JP4782445B2 - Bi12MO20粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層 - Google Patents
Bi12MO20粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層 Download PDFInfo
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 88
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 56
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 24
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 claims description 23
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M rubidium hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+] CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 5
- TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K bismuth tribromide Chemical compound Br[Bi](Br)Br TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 150000004760 silicates Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 241000953555 Theama Species 0.000 description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004985 Discotic Liquid Crystal Substance Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001621 bismuth Chemical class 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FBXVOTBTGXARNA-UHFFFAOYSA-N bismuth;trinitrate;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Bi+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FBXVOTBTGXARNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAEIUCDXXHCJQG-UHFFFAOYSA-N germanium;hydrate Chemical compound O.[Ge] BAEIUCDXXHCJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G29/00—Compounds of bismuth
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/76—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
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Description
Matjaz Valant and Danilo Suvorov ;"J.Am.Ceram.Soc"84(12), p2900(2001) H.S.Horowitz, A.J.Jacobson, J.M.Mewsam ;"Solid State Ionics "32/33 (1989)p678-690
以下に本発明のBi12MO20粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層の製造例を示す。
硝酸ビスマス・五水塩(Bi(NO3)3・5H2O:純度99.9%)482gを800ml、1N硝酸水溶液に溶解し、これに水を加えて1000mlとして添加液aを調整した。別に、メタケイ酸カリウム12.9gと水酸化カリウム325gを水に溶解し1000mlとし添加液bを調整した。一方、メタケイ酸カリウム7.7.gと水酸化カリウム281gを水に溶解して5000mlとし母液Pを調整した。
酸化ビスマス(純度99.9999%)232gを6Nの塩酸溶液に加え、60℃で1時間加温した状態で攪拌して溶解し、水を加えて1モル濃度の三塩化ビスマスの塩酸溶液1000mlを調整した(添加液c)。別に、水酸化テトラメチルアンモニウム577gを含む水溶液を攪拌しながら、ここにテトラエトキシシラン(純度99.9999%)17.4gを含む50%エタノール溶液をゆっくりと添加し、60℃で1時間攪拌し、水を加えて1000mlとし添加液dを調整した。また、母液として水酸化テトラメチルアンモニウム474gを含む水溶液を攪拌しながら、テトラエトキシシラン(純度99.9999%)10.4gを含む50%エタノール溶液をゆっくりと添加し、60℃で1時間攪拌し、水を加えて5000mlとし母液Qを調整した。
水酸化テトラメチルアンモニウム413gを含む水溶液を攪拌しながら、ここにテトラエトキシシラン(純度99.9999%)17.4gを含む50%エタノール溶液をゆっくりと添加し、60℃で1時間攪拌し、水を加えて1000mlとし添加液eを調整した。別に、水酸化テトラメチルアンモニウム47gを含む水溶液を攪拌しながら、テトラエトキシシラン(純度99.9999%)1.0gを含む50%エタノール溶液をゆっくりと添加し、60℃で1時間攪拌し、水を加えて5000mlとし母液Rを調整した。
水酸化テトラメチルアンモニウム413gを含む水溶液を攪拌しながら、ここに酸化ゲルマニウム(純度99.99%)8.724gを添加し、60℃で1時間攪拌し、水を加えて1000mlとし添加液fを調整した。別に、水酸化テトラメチルアンモニウム47gを含む水溶液を攪拌しながら、酸化ゲルマニウム(純度99.99%)0.52gを添加し、60℃で1時間攪拌し、水を加えて5000mlとし母液Sを調整した。
比較例1では非特許文献2に記載されている方法により粉体を製造した。すなわち、実施例1で調整された添加液aおよび添加液bを母液Pに常温で添加した。文献記載とおり直ちに析出が起こった。反応液のpHを14に調整した後、75℃に加温し、2日に亘って攪拌を継続した。得られた分散物を実施例1と同様に濾過、洗浄して粉体を得た。
Bi2O3粉末(純度99.9999%)279.6gとSiO2粉末(純度99.9999%)6.00gをエタノール200mlに分散しアルミナ製ボールミルを用いて混合、粉砕した。エタノールを蒸発させた後、アルミナ坩堝中に入れ800℃で8時間仮焼成した。これをアルミナ乳鉢で粉砕し、さらにアルミナ製ボールミルにて粉砕しBi12SiO20の粉体を得た。得られた粉体を実施例1と同様にICPで組成分析を行ったところ、Bi/Siの原子比は12.01であった。また、粉末X線回折法で測定したところ結晶構造は目的とするBi12SiO20の結晶構造であった。粉末粒子の走査型電子顕微鏡では1μm以下の粒子から最大では10μmの破砕片を含んでおり、また、レーザー回折式粒度分布測定装置からも1μm以下の粒子から最大5μmに亘る広い粒子径分布を示すことが確認された。
実施例1〜3で得られたBi12SiO20粉体および実施例4で得られたBi12GeO20粉体、比較例1および比較例2で得られたBi12SiO20粉体それぞれ50gにエタノール50mlを加え、さらにバインダーとして0.4%のポリビニルブチラールを加え、軽く素分散した後、3.7%のポリビニルブチラールと0.8重量%のフタル酸ジオクチルを加え、自公転式ミキサーを用いて充分混合分散してスラリーを得た。得られたスラリーをコータを用いて離型剤が塗設されたフィルムベース上に塗布してグリーンシートを調整した。成型体は室温下で24時間かけて乾燥した後、平面性の良いサファイア製セッター上に移し、これを大気雰囲気下10時間かけて450℃まで昇温してバインダーを取り除いた。これをガス置換型のマッフル炉でアルゴンガス流通下、840℃で2時間焼成して500μm厚の光導電層を得た。
上記で製造した光導電層の両面に金を600nmの厚みで蒸着し、この両電極間に1kVの電圧を印加した状態で、医療用X線源により1mremの線量率で0.1秒間X線を照射し、発生するX線光電流から単位線量当たりに発生した電荷量を測定した。結果を、粒子径、Bi/Mの原子比、光導電層の密度とともに表1に示す。発生電荷量は比較例2の発生電荷量を1とした相対比で示した。また、密度はアルキメデス法により測定したものである。
2 反応漕
3 ジャケット
4 溶液漕
5 溶液漕
6 送液流路
7 送液流路
8 タービン型攪拌機
9 モーター
21 導電層
22 記録用放射線導電層
23 電荷輸送層
24 記録用光導電層
25 導電層
20 放射線撮像パネル
70 電流検出手段
Claims (8)
- アルカリ可溶性ケイ素化合物またはアルカリ可溶性ゲルマニウム化合物のアルカリ性溶液と、水溶解性ビスマス化合物溶液とを80℃以上で固定環と回転翼とを備えた剪断型攪拌機により攪拌混合して反応させることを特徴とするBi12MO20粉体(ただし、MはSiまたはGeである。)の製造方法。
- 前記剪断型攪拌機の攪拌羽根の周速度が3m/sec以上であることを特徴とする請求項1記載のBi12MO20粉体の製造方法。
- 前記攪拌混合を前記アルカリ性溶液と前記水溶解性ビスマス化合物溶液を80℃以上のアルカリ母液に添加しながら行うことを特徴とする請求項1または2記載のBi12MO20粉体の製造方法。
- 前記アルカリ母液がLiOH、NaOH、KOH、RbOH、NR4OH(Rは炭素数1〜3のアルキル基)からなる群より選ばれる少なくとも1つを水に溶解した液であることを特徴とする請求項3記載のBi12MO20粉体の製造方法。
- 前記水溶解性ビスマス化合物が硝酸ビスマス、三塩化ビスマス、三臭化ビスマスからなる群より選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載のBi12MO20粉体の製造方法。
- 前記アルカリ可溶性ケイ素化合物がアルカリ金属または四級アンモニウムのケイ酸塩であることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載のBi12MO20粉体の製造方法。
- 前記アルカリ可溶性ゲルマニウム化合物がアルカリ金属または四級アンモニウムのゲルマン酸塩であることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載のBi12MO20粉体の製造方法。
- 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層であって、該光導電層が請求項1〜7いずれか1項記載の製造方法によって得られた粉体を用いて製造されたものであることを特徴とする光導電層。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005065128A JP4782445B2 (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | Bi12MO20粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層 |
US11/370,997 US7576033B2 (en) | 2005-03-09 | 2006-03-09 | Process for producing Bi12MO20 particles and photo-conductor layer for radiation imaging panels |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005065128A JP4782445B2 (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | Bi12MO20粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006248820A JP2006248820A (ja) | 2006-09-21 |
JP4782445B2 true JP4782445B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=36971152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005065128A Expired - Fee Related JP4782445B2 (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | Bi12MO20粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7576033B2 (ja) |
JP (1) | JP4782445B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7419697B2 (en) * | 2004-03-24 | 2008-09-02 | Fujifilm Corporation | Method for manufacturing photoconductive layer constituting radiation imaging panel |
JP2007063106A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | Bi12MO20粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層 |
JP2010037187A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-02-18 | Fujifilm Corp | Bi12XO20粉末の製造方法およびBi12XO20粉末、並びに放射線光導電体、放射線検出器および放射線撮像パネル |
RU2643563C1 (ru) * | 2017-06-13 | 2018-02-02 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова" | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ СИЛИКАТА ВИСМУТА Bi12SiO20 |
RU2669677C1 (ru) * | 2018-03-22 | 2018-10-12 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ получения силиката висмута Bi12SiO20 методом литья |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2644168C3 (de) * | 1976-09-30 | 1981-06-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verwendung einer kristallinen Wismutoxid-Verbindung der Zusammensetzung Bi↓10↓-14X↓1↓O↓n↓, sowie Vorrichtungen hierzu und Verfahren zu deren Herstellung |
JPS565549A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotograhic recording material |
JPS58151319A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光導電材料の製造方法 |
US4649037A (en) * | 1985-03-29 | 1987-03-10 | Allied Corporation | Spray-dried inorganic oxides from non-aqueous gels or solutions |
SU1773870A1 (ru) * | 1990-02-21 | 1992-11-07 | Proizv Ob Monokristallreaktiv | Cпocoб пoлучehия гepmahata bиcmуta |
DE19836821A1 (de) * | 1998-08-14 | 2000-02-24 | Rwe Dea Ag | Böhmitische Tonerden und aus diesen erhältliche phasenreine, hochtemperaturstabile und hochporöse Aluminiumoxide |
-
2005
- 2005-03-09 JP JP2005065128A patent/JP4782445B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-09 US US11/370,997 patent/US7576033B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7576033B2 (en) | 2009-08-18 |
JP2006248820A (ja) | 2006-09-21 |
US20060204423A1 (en) | 2006-09-14 |
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---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110707 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |