JP4772193B2 - 超伝導電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、超伝導電子デバイスの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術として超伝導電子デバイスは大きな基板上にメサ構造となるように、エッチングにより形成するようにしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のメサ構造の超伝導電子デバイスの場合は、大きな広い基板上に超伝導電子デバイスを形成する必要があり、つまり、マイクロ波応用の場合は、不適当な大きな土台が必要となることになり、コンパクトな集積回路構成に支障を来すといった問題があった。
【0004】
本発明は、上記状況に鑑みて、コンパクトな集積回路を構成することができる超伝導電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕超伝導電子デバイスの製造方法において、基板上に劈開されたBSCCO単結晶を固定する工程と、第1のフォトレジストを前記BSCCO単結晶表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、第1のイオンミリングにより特定の深さにまで前記BSCCO単結晶をエッチングする工程と、第2のフォトレジストを前記BSCCO単結晶表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、前記第2のフォトレジストを用いて第2のイオンミリングを行い、固有ジョセフソン接合装置を形成する工程と、前記第2のフォトレジストを除去し、前記固有ジョセフソン接合装置を劈開し、裏返したBSCCO単結晶片を得る工程と、新たな基板上に前記BSCCO単結晶片を固定し、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、第3のフォトレジストを前記BSCCO単結晶片上に形成する工程と、前記第3のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィと第3のイオンミリングでBSCCO単結晶装置をパターニングする工程と、前記第3のフォトレジストを剥離してから、下部電極及び上部電極を形成して、超伝導電子デバイスを得る工程とを施すことを特徴とする。
【0006】
〔2〕上記〔1〕記載の超伝導電子デバイスの製造方法において、前記上部及び下部の両方の電極が超伝導体からなることを特徴とする。
【0007】
〔3〕上記〔1〕記載の超伝導電子デバイスの製造方法において、四端子法で電流−電圧特性を測定することを特徴とする。
【0008】
〔4〕上記〔1〕記載の超伝導電子デバイスの製造方法において、前記上部及び下部の両方の電極が常伝導体からなることを特徴とする。
【0009】
〔5〕上記〔1〕記載の超伝導電子デバイスの製造方法において、前記BSCCO単結晶片の厚みを数十Å(オングストローム)まで薄くすることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0011】
図1は本発明の実施例を示す超伝導電子デバイスの製造工程図である。
【0012】
(1)まず、図1(a)に示すように、基板(例えば、シリコン基板)1上に劈開されたBSCCO単結晶2をポリイミドで固定する。
【0013】
(2)次に、図1(b)に示すように、第1のフォトレジスト3をBSCCO単結晶2表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて配置する。そこで、第1のイオンミリング4により特定の深さにまで試料をエッチングする。
【0014】
(3)次に、図1(c)に示すように、第2のフォトレジスト5をBSCCO単結晶2表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて配置する。次いで、第2のフォトレジスト5を用いて第2のイオンミリング6を行い、固有ジョセフソン接合装置を作る。
【0015】
(4)次に、図1(d)に示すように、第2のフォトレジスト5を除去し、試料を劈開し、裏返したBSCCO単結晶片7を得る。
【0016】
(5)次に、図1(e)に示すように、新たな基板8上にその裏返したBSCCO単結晶片7を固定し、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。第3のフォトレジスト9をBSCCO単結晶片7上に形成する。
【0017】
(6)次いで、図1(f)に示すように、第3のフォトレジスト9を用いたフォトリソグラフィと第3のイオンミリング10でBSCCO単結晶装置をパターニングする。
【0018】
(7)最後に、図1(g)に示すように、第3のフォトレジスト9を剥離してから、下部電極(超伝導体)11及び上部電極(超伝導体)12を形成して、引出し電極13,14を接続して超伝導電子デバイスを得る。
【0019】
なお、ここで、下部電極11及び上部電極12はBSCCO単結晶片からなっており、超伝導状態を呈する。
【0020】
この方法を用いて、a−b面方向の寸法がサブミクロンから約500ミクロンまで、c軸方向の厚さが数十から数千オングストロームまで変えることができる超伝導電子デバイスを製造することができる。
【0021】
(1)固有ジョセフソン接合装置
図1(g)に示すように、固有ジョセフソン接合装置を得ることができる。
このような固有ジョセフソン接合装置は、(a)上部と下部の両方の電極11,12が超伝導状態であり、四端子法で電流−電圧特性を測定することができる。
(b)固有ジョセフソン接合装置の接合数を精密に制御できる。(c)接合特性は非常に均一である、といった特徴を有する。
【0022】
(2)集積回路
この技術を使用することにより、様々な厚さと任意の形状をもつBSCCO単結晶の薄片を、多くの種類の基板上に配置する集積回路を作製することができる。
【0023】
図2は本発明の実施例を示すシリコン基板上に形成された超伝導電子デバイスの集積装置を示す図であり、多くの電極22と幾つかのマイクロブリッジ形状23をもつシリコン基板21上の単結晶の光学顕微鏡写真を示している。短波長域のミリ波とサブミリ波用のフィルタや共振器も本発明の方法を用いて作製することができる。なお、24は引出し電極である。
【0024】
(3)単一の素子構造
派生的なものとして新しい構造を有する超伝導電子デバイスを本発明の製造方法を用いて作り上げることができる。
【0025】
図3は本発明の他の実施例を示す超伝導電子デバイスの斜視図である。
【0026】
この図に示すように、数十から数千Å(オングストローム)のc軸方向の厚さと、サブミクロンまでのa−b面方向の寸法をもつBSCCO単結晶31を2層の常伝導金属の電極32,33間に配置させることができる。
【0027】
これは実際の応用と理論的な研究に適した理想的な固有ジョセフソン接合システムとすることができる。
【0028】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0029】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【0030】
(A)コンパクトな集積回路を構成することができる超伝導電子デバイスを得ることができる。
【0031】
(B)超伝導電子デバイスを数十Å(オングストローム)まで薄くすることができる。
【0032】
(C)単結晶の薄片を任意の形状にパターン化することができる。
【0033】
(D)同一薄片上にその他のデバイスを集積化することができる。
【0034】
(E)従来のメサ構造と比較して、マイクロ波応用に不適当な大きな土台が不要である。
【0035】
(F)四端子をもつ試料を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す超伝導電子デバイスの製造工程図である。
【図2】本発明の実施例を示すシリコン基板上に形成された超伝導電子デバイスの集積装置を示す図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す超伝導電子デバイスの斜視図である。
【符号の説明】
1 基板(例えば、シリコン基板)
2,31 BSCCO単結晶
3 第1のフォトレジスト
4 第1のイオンミリング
5 第2のフォトレジスト
6 第2のイオンミリング
7 裏返したBSCCO単結晶片
8 新たな基板
9 第3のフォトレジスト
10 第3のイオンミリング
11 下部電極(超伝導体)
12 上部電極(超伝導体)
13,14,24 引出し電極
21 シリコン基板
22 多くの電極
23 マイクロブリッジ形状
32,33 常伝導金属の電極
Claims (5)
- (a)基板上に劈開されたBSCCO単結晶を固定する工程と、
(b)第1のフォトレジストを前記BSCCO単結晶表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、
(c)第1のイオンミリングにより特定の深さにまで前記BSCCO単結晶をエッチングする工程と、
(d)第2のフォトレジストを前記BSCCO単結晶表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、
(e)前記第2のフォトレジストを用いて第2のイオンミリングを行い、固有ジョセフソン接合装置を形成する工程と、
(f)前記第2のフォトレジストを除去し、前記固有ジョセフソン接合装置を劈開し、裏返したBSCCO単結晶片を得る工程と、
(g)新たな基板上に前記BSCCO単結晶片を固定し、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、
(h)第3のフォトレジストを前記BSCCO単結晶片上に形成する工程と、
(i)前記第3のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィと第3のイオンミリングでBSCCO単結晶装置をパターニングする工程と、
(j)前記第3のフォトレジストを剥離してから、下部電極及び上部電極を形成して、超伝導電子デバイスを得る工程とを施すことを特徴とする超伝導電子デバイスの製造方法。 - 請求項1記載の超伝導電子デバイスの製造方法において、前記上部及び下部の両方の電極が超伝導体からなることを特徴とする超伝導電子デバイスの製造方法。
- 請求項1記載の超伝導電子デバイスの製造方法において、四端子法で電流−電圧特性を測定することを特徴とする超伝導電子デバイスの製造方法。
- 請求項1記載の超伝導電子デバイスの製造方法において、前上部及び下部の両方の電極が常伝導体からなることを特徴とする超伝導電子デバイスの製造方法。
- 請求項1記載の超伝導電子デバイスの製造方法において、前記BSCCO単結晶片の厚みを数十Åまで薄くすることを特徴とする超伝導電子デバイスの製造方法。
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