物領域を有する能動領域と、
前記能動領域を囲むガードリングと、
を具備し、
前記第1の溝及び第2の溝は前記ガードリングの外側に位置しており、かつ前記ガードリングを囲んでいる請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。 - 半導体基板の表層に、トランジスタのソース又はドレインとなる第1の不純物領域を形成し、かつ前記半導体基板のうちダイシングラインに隣接する部分に、前記第1の不純物領域と同一工程で第2の不純物領域を形成する工程と、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜を上下に貫通する第1の溝を前記第2の不純物領域上に形成し、前記第1の溝の下に位置する前記半導体基板に、底部が前記第2の不純物領域の底部と同じ位置又は前記第2の不純物領域の底部より深い位置にある第2の溝を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記第2の溝は、前記半導体基板の表面から底部までの深さが0.5μm以上1.0μm以下である請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表層に、トランジスタのソース又はドレインとなる第1の不純物領域を形成し、かつ前記半導体基板のうちダイシングラインに隣接する部分に、前記第1の不純物領域と同一工程で第2の不純物領域を形成する工程と、
前記半導体基板上に複数層の層間絶縁膜を形成する工程と、
最上層の前記層間絶縁膜上に、保護膜を形成する工程と、
前記複数層の層間絶縁膜及び前記保護膜を上下に貫通する第1の溝を前記第2の不純物領域上に形成し、前記第1の溝の下に位置する前記半導体基板に、底部が前記第2の不純物領域の底部と同じ位置又は前記第2の不純物領域の底部より深い位置にある第2の溝を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記第1の溝及び前記第2の溝を形成する工程において、前記保護膜にパッド開口部を形成する請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
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