JP4784888B2 - Fibによるアトムプローブ分析用試料の作製方法とそれを実施する装置 - Google Patents
Fibによるアトムプローブ分析用試料の作製方法とそれを実施する装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4784888B2 JP4784888B2 JP2006303500A JP2006303500A JP4784888B2 JP 4784888 B2 JP4784888 B2 JP 4784888B2 JP 2006303500 A JP2006303500 A JP 2006303500A JP 2006303500 A JP2006303500 A JP 2006303500A JP 4784888 B2 JP4784888 B2 JP 4784888B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- fib
- needle
- atom probe
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
- G01Q60/38—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/08—Probe characteristics
- G01Q70/10—Shape or taper
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/08—Probe characteristics
- G01Q70/10—Shape or taper
- G01Q70/12—Nanotube tips
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3109—Cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31732—Depositing thin layers on selected microareas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
本発明の課題は、上記問題を解決すること、すなわち、アトムプローブ試料片の移植・接着方法において、AP分析時の強い静電引力に十分耐えることができる試料基板とブロック状試料との強固な接着固定手法を提示することにある。
本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法の1形態は、ベース針と移植試料片の双方の側壁にFIBのエッチング加工によって凹凸構造を作製するものであり、互いに凹凸を噛み合わせるように接合した状態でFIBのデポジション加工によって接着するようにした。そして凹凸構造例としてはベース針と移植試料片の双方の側壁の貫通溝をとるようにした。
また、本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法の他の形態は、ベース針と移植試料片の端面を接合突合せた状態で該接合面からわずかに離れた双方の部材位置にFIBのエッチング加工によって溝加工するものであり、これらの溝に跨るようにFIBのデポジション加工によってデポ層を形成し接着するものとした。
本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法を実施する集束イオンビーム装置は、ベース針をかしめて保持する金属チューブがこのチューブがはめ込まれるように溝加工された角材に取り付けられた冶具を電動5軸を持つステージ上に設置したものであって、前記冶具は、少なくとも0°と90°傾斜切換可能な機能とを備えるものとした。
また、その1形態では傾斜切換可能な機能に加えてベース針を保持する部材が針軸中心に回転自在の機能を備えるものとした。
本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法を実施する集束イオンビーム装置は、ベース針を保持する部材が針軸中心に回転自在の機能と、少なくとも0°と90°傾斜切換可能な機能とを電動5軸を持つステージ上に追加して備えるものとしたので、この回転機能と傾斜機能を駆使して本発明のアトムプローブ試料片の移植・接着方法を容易に実施することができる。また、ベース針を保持する部材が電動5軸を持つステージ上に設置されるものとした形態を採るので、既存のFIB装置に保持部材を取り付け加工するだけで、容易に提供することができる。
図1の模式図ではそれぞれの部材に単純な両側面に貫通する針軸と直交する方向に溝を形成したものを示している。凹凸形状が溝構造を採るときは溝の方向が針軸と同方向では針軸方向の引張り力に対して耐久力が補強されないので、堅固な接着固定を実現するため直交方向に加工されている。
図3のBに示した実施例は双方の部材位置にFIBのエッチング加工によって凹凸形状として針軸方向に直交する面をもつ方形の穴4を穿設すると共に双方の穴4を溝でつなぎI字型の連続した穴を穿設したものである。このI字型の連続した穴部分を被覆するようにFIBのデポジション加工によってデポ層6を形成しI字型のブリッジで結合固着する。図3のBの左側は双方の穴4を溝でつなぎI字型の連続した穴が穿設加工され、両部材が当接接合された形態を示した図であり、右側が双方の穴4に跨るようにI字型のブリッジのデポ層6で結合させた形態を示す図である。この実施例でも鎹形態のブリッジを針の円周方向に複数カ所加工する。
これら2つの実施例は、両部材の接合面を針軸方向に直交する面をもつ方形の穴4に跨るようなブリッジを円周方向に数カ所形成して結合したものであるから、試料片の先端部分に掛かる力、針軸方向の引張り力に対して耐久力が補強され、堅固な接着固定が実現される。
3 プローブ 4 凹凸形状(溝、穴)
6 デポ層 10 角柱
11 金属チューブ 12 板バネ
Claims (6)
- ベース針と移植試料片の双方にFIBのエッチング加工によって凹凸構造を作製するステップと、互いの部材を接合させるステップと、前記凹凸構造が噛合い形態となるようにFIBのデポジション加工によって接着するステップとを踏むものとしたアトムプローブ分析用試料の作製方法。
- ベース針と移植試料片の双方の側壁にFIBのエッチング加工によって凹凸構造を作製するものであり、互いに凹凸を噛み合わせるように接合した状態でFIBのデポジション加工によって接着するようにしたものである請求項1に記載のアトムプローブ分析用試料の作製方法。
- 凹凸構造がベース針と移植試料片の双方の側壁間貫通溝である請求項2に記載のアトムプローブ分析用試料の作製方法。
- ベース針と移植試料片の端面を接合し突合せた状態で該接合面からわずかに離れた双方の部材位置にFIBのエッチング加工によって溝加工するものであり、これらの溝に跨るようにFIBのデポジション加工によってデポ層を形成し接着するようにしたものである請求項1に記載のアトムプローブ分析用試料の作製方法。
- ベース針をかしめて保持する金属チューブがこのチューブがはめ込まれるように溝加工された角材に取り付けられた冶具を電動5軸を持つステージ上に設置したものであって、前記冶具は、少なくとも0°と90°傾斜切換可能な機能とを備えるものである請求項1乃至4のいずれかに記載のアトムプローブ分析用試料の作製方法を実施する集束イオンビーム装置。
- 傾斜切換可能な機能に加えてベース針を保持する部材が針軸中心に回転自在の機能を備えたことを特徴とする請求項5に記載の集束イオンビーム装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303500A JP4784888B2 (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | Fibによるアトムプローブ分析用試料の作製方法とそれを実施する装置 |
US11/936,417 US8728286B2 (en) | 2006-11-09 | 2007-11-07 | Method of manufacturing sample for atom probe analysis by FIB and focused ion beam apparatus implementing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303500A JP4784888B2 (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | Fibによるアトムプローブ分析用試料の作製方法とそれを実施する装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008122114A JP2008122114A (ja) | 2008-05-29 |
JP4784888B2 true JP4784888B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=39507033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006303500A Expired - Fee Related JP4784888B2 (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | Fibによるアトムプローブ分析用試料の作製方法とそれを実施する装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8728286B2 (ja) |
JP (1) | JP4784888B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101062794B1 (ko) | 2008-10-21 | 2011-09-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | 집속이온빔을 이용한 저손상 대면적 원자침 분석용 시편 제작방법 |
JP5537058B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-07-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料作製装置、及び試料作製装置における制御方法 |
JP5537653B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2014-07-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置およびイオンビーム加工方法 |
FR2998091B1 (fr) * | 2012-11-12 | 2016-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'un echantillon en pointe pour analyse en sonde tomographique de structures electroniques |
WO2014175865A1 (en) | 2013-04-23 | 2014-10-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Repairing compromised system data in a non-volatile memory |
WO2014175867A1 (en) | 2013-04-23 | 2014-10-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Verifying controller code and system boot code |
CN112782198B (zh) * | 2020-12-07 | 2023-02-10 | 上海大学 | 多设备联用的三维原子探针样品通用接口装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004093352A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Seiko Instruments Inc | 極微小多探針プローブの製造方法及び表面特性解析装置 |
JP4393899B2 (ja) | 2004-03-17 | 2010-01-06 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | アトムプローブ装置用試料及びその加工方法 |
-
2006
- 2006-11-09 JP JP2006303500A patent/JP4784888B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-07 US US11/936,417 patent/US8728286B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008122114A (ja) | 2008-05-29 |
US20080289954A1 (en) | 2008-11-27 |
US8728286B2 (en) | 2014-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4784888B2 (ja) | Fibによるアトムプローブ分析用試料の作製方法とそれを実施する装置 | |
JP3902925B2 (ja) | 走査型アトムプローブ | |
CN1782690B (zh) | 用于真空腔室中样品形成和微观分析的方法和设备 | |
JP5208449B2 (ja) | 試料キャリア及び試料ホルダ | |
JP4628361B2 (ja) | 電子顕微鏡検査用試料の調製方法ならびにそれに用いる試料支持体および搬送ホルダ | |
JP3805547B2 (ja) | 試料作製装置 | |
JP4185604B2 (ja) | 試料解析方法、試料作成方法およびそのための装置 | |
US7550723B2 (en) | Atom probe apparatus and method for working sample preliminary for the same | |
JP2002333387A (ja) | はり部材およびはり部材を用いた試料加工装置ならびに試料摘出方法 | |
TW201710658A (zh) | 製備微結構診斷用的樣品的方法以及微結構診斷用的樣品 | |
US6777674B2 (en) | Method for manipulating microscopic particles and analyzing | |
US7067823B2 (en) | Micro-sample pick-up apparatus and micro-sample pick-up method | |
JP4048210B2 (ja) | 試料作製方法 | |
JPH11108813A (ja) | 試料作製方法および装置 | |
US8288740B2 (en) | Method for preparing specimens for atom probe analysis and specimen assemblies made thereby | |
JP4902712B2 (ja) | アトムプローブ分析方法 | |
JP2008014899A (ja) | 試料作製方法 | |
US10741360B2 (en) | Method for producing a TEM sample | |
JP4350425B2 (ja) | ピックアップ試料の垂直位置出し方法と垂直方向を示す印を持つ試料 | |
CN114509326A (zh) | 用于用体积样本来制备微样本的方法和显微镜系统 | |
JP2004253232A (ja) | 試料固定台 | |
Gribb et al. | Atom probe analysis | |
JP4316400B2 (ja) | 表面層評価方法 | |
JP2018100953A (ja) | マーキング方法および分析試料の作製方法 | |
JPH11149896A (ja) | 走査電子顕微鏡用試料台 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110629 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110701 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4784888 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |