JP4751796B2 - 回路形成用基材およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記基材表面における親水基の量が5〜30nmol/cm2の範囲内にあり、
前記基材表面に付与されている金属パラジウムの量が1〜3nmol/cm2の範囲内にあることを要旨とする。
前記基材表面にパラジウム触媒を付与し、金属パラジウムを1〜3nmol/cm2の範囲内で生成させる工程と、
前記金属パラジウムが生成された基材面に無電解金属めっき層を形成する工程と、
前記無電解金属めっき層の表面に電解金属めっき層を形成する工程と、
を有することを要旨とする。
本回路形成用基材は、基材の少なくとも一方表面に、無電解金属めっき層、電解金属めっき層(以下、両者をまとめて「めっき層」ということがある。)がこの順で積層されており、基材表面における親水基の量および基材表面に付与されている金属パラジウムの量が特定の範囲内にある。
本製造方法は、上記本回路形成用基材を形成し得る方法である。
この工程において、基材表面に親水基を形成する方法は、基材の材質によって異なる。例えば、基材が高分子材料より形成されている場合には、基材表面を、紫外線処理、プラズマ処理、コロナ処理などにより表面改質した後、この基材表面に、アルカリ溶液を接触させるアルカリ処理を行う方法などを好適に用いることができる。
この工程では、特定量の親水基が形成された基材表面に、パラジウム触媒を付与し、このパラジウム触媒から金属パラジウムを生成させる。
無電解金属めっき層は、上述した無電解金属めっき層を構成する金属イオンを含んだ無電解めっき浴を用いて無電解金属めっきを行うことにより形成することができる。この際、無電解金属めっきは、分割して行っても良い。
電解金属めっき層は、上述した電解金属めっき層を構成する金属イオンを含んだ電解めっき浴を用いて電解金属めっきを行うことにより形成することができる。この際、電解金属めっきは、分割して行っても良い。
(実施例1)
初めに、20cm×20cm×25μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製、「カプトン 100EN」)を、紫外線表面改質装置(センエンジニアリング(株)製、「低圧水銀ランプEUV200WS」)にセットし、ポリイミドフィルム表面に紫外線を照射した。この際、紫外線の照射条件は、紫外線主波長184.9nm、253.7nm、紫外線照度20mW/cm2、出力200W、照射時間60秒とした。
上記実施例1の触媒付与工程において、パラジウム触媒液30ml/L(パラジウムイオン濃度0.12g/L)とした点以外は同様にして、実施例2に係る回路形成用基材を作製した。
上記実施例1のアルカリ処理工程において、30g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いた点以外は、実施例1と同様にして、実施例3に係る回路形成用基材を作製した。
上記実施例1のアルカリ処理工程において、30g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いた点、触媒付与工程において、パラジウム触媒液30ml/L(パラジウムイオン濃度0.12g/L)とした点以外は、実施例1と同様にして、実施例4に係る回路形成用基材を作製した。
上記実施例1のアルカリ処理工程において、80g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いた点以外は、実施例1と同様にして、実施例5に係る回路形成用基材を作製した。
上記実施例1のアルカリ処理工程において、80g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いた点、触媒付与工程において、パラジウム触媒液30ml/L(パラジウムイオン濃度0.12g/L)とした点以外は、実施例1と同様にして、実施例6に係る回路形成用基材を作製した。
上記実施例1の触媒付与工程において、パラジウム触媒液5ml/L(パラジウムイオン濃度0.02g/L)とした点以外は、実施例1と同様の処理を行った。
上記実施例1の触媒付与工程において、パラジウム触媒液50ml/L(パラジウムイオン濃度0.2g/L)とした点以外は、実施例1と同様にして、比較例2に係る回路形成用基材を作製した。
上記実施例1のアルカリ処理工程において、20g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いた点、触媒付与工程において、パラジウム触媒液50ml/L(パラジウムイオン濃度0.2g/L)とした点以外は、実施例1と同様の処理を行った。
上記実施例1のアルカリ処理工程において、100g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いた点、触媒付与工程において、パラジウム触媒液10ml/L(パラジウムイオン濃度0.04g/L)とした点以外は、実施例1と同様にして、比較例4に係る回路形成用基材を作製した。
作製した回路形成用基材の評価は、次のようにして行った。
各回路形成用基材の電解銅めっき層表面に、フォトレジストを塗布し、回路パターンのマスクを密着させた後、露光、現像を行い、濃度38wt%の塩化鉄エッチング液(鶴見曹達(株)製、「塩化第二鉄液」)を用いて、サブトラクティブ法によりL/S(ライン/スペース)=50/50μmの回路を形成し、フレキシブルプリント回路基板(以下、「FPC」という。)を作製した。そして、以下の工程にて、このFPCの回路上に無電解ニッケルめっき/無電解金めっきを行った。
各回路形成用基材を用いて、180°ピール強度の測定を行った。
Claims (2)
- 表面に親水基としてカルボキシル基が形成されたポリイミド樹脂からなる基材の表面に金属パラジウム触媒が付与されることにより金属パラジウムが生成され、その上に無電解金属めっき層と、電解金属めっき層とがこの順で積層されており、
前記基材表面における親水基の量が5〜30nmol/cm2の範囲内にあり、
前記基材表面に付与されている金属パラジウムの量が1〜3nmol/cm2の範囲内にあることを特徴とする回路形成用基材。 - 表面にサブトラクティブ法によるエッチング処理により回路パターンが形成された回路基板を形成するための回路形成用基材を製造するに際し、ポリイミド樹脂からなる基材の表面にカルボキシル基からなる親水基を5〜30nmol/cm2の範囲で生成させる工程と、
前記基材表面にパラジウム触媒を付与し、金属パラジウムを1〜3nmol/cm2の範囲内で生成させる工程と、
前記金属パラジウムが生成された基材面に無電解金属めっき層を形成する工程と、
前記無電解金属めっき層の表面に電解金属めっき層を形成する工程と、
を有することを特徴とする回路形成用基材の製造方法。
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