JP2007012842A - 光導電層および放射線撮像パネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光導電層は、放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネル30を構成するBi12MO20焼結体からなる光導電層であって、該光導電層の少なくとも一方の表面の平均表面粗さRaが5μm未満であることを特徴とする。放射線撮像パネル30は、記録用の放射線に対して透過性を有する第1の導電体層31、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層32、前記第1の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層34、前記読取用電磁波に対して透過性を有する第2の導電体層35をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する。
【選択図】図2
Description
J.Am.Ceram.Soc.,84(12)2900-2904(2001)
以下に本発明の光導電層の実施例を示す。
6N酸化ビスマス(Bi2O3)粉末(高純度化学研究所製)と4N酸化チタン(TiO2)粉末(高純度化学研究所製)をBi:Ti= 12:1(モル比)となるように配合し、酸化ジルコニウムボールを用いてエタノール中でボールミル混合を行った。その後、回収、乾燥し、800℃,8時間の仮焼成処理を行って酸化ビスマスと酸化チタンの固相反応によりBi12TiO20粉末を合成した。このBi12TiO20粉体を42MPaで一軸プレス成形を行い、この成形体を840℃で2時間、Arフロー条件で焼結させBi12TiO20焼結体を得た。得られたBi12TiO20焼結体のRaをTOKYO SEIMITSU製 handysurf E-30Aにより3回測定して、その平均値より算出したところ5.1μmであった。
比較例1と同様の仮焼成処理を行って得られたBi12TiO20粉末を42MPaで一軸プレス成形を行い、この成形体を820℃で2時間、Arフロー条件で焼結させBi12TiO20焼結体を得た。得られたBi12TiO20焼結体のRaは2.3μmであった。
比較例1で得られたBi12TiO20焼結体の両面を蒸留水によりRefine Tec社製研磨シート♯1000で研磨を行った。Raは0.82μmであった。
比較例1で得られたBi12TiO20焼結体の両面を蒸留水によりRefine Tec社製研磨シート♯2000で研磨を行った。Raは0.53μmであった。
31 導電層
32 記録用放射線導電層
33 電荷輸送層
34 読取用光導電層
35 導電層
70 電流検出手段
Claims (5)
- 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成するBi12MO20(ただし、MはGe,Si,Ti中の少なくとも1種である。)焼結体からなる光導電層であって、該光導電層の少なくとも一方の表面の平均表面粗さRaが5μm未満であることを特徴とする光導電層。
- 前記光導電層の両方の表面の平均表面粗さRaが5μm未満であることを特徴とする請求項1記載の光導電層。
- 前記平均表面粗さRaが1μm以下であることを特徴とする請求項1または2記載の光導電層。
- 記録用の放射線に対して透過性を有する第1の導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、前記第1の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、前記読取用電磁波に対して透過性を有する第2の導電体層をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルにおいて、
前記記録用光導電層が請求項1、2または3記載の光導電層からなることを特徴とする放射線撮像パネル。 - 放射線画像を担持した放射線の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層と、該記録用光導電層において発生した電荷を蓄積する蓄電部および該蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子を有し、直交する方向に2次元状に多数配列された電荷検出素子とからなる放射線撮像パネルにおいて、
前記記録用光導電層が請求項1、2または3記載の光導電層からなることを特徴とする放射線撮像パネル。
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2005
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