JP4755592B2 - 造形部分をパターン形成する方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 82
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 49
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 32
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 31
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 31
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 2
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
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- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
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Claims (20)
- 半導体デバイスに1つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、
Mが金属成分、Xが無機成分からなるものとして、M:炭素:水素:Xという構造式を持つ反射防止膜を基板上に堆積するステップと、
フッ化炭素ガス、アルゴン・ガス、酸素ガス及び窒素ガスを使用し且つ該プラズマによるポリマー材料の堆積を伴うプラズマ重合エッチングにより、前記基板を露出する造形部分を前記反射防止膜に形成するステップであって、前記反射防止膜に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記反射防止膜に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップと、
前記プラズマ重合エッチングにより、前記反射防止膜に形成された造形部分に連続する造形部分を前記基板に形成するステップであって、前記基板に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記基板に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップとを含む、方法。 - 半導体デバイスに1つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、
Mが金属成分、Xが無機成分からなるものとして、M:炭素:水素:Xという構造式を持つ反射防止膜を基板上に堆積するステップと、
前記反射防止膜上に放射線感応性画像形成層を堆積するステップと、
前記放射線感応性画像形成層に造形部分を形成するステップと、
フッ化炭素ガス、アルゴン・ガス、酸素ガス及び窒素ガスを使用し且つ該プラズマによるポリマー材料の堆積を伴うプラズマ重合エッチングにより、前記放射線感応性画像形成層に形成された造形部分に連続し且つ前記基板を露出する造形部分を前記反射防止膜に形成するステップであって、前記反射防止膜に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記反射防止膜に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップと、
前記プラズマ重合エッチングにより、前記反射防止膜に形成された造形部分に連続する造形部分を前記基板に形成するステップであって、前記基板に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記基板に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップとを含む、方法。 - 前記造形部分が、コンタクト・ホール若しくはバイア・パターンである、請求項1又は請求項2に記載の方法。
- 前記基板の材料は、フルオロケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、ホウリンケイ酸塩ガラス及び低誘電率誘電体からなる群から選択された材料である、請求項1又は請求項2に記載の方法。
- 前記放射線感応性画像形成層が前記反射防止材とは異なる組成を有する、請求項2に記載の方法。
- 半導体デバイスに1つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、
Mが、シリコン、チタン、ゲルマニウム、鉄、ホウ素、スズ、及びこれらの組合せからなる群から選択された金属成分であり、Xが、酸素、窒素、及びこれらの組合せからなる群から選択された無機成分であるものとして、M:炭素:水素:Xという構造式を持つ反射防止膜を基板上に堆積するステップと、
フッ化炭素ガス、アルゴン・ガス、酸素ガス及び窒素ガスを使用し且つ該プラズマによるポリマー材料の堆積を伴うプラズマ重合エッチングにより、前記基板を露出する造形部分を前記反射防止膜に形成するステップであって、前記反射防止膜に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記反射防止膜に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップと、
前記プラズマ重合エッチングにより、前記反射防止膜に形成された造形部分に連続する造形部分を前記基板に形成するステップであって、前記基板に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記基板に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップとを含む、方法。 - 半導体デバイスに1つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、
Mが、シリコン、チタン、ゲルマニウム、鉄、ホウ素、スズ、及びこれらの組合せからなる群から選択された金属成分であり、Xが、酸素、窒素、及びこれらの組合せからなる群から選択された無機成分であるものとして、M:炭素:水素:Xという構造式を持つ反射防止膜を基板上に堆積するステップと、
前記反射防止膜上に放射線感応性画像形成層を堆積するステップと、
前記放射線感応性画像形成層に造形部分を形成するステップと、
フッ化炭素ガス、アルゴン・ガス、酸素ガス及び窒素ガスを使用し且つ該プラズマによるポリマー材料の堆積を伴うプラズマ重合エッチングにより、前記放射線感応性画像形成層に形成された前記造形部分に連続し且つ前記基板を露出する造形部分を前記反射防止膜に形成するステップであって、前記反射防止膜に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記反射防止膜に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップと、
前記プラズマ重合エッチングにより、前記反射防止膜に形成された造形部分に連続する造形部分を前記基板に形成するステップであって、前記基板に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記基板に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップとを含む、方法。 - 前記造形部分が、コンタクト・ホール若しくはバイア・パターンである、請求項6又は請求項7に記載の方法。
- 前記基板の材料は、フルオロケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、ホウリンケイ酸塩ガラス及び低誘電率誘電体からなる群から選択された材料である、請求項6又は請求項7に記載の方法。
- 前記放射線感応性画像形成層が前記反射防止材とは異なる組成を有する、請求項7に記載の方法。
- 半導体デバイスに1つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、
シリコン:炭素:水素:酸素という構造式を有し、20原子パーセントまでのシリコンを含む反射防止膜を基板上に堆積するステップと、
フッ化炭素ガス、アルゴン・ガス、酸素ガス及び窒素ガスを使用し且つ該プラズマによるポリマー材料の堆積を伴うプラズマ重合エッチングにより、前記基板を露出する造形部分を前記反射防止膜に形成するステップであって、前記反射防止膜に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記反射防止膜に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップと、
前記プラズマ重合エッチングにより、前記反射防止膜に形成された造形部分に連続する造形部分を前記基板に形成するステップであって、前記基板に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記基板に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップとを含む、方法。 - 半導体デバイスに1つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、
シリコン:炭素:水素:酸素という構造式を有し、20原子パーセントまでのシリコンを含む反射防止膜を基板上に堆積するステップと、
前記反射防止膜上に放射線感応性画像形成層を堆積するステップと、
前記放射線感応性画像形成層に造形部分を形成するステップと、
フッ化炭素ガス、アルゴン・ガス、酸素ガス及び窒素ガスを使用し且つ該プラズマによるポリマー材料の堆積を伴うプラズマ重合エッチングにより、前記放射線感応性画像形成層に形成された造形部分に連続し且つ前記基板を露出する造形部分を前記反射防止膜に形成するステップであって、前記反射防止膜に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記反射防止膜に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップと、
前記プラズマ重合エッチングにより、前記反射防止膜に形成された造形部分に連続する造形部分を前記基板に形成するステップであって、前記基板に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記基板に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップとを含む、方法。 - 前記造形部分が、コンタクト・ホール若しくはバイア・パターンである、請求項11又は請求項12に記載の方法。
- 前記基板の材料は、フルオロケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、ホウリンケイ酸塩ガラス及び低誘電率誘電体からなる群から選択された材料である、請求項11又は請求項12に記載の方法。
- 前記放射線感応性画像形成層が前記反射防止材とは異なる組成を有する、請求項12に記載の方法。
- 半導体デバイスに1つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、
シリコン:炭素:水素:酸素という構造式を有し、20原子パーセントまでのシリコンを含む反射防止膜を基板上に堆積するステップと、
300体積部のアルゴンガス、150体積部の窒素ガス、5体積部のC4F8ガス、5体積部の酸素ガス及び5体積部のCH3Fガスを使用し且つ該プラズマによるポリマー材料の堆積を伴うプラズマ重合エッチングにより、前記基板を露出する造形部分を前記反射防止膜に形成するステップであって、前記反射防止膜に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記反射防止膜に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップと、
前記プラズマ重合エッチングにより、前記反射防止膜に形成された造形部分に連続する造形部分を前記基板に形成するステップであって、前記基板に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記基板に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップとを含む、方法。 - 半導体デバイスに1つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、
シリコン:炭素:水素:酸素という構造式を有し、20原子パーセントまでのシリコンを含む反射防止膜を基板上に堆積するステップと、
前記反射防止膜上に放射線感応性画像形成層を堆積するステップと、
前記放射線感応性画像形成層に造形部分を形成するステップと、
300体積部のアルゴンガス、150体積部の窒素ガス、5体積部のC4F8ガス、5体積部の酸素ガス及び5体積部のCH3Fガスを使用し且つ該プラズマによるポリマー材料の堆積を伴うプラズマ重合エッチングにより、前記放射線感応性画像形成層に形成された造形部分に連続し且つ前記基板を露出する造形部分を前記反射防止膜に形成するステップであって、前記反射防止膜に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記反射防止膜に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップと、
前記プラズマ重合エッチングにより、前記反射防止膜に形成された造形部分に連続する造形部分を前記基板に形成するステップであって、前記基板に形成された造形部分の壁をテーパさせることにより前記基板に形成された造形部分の底部の寸法を上部の寸法よりも小さくする、前記ステップとを含む、方法。 - 前記造形部分が、コンタクト・ホール若しくはバイア・パターンである、請求項16又は請求項17に記載の方法。
- 前記基板の材料は、フルオロケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、ホウリンケイ酸塩ガラス及び低誘電率誘電体からなる群から選択された材料である、請求項16又は請求項17に記載の方法。
- 前記放射線感応性画像形成層が前記反射防止材とは異なる組成を有する、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/661,041 US7030008B2 (en) | 2003-09-12 | 2003-09-12 | Techniques for patterning features in semiconductor devices |
US10/661,041 | 2003-09-12 | ||
PCT/US2004/014903 WO2005036625A1 (en) | 2003-09-12 | 2004-05-13 | Techniques for patterning features in semiconductor devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007505492A JP2007505492A (ja) | 2007-03-08 |
JP2007505492A5 JP2007505492A5 (ja) | 2007-06-28 |
JP4755592B2 true JP4755592B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=34273788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006526058A Expired - Fee Related JP4755592B2 (ja) | 2003-09-12 | 2004-05-13 | 造形部分をパターン形成する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7030008B2 (ja) |
EP (1) | EP1665347A1 (ja) |
JP (1) | JP4755592B2 (ja) |
KR (1) | KR100810203B1 (ja) |
CN (1) | CN1849698B (ja) |
TW (1) | TWI345803B (ja) |
WO (1) | WO2005036625A1 (ja) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7989307B2 (en) | 2008-05-05 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming isolated active areas, trenches, and conductive lines in semiconductor structures and semiconductor structures including the same |
US10151981B2 (en) | 2008-05-22 | 2018-12-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming structures supported by semiconductor substrates |
US8409457B2 (en) * | 2008-08-29 | 2013-04-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a photoresist-comprising pattern on a substrate |
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US8273634B2 (en) | 2008-12-04 | 2012-09-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating substrates |
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US8796155B2 (en) | 2008-12-04 | 2014-08-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating substrates |
JP5788807B2 (ja) | 2008-12-30 | 2015-10-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ナノ構造化表面を製造する方法 |
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US8268543B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns on substrates |
US9330934B2 (en) | 2009-05-18 | 2016-05-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns on substrates |
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TW550695B (en) | 2002-02-26 | 2003-09-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method to remove bottom anti-reflection coating layer |
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-
2003
- 2003-09-12 US US10/661,041 patent/US7030008B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-13 CN CN200480026182.4A patent/CN1849698B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-13 WO PCT/US2004/014903 patent/WO2005036625A1/en active Application Filing
- 2004-05-13 JP JP2006526058A patent/JP4755592B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-13 EP EP04752033A patent/EP1665347A1/en not_active Withdrawn
- 2004-05-13 KR KR1020067003310A patent/KR100810203B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-09-01 TW TW093126407A patent/TWI345803B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-23 US US11/337,411 patent/US7545041B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-03 US US12/062,186 patent/US20080187731A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080187731A1 (en) | 2008-08-07 |
KR20060064650A (ko) | 2006-06-13 |
US20050056823A1 (en) | 2005-03-17 |
WO2005036625A1 (en) | 2005-04-21 |
CN1849698B (zh) | 2012-07-11 |
US20060118785A1 (en) | 2006-06-08 |
US7545041B2 (en) | 2009-06-09 |
JP2007505492A (ja) | 2007-03-08 |
CN1849698A (zh) | 2006-10-18 |
TW200523998A (en) | 2005-07-16 |
EP1665347A1 (en) | 2006-06-07 |
KR100810203B1 (ko) | 2008-03-07 |
TWI345803B (en) | 2011-07-21 |
US7030008B2 (en) | 2006-04-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070509 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070509 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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